Wurtzite InGaN/GaN W ë s ¤ ö n Ú 7 _T $ [8 ý ° Ë Ñ] K ¡X ì Ä ¤V R Ë; c Q V À W ¥ = k ÇÊ Ý
û BZ 9 ∗ · »é s* > · »ø ¶ B<
@
/½ ¨d ¦a Ë :@ / < Æ § Ó ü t o ì ø Í ¸^ õ < Æ / B N, @ /½ ¨ 712-702 (2004¸ 3 Z 4 8{ 9 ~ Ã Î6 £ §)
Wurtzite (WZ) InGaN/GaN ª Ä ºÓ ü t Y Us $ _ s 1 p q, p ì r s 1 p q, Ï ã J] X Ö ¦ o, ; ¤S X © ü < ° ú
É
r F g < Æ& h : £ ¤$ í \ ^ ´ òõ p u H % ò ¾ Ós ¸ ÷ &% 3 . ½ × ¼½ ¨ ¸ü < 1 l x < Êà º H self-consistent ~ ½ Ó Z O
` ¦ ½ ¨ % i Ü ¼ 9, ^ ¸4 S qõ Ä » ¸4 S q_ õ \ ¦ q § Ð % i . F g < Æ& h s 1 p q É r Ù ü t2 xS X © ´ ò õ
\ _ K x ß ¼ s 1 p q s 7 £ x < Êõ 1 l x r \ é ß © A á ¤ Ü ¼ Ð s 1 l x H ' õ AÒ os 1 l x s { 9 # Qz ` ¦ Ð# Å Ò% 3 .
Ù ü
t2 xS X © _ î rì ø Í x 9 ¸ _ > r$ í _ â Ä º, e ¦ Ý ¼ Û ¼ß ¼o _ ç ´ òõ M :ë H \ î rì ø Í x 9 ¸ 7 £ x
Ù ü t2 xS X © H & h & h Ü ¼ Ð y è < Ê` ¦ Ð# Å Ò% 3 . ± ú É r î rì ø Í x 9 ¸ % ò % i \ " f H Ä » ¸4 S q É r
^ ¸4 S q_ כ Ð 8 H ; ¤S X © \ ¦ Ð# º ¡ § \ q K , H î rì ø Í x 9 ¸ % ò % i \ " f Ä » ¸4 S q_
; ¤S X © ^ ¸4 S q_ ° ú כ\ q K 6 £ § s ' a8 £ ¤ ÷ & H X <, Õ ª s Ä » H p ì r s 1 p qdg/dN É r " f Ð q 5 p w
t ë ß p ì r Ï ã J] X Ò ¦ o d(δn)/dN H ^ ¸4 S q_ ° ú כs ß ¼l M :ë H s % 3 .
PACS numbers: 78.73, 78.81, 78.85
Keywords: ^ ´ òõ , InGaN, GaN, ª Ä ºÓ ü t, s 1 p q, Ï ã J] X Ö ¦, ; ¤S X ©
I. " e  ] Ø
GaN ' aº ª Ä ºÓ ü t Y Us $ H InP GaAs ' aº Y Us
$
ü < É r # Q t < É ª p Ðî r : £ ¤$ í ` ¦ t ¦ e . 7 £ ¤, c-¨ î ` ¦ $ í © ) a wurtzite(WZ) GaN ' aº Y Us $ H 6
£
x§ 4 \ _ ô Ç · ú ì rF G ü @\ ¸ H µ 1 Ïì rF G` ¦ t H כ Ü
¼ Ð z ¤Ü ¼ 9, z ´+ « >õ s : r ½ ¨ õ H GaN ' aº ª
Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸_ l & h x 9 F g < Æ& h : £ ¤$ í s s Qô Ç ì rF G \ _ K ß ¼> % ò ¾ Ó ~ Ã Î6 £ §` ¦ Ð# Å Ò% 3 [1–6]. ¢ ¸ô Ç, GaN ' a º
ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸_ â Ä º " l or : r ½ + Ë \ -t ß ¼l M : ë
H \ ^ ´ òõ Å Ò ß ¼> z s · ú 94 R e [7,8].
^ ´ òõ H e ¦ Ý ¼ o l , ½ × ¼Ì s F ½ © o, ½ × ¼ç ß
;s S X Ò ¦ \ @ /ô Ç Ù ü t2 xS X © (Coulomb enhancement)õ ° ú
É
r ´ òõ [ þ t` ¦ í < Êô Ç . " f, è [ O > \ e # Q" f ì rF G
\
_ ô Ç ´ òõ ü < Ö ¦ Q ^ ´ òõ \ @ /ô Ç s K @ /é ß y
×
æ כ ¹ô Ç % i ½ + É` ¦ ½ + É כ Ü ¼ Ð l @ / ) a . Õ ª Q , GaN ' aº Y
Us $ _ s 1 p q / B G , p ì r s 1 p q, Ï ã J] X Ò ¦ o, ; ¤S X ©
(linewidth enhancement factor)ü < ° ú É r F g < Æ& h : £ ¤$ í
\
@ /ô Ç ^ ´ òõ \ @ /K " f H f ´ ú § É r  Òì r[ þ t s ½ ¨
÷
&# Q e t · ú § . : £ ¤ y , ; ¤S X © < Ê É r H ì ø Í ¸
^
Y Us $ ü < ì ø Í ¸^ F g7 £ x; ¤ l _ Û ¼& 7 à Ô! 3 $ í | 9 ` ¦ & ñ
H × æ כ ¹ô Ç B > h à ºs 9 [9], terahertz (THz) 1 l x à º
∗
E-mail: [email protected]
ñ\ ¦ ë ß × ¼ H X < 6 x ÷ & H * 3 á Ô Y Us $ \ " f × æ כ ¹ô Ç % i
½ +
É` ¦ ô Ç . þ j H, ì rF g l ü < É r ¦$ í 0 p x_ 6 £ x6 x \ 6 x
÷
& H ç ß ¼ # ¦ ¸ a % v É r ; ¤` ¦ , Å Ò Ã º ¸0 p xô Ç THz ~ ½ Ó 0 p x " é ¶(source) s ] jî ß ÷ &% 3 H X <, # l " f ¿ º > h _ DBR (distributed-Bragg-reflectror) s ¸× ¼ Y Us $
* 3 á Ô " é ¶ Ü ¼ Ð 6 x ÷ &% 3 ¦ y Y Us $ _ ; ¤ s B Ä º × æ כ
¹ H z ´s µ 1 ß) e [10]. ¦ Ø ¦§ 4 GaN ' a º
ª Ä ºÓ ü t (QW: quantum well) Y Us $ H s [ þ t ½ ¨ ì
r \ " f F & h 6 £ x6 x$ í ` ¦ t ¦ e Ü ¼ 9, Y Us $ _
; ¤S X © \ @ /ô Ç s K H B Ä º × æ כ ¹ . : r ½ ¨
\
" f H, WZ InGaN/GaN ª Ä ºÓ ü t Y Us $ _ F g < Æ& h : £ ¤
$ í
\ ^ ´ òõ p u H % ò ¾ Ó` ¦ ¸ ¦ ô Ç . ½ × ¼
½
¨ ¸ü < 1 l x < Êà º H · ú ì rF G õ µ 1 Ïì rF G \ _ ô Ç ? /Â Ò ©
`
¦ ¦ 9 # self-consistent ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð ½ ¨ % i Ü ¼ 9, s כ
É
r \ @ /ô Ç / 'ø @` ç ~ ½ Ó& ñ d , & ñ / B N \ @ /ô Ç ^ ¦2 ¤ @ / y
o ) a 3x3 x 9 Ðm î ß , Õ ªo ¦ Poisson ~ ½ Ó& ñ d ` ¦ ì ø Í4 ¤
&
h Ü ¼ Ð Û ¦ # Q" f % 3 # Q [3,11]. # l " f ¿ º t _ â Ä º
\
¦ ¦ 9 H X <, ^ (MB: many-body) ¸4 S q É r ü < & ñ /
B
N s _ ^ Ù ü t2 x © ñ 6 x` ¦ ¦ 9ô Ç â Ä ºs ¦, Ä »
(FC: free-carrier) ¸4 S q É r s Qô Ç ^ ´ òõ \ ¦ ¦ 9 t
· ú § É r â Ä º\ ¦ · p . ¦ 9 ) a ½ ¨ ¸ H, ¿ º î r GaN l
ó ø Í0 A\ $ í © ) a compressively strain ) a InGaN Ä ºÓ ü t õ
& ñ ½ + Ë ) a GaN © # 4 ` ¦ 8 £ x ª Ä ºÓ ü t s .
-282-
II. T Â ] Ø
^ ´ òõ \ ¦ interband ;s \ @ /ô Ç F g < Æ& h s 1
p q(gain) É r
g(ω) = r µ o
e 2 m 2 o ω
Z ∞
0
dk || k ||
πL w |M lm | 2 [f l c (k || ) + f m v (k || ) − 1]L g (k || , ~ω). (1)
Ð Å Ò# Qt ¦, î rì ø Í \ _ ô Ç ^ ´ òõ \ ¦ Ï ã J] X Ò ¦ É r
δn e (ω) = − r µ o
ce 2 m 2 o ω 2
Z ∞
0
dk || k ||
πL w
|M lm | 2 [f l c (k || ) + f m v (k || ) − 1]L n (k || , ~ω), (2)
Ð Å Ò# Qt H X <, # l " f µ o H / B N È Ò Ö ¦(permeability),
É r Ä » © à º, c H / B N \ " f_ F g5 Å q, ~ H Planck © à º, k || H in-plane à º 7 ' , |M lm | 2 H momentum matrix element, Õ ªo ¦ f l c õ f m v É r ¸{ ü < { \ " f_
`
Ø Ôp < ÊÃ ºs . ^ ´ òõ Ð F ½ © o ) a s 1 p q õ Ï ã J] X Ö ¦
o\ @ /ô Ç non-Markovian ¸ ª < ÊÃ º(line shape func- tion) H 6 £ § õ ° ú s Å Ò# Q [12,13]. 7 £ ¤,
L g (k || , ~ω) = (1 − ReQ(k || , ~ω))ReΞ(E lm (k || , ~ω)) − ImQ(k || , ~ω)ImΞ(E lm (k || , ~ω)) (1 − ReQ(k || , ~ω)) 2 + (ImQ(k || , ~ω)) 2
Õ ªo ¦
L n (k || , ~ω) = (1 − ReQ(k || , ~ω))ImΞ(E lm (k || , ~ω)) + ImQ(k || , ~ω)ReΞ(E lm (k || , ~ω))
(1 − ReQ(k || , ~ω)) 2 + (ImQ(k || , ~ω)) 2 , (3)
#
l " f
ReΞ(E lm (k || , ~ω)) =
r πτ co
2~Γ cv (k || , ~ω) exp
− τ co
2~Γ cv (k || , ~ω) E lm 2 (k || , ~ω)
(4) Õ
ªo ¦
ImΞ(E lm (k || , ~ω)) = τ co
~ Z ∞
0
exp
− Γ cv (k || , ~ω)τ co 2~ t 2
sin τ co E lm (k || , ~ω)
~
t
dt. (5)
0
A_ d \ " f, E lm (k || , ~ω) = E l c (k || ) − E m v (k || ) +E g +
∆E SX +∆E CH − ~ω H F ½ © o ) a ü < & ñ / B N s _
;s \ -t s ¦, # l " f E g H Ó ü t| 9 _ ½ × ¼Ì ss .
½ × ¼Ì s F ½ © o H Coulomb-hole self energy (∆E CH ) ü
< screened-exchange shift (∆E SX )_ ½ + ËÜ ¼ Ð Å Ò# Q .
Q(k || , ~ω) H interband ;s S X Ò ¦_ " l or : r(excitonic) < Ê
É
r Ù ü t2 xS X © õ ' aº ) a ½ Ó` ¦ · p . 0 A_ ~ ½ Ó& ñ d \ " f Γ cv (k || , ~ω) H ü < & ñ / B N 1 l x < ÊÃ º_ Ô æ õ ü < ' aº ) a
broadening s . Intraband s ¢ - a r ç ß τ in õ © ' a r ç
ß (correlation time) τ co H © Ã º ¦ & ñ ô Ç . s [ þ t ° ú כ [
þ
t É r z ´+ « >u ü <_ fitting B > h à º Ð 6 x| ¨ c à º e Ü ¼ 9,
#
l " f H 25 ü < 10 fs _ ° ú כs 6 x ÷ &% 3 . s [ þ t ° ú כ É r z ´ +
« >u ü <_ fitting Ü ¼ ÐÂ Ò' & ñ ÷ &% 3 [8].
; ¤S X © H α e = − 4π
λ
d(δn e )/dN
dg/dN (6)
Fig. 1. (a) Gain spectra of WZ In 0.1 Ga 0.9 N/GaN(L w
=30 ˚ A) QW laser. The solid and dashed lines corre- spond to results obtained from many-body model and free-carrier model with only band gap renormalization.
Ð Å Ò# Qt 9, # l " f dg/dN É r p ì r s 1 p q s ¦ d(δn e )/
dN É r î rì ø Í Å Ò (injection) \ _ ô Ç Ï ã J] X Ö ¦_ 7 £ xì r
o(incremental change)` ¦ · p . µ 1 Ïì rF G õ · ú ì r F
G \ _ ô Ç ª Ä ºÓ ü t õ © # 4 \ " f_ © É r Å Òl â > ¸
|
Ü ¼ ÐÂ Ò' Æ Ò& ñ ÷ &% 3 . [14] > í ß \ 6 x ) a Ó ü t o © Ã º[ þ t
\
@ /ô Ç ° ú כ[ þ t É r ½ × ¼Ì s` ¦ ] jü @ ¦ H Table 1 \ & ñ o
÷
&# Q e . In x Ga 1 −x N \ @ /ô Ç ½ × ¼Ì s_ â Ä º E g (eV)
= 1.89x + 3.44(1-x)-3.2x(1-x) _ ' a > d s 6 x ÷ &% 3 .
[15]
III. + s ÇÊ Ý õ m Í w ² o
Fig. 1 É r (a) WZ In 0.1 Ga 0.9 N/GaN (L w = 30 ˚ A) ü <
(b) InGaAsP/InGaAsP(0.98 eV)/InP ª Ä ºÓ ü t Y Us $ _ s 1 p q / B G ` ¦ Ð# Å Ò ¦ e . z ´ õ & h É r y y
^
¸4 S qõ ½ × ¼Ì s F ½ © oë ß \ ¦ ¦ 9ô Ç Ä » ¸4 S q_
õ \ ¦ · p . s 1 p q / B G É r InGaN/GaN ª Ä ºÓ ü t_
â
Ä º N 2D = 10 × 10 12 cm −2 _ î rì ø Í x 9 ¸\ " f, Õ ª o
¦ InGaAsP/InGaAsP ª Ä ºÓ ü t_ â Ä º N 2D = 5 × 10 12 cm −2 _ î rì ø Í x 9 ¸\ " f > í ß ÷ &% 3 Ü ¼ 9, s 1 p q / B G _ x ß ¼ H C1-HH1 ;s \ K { © ô Ç . ¿ º ¸4 S q` ¦ q §K
Ð Ù ü t2 xS X © \ _ K H ´ òõ [ þ t` ¦ ^ ¦ Ã º e H X <, Õ
ª × æ Figure \ " f ³ ðr ) a כ % ! 3 s 1 p q_ 7 £ x s
. s 1 p q 7 £ x _ " é ¶ É r GaN ' aº ì ø Í ¸^ _ â Ä º " l or
: r ½ + Ë\ -t ß ¼l M :ë H \ ü < & ñ / B N_ ;s S X Ò ¦ s
7 £ x l M :ë H s . InGaN/GaN ' aº ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸ _
â Ä º s Qô Ç ^ ´ òõ \ _ ô Ç s 1 p q_ 7 £ x l > r_ InGaAsP/InGaAsP ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸\ q K B Ä º ß ¼ H
כ
` ¦ · ú Ã º e . s כ É r GaN ' aº Y Us $ _ â Ä º
Fig. 2. (a) Peak gain and (b) Coulomb enhancement factor as a function of the surface carrier density of WZ In 0.1 Ga 0.9 N/GaN QW lasers.
ü
< & ñ / B N_ Ä »´ ò| 9 | ¾ Ós l > r_ GaAs InP ' aº Y Us $
\
q K B Ä º ß ¼l M :ë H s . { 9 ì ø Í& h Ü ¼ Ð, s 1 p q x ß ¼_ s
1 l x \ % ò ¾ Ó` ¦ Å Ò H כ ¹ è H ß ¼> 3 t Ð * '# Q t H X
<, Õ ª כ [ þ t É r ½ × ¼ Ì s F ½ © o(& h Ò os 1 l x), ½ × ¼ G ¹ ¡ §(' õ A Ò
os 1 l x), Õ ªo ¦ Ù ü t2 xS X © (' õ AÒ os 1 l x) s . # l " f H, ½
×
¼ Ì s F ½ © o\ ¦ ¿ º ¸4 S q\ > á ¤ ° ú s & h 6 x % i l M :ë H
\
, Õ ªo ¦ ° ú É r î rì ø Í 0 l x ¸\ ¦ 6 x % i l M :ë H \ , í H Ã
ºô Ç Ù ü t2 xS X © \ _ ô Ç ´ òõ ë ß 9, Figure H Ù ü t2 x S X
© ´ òõ \ _ K s 1 p q x ß ¼ é ß © Ü ¼ Ð s 1 l x H & ³
© (' õ AÒ os 1 l x)` ¦ Ð# Å Ò ¦ e .
Fig. 2 H î rì ø Í x 9 ¸\ É r WZ In 0.1 Ga 0.9 N/GaN
ª Ä ºÓ ü t Y Us $ _ (a) x ß ¼ s 1 p q õ (b) Ù ü t2 xS X © \ ¦
Ð# ï r . z ´ õ & h É r y y ^ ¸4 S qõ ½ × ¼Ì s F ½ ©
oë ß \ ¦ ¦ 9ô Ç Ä » ¸4 S q_ õ \ ¦ ? / . Ù ü t 2
x S X © H Ä » ¸4 S q_ s 1 p q õ ^ ¸4 S q_ s 1
p
q õ _ q G many /G f ree Ð & ñ _ ) a . · û ª É r Ä ºÓ ü t ¿ ºa \ ¦
Y Us $ _ â Ä º î rì ø Í x 9 ¸ 7 £ x < Ê\ x ß ¼ s
1 p q s > 5 Å q 7 £ x < Ê` ¦ Ð# Å Òt ë ß , © @ /& h Ü ¼ Ð ¿ º î r Ä
ºÓ ü t ¿ ºa \ ¦ Y Us $ _ â Ä º x ß ¼ s 1 p q É r & h & h Ü ¼
Ð í o÷ & H & ³ © ` ¦ Ð# Å Ò ¦ e . ¢ ¸ô Ç, ¿ ºa H Y U s
$ _ â Ä º ¿ ºa · û ª É r Y Us $ \ q K x ß ¼ s 1 p q s ß ¼
>
y è < Ê` ¦ Ð# Å Ò ¦ e . s Qô Ç y è H Ä ºÓ ü t ¿ ºa
Table 1. Physical parameters of Wurtzite InN and GaN.
parameter GaN InN
Lattice constant (˚ A) 3.1892 [16] 3.53 [17]
Energy parameters
∆
cr= ∆
1(meV) 22.0 [19] 41.0 [18]
∆
so= 3∆
2(meV) 15.0 [19] 1.0 [18]
∆
3= ∆
2(meV)
Conduction band effective masses
m
wez/m
o0.20 [20] 0.11 [21]
m
h/m
o0.80 [22] 0.50 [22]
Valence band effective-mass parameters
A
1-6.56 [20] -9.09 [21]
A
2-0.91 [20] -0.63 [21]
A
3= A
2− A
1A
4= A
3/2
A
5-3.13 [20] -4.36 [21]
A
6= (A
3+ 4A
5)/p(2) Deformation potentials (eV)
a
c-4.60 [23] -1.40 [23]
D
1-1.70 [23] -1.76[this work]
D
26.30 [23] 3.43[this work]
D
3= D
2− D
1D
4= D
3/2
D
5-4.00 [24] -2.33[this work]
D
6= (D
3+ 4D
5)/p(2) Dielectric constant
10.0 [1] 15.3 [1]
Elastic stiffness constant (10
11dyn/cm
2)
C
1139.0 [25] 27.1 [1]
C
1214.5 [25] 12.4 [1]
C
1310.6 [25] 9.4 [1]
C
3339.8 [25] 20.0 [1]
C
4410.5 [25] 4.6 [1]
Piezoelectric constant
d
31( × 10
−12m/V) -1.7 [1] -1.1 [1]
Spontaneous polarization constant
P
sp(C/m
2) -0.032 [2] -0.029 [2]
7 £ x < Ê\ · ú ì rF G õ µ 1 Ïì rF G \ _ ô Ç ? /Â Ò © s
7 £ x l M :ë H \ ü < & ñ / B N_ 1 l x < ÊÃ º / B Nç ß & h Ü
¼ Ð b # Q4 R Õ ª[ þ t ç ß _ ;s S X Ö ¦ s y è l M :ë H s .
s
ü < H Z > ¸ Ð ¿ ºa 7 £ x Â Ò ½ × ¼ç ß _ ç ß s a % v
4 R ï r ` Ø Ôp ï r0 A_ © 5 p x s é H o÷ &# Q s 1 p q s y è
>
÷ & H ´ òõ ¸ e t ë ß , GaN ' aº Y Us $ _ â Ä º ? /Â Ò
© _ ´ òõ 8 ß ¼> è ß . ? /Â Ò © ´ òõ H Ä »
¸4 S q_ â Ä º ¸ q 5 p wô Ç â ¾ Ó` ¦ Ð# Å Ò ¦ e 6 £ §` ¦ · ú Ã º e
. Ù ü t2 xS X © _ î rì ø Í x 9 ¸ _ > r$ í _ â Ä º, î rì ø Í
x 9 ¸ 7 £ x Õ ª H & h & h Ü ¼ Ð y è < Ê` ¦ Ð
#
Å Ò ¦ e . s כ É r î rì ø Í x 9 ¸ 7 £ x e ¦ Ý ¼ Û
¼ß ¼o _ ç M :ë H \ Ù ü t2 xS X © ´ òõ × ¦ # Q[ þ t l M :ë H s .
Fig. 3 É r î rì ø Í x 9 ¸\ É r WZ In 0.1 Ga 0.9 N/GaN
ª Ä ºÓ ü t Y Us $ _ ; ¤S X © \ ¦ Ð# ï r . z ´ õ
&
h
É r y y Ä ºÓ ü t -q L w = 20 õ 40 ˚ A ª Ä ºÓ ü t Y
Us $ \ @ /ô Ç õ \ ¦ · p . © @ /& h Ü ¼ Ð ± ú É r î rì ø Í
x 9 ¸_ % ò % i \ " f ; ¤S X © H î rì ø Í x 9 ¸ 7 £ x
<
Ê\ Ø Ô> y è < Ê` ¦ Ð# Å Ò ¦ e . î rì ø Í x 9 ¸
10 × 10 12 cm −2 ` ¦ íõ < Ê\ ^ ¸4 S q_ â Ä º
; ¤S X © & h & h Ü ¼ Ð r 7 £ x < Ê` ¦ Ð# ï r .
ì
ø Í , Ä » ¸4 S q_ â Ä º > 5 Å q& h Ü ¼ Ð y è < Ê` ¦ Ð# ï
r . ± ú É r î rì ø Í x 9 ¸_ % ò % i \ " f H Ä » ¸4 S q_
Fig. 3. Linewidth enhancement factor as a function of the surface carrier density of WZ In 0.1 Ga 0.9 N/GaN QW lasers.
Fig. 4. (a) Differential refractive index change d(δn)/dN and (b) differential gain dg/dN as a function of the sur- face carrier density of WZ In 0.1 Ga 0.9 N/GaN QW lasers.
; ¤S X © ^ ¸4 S q_ כ Ð 8 ß ¼> t ë
ß , © @ /& h Ü ¼ Ð H î rì ø Í x 9 ¸_ % ò % i \ " f H ^ ´ òõ _
; ¤S X © Ä » ¸4 S q_ כ Ð 8 p u` ¦ Ð
#
ï r . ; ¤S X © _ î rì ø Í x 9 ¸ _ > r$ í É r, Ä ºÓ ü t ¿ º a
` ¦ â Ä º @ /Â Òì r_ % ò % i \ " f ¿ ºa ¿ º î r â Ä º
Ð ; ¤S X © ç ß ß ¼ H כ ü @\ H, ¿ ºa \ ' a
>
\ O s _ q 5 p w < Ê` ¦ · ú Ã º e .
Fig. 4 H î rì ø Í x 9 ¸\ É r WZ In 0.1 Ga 0.9 N/GaN
ª Ä ºÓ ü t Y Us $ _ (a) p ì r Ï ã J] X Ö ¦ o d(δn)/dN ü <
(b) p ì r s 1 p q dg/dN ` ¦ Ð# ï r . z ´ õ & h É r y y
^ ¸4 S qõ ½ × ¼Ì s F ½ © oë ß \ ¦ ¦ 9ô Ç Ä » ¸4 S q _
õ \ ¦ · p . p ì r Ï ã J] X Ò ¦ oü < p ì r s 1 p q É r ¿ º
>
h_ H] X ô Ç î rì ø Í x 9 ¸\ " f_ ¿ º Ï ã J] X Ò ¦ o Û ¼& 7 à Ô
!
3 õ ¿ º s 1 p q Û ¼& 7 à Ô! 3 Ü ¼ ÐÂ Ò' % 3 # Q . Ä » ¸ 4
S qõ ^ ¸4 S q_ p ì r Ï ã J] X Ò ¦ oü < p ì r s 1 p q_ î rì ø Í
x 9 ¸ _ > r$ í \ H H s e 6 £ §` ¦ · ú Ã º e . Ä »
¸4 S q_ p ì r Ï ã J] X Ò ¦ o H î rì ø Í x 9 ¸\ _
¢ - aë ß ô Ç y è\ ¦ Ð# Å Ò ¦ e 6 £ § \ q K , ^ ¸4 S q_ â Ä
º p ì r Ï ã J] X Ò ¦ o ° ú כs Ä » ¸4 S q_ ° ú כ Ð & f õ
1 l x r \ ± ú É r î rì ø Í x 9 ¸ H % \ " f þ j@ /° ú כ` ¦ Ð# Å Ò
¦ e . p ì r s 1 p q_ â Ä º ¸ ^ ¸4 S q É r Ä » ¸4 S q
\
q K H ° ú כ` ¦ Ð# Å Ò ¦ e . Ä ºÓ ü t ¿ ºa ` ¦ â Ä º
¿
º î r â Ä º Ð p ì r Ï ã J] X Ò ¦ oü < p ì r s 1 p q s © @ /
&
h Ü ¼ Ð ß ¼> 9, s Qô Ç â ¾ Ó É r 6 x ) a ¸4 S q\ Á º
'
a < Ê` ¦ · ú Ã º e . ¿ ºa _ y è\ É r p ì r Ï ã J] X Ò ¦
oü < p ì r s 1 p q_ 1 l x r 7 £ x H Fig. 3 \ " f ^ ¦ Ã º e H כ
%
! 3 ¿ ºa \ É r s ß ¼> t · ú § É r ; ¤S X ©
\
¦ ï r . ± ú É r î rì ø Í x 9 ¸ % ò % i \ " f_ H ; ¤S X ©
H p ì r Ï ã J] X Ò ¦ o ß ¼l M :ë H כ Ü ¼ Ð [ O " î s 0 p x
9, î rì ø Í x 9 ¸ y è < Ê\ Ø Ô> ; ¤S X ©
7 £ x H " é ¶ É r Fig. 4(b) \ " f Ðs H כ % ! 3 ± ú
É
r î rì ø Í x 9 ¸ % ò % i \ " f p ì r Ï ã J] X Ò ¦ o_ y è Ð p
ì r s 1 p q s 8¹ ¡ ¤ Ø Ô> y è l M :ë H כ Ü ¼ Ð [ O " î s
0 p x . © @ /& h Ü ¼ Ð H î rì ø Í x 9 ¸ % ò % i \ " f Ä »
¸4 S q_ ; ¤S X © ^ ¸4 S q_ ° ú כ\ q K É r s
Ä » H, p ì r s 1 p q É r H î rì ø Í x 9 ¸ % ò % i \ " f ¿ º ¸4 S q _
° ú כs " f Ð q 5 p w > H d \ q K , p ì r Ï ã J] X Ò ¦ o É r
^ ¸4 S q_ ° ú כs ß ¼l M :ë H s .
IV. + s Ç Â ] Ø
: r 7 Hë H \ " f H WZ InGaN/GaN ª Ä ºÓ ü t Y Us $ _ F g
<
Æ& h : £ ¤$ í \ ^ ´ òõ p u H % ò ¾ Ó` ¦ ¸ % i . s 1
p
q / B G _ â Ä º Ù ü t2 x S X © ´ òõ \ _ K x ß ¼ s 1 p q s 7 £ x
<
Êõ 1 l x r \ é ß © A á ¤ Ü ¼ Ð s 1 l x H ' õ AÒ os 1 l x s { 9 # Q z
` ¦ Ð# Å Ò% 3 . Ù ü t2 xS X © _ î rì ø Í x 9 ¸ _ > r$ í _
â Ä º, e ¦ Ý ¼ Û ¼ß ¼o _ ç ´ òõ M :ë H \ î rì ø Í x 9 ¸
7
£
x Ù ü t2 xS X © H & h & h Ü ¼ Ð y è < Ê` ¦ Ð# Å Ò
%
3 . ± ú É r î rì ø Í x 9 ¸ % ò % i \ " f H, Ä » ¸4 S q É r
^
¸4 S q_ כ Ð 8 H ; ¤S X © \ ¦ Ð# º ¡ § õ 1 l x r
\
, î rì ø Í x 9 ¸ y è < Ê\ Ø Ô> ; ¤S X ©
7 £ x < Ê` ¦ Ð# Å Ò% 3 . s כ É r p ì r Ï ã J] X Ò ¦ o_ y
è Ð p ì r s 1 p q s 8¹ ¡ ¤ Ø Ô> y è l M :ë H כ Ü ¼
Ð [ O " î s 0 p x . H î rì ø Í x 9 ¸ % ò % i \ " f H, Ä »
¸4 S q_ ; ¤S X © ^ ¸4 S q\ q K 6 £ § s ' a8 £ ¤
÷
& H X <, Õ ª s Ä » H p ì r s 1 p q dg/dN É r " f Ð q 5 p w t ë
ß p ì r Ï ã J] X Ò ¦ o d(δn)/dN H ^ ¸4 S q_ ° ú כs ß ¼ l
M :ë H כ Ü ¼ Ð [ O " î s 0 p x % i .
P c
p 8 ý ò k >
: r ½ ¨ H @ /½ ¨d ¦a Ë :@ / < Æ §_ ½ ¨q t " é ¶ \ _ K Ã º '
) a כ e .
Y c
p w à U Ø ô
[1] G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett and H.
Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
[2] F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997).
[3] S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 72, 3103 (1998).
[4] M. Leroux, N. Grandjean, J. Massies, B. Gil, P.
Lefebvre and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 60, 1496 (1999).
[5] S. H. Park and S. L. Chuang, J. Appl. Phys. 87, 353 (2000).
[6] S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 76, 1981 (2000).
[7] W.W. Chow, A. Knorr and S. W. Koch, Appl. Phys.
Lett. 57, 754 (1995).
[8] S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 72, 287 (1998).
[9] C. H. Henry, IEEE J. Quantum Electron. 18, 259 (1982).
[10] P. Chen, G. A. Blake, M. C. Gaidis, E. R. Brown, K. A. McIntosh, S. Y. Chou, M. I. Nathan and F.
Willamson, Appl. Phys. Lett. 71, 1601 (1997).
[11] S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices (New York: Wiley, 1995), Chap. 4.
[12] D. Ahn, Prog. Quantum Electron. 21, 249 (1997);
IEEE J. Quantum Electron. 34, 344 (1998).
[13] S. H. Park, S. L. Chuang, J. Minch and D. Ahn, Semicond. Sci. Technol. 15, 203 (2000).
[14] A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont and M. S. Shur, J.
Appl. Phys. 81, 6332 (1997).
[15] T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sita, H. Sakai, H.
Amano and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L177 (1997).
[16] H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett.
15, 327 (1969).
[17] K. Kim, W. R. L. Lambrecht and B. Segall, Phys.
Rev. B 53, 16310 (1996).
[18] S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Green Diode (Springer, Berline, 1997), Chap. 3.
[19] A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A.
Kuramata, K. Horino and S. Nakamura, J. Appl.
Phys. 81, 417 (1997).
[20] M. Suzuki, T. Uenoyama and A. Yanase, Phys. Rev.
B 52, 8132 (1995).
[21] W. W. Chow, M. Hagerott, A. Gimdt and S. W.
Koch, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 4, 514 (1998).
[22] Physics of Group IV Elements and III-V Com- pounds, edited by K. H. Hellwege and O. Madelung, Landolt-B¨ ornstein (Springer-Verlag, Berlin, 1982), New Series, Group III, Vol. 17, Pt.a.
[23] M. Kumagai, S. L. Chuang and H. Ando, Phys. Rev.
B 57, 15303 (1998).
[24] T. Ohtoshi, A. Niwa and T. Kuroda, IEEE J. Select.
Topics Quantum Electron. 4, 527 (1998).
[25] A. Polian, M. Grimsditch and I. Grzegory J. Appl.
Phys. 79, 3343 (1996).
Many-Body Effects on the Optical Properties of Wurtzite InGaN/GaN Quantum-Well Lasers
Seoung-Hwan Park, ∗ Hwa-Min Kim and Jong-Jae Kim Department of Physics & Semiconductor Science,
Catholic University of Daegu, Daegu 712-702 (Received 8 March 2004)
The many-body effects on the optical properties, such as the gain, the differential gain, the refractive-index change, and the linewidth enhancement factor, of wurtzite (WZ) InGaN/GaN quantum-well (QW) lasers are investigated using a self-consistent model. The results are com- pared with those of a free-carrier model with only band-gap renormalization. In the many-body model, the peak gain largely increases and is blueshifted by the Coulomb enhancement effect com- pared to that of the free-carrier model. The linewidth enhancement factor rapidly increases with decreasing carrier density in the range of low carrier densities. because the rate of decrease of dg/dN is larger than that of d(δn)/dN . Also, the linewidth enhancement factor of the many-body model is smaller than that of the free-carrier model in the range of low carrier densities. On the other hand, in the range of high carrier densities, the many-body model shows a larger linewidth enhancement factor than the free-carrier model. This can be explained by the fact that d(δn)/dN of the many-body model is larger than that of the free-carrier model.
PACS numbers: 78.73, 78.81, 78.85
Keywords: Many-body effects, InGaN, GaN, Quantum-well, Gain, Refractive-index, Linewidth enhancment factor
∗