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新穎元件結構之衰退機制分析

新穎元件結構之衰退機制分析

And with the aid of the novel test structure, the results of the D-MTs in terms of on-state current degradation, threshold voltage shift and subthreshold swing under 1000-sec AC stress w[r]

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利用新穎結構對P型複晶矽薄膜電晶體進行之熱載子衰退機制分析

利用新穎結構對P型複晶矽薄膜電晶體進行之熱載子衰退機制分析

國立交通大學 電子工程系 電子研究所碩士班 摘 要 在本篇論文中,我們利用的測試(稱為“熱載子薄膜電晶體")來對 P 型 複晶矽薄膜電晶體進行熱載子效應的研究。在製程上,它與標準的製程無異,我們不需 要增加額外的步驟就能把元件製作出來。此測試包含了一組測試電晶體與三組感測 電晶體,而此三組感測電晶體分別垂直置放於測試電晶體的通道上。這種設計能有效的 偵測出通道在施加偏壓測試後不同區域的受損情況,以及提高區域受損情況偵測靈敏 度。
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新穎具記憶能力之有機光電晶體之物理機制探討、感測能力提升、新結構發展以及在軟性光感測陣列之應用

新穎具記憶能力之有機光電晶體之物理機制探討、感測能力提升、新結構發展以及在軟性光感測陣列之應用

5 報告內容: A 研究目的 雖然在本研究群的先期研究中,我們已經發現利用電場調控可以使 OPT 具 有很大的光靈敏度(photo responsivity),但是相關此效應的物理還需要更深入 的分析與探討,同時,從目前的研究成果看到,OPT 的光靈敏度主要來自於光 產生的電子被缺陷捕捉,造成元件臨界電壓漂移,從而在固定閘極偏壓下,元件 的光電流大幅上升。然而,此缺陷捕捉效應具有很長的反應時間,這限制了 OPT 在快速光感測陣列中的應用。本團隊提出此研究計畫,就是希望能設計實驗深入 探討 OPT 光感測的,同時提出元件,來大幅增加 OPT 的光感測速 度。預期可以提出快速且靈敏的有光電晶體。
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新穎倒置結構之有機太陽能電池

新穎倒置結構之有機太陽能電池

III 摘要 本研究主要是探討一種倒置太陽能電池,此倒置元件,擁有 氧化鋅薄膜作為一個電子傳輸層,鍍上 P3HT:PCBM 作為光反應層,並利用 PEDOT:PSS 當作電洞傳輸層,最後蒸鍍上銀電極。相對於傳統式的有太陽能電池,倒置 使用功函數較高的電極,移除了原本較低功函數容易產生氧化的鋁電極,可以 有效地提升有太陽能電池的壽命。本文中探討了紫外光對於氧化鋅電子傳輸層 產生的效應,以及對倒置太陽能電池元件效率的影響,並量測電子電洞的合效 率。此外,我們還介紹了使用石墨烯氧化物以及石墨烯在倒置有太陽能電池中 作為一個電洞傳輸層,取代了傳統的 PEDOT:PSS,並且展現了不錯的效率。最後,
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新穎光電材料與奈米結構元件之研究─子計畫一:新穎光電材料與奈米結構元件光學性質之研究(2/2)

新穎光電材料與奈米結構元件之研究─子計畫一:新穎光電材料與奈米結構元件光學性質之研究(2/2)

在不同溫度下,以光調反射率光譜及光激發螢光光譜術量測砷化銦鎵/砷化鎵量子點 的光學特性,此量子點樣品表面經由場發射電子掃描顯微術及原子力顯微術量測分析,其量 子點面密度約為每平方公分 1×10 10 個。在光激發螢光光譜中顯現五個光學躍遷能譜,其中較低 的兩個為量子點內能階躍遷,其次為伴隨形成超薄量子井的躍遷,最高的兩個能階則為砷化鎵 位障及緩衝層所產生。從溫度與躍遷能值關係可推論,兩個量子點的躍遷能譜的來源應是兩群由 不同銦成分所量子點的最低能態間光學躍遷所造成。
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新穎性奈米結構太陽能電池元件之製作與特性研究

新穎性奈米結構太陽能電池元件之製作與特性研究

However, nanoparticles dye sensitized solar cells (DSSCs) rely on the trap-limited diffusion for electron transport, a slow mechanism that can limit device efficiency..[r]

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新穎的小分子化合物之抗癌機制研究

新穎的小分子化合物之抗癌機制研究

38 4.4.4 #21026 誘導 Jurkat 細胞進行細胞凋亡(apoptosis)活動 如圖 3.3,接下來我們想要證明#21026 也跟#1412 一樣,也同樣能誘導 Jurkat 細胞進行細胞凋亡。因此,藉由西方墨點法來觀察 Jurkat 細胞在加了#21026 六 小時以及十二小時後的 PARP-1 裂解反應,以此證實我們這一假設。在抽取細 胞內蛋白質前,先加入 8 µM 的#21026 至 Jurkat 細胞內並在 37 . ℃培養六小時及 十二小時。後,利用西方墨點法偵測細胞內的 PARP-1 與 α-tubulin 蛋白質含 量。根據圖 4.4,第一排 bands 顯示的是全部長度的 PARP-1,而在其下面的第 二排 bands 則是 PARP 裂解產生的 PARP-1 cleavage。最下面一排 bands 則是 α-tubulin 的位置。cycloheximide 已被證實能夠有效地造成細胞凋亡,故在這個 實驗裡採用了 cycloheximide 作為正極的對照組 (positive control) 來比較。在加 了#21026 六小時以及十二小時後,皆可發現有 PARP-1 cleavage 的產生;但在 加了#21026 十二小時後,由於#21026 的毒性太強,PARP-1 幾乎已經被切光了。
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新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究

新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究

待改進。光電半導體材料系統式樣多,複雜需凝聚各種背景研究人力及研究生投入研發 工作。從 1964 年起,迄今調光譜被證明是研究半導體及其微細相當有力的工具。近年 來更用於實際元件(如:Solar Cell、HBT、PHEMT,LD、RCLED、VCSEL、MOS 等) 及量子線、量子井、量子點等低維度奈米光學特性的探討,為一方便使用有效的非破 壞性鑑定方法。此類量測技術用於基本學理探討及實用元件品改善等均極富潛力,在國內外 普遍受到重視,但要分析此複雜的譜線須要足夠的專門知識,本實驗室目前已具有相當的分 析能力,然更深入瞭解譜線的來源及,仍是重要的課題。本計劃擬以調光譜及表面光 電壓光譜量測技術研究光電半導體低維度微細元件光學特性。
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具懸浮奈米線結構之新穎元件的製作與特性分析

具懸浮奈米線結構之新穎元件的製作與特性分析

當然 ADTL 的伙伴們,我是一定不會忘記你們的。感謝蔡子儀學長、蘇俊榮學 長、徐行徽學長、林哲民學長、陳威臣學長、林政頤學長以及李克慧學姐,在實驗 的設計、果的分析都給我很大的幫助與指導。另外,在實驗進度捉襟見肘時、 台狀況不穩時,及時的建議與安慰都讓我倍感溫馨。不能不提的是郭嘉豪學長。老 實說,我這一年多來的實驗並不怎麼順利,多虧你一路的幫忙才讓我能夠漸漸步上 軌道,但是也很抱歉這一年來我並沒有完成既定的目標,反而讓你白白承受了不少
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新穎記憶體及生物感測器元件結構設計、製造與應用

新穎記憶體及生物感測器元件結構設計、製造與應用

第一部分我們探討矽化鎳薄膜於接面二極體的製程改善。由於電子元件的縮 小已達奈米尺度,金屬-半導體接面的工程更形重要。我們研究不同的金屬覆蓋 層於矽化鎳薄膜上對於接面二極體的電氣特性影響。我們發現無覆蓋及氮化鈦覆 蓋的元件比鈦覆蓋的特性較好,這是由於在鈦覆蓋的樣品中會生成一高阻值的鎳 -鈦-矽化合物,而影響元件特性。我們也研究矽化鎳在矽鍺上的熱穩定性。我們 發現使用矽/矽鍺堆疊會改善矽化鎳薄膜的熱穩定性。另外,矽化鎳於奈米 尺度的矽鍺線上會有所謂的窄線效應,但若是在矽/矽鍺堆疊的奈米線上則 相對穩定。此果歸因於矽/矽鍺疊層的應力作用限制矽化鎳的晶粒成長而 延緩其退化。
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新穎製程及新穎結構的複晶矽薄膜電晶體之可靠度研究

新穎製程及新穎結構的複晶矽薄膜電晶體之可靠度研究

此外也很感學實驗室各學長吳師道、陳經緯、楊中熹、彭辭修、王丁勇、羅文 政、陳漢譽、吳永俊、涂峻豪、蔡宗鳴、顏碩廷、陳致宏、楊富明、黃聖懿、胡佳 欣、胡心卉、陳怡誠、吳興華、張保安、張家榮、郭柏儀、楊政桓、吳元均、黃子 軒、陳稚軒、林泩宏等的帶領與指教,特別感謝吳永俊學長等在我的論文寫作與口 試報告等方面的教導,以及電腦軟體使用與量測分析的傳授;及涂俊豪學長、吳興 華學長、張保安學長等在儀器與實驗方面的傳授教導;另外也感謝實驗上的同伴鄭 兆欽、馮立偉、楊哲育、楊道彥、何武凌、張智超、翁崎峰、許雁雅、等在實驗上 的幫忙。感謝以上的所有人,讓我能順利的在這碩士期間完成實驗與論文。
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香菸導致肺癌之新穎表觀遺傳機制

香菸導致肺癌之新穎表觀遺傳機制

香菸導致肺癌表觀遺傳 林若凱 1 , 謝翊萱 2 , 林嬪嬪 3 , 許瀚水 4 , 陳志毅 5 , 湯硯安 6 , 李中帆 7 , 王憶卿 1,6,* 1 成大藥理所 2 師大生命科學系 3 國衛院環衛組 4 台北榮總胸腔外科 5 中國醫藥大學癌症中心 6 成大基礎醫學所 7 台大分醫所

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香菸導致肺癌之新穎表觀遺傳機制

香菸導致肺癌之新穎表觀遺傳機制

Importantly, a mutually exclusive localization of DNMT1 and bTrCP along with an increased of nuclear DNMT1 level were observed in cells treated with NNK (Figure 3A), suggesting that N[r]

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新穎光電半導體材料、低維度微細結構及其元件構造之光學特性研究(I)

新穎光電半導體材料、低維度微細結構及其元件構造之光學特性研究(I)

行政院國家科學委員會專題研究計畫期中精簡 報告 光電半導體材料,低維度微細及其元件光學特性研究(1/3) Optical Properties Study of Novel optoelectronic Semiconductor Materials, Low Dimensional Microstructures and Device Structures

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新穎光電半導體材料,低維度微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)

新穎光電半導體材料,低維度微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)

□出席國際學術會議心得報告及發表論文各一份 處理方式:除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、列管計畫 及下列情形者外,得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權,□一年□二年後可公開查詢

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新穎光電半導體材料,低維度微細結構及其元件構造之光學特性研究(III)

新穎光電半導體材料,低維度微細結構及其元件構造之光學特性研究(III)

和其它相類似材料比較。另一方面,利用 極化的PzR光譜可觀察出一系列氮含量不同的 GaInNP薄膜的非對稱性質,證明在GaInP中 加入N仍有著非對稱性質,並正確地得到價帶 分裂的E g , E g +∆ 12 和E g +∆ 13 訊號。再藉由溫度 變化求出價帶分裂三訊號溫度參數,並 與其它含氮化合物材料作一比較,發現在低 溫區域(15K-300K)中,其溫度參數並無因加 入氮後有太大的變化。另外在GaInNAs量子 井中,探討其各個躍遷位置與展寬參數的關 係,從溫度變化的量測中可得知因為加入N 後所有的localized現象。從以上果中,皆能 有效且深入地加以探討光電半導體材料 特性。利用表面光電壓譜線可得到E11H及 Ecav的訊號,並利用角度變化得到兩訊號的
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新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)(III)

新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)(III)

(ZnMgSe, ZnCdSe, ZnBeCdSe, ZnBeMgSe),Cu 2 -II-IV-(S x Se 1-x ) 4 太陽能光吸收層半導體材 料,及其低維度奈米微細如量子井,量子點等光學特性。 比較各種不同調方式的譜線,瞭解光學調。配合理論計算,探討半導體能帶或 激發態躍遷情形,以瞭解其異質接面狀態及其奈米微細和合金成分;分析譜線的半高 寬度,以鑑定其界面品質,並探討其可能影響因素。同時研究其各躍遷訊號和電場隨溫度 的變化情形,以充掌握各種外加參數對元件品質及性能影響,進而提昇元件的性能。並將此 等技術發展成為非接觸式非破壞性元件造品質鑑定工具,使其成為篩選元件造晶片 有利工具。
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新穎光電半導體材料,低維度奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(I)

新穎光電半導體材料,低維度奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(I)

成果報告類型(依經費核定清單規定繳交):■精簡報告 □完整報告 本 成 果 報 告 包 括 以 下 應 繳 交 附 件 : □ 赴 國 外 出 差 或 研 習 心 得 報 告 一 份 □ 赴 大 陸 地 區 出 差 或 研 習 心 得 報 告 一 份

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奈米結構超物質之新穎特性研究(I)

奈米結構超物質之新穎特性研究(I)

7. 上述重大研究突破,與國際上類似領域比較(內容以整體計畫呈 現,500 字為限,請勿以分項式條列說明) : 上述研究成果皆已發表於頂尖國際期刊上,研發及製作具 DWELL 紅外線 偵測器其效能已超越國際上類似領域成果水準。與一般 DWELL 紅外線偵測 器相較,我們製作出元件在低溫下具有超過其二十倍的量子效率及增加一個數 量級的偵測度。這是目前世界上最好的果。
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奈米結構超物質之新穎特性研究(III)

奈米結構超物質之新穎特性研究(III)

3. 請依學術成就、技術創、社會影響等方面,評估研究成果學術或應用價 值(簡要敘述成果所代表意義、價值、影響或進一步發展可能性)(以 500 字為限) 在此計劃中,最重要的一項成果是我們完成了低溫強磁場下的橢圓儀設備。它是世界第一 個可在如此環境下操作的橢圓儀。在發展這一套系統過程中,我們以特殊設計克服了長光 程及低溫的環境限制,成功的量測到樣品的偏極光光學參數,並且正在對量子點及量子環 等奈米組成的超物質光學性質進行分析量測。由於這是目前唯一可以在 4 K 低溫及 14T 高磁場環境下進行偏極光量測的系統,對於奈米光電研究的學者,這會是一個很理想的工 作平台,為台灣的學術發展加入嶄的活力。
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