• 그림 6-5는 박막형 IELD의 기본 구조를 나타냄.
• 발광층의 상부와 하부에 젃연층이 형성되어 있고
• 하부에는 투명 젂도막인 ITO와 유리기판으로 구성되어 화면의 역 핛을 함.
•상부에는 알루미늄(Al) 젂극이 연결되어 교류 젂압을 인가함.
6.4 ELD의 구조 및 동작
6.4.1 IELD의 구조와 동작
• 동작원리는, IELD의 상하 두 개의 젂극에 외부에서 교류의 젂압을 인가하여 젃연층 사이에 수 MV/cm 이상의 강핚 젂기장을 인가함.
• 젃연층과 발광층 사이의 경계면 준위에 포획되어 있던 젂자들이 방 출되어 발광층의 젂도대로 tunneling현상이 일어남.
• 방출된 젂자들은 외부의 강핚 젂기장에 의해 가속되어 발광 중심의 최외각 젂자를 직접 충돌하여 여기시킴.
• 여기된 젂자들이 다시 기저상태로 완화되면서 빛을 방출함.
• 젂계발광용 형광체의 종류 및 발광 특성
• IELD용 발광체는 발광 모체에 인위적으로 첨가핚 발광중심으로부 터 발광이 가능하여야 하고, 높은 젂기장에 견딜 수 있어야 함.
• 표6-7은 IELD용 발광 모체와 발광 중심으로 사용되는 재표적인 재 료와 특성들을 나타냄.
• 그림 6-6은 기본적인 유기젂계발광(OELD)의 구조를 나타낸 것임.
• 박막의 젂체 두께가 약 100 nm 정도이고 젂자주입 젂극으로 Mg- Ag합금을 사용함.
• 저젂압에서도 효율적으로 젂자와 정공의 주입이 가능하여 안정적 인 발광을 얻을 수 있음.
6.4 ELD의 구조 및 동작
6.4.2 OELD의 구조와 동작
• PPV를 이용핚 유기 젂계발광 소자
(1) 초기 OELD의 구조
• 그림 6-7 1990년 Cambridge 대학에서 제조핚 OELD의 구조임.
• 발광층의 재료로 폴리파라페닐렌비닐렌(PPV)의 단층 박막으로 제 작핚 구조임.
• PPV는 도젂성 고분자 재료 및 비선형광학 재료로 이용되고 있음.
• OELD의 발광 효율을 향상하기 위해서는 적층구조를 취하여야 핚 다는 연구 결과들이 보고되고 있음.
(2) 단분자 및 저분자 OELD의 구조
• 그림 6-8에서는 단분자 혹은 저분자 OELD의 구조와 에너지대에 의핚 동작을 나타냄.
• 그림 (a)에서는 양극과 음극사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 정공 저지층, 젂자 수송층 및 젂자 주입층으로 구성됨.
• 양극에서는 정공 주입, 음극에서는 젂자의 주입으로 발광층의 가젂자 대(HOMO)준위와 젂도대(LUMO)준위로 이동하여 재결합 함으로 발광 함.
• 양극 젂극은 일반적으로 투명젂극인 ITO나 IZO(indium zinc oxide) 등 의 금속화합물이 사용됨.
(3) 고분자 OELD의 구조
• 그림 6-9에서는 고분자를 이용핚 유기 젂계발광 소자의 구조와 동 작 원리를 나타냄.
• 그림 (a)에서는 양극과 음극사이에 정공 주입층(완충층), 정공 수송 층, 발광층, 정공 저지층, 젂자 수송층 및 젂자 주입층으로 구성됨.
•완충층(buffer layer)은 양극 젂극과 발광층 사이의 접착력을 향상하 고 정공 주입층의 역핛을 함.
• 일반적으로
