전기전자공학개론

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전기전자공학개론

대구가톨릭대학교 전기에너지공학과

(2)

제15장 반도체와 다이오드

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반도체 구조

도핑(doping) : 반도체 결정 중에 필요한 불순물을 희망 하는 양만큼 첨가하는 것.

불순물 첨가라고도 함.

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반도체 구조

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반도체 구조

 공유 결합(covalent bonding) : 원자의 최외각 일부가 비어있는 경우, 두 원자가 서로의 가전자를 공유하여 최외각을 완전히 채움.

서로의 전자를 공유하여 이온이 형성되지 않음.

 도핑(doping) : 반도체의 결정 구조에 불순물(impurity) 첨가

1. 도너(doner) : 결정구조에 자유전자를 추가 제공(5족 원소; 비 소, 인 등) → n-type 반도체 (자유전자가 다수 운반자)

2. 억셉터(acceptor) : 도핑원소가 구조로부터 자유전자를 받아 들임으로써 새로운 정공 생성 (3족 원소, 인듐, 갈륨 등)

→ p-type 반도체

3. 절대온도 0˚K에서 실리콘 금지대 : 1.21eV, N형 : 0.01eV, P형:

0.05eV

 반도체 : 4족 원소, 도체와 절연체의 중간적 성질 공유결합의 특 성을 갖는 격자 구조(lattice structure)

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반도체 구조

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반도체 구조

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반도체 구조

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반도체 구조

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반도체 구조

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반도체 구조

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반도체 구조

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반도체 구조

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반도체 구조

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반도체 구조

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P-N접합 다이오드

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다이오드의 동작

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0

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정류

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정류

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정류

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정류

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정류

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정류

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정류

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정류

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정류 및 다이오드의 정격

 다이오드의 정격

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다이오드 시험

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다이오드 시험

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다이오드 시험

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트랜지스터

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트랜지스터

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트랜지스터

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트랜지스터의 동작

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증폭기

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증폭기

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트랜지스터 사용법

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트랜지스터 시험

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트랜지스터 시험