Bi 4 −x Nd x Ti 3 O 12 : g à k Ä8 ý P ê s ¥ ¹ Å õ m Í ¹ ÅM X ì Ä ¤V R Ë8 ý Nd T Æ X Ø Y 8 È ÇÊ Ý
T ` 9 * å · T A I+ Ö < · ~ ç ¡` 9 r ) · »G B4 w H
Ö
¦í ß @ / < Æ § Ó ü t o < Æõ , Ö ¦í ß 680-749
». > ¬ £ ∗
Ö
¦í ß @ / < Æ § l íõ < Æ ½ ¨ è, Ö ¦í ß 680-749 (2004¸ 2 Z 4 20{ 9 ~ à Î6 £ §)
Nd s : r s ' ) a Bi
4−xNd
xTi
3O
12(BNdT, x = 0.75, 0.80, 0.85, 0.90) [ j b ` ¦ ¦ © ì ø Í6 £ xZ O Ü ¼ Ð ]
j ¸ % i ¦, Nds : r_ ' \ É r BNdT [ j b _ ½ + Ë$ í , & ñ p [ j½ ¨ ¸, y © Ä » s § 4 : £ ¤$ í , y © Ä » x 9
l ¸ : £ ¤$ í \ @ / # ½ ¨ % i . x = 0.75 ∼ 0.90\ " f BNdT [ j b É r é ß { 9 © _ 8 £ x © + þ A ` Ð Ú
ÔÛ ¼ s à Ô ½ ¨ ¸\ ¦ Õ ª@ / Ð Ä »t % i . Nd u ¨ 8 | ¾ Ós 7 £ x < Ê\ © s : r ¸ H y è % i ¦, Ä »
© Ã º x ß ¼ H & h & h ¢ - aë ß K 4 R ¢ - a o+ þ A(relaxor) y © Ä » © s : £ ¤$ í ` ¦ ? /% 3 . x = 0.85\ " f, ï ß À
Óì rF G_ ß ¼l H 11.06 µC/cm
2 Ð © H ° ú כ` ¦ Ð% i Ü ¼ 9, s M : ½ Ó l © _ ß ¼l H 50.3 kV/cm s % 3
. ¢ ¸ Nds : r s ' ÷ &% 3 ` ¦ M :, : r ¸_ > r l ¸ ¸ H y è % i . " f x = 0.80 ∼ 0.85{ 9 M :, y
© Ä » B j ¸o \ © Ä »o ô Ç y © Ä » x 9 l & h : £ ¤$ í s z ¤ .
PACS numbers: 11.10.Ef, 11.15.Tk
Keywords: y © Ä » ^ B j ¸o , BIT, y © Ä » s § 4 / B G , Ä » ^ , l ¸ ¸, y © Ä » ^
I. " e  ] Ø
þ j H y © Ä » : £ ¤$ í × æ ü @Â Ò l © \ _ ô Ç ì rF G: £ ¤$ í ` ¦ s
6 x # " é ¶ s é ß ÷ &# Q ¸ l % 3 © I Õ ª@ / Ð Ä »t ÷ &
¦, l > r e ¦ Y U/ '(flash) B j ¸o 1 p x_ q 6 fµ 1 Ï$ í B j ¸o ° ú
H Ö ¼ 2 ; 1 l x 5 Å q ¸ü < ¦ · ú 1 l x Ü ¼ Ð ô Ç ] jô Ç& h 6 £ x 6
x \ " f # Á # Q ¦| 9 & h oü < É r 1 l x 5 Å q ¸ Ð 6 £ x6 x% ò % i s V ,
É r q 6 fµ 1 Ï$ í y © Ä » B j ¸o (ferroelectric random ac- cess memory, FRAM) Ð 6 x l 0 A # Pb(Zr,Ti)O
3(PZT)\ ¦ q 2 © # q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x © ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô ½ ¨
¸\ ¦ ° ú H SrBi
2Ta
2O
9(SBT), SrBi
2Nb
2O
9(SBN) x 9 Bi
4Ti
3O
12(BIT)Ó ü t| 9 ` ¦ l ì ø ÍÜ ¼ Ð y © Ä » ì rF G x 9 l
¸ : £ ¤$ í \ ' aô Ç ½ ¨ ' ÷ & ¦ e [1–5]. & ³F t
_ ½ ¨ õ \ _ y © Ä » ^ PZT ~ Ã Ì} É r Z } É r ï ß À
Óì rF G (2P
r= 20 ∼ 70 µC/cm
2) õ ± ú É r / B N& ñ : r ¸ (500
∼ 600
◦C)\ ¦ ° ú H © & h É r e Ü ¼ Ñ þ F K õ ° ú É r F K5 Å q F G
`
¦ 6 xÙ þ ¡` ¦ M :, 10
6∼ 10
8Å Òl _ ì ø Í4 ¤ ) a { 9 l /æ ¼l \
"
f H ì rF G x Ð H l % 3 è _ 6 £ x6 x \ ë H ] j ÷ &
¦ e [6,7]. þ j H \ H y © Ä » l % 3 è \ Ä »6 xô Ç Ó ü t| 9
`
¦ > hµ 1 Ï l 0 AK q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x © ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô y © Ä »
∗
E-mail: [email protected]
^ \ # Q t s F K5 Å q s : r` ¦ u ¨ 8 % i ¦, s \
y © Ä » x 9 l & h Ó ü t$ í ` ¦ > h 9 H ½ ¨ Ö ¸µ 1 Ï
>
' ÷ & ¦ e [8–12].
(Bi
2O
2)
2+(A
m−1B
mO
3m+1)
2−Ü ¼ Ð ³ ð & ³÷ & H q Û ¼Á º Û
¼ 8 £ x © ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô o½ + ËÓ ü t É r 1950¸ Aurivillius [5] \ _ K ½ ¨÷ &% 3 . BIT y © Ä » ^ H q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x ©
½
¨ ¸\ " f A o ü < B o H y y Biü < Ti Z ~ # e ¦, q
Û ¼Á ºÛ ¼8 £ x s \ 3> h_ ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô 8 £ x s Á ú ¢# e
H ½ ¨ ¸\ ¦ s À Ò ¦ e . BIT H SBT \ q K ± ú É r : r ¸
\
" f & ñ o ÷ & H כ Ü ¼ Ð · ú 94 R e . Õ ª Q BIT H Ô
¦î ß & ñ ô Ç Bi s : r` ¦ í < Ê ¦ e ¦, ¢ ¸ Bi s : r É r \ P % o
õ & ñ \ " f ~ 1 > 6 fµ 1 Ï÷ & ¦ y © Ä » x 9 l & h : £ ¤$ í \
É
r % ò ¾ Ó` ¦ p 2 ; . " f Ô ¦î ß & ñ ô Ç Bi
3+s : r @ / \
B ÐÀ Ó s : r(rare earth) La
3+, Nd
3+ü < Sm
3+` ¦ '
# y © Ä » ^ : £ ¤$ í ` ¦ > h 9 H ½ ¨ Ö ¸µ 1 Ï > '
÷ & ¦ e [12–15]. : r ½ ¨\ " f H y © Ä » : £ ¤$ í s Ä º Ã
ºô Ç ¸$ í ` ¦ % 3 l 0 AK BIT\ W 1 ¸n ¹ ¡ §(Nd) s : r` ¦ '
ô Ç BNdT [ j b ` ¦ ¦ © ì ø Í6 £ xZ O Ü ¼ Ð ] j ¸ % i . ] j ¸
)
a [ j b \ " f z · ú (grain)_ ³ ð p [ j½ ¨ ¸ü < q Û ¼Á ºÛ ¼ 8
£
x © ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô © (phase) + þ A$ í É r Å Ò & ³p â (scanning electron microscope, SEM) ì r$ 3 x 9 X- r ] X
(X-ray diffraction, XRD)` ¦ : x K ¸ ÷ &% 3 ¦, Ä » ©
-428-
Ã
º(dielectric constant), Ä » < Hz ´(dielectric loss), ï ß À Óì r F G(remanent polarization) x 9 ½ Ó l © (coercive field)` ¦ 8
£
¤& ñ # Bi s : r @ / Â Òì r& h Nd s : r_ u ¨ 8 s y © Ä
» (ferroelectric) x 9 l ¸(electrical conduction) : £ ¤
$ í
\ p u H % ò ¾ Ó` ¦ ½ ¨ % i .
II. ÷ m Ç] M öU ê s0 n É
Bi
4−xNd
xTi
3O
12(x = 0.75, 0.80, 0.85, 0.90) ¸$ í _ BNdT [ j b ` ¦ Bi s : r @ / Nd s : r` ¦ ] t q \ u
¨ 8 # ¦ © ì ø Í6 £ xZ O Ü ¼ Ð ] j ¸ % i . Nd ¸$ í \ BNdT [ j b ` ¦ y y BNdT0.75, BNdT0.80, BNdT0.85 x 9
BNdT0.90 [ j b Ü ¼ Ð " î % i . y BNdT [ j b ¸
$ í
_ Bi
2O
3, Nd
2O
3x 9 TiO
2" é ¶ « Ñì r´ ú ` ¦ B jò ø Í` ¦ õ t Ø Ô
ïm ^ ¦` ¦ s 6 x # 24r ç ß 1 l xî ß 1 ^ ¦x 9 Ð D ¥½ + Ë
%
i ¦, 80
◦C \ " f Ø æì r y | ¸ % i . | ¸ ) a ì r´ ú ` ¦ · ú À
Òp ¸m \ V , ¦, 840
◦C \ " f 2r ç ß 1 l xî ß è
%
i ¦, p [ jô Ç ì r´ ú ` ¦ ë ß [ þ t l 0 AK 1 ^ ¦x 9 õ ° ú É r ¸| Ü
¼ Ð 2 ^ ¦x 9 Ð D ¥½ + Ëô Ç Ê ê | ¸ % i . 10 % polyviny- lalcohol(PVA) 6 xÓ o` ¦ 4 wt% D ¥½ + Ëô Ç Ê ê t 2 £ § 16 mm_ F
K+ þ Ad ¦ \ " f · ú $ í + þ Aô Ç Ê ê, 950
◦C ∼ 1200
◦C_ : r ¸
\
" f 50
◦C ç ß Ü ¼ Ð è # þ j& h _ è ¸| ` ¦ ¹ 1 Ô l
0 Aô Ç \ Vq z ´+ « >` ¦ % i . þ j7 á x r « Ñ H XRD, x 9 ¸ü <
Ã
º» ¡ ¤Ò ¦` ¦ 8 £ ¤& ñ # 1000
◦C \ " f 2r ç ß 1 l xî ß è % i
. r « Ñ_ © + þ A$ í õ ' aº ) a & ñ o : £ ¤$ í É r 20
◦< 2θ <
60
◦# 3 0 A_ XRD r] X Ü ¼ Ð Â Ò' ¸ ÷ &% 3 ¦, ³ ð z
· ú
É r SEM © u \ ¦ s 6 x # ì r$ 3 % i . l & h : £ ¤$ í
`
¦ ¸ l 0 A # ¿ ºa 0.3 mm_ n Û ¼ß ¼+ þ A r « Ñ\ ¦ ë ß
Fig. 1. XRD patterns of Nd doped BNdT ceramics.
[ þ
t% 3 ¦, dc Û ¼( ' a A ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð r « Ñ_ ª A á ¤ \ & h
30 mm
2_ Ñ þ F K F G` ¦ 7 £ x Ã Ì % i . Ä » © à º x 9 Ä »
< Hz ´ É r e x ~ Û ¼ ì r$ 3 l (HP4192A)\ ¦ s 6 x # 100 Hz ∼ 13 MHz_ Å Ò Ã º # 3 0 Aü < 30 ∼ 600
◦C_ : r ¸ # 3 0 A\ " f 8 £ ¤& ñ % i . BNdT [ j b _ y © Ä » s § 4 / B G É r Sawyer-Tower r Ðü < n t _ O ¸z ´ ÐÛ ¼ ïá Ô (TDS-210, Tektronix)\ ¦ s 6 x # 8 £ ¤& ñ % i .
III. + s ÇÊ Ý õ m Í À X Ø8 ý
1. X- Ò Å > H± n Ç Ä Z ØV Ä õ m Í Q c n° o » ì ÅQ : g º
Fig. 1 É r BNdT0.75, BNdT0.80, BNdT0.85 x 9 BNdT 0.90 [ j b _ X- r] X Á º] (\ ¦ 2θ = 20 ∼ 60
◦_ r] X y
# 3 0 A\ " f · p כ s . BNdT [ j b É r ' ) a Nd s
: r \ _ ô Ç 2 © É r + þ A$ í ÷ &t · ú § ¤Ü ¼ 9, BITü < 1 l x{ 9 ô Ç
r] X Á º] (\ ¦ ? /% 3 . q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x © ½ ¨ ¸\ ¦ ? / H (117) r] X x s ß ¼` ¦ q 2 © # { 9 ~ ½ Ó& ñ ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô
½
¨ ¸\ K { © H r] X s z ¤ . " f BNdT [ j
b É r q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x © ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô © \ K { © H r ] X
x s ß ¼\ ¦ Ðs 9, s r] X Á º] ( BIT_ r] X x s ß ¼ ü
< { 9 u H כ Ü ¼ Ð ^ ¦ M : x = 0.75 ∼ 0.90_ # 3 0 A\ " f Nd s : r ' H q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x © + þ A ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô ½ ¨ ¸
\
H % ò ¾ Ó` ¦ p u t · ú § É r כ Ü ¼ Ð Ð .
8
£
¤& ñ ) a BNdT [ j b _ x 9 ¸ 7.57 ∼ 7.62 g/cm
3 H BIT [
j b _ x 9 ¸ 7.52 g/cm
3\ q K ç ß 7 £ x % i ¦, s
H Nd s : r_ ' ´ òõ Ð Ð . Fig. 2 H BIT [ j b õ BNdT [ j b _ z · ú ³ ð p [ j½ ¨ ¸\ ¦ Ð# Å Ò H SEM
s . BIT [ j b _ z · ú É r ó ø Í © ¸ ª Ü ¼ Ð ¨ î ç H ß ¼l H 7 µm s . Õ ª Q Nd ' ÷ &% 3 ` ¦ M :, z · ú ¸ ª É r · û ª
É
r ó ø Í © \ " f | } @ / ¸ ª Ü ¼ Ð 7 % 3 Ü ¼ 9, BNdT0.90\
"
f H z · ú ß ¼l t " f Ñ ü æ H ¸ ª Ü ¼ Ð ¨ î ç H ß ¼l
Fig. 2. SEM images of Nd doped BNdT ceramics.
Fig. 3. Temperature dependences of dielectric constant of BNdT ceramics.
H 3 µm% i . BIT\ Nd_ ' \ É r z · ú o H z
· ú _ $ í © ~ ½ Ó ¾ Óõ ¸ x 9 ] X ô Ç ' aº s e H כ Ü ¼ Ð #
. XRD ì r$ 3 Ü ¼ ÐÂ Ò' , BIT r « Ñ H c-» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ Ó_ (008) x
ß ¼ ß ¼> z ¤t ë ß , Nd ' ÷ & (00l) x s ß ¼_ [
jl ß ¼> y è÷ &% 3 ¦, s כ É r q c-» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ Ó$ í Ü ¼ Ð_ y
© ô Ç $ í © s z ` ¦ _ p ô Ç . " f X r] X ì r$ 3 õ
SEM_ õ [ þ t Ð Â Ò' é ß { 9 © (single phase)s ¸ ú + þ A
$ í
) a BNdT [ j b s ] j ¸ ) a כ Ü ¼ Ð Ð .
2. Æ X Øy ¢ õ m Í ¤ ¤; c  \ ¥ P ê s ¥ ¹ Å ¤V R Ë - ¥ ¹ ÅV ê s ¤ Ñ
÷ ¥ ¹ Å Å X Ø÷ m Ç
Fig. 3 É r 1 MHz_ Å Ò Ã º\ " f 8 £ ¤& ñ ) a : r ¸\ É r BIT x 9 BNdT [ j b _ Ä » © Ã ºs . BIT_ © s (Ç © o
) : r ¸ H 645
◦C, BNdT0.75 H 448
◦C, BNdT0.80 H 416
◦C, BNdT0.85 H 377
◦C x 9 BNdT0.90 H 344
◦C Ð
z ¤ ¦, Nd_ ' | ¾ Ós 7 £ x < Ê\ © s : r ¸ y
è % i . ¢ ¸ BNdT [ j b _ Ä » © Ã º x s ß ¼ H Nd_ '
| ¾ Ó\ & h & h ¢ - aë ß K t H : £ ¤$ í ` ¦ Ðs ¦ e .
Table 1. Dielectric constant, loss and phase transition- temperature of BIT and BNdT ceramics at 1 MHz.
Ceramics T
c(
◦C) Dielectric Constant tanδ
R.T. T
cR.T.
BIT 645 167 642 0.0112
BNdT0.75 450 174 479 0.0603 BNdT0.80 418 143 369 0.0055 BNdT0.85 379 158 481 0.0044 BNdT0.90 350 179 407 0.0070
" f © s : r ¸ü < Ä » © à º x s ß ¼_ o H Nd s : r u
¨ 8 \ É r : £ ¤$ í Ü ¼ Ð Ð . ¢ - aë ß ô Ç © s : £ ¤$ í É r ¢ - a
o+ þ A y © Ä » ^ (Sr,Ba)Nb
2O
6(SBN) x 9 Pb(Mg, Nb)O
3(PMN) [16] 1 p x \ " f H © s 1 l x õ Ä » 9, Nd s : r_ u ¨ 8 \ Â Òì r& h Ü ¼ Ð É r © s : £ ¤$ í ` ¦
4 R H : £ ¤$ í Ü ¼ Ð K $ 3 ) a . Table 1 É r : r z ´+ « >\
"
f 8 £ ¤& ñ ô Ç BITü < BNdT [ j b _ Ä » © Ã º, Ä » < Hz ´,
©
s : r ¸\ ¦ · p כ s .
z
´ : r H % \ " f BIT [ j b _ Ä » © à ºü < Ä » < Hz ´ É r y
y 167, 0.0112 Ð z ¤ . ¢ ¸ W 1 ¸n ¹ ¡ § s ' ) a BNdT [ j b _ Ä » © à ºü < Ä » < Hz ´ É r y y 143 ∼ 179, 0.0044 ∼ 0.0603 Ð 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 . x = 0.80 ∼ 0.85 { 9 M :, Ä
» < Hz ´ É r y è # © É r ° ú כ` ¦ ? /% 3 . : r z ´ +
« >\ " f x = 0.75 ∼ 0.90\ " f, Nds : r s 7 £ x < Ê\ Ä
» © Ã º x s ß ¼_ ¢ - aë ß ô Ç : £ ¤$ í õ © s : r ¸_ y è
\
¦ S X ½ + É Ã º e Ü ¼ 9, s õ H SBN \ " f Nbs : r @ / Ta s : r_ u ¨ 8 | ¾ Ós 7 £ x < Ê\ © s : r ¸ y è
¦ Ä » © Ã º_ x s ß ¼ ¢ - aë ß K t H õ ü < Ä » [16].
Fig. 4. (a) Ferroelectric P-E hyteresis loops and (b) Re-
manent polarization and coercive field
3. P ê s ¥ ¹ Å T I í Ä ¤ Ò Å õ m Í ¹ ÅM ¹ Åy ¢y ¢ ¤V R Ë
Fig. 4 (a) ü < (b) H BIT ü < BNdT [ j b \ 86 kV/cm_
l © s K & ` ¦ M : y © Ä » s § 4 / B G õ s / B G Ü ¼ Ð Â
Ò' % 3 É r ï ß À Óì rF G(P
r) õ ½ Ó l © (E
c)` ¦ ? /% 3 .
BIT x 9 BNdT [ j b _ Ä » s § 4 / B G É r @ /g A` ¦ s À Ò 9, Nd_ u ¨ 8 | ¾ Ó\ s § 4 / B G _ ¸ ª s ¸F K
%
i . BNdT [ j b _ ï ß À Óì rF G É r BIT [ j b \ q K q
§& h H ° ú כs % 3 ¦, BNdT0.85 [ j b _ â Ä º ï ß À Óì r F G(P
r) ° ú כs 11.06 µC/cm
2Ü ¼ Ð þ j@ / ° ú כ` ¦ ? /% 3 .
s
M : BNdT0.85 [ j b _ ½ Ó l © ß ¼l H E
c= 50.5 kV/cm Ð z ¤Ü ¼ 9, Nd_ ª s 7 £ x < Ê\ " f" fy y
è % i . BIT & ñ É r a-» ¡ ¤ \ É r ì rF G_ ß ¼l H 45
∼ 50 µC/cm
2_ H° ú כ` ¦ ° ú H X < q K c-» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ Ó\ É r ì
rF G_ ß ¼l H 5 µC/cm
2_ É r ° ú כ` ¦ ° ú H כ Ü ¼ Ð · ú 9 4
R e [8–12]. " f q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x © ` ÐÚ ÔÛ ¼ s × ¼
½
¨ ¸\ " f Bis : r( s : rì ø Í â r = 0.117 ˚ A) \ q K s : r ì ø Í
â
s É r Nd s : r( r = 0.111 ˚ A)_ u ¨ 8 É r í ß è¼ 1 Ï ^ _ ~ Õ ª Qf \ _ K ï ß À Óì rF G_ ß ¼l \ ¦ 7 £ x r ~ ´ Ã º e Ü
¼ 9, É r ô Ç ¼ # Ü ¼ Ð q c-» ¡ ¤ z · ú C ¾ Ó : £ ¤$ í Ü ¼ Ð ï ß À Ó ì
rF G_ ß ¼l 7 £ x H כ Ü ¼ Ð ¸ K $ 3 ) a [15]. Table 2 H : r z ´+ « >\ " f % 3 É r BIT ü < BNdT [ j b _ ï ß À Óì rF G,
½ Ó l © x 9 l ¸ ¸\ ¦ · p כ s .
Fig. 5 H 1 MHz_ Å Ò Ã º\ " f 8 £ ¤& ñ ) a : r ¸\ É r BIT ü < BNdT [ j b _ §À Ó l ¸ ¸(ac conductivity, σ)\ ¦ · p כ s . 230
◦C\ ¦ l ï r Ü ¼ Ð §À Ó l
¸ ¸ H Z } É r : r ¸% ò % i õ ± ú É r : r ¸% ò % i Ü ¼ Ð ¾ º# Q .
BIT [ j b \ q K BNdT [ j b _ l ¸ ¸ H y è
% i Ü ¼ Z } É r : r ¸ % ò % i \ " f H " f Ð q 5 p wô Ç ° ú כ` ¦ Ð% i
. ô Ǽ # ± ú É r : r ¸ % ò % i \ " f BNdT [ j b É r " f Ð É r
° ú
כ` ¦ & Ü ¼ BNdT0.80ü < BNdT0.85[ j b É r ç ß ± ú
É
r l ¸ ¸\ ¦ Ðs ¦ e . s õ H Bi s : r @ / Nd s : r_  Òì r& h u ¨ 8 \ _ ô Ç כ Ü ¼ Ð Ð . q Û ¼Á º Û
¼ 8 £ x © ½ ¨ ¸\ ¦ ° ú H BNdT [ j b É r pseudo tetragonal
½
¨ ¸\ ¦ ¦ c-» ¡ ¤` ¦ Bi
2O
28 £ x s \ 3> h_ ` ÐÚ Ô
Table 2. Remanent polarization, coercive field and ac conductivity of BIT and BNdT ceramics.
Ceramics P
rE
cσ
(µC/cm
2) (kV/cm) ((Ωcm)
−1)
BIT 5.20 26.7 4.10 ×10
−6BNdT0.75 7.50 53.3 2.93 ×10
−6BNdT0.80 8.30 53.2 1.40 ×10
−6BNdT0.85 11.05 50.3 1.80 ×10
−6BNdT0.90 8.20 49.3 2.80 ×10
−6Fig. 5. Temperature dependences of ac conductivity of BNdT ceramics.
Û
¼ s à Ô é ß 0 A[ j í(perovskite-like unit cell) Á ú ¢# e
H ½ ¨ ¸\ ¦ + þ A$ í ¦ e . s ü < ° ú É r q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x © `
ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô y © Ä » ^ \ " f H í ß è o ü < ª / B N s
© ¹ ¡ §f s l / 'î r | ¨ c à º e ¦ [17], s l
¸\ l # H כ Ü ¼ Ð ^ ¦ à º e . " f Ô ¦î ß & ñ ô Ç Bi s : r @ / Nd s : r_ u ¨ 8 \ l ¸\ % ò ¾ Ó
`
¦ Å Ò H í ß è o ¢ ¸ H ª / B N s y è H כ Ü ¼ Ð Ð
[18].
Z O
ß ¼ BIT H H ï ß À Óì rF G ° ú כ` ¦ t ¦ e Ü ¼ , ~ Ã Ì} É r B
Ä º ± ú É r Û ¼0 Ag A ì rF G ° ú כ` ¦ t 9, ì rF G % i \ x
Ð : £ ¤$ í s è ß . s _ ½ ¨\ _ Ti-O í ß è
¼
1 Ï ^ \ ¦ í < Ê H ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô 8 £ x_ Bis : r s Las
: r Ü ¼ Ð u ¨ 8 ÷ &l M :ë H \ í ß è s : r` ¦ î ß & ñ r v ¦ s Ð
K ì rF G x Ð y è÷ & H כ Ü ¼ Ð [ O " î ) a [8]. : £ ¤ y ,
`
ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô 8 £ x \ e H í ß è o H 6 fµ 1 Ï: £ ¤$ í ` ¦
Bi ª / B N õ 1 l xì ø Í # l © \ _ ô Ç ì rF G x Ð\ ¦ 4 R ü
< y © Ä » : £ ¤$ í s $ ÷ & H כ Ü ¼ Ð · ú 94 R e . " f
&
h É r ª _ Nd H ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô 8 £ x_ Bi o \ Ä º u
¨ 8 ÷ &t ë ß , u ¨ 8 | ¾ Ós 7 £ x ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô8 £ x_ Bi
o ü < < Êa q Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x_ Bi o \ u ¨ 8 ÷ & H כ Ü ¼ Ð
Ð [15]. & h É r ª _ u ¨ 8 _ â Ä º, ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô 8 £ x Bi o _ q 6 fµ 1 Ï Nd_ u ¨ 8 É r Ti-O í ß è¼ 1 Ï ^ _ í ß è s
: r` ¦ î ß & ñ r v 9, s H / B I í ß è o _ y èü < l
¸_ y è\ ¦ 4 R : r . " f l © \ _ ô Ç ì rF G x
Ð : £ ¤$ í s ¾ Ó © ÷ & 9, s ü < < Êa y © Ä » : £ ¤$ í s ¾ Ó © ÷ & H
כ
Ü ¼ Ð s K ) a [17,18].
: r z ´+ « >\ " f Nd s : r s u ¨ 8 ÷ &% 3 ` ¦ M :, z · ú ß ¼l
y
è % i ¦, q c-» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð $ í © % i . s \
BNdT [ j b _ ï ß À Óì rF G É r BIT \ q K ß ¼> 7 £ x
%
i ¦, x = 0.85 { 9 M :, © H ° ú כ` ¦ 4 R La u ¨ 8 \ É r y
© Ä » : £ ¤$ í _ ¾ Ó © õ ð ø Ít Ð Nd s : r u ¨ 8 ¸ y © Ä »
: £ ¤$ í ` ¦ ¾ Ó © r . s y © Ä » : £ ¤$ í _ ¾ Ó © É r © @ /& h Ü
¼ Ð s : rì ø Í â s É r Nd s : r u ¨ 8 \ _ ô Ç í ß è¼ 1 Ï ^ _
+ þ Aõ É r ô Ǽ # Ü ¼ Ð H q c-» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ Ó z · ú _ $ í © \ _ K ï ß À Óì rF G s ¾ Ó © ÷ & H õ Ð K $ 3 ) a . s ü < < Êa Nd ' | ¾ Ós x = 0.80 ∼ 0.85 \ " f l ¸ ¸ y è % i
. " f : r z ´+ « >` ¦ : x K % 3 É r õ Ð Â Ò' í ß è o
\ ¦ y èr v ¦ H ï ß À Óì rF G õ ± ú É r l ¸ ¸\ ¦ % 3
`
¦ Ã º e H 0 p xô Ç Nd_ ' | ¾ Ó É r x = 0.80 ∼ 0.85 & ñ ¸
כ Ü ¼ Ð z ¤ .
IV. + s Ç Â ] Ø
q
Û ¼Á ºÛ ¼ 8 £ x © ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô ½ ¨ ¸\ ¦ ° ú H Bi
4Ti
3O
12(BIT) [ j b \ " f Bi
+3s : r @ / Nd
+3s : r` ¦ u
¨ 8
# ¦ © ì ø Í6 £ xZ O Ü ¼ Ð Bi
4−xNd
xTi
3O
12(BNdT, x = 0.75, 0.80, 0.85, 0.90) [ j b ` ¦ ] j ¸ % i ¦, Nd u ¨ 8 s z
· ú p [ j½ ¨ ¸, y © Ä » x 9 l ¸ : £ ¤$ í \ p u H % ò
¾ Ó` ¦ ½ ¨ % i . x= 0.75 ∼ 0.90\ " f BNdT [ j b É r é
ß { 9 © _ 8 £ x © + þ A ` ÐÚ ÔÛ ¼ s à Ô ½ ¨ ¸\ ¦ & ¦, Nd_ '
| ¾ Ós 7 £ x < Ê\ © s : r ¸ H y è % i ¦, Ä »
© Ã º_ x s ß ¼ & h & h ¢ - aë ß ô Ç S X í ß © s y © Ä » : £ ¤
$ í
` ¦ ? /% 3 . Nd s : r_ u ¨ 8 É r y © Ä » : £ ¤$ í ` ¦ ¾ Ó
© r ( Ü ¼ 9, : £ ¤ y x = 0.85 BNdT0.85 [ j b \ " f ï ß À
Óì rF G_ ß ¼l H P
r= 11.06 µC/cm
2Ü ¼ Ð þ j@ /° ú כ` ¦ Ð
%
i . ½ Ó l © É r Nd ' | ¾ Ós 7 £ x < Ê\ y è % i
¦, x = 0.90 BNdT0.90 [ j b \ " f þ j è° ú כ E
c= 49.3 kV/cm` ¦ ? /% 3 . " f Bis : r @ / Nds : r s u
¨ 8
÷ &% 3 ` ¦ M :, ï ß À Óì rF G_ ß ¼l H 7 £ x % i ¦, l ¸
¸ y è % i . x = 0.80 ∼ 0.85\ " f Z } É r ï ß À Óì rF G õ
É r l ¸ ¸\ ¦ 4 R y © Ä » B j ¸o 6 £ x6 x \ © Ä » o
ô Ç y © Ä » x 9 l ¸ : £ ¤$ í ` ¦ ° ú H כ Ü ¼ Ð z ¤ .
P c
p 8 ý ò k >
s
7 Hë H É r 2002¸ ¸ ô Dz D G < ÆÕ ü t < É ª F é ß _ t " é ¶(KRF- 2002-050-C00006) \ _ # ½ ¨÷ &% 3 6 £ §.
Y c
p w à U Ø ô
[1] H. N. Al-Shareef, A. I. Kingon, X. Chen, K. R. Bel- lur and O. Auciello, J. Mater. Res. 9, 2968 (1994).
[2] I. W. Kim, C. W. Ahn, J. S. Kim, J. S. Bae, B. C.
Choi, J. H. Jeong and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett.
80, 4006 (2002).
[3] A. Gruverman, O. Auciello and H. Tokumto, Appl.
Phys. Lett. 69, 3191 (1996).
[4] B. Sih, A. Jung and Z. -G. Ye, J. Appl. Phys. 92, 3928 (2002).
[5] B. Aurivillius, Nature 2, 519 (1950).
[6] C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan and M. C. Scott, J. F. Scott, Nature 374, 12 (1995).
[7] Y. Noguchi and M. Miyayama, Appl. Phys. Lett. 78, 1903 (2001).
[8] B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J.
Lee and W. Jo, Nature (London) 401, 682 (1999).
[9] Y. Ding, J. S. Liu, H. X. Qin, J. S. Zhu and Y. N.
Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 4175 (2001).
[10] J. S. Kim, C. W. Ahn, and I. W. Kim, Sae Mulli 46, 161 (2003).
[11] M. M. Kumar and Z. -G. Ye, J. Appl. Phys. 90, 934 (2001).
[12] J. S. Kim, J. Korean Phys. Soc. 43, 1081 (2003).
[13] A. Garg, Z. H. Barber, M. Dawber, J. F. Scott, A. Snedden and P. Lightfoot, Appl. Phys. Lett. 83, 2414 (2003).
[14] U. Chon, H. M. Jang, M. G. Kim and C. H. Chang , Phy. Rev. Lett. 89, 087601-1 (2002).
[15] T. Kojima, T. Watanabe, H. Funakubo, K. Saito, M. Osada and M. Kakihana, Appl. Phys. Lett. 93, 1707 (2003).
[16] L. E. Glass, J. Apll. Phys. 40, 4699 (1969).
[17] M. Takahashi, Y. Noguchi and M. Miyayama, Jpn.
J. Appl. Phys. 41, 7053 (2002).
[18] S. T. Zhang, X. J. Zhang, H. W. Cheng, Y. F. Chen,
Z. G. Liu, N. B. Ming, X. B. Hu, and J. Y. Wang,
Appl. Phys. Lett. 83, 4378 (2003).
Effects of Nd Doping on Ferroelectric and Electrical Properties of Bi 4 Ti 3 O 12 Ceramics
Sun Young LEE, Hai Joon LEE, Sun Hee Kang and Ill Won KIM Department of Physics, University of Ulsan, Ulsan 680-749
Jin Soo KIM
∗Institute of Basic Science, University of Ulsan, Ulsan 680-749 (Received 20 February 2004)
Nd-doped Bi
4−xNd
xTi
3O
12(BNdT, x = 0.75, 0.80, 0.85, 0.90) were prepared by solid state reaction method. X-ray diffraction analysis indicated that single-phase of Bi layered perovskite was obtained. The Nd doping effects on ferroelectric and electrical properties of BNdT ceramics were investigated by XRD, SEM, ferroelectric P-E hysteresis loop, dielectric constant and ac electrical conductivity measurements. With incerasing Nd-substitution, the Curie temperatures decreased and the broadness of the dielectric constant peaks increased, thus the transition behavior of BNdT ceramic was characterized by the diffusive phase transition. When Nd ion was doped, the remanent polarization increased and conductivity decreased by the substitution of Nd for Bi in the layered perovskite. The optimum condition for FRAM application was x = 0.80 ∼ 0.85 for high remanent polarization and low conductivity.
PACS numbers: 11.10.Ef, 11.15.Tk
Keywords: FRAM, P-E hysteresis, Dielectrics, Electrical conductivity, Ferroelectric
∗