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Non-CMOS 반도체 소자 기술

문서에서 나노기술 (페이지 51-57)

- CMOS 소자의 scaling이 진행되고 집적도는 개선되고 있으나, 2005년 이후에 동작전압을 줄이기 어렵고 전력소모가 증가하여 동작속도(clock frequency)는 미개선

- 기존 실리콘 MOSFET의 scaling 한계를 극복하기 위한 일반적인 방법은 CMOS 소자기술을 확장하여, 새로운 재료와 구조를 제안하고 이를 기반으로 MOSFET의 특성을 개선하는 것

- 이에 대한 대안으로 MOSFET 소자를 대신하여 신개념 소자를 이용하는 것이 있으며, 전하기반 소자와 비전하기반 소자로 구분

- 전하기반 소자는 단전자, ferroelectric, 이온기반 소자로 구분되며, 비전하소자는 스핀, 포톤, 엑시톤 등을 기반으로 한 소자로 구분

표 2 Non-CMOS 소자 기술의 구체적인 예(미국 SRC, NRI)

1.2. 핵심 요소 기술 및 내용

전하기반 소자기술

- 가장 광범위하게 연구가 진행되는 소자이며, 터널링, 상변화 등의 다양한 동작원리와 Carbon, Ferroelectric 등의 다양한 재료를 이용하여 저전력 소자를 개발 중

스핀기반 소자기술

- 비전하기반 소자 중에서 가장 활발히 연구된 소자가 스핀기반 소자이며, SpinFET, nanomagnet LOGIC, Spin wave 소자 등이 활발히 연구 중

- 전하의 이동 없이 순수한 스핀의 확산을 이용하는 경우, 기존 전하기반소자의 한계를 극복할 수 있어서 저전력소자로의 연구가 진행 중

엑시톤 등 기반 소자기술

- 엑시톤(전자/정공쌍)을 이용한 그래핀 터널링 소자로 저전력 스위치를 구현

1.3. 잠재 수요 분야 및 기대효과

CMOS

소자의 대안으로 다양한 차세대 소자들에 대한 연구가 진행되었으나

,

폰노이만 아키텍처기반의

Boolean logic

소자로 동작에너지 효율과 동작속도 등을 비교해보면 아직까지 기존

CMOS

소자보다 훨씬 더 우수한 소자는 미발표

(<

그림

1>

참조

)

최근 연구되고 있는

non-CMOS

기반의 소자의 장점을 활용하기 위해서는 이를 활용할 수 있는 특화된 분야를 고려해야 하는 것이 중요

기존

CMOS

소자로는 구현하기 어려운 응용분야로서

IoT

용 초저전력소자

, Memory in Logic

구현을 위한 비휘발성 로직소자

,

아날로그 메모리 기반의 뉴로모픽 컴퓨팅 소자

, oscillator

기반 소자

,

난수 발생기 등의 경우

non-CMOS

소자의 장점을 활용할 수 있을 것으로 평가

신개념 소자와 신개념 아키텍처의 결합을 통해 시너지 효과를 확보함으로써

,

새로운 응용분야에서 기존

CMOS

소자의 성능을 능가할 수 있을 것으로 예측

그림 1 소자의 특성 비교2)

2) ITRS roadmap (2015)

1.4. 해결해야 할 기술 이슈

대부분의

non-CMOS

소자 기술은 아직까지 단위소자 수준에서의 연구이므로

wafer scale

에서 안정적인 소자 특성을 확보하기까지는 상당한 시간이 소요될 것으로 예상

특히 단결정 기반의 실리콘

CMOS

기술과 달리 다결정

/

비정질 기반의 소자의 경우

,

나노미터 스케일의 소자에 적용할 경우

,

소자특성의 산포문제가 심각할 것으로 예상되어

,

양산소자를 고려할 경우

,

이를 획기적 으로 줄일 수 있는 공정기술의 개발이 필요

향후 고집적 소자를 고려할 때

,

저온 공정과

3

차원 집적화가능성에 대한 고려가 필수

비전하기반 소자의 경우 전하기반 소자와의 연결을 위한 배선기술의 개발이 필요하며 이를 고려할 때 상당한성능

/

에너지 손실이 예상

2 기술 동향

2.1. 국내 동향

국내의

non-CMOS

로직소자에 특화된 연구는 제한적으로 진행되고 있으며

,

대부분 메모리 소자와 관련 된 단위소자 기술이 개발되고 있으나

,

이를 활용하여 로직소자에 응용이 가능할 것으로 평가

재구성

(reconfigurable)/

비휘발성 로직소자 분야에 연구재단 나노소재과제를 통해 성균관대학교에서 연구를 진행 중

현재 포항공과대학교

,

서울대학교

, KAIST

등에서 진행하는 산화물 기반의 저항변화소자는 아날로그 메모리 특성을 가지고 있어서 뉴로모픽 소자 또는

logic-in-memory

소자에 응용이 가능한 것으로 평가

한국과학기술연구원

, KAIST,

고려대학교 등에서 진행 중인

STT-MRAM

기술이

SPIN

로직소자로 확장될 수 있을 것으로 평가

2.2. 해외 동향

표 3 미국 내 차세대 소자/아키텍처 개발 프로그램

3 시사점(기술수준)

CMOS

소자의 스케일링 한계를 극복하기 위한 나노소자의 연구방향은

data-intensive,

높은 에너지효율

, H/W

인공지능 관련 기술에 초점을 맞출 것으로 예상

특히 수백 배 이상의 에너지효율 개선과 기존

CMOS

소자만으로 구현이 불가능한 신기능을

non-CMOS

기반의 소자로 구현하는 것이 주된 연구 방향으로 예상

전 세계적으로

non-CMOS

소자 기술은 태동기로 평가되며

,

아직까지 주도적인 기술이 확인되지 못한 상태에서 다양한 단위소자에 대한 탐색연구가 진행 중

국내에서는 주로 메모리소자용으로 다양한

non-CMOS

소자에 대한 연구가 진행되었고

,

최근

logic

소자 응용과 관련된 탐색연구가 진행 중

지금까지 연구된 다양한 단위소자의 특성을

Boolean logic

von Neumann

아키텍처를 고려하여 비교하면

,

기존

CMOS

소자와 비교할 때 특별한 장점 확인이 불가능

미국에서 대형연구과제로 소자

/

아키텍처를 융합하는 연구가 진행되고 있으며

,

특화된 아키텍처와 이에 맞는최적의 소자를 개발함으로써 차세대

non-CMOS

소자의 윤곽이 구체화될 것으로 전망

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