Chapter 3 Zero-dimensional nanostructures: Nanoparticles
이장에서 다루게 될 문제들
입자들은 왜 형성되지?
어디에 쓰이지?
어떤 입자가 필요한거지?
어떤 재료로 입자를 만들지?
입자들은 어떻게 성장해나가지?
언제까지 성장하지?
성장과정은 ? 어떻게 설명할 수 있지?
포텐셜
에너지
에너지로 전환될 확률을 나타내는 상태함수
주어진 계와 관찰 대상의 상호 작용에 의해 결정
중력-위치에너지-물질의 질량
전자기력-정전 포텐셜-전하량
화학반응-케미컬 포텐셜-표면에너지
아무런 힘이 작용하지 않는 자유공간의 입자
입자의 크기-chemical potential
응집에 의한 표면에너지의 영향의 감소
내부에너지
표면에너지
계면에너지 입자
표면에너지의 감소 내부에너지의 증가
G
3.1 Introduction
나노입자?
Pseudo-Zero Dimensional particles
다양한 제작방법을 통한 금속, 반도체, 산화물 나노입자의 구성
Applications
타이어, 프라스틱 첨가물
공해(해양오염) 제거
전자파차단 도료
Flexible electronics; 금속 도선재료 (프린트회로)
도포성 태양전지
Issues ? (해결해야 할 문제)
3.1 Introduction; Nanoparticle
나노입자 요구조건 : 동질성
사이즈 분포
동일한 형상
동일한 조성
분산성
나노입자의 특징
제작에 적합한 방법 ; various ways
작은 사이즈 ; handling
큰 표면에너지 ; chemical instability
3.1 Nanoparticle 응용기술
고기능성 NP의 Design and preparation
어떤 크기, 모양, 화학적 성질, 결정성, 구조가 필요한가
어떻게 성장할 것인가
Buttom-up; neucleation and growth in liquid and gas phase
Top-down; untrafine milling
Mixed; spray pyrolysis in aerosol phase
Dynamics of nanoparticles
NP의 거동 (액체,기체,고체안에서)
Formation and growth
물성 평가
Size 와 morphology ; TEM, SEM, STM, DMA
Chemical/crystalline properties ; FT-IR, NMR, ICP-AES, XRD
Surface properties ; BET, XPS, Auger, AFM
Composite structures : TEM, element mapping
Contents of Ch. 3
Equilibrium conditions (화초장속의 성장)
Homogeueous nucleation
Growth of nuclei
Synthesis of metallic nanoparticles
Synthesis of semiconductor nanoparticles
Synthesis of oxides nanoparticles
Vapor phase reaction
Solid state phase reaction
Heterogeneous reaction
Kinetically confined (제한된 조건 속에서의 형성) synthesis of nanoparticles
Epitaxial core-shell nanoparticles (특수한 나노입자)
3.2 Synthesis of Nanoparticles
열역학적 평형 (equilibrium condition) 상태 에서의 성장
Homogeneous nucleation (동질성 물질)
Heterogeneous nucleation (이질성 물질)
Kinetic (동역학적) 성장
공급하는 source 량이 제한된 상태에서의 성장
제한된 공간에서의 성장
3.2 NPs through homogenious nucleation
3.2.1 fundamentals of homogeneous nucleation
핵 (Nuceii) ; 원자 <수십개 가 모여 입자로서의 물리적 성질을 (원소가 아니라) 고 찰할 수 있게 된 상태
균일한 핵화(homogeneous nucleation) ;
가장 간단한 핵화과정의 이 해 농도 증가에 의해 과포화 (super saturation)가 발생 하면 핵화를 진행
조건
과포화상태 (농도증가)
온도감소
3.2.1 Fundamentals of homogeneous nucleation
Gibbs energy=H-TS
H=내부에너지-pV (고립계의 내부에너지는 일정하다; 열역학 제1법칙)
S=dH/dT (우주의 무질서도는 증가한다; 열역학 제2법칙)
G, H, S 는 모두 상태함수 (가역적, potential)
자발적 반응과 Gibbs 에너지
Gibbs 에너지의 감소를 동반하는 반응은 자발적 반응이라 한다.
비자발적 반응은 Gibbs 에너지의 증가를 의미하며 열역학 제1법칙과 제2 법칙의 요구조건을 만족하려면 다른 방법으로 에너지가 공급되고 있음을 의미 한다.
자발적 반응과 비자발적 반응의 확률적 고찰은 비자발적 반응에 비해 자
발적 반응이 관찰될 확률이 매우 높음을 의미한다.
3.2.1 Fundamentals of homogeneous nucleation
Gibbs free energy with nucleation
과포화에 의한 석출 (segregation)은 G의 감 소를 유발하며, 자발적 반응이 된다.
C<C
0ΔG
vis positive
→ 비자발적
C>C
0ΔG
vis negative
→ 자발적 (관찰가능)
자발적/비자발적 반응은,
G 의 부호뿐만 아니라, 관찰가능성에도 영향을 미
친다
⎟⎟⎠
⎜⎜ ⎞
⎝
⎛ −
− Ω
⎟⎟=
⎠
⎜⎜ ⎞
⎝
⎛
− Ω
= Δ
0 0 0
ln
ln C
C C kT C
C GV kT
3.2.1 Fundamentals of homogeneous nucleation
고체입자의 형성에 의 해서 G는 두가지 방향을 가진다
( σ)
γ π π
μ μ
γ π μ
π μ
Ω +
−
= +
Δ
= Δ + Δ
= Δ
= Δ
Δ
= Δ
1 ln 3 4
4 4
3 4
2 3
2 3
r kT G
r G
r G r
v s
v s
v v
3
3 4πr
4 rπ 2
volume
surface
-성분 +성분
완전분산된 (원소) r = 0
핵형성
3.2.1 Fundamentals of homogeneous nucleation
그림 3.2는 Gibbs total energy 를 고려할 때, 석출 반 응은 석출물의 반경이 r*를 넘 는 경우만 가능하다는 것을 나 타내고 있다.
앞에서 ripenning 을 통해서도 평형상태의 용매는 일정 이상 의 크기를 갖게 되는 것을 배 웠다.
이 경우, critical size와 critical energy는 다음과 같 이 정의된다.
( )2
*
*
3 16 2
v v
G G r G
= Δ Δ
− Δ
=
πγ
γ
큰 농도차, 큰 온도차 → 큰 입자3.2.1 Fundamentals of homogeneous nucleation
⎟⎟⎠
⎜⎜ ⎞
⎝
⎛ Δ−
⎭⎬
⎫
⎩⎨
=⎧ Γ
=
= Γ
⎟⎠
⎜ ⎞
⎝
⎛ Δ−
=
kT G kT
nP C R
kT kT P G
o N
v
* 3
3
3 exp 3
exp
η πλ η
πλ
실험상 확인되는 nucleation 비율은 rate equation 으로 결 정된다.
Rate equation ; 주어진 조건 의 변화에 비례하여 결과가 정해지는 경우를 기술하는 방정 식
P : nucleation 이 일어날 확률 (확률이 높다고 반드시 사건이 일 어나지 않는다)
Г: nucleation 이 일어나는 빈도 수 (실제 확률이 구현되는 빈도수)
R
N: Nucelation 율 (실험적으로
확인 가능한 비율)
3.2.1 Fundamentals of homogeneous nucleation
그림 3.4는 시간에 따라 농도의 변 화와 일어날 때, nucleation 과 growth 의 과정을 설명
1) 시간에 따라 농도가 증가해서 평 형 용융도에 도달 해도 nucleation 하지 않는다.
2) 이러한 nucleation 은 과포화상태 에 이르면 시작된다
3) 초기 nucleation 이 시작되면 Gibbs 에너지도 감소하면서 농도 가 감소하고 이러한 반응은 농도가 더 이상 nucleation 이 일어나 지 않는 특성농도(평형 용융도)까지 지속적으로 진행된다.
3.2.1 Fundamentals of homogeneous nucleation
그림 3.5는 농도에 따른 nucleation rate 의 변화를 보여준다
I) 농도가 평형용융도에 도달해도
nucleation 은 dG 를 넘지 못하므로 일어나지 않으나, growth 는 일어날 수 있다.
II) 과포화됨에 따라 nucelation 이 시작 되고, growth rate 는 농도에 따라 완 만하게 증가
III) 과포화농도를 지나면 nucleation rate 은 급속히 증가, growth rate 은 완만한 증가를 지속
3.2.1 Fundamentals of homogeneous nucleation : summary
Nucleation
핵 형성을 위한 최소 농도 존재 (핵의 최소반경 존 재)
핵 형성 후, 핵의 성장에 의해서 용액의 농도 저 감
핵 형성시, 부피에 의한 Gibbs 에너지의 감소와 표면에 의한 Gibbs 에너지의 증가가 조화를 이뤄 최소 핵 반경 (r*) 결정
3.2.2 Subsequent growth of nuclei
Supplying (precursor) Diffusion
Adsorption (migration)
growth
desorption
surface
General regime
Supplying of species
Adsorption
Diffusion
Physical adsorption
desorption
Chemical adsorption
Growth Supplying (precursor)
Reduction reagent
Growth species (adaptoms) reduction
3.2.2 Subsequent growth of nuclei 성장양식 (growth modes)
Diffusion (원료공급; precursor diffusion) controlled growth
원료의 공급속도가 성장속도를 결정 (공급<<migration)
(thin films growth) sputtering
Surface process controlled growth
표면의 migration 과 화학적 결합의 속도가 결정성장 속도 를 결정 (공급>>migration)
(thin film growth) epitaxy
3.2.2.1 Growth controlled by diffusion
핵의 성장속도
r;(면적도 될 수 있음) 단위 직경(면적)당
Vm; 공급되는 분자의 부피
D; 확산계수
길면 길 수록 안정된 결합을 형성할 확률이 크다
농도차 (C-Cs) : 공급량
많이 공급하고 단위 분자의 부피가 크면 성장속도가 빠 르다
( )
( )
2 0 0 0 0 0
2 0 2
2 0
2
2
r t k
r r r
r r r r
r t k r
r t V C C D r
r C V C dt D
dr
D D
m s
m s
= +
=
+
=
+
−
=
−
=
δ δ
δ δ 부피와 직경의 변화율
3.2.2.2 Growth controlled by surface process
굉장히 빠른 확산운동을 하는 경우 의 성장속도는 표면의 반응에 (surface process : migration) 의해서 결정된다.
표면의 반응 (migration speed) 에 의해서 결정되는 성장 양식 (Growth modes)
Mononuclear growth
Layer-by-layer 성장; 한 층의 성 장이 완전히 끝나고 다음 층이 성장 된다
Poly-nuclear growth
한 층의 성장이 완료되기 전 다음 층의 성장이 시작된다
성장(고체)
평형농도
3.2.2.2 Growth controlled by surface process
성장모드에 따른 입자의 크 기의 변화율
Surface controlled growth
Small size :
monolayer growth
Bigger size ;
poly-nuclear growth
Diffusion controlled growth
Large size ;
Diffusion growth
나노입자의 합성법 (synthesis)
액상성장법의 관점에서본 각종 입자의 합성법
Metal 나노입자
Precursor : 산을 이용한 금속용액
Reagents : 산화환원반응
Growth parameters : 표면, 온도, 농도, stabilizer
반도체 나노입자
Precursor : 고상/액상/기상의 반도체, 반도체산화물
Reagents : 고상/액상/기상의 반도체, 반도체산화물
Growth parameters : 표면, 기판, 온도, 농도
산화물 나노입자
Precursors : Sol-gel,
Reagents : H
2O, Alchol, HCl
Growth parameters : Temp. 촉매, 용액의반응도
3.2.3 Synthesis of metallic nanoparticles
Metal colloidal dispersion
Precursors : elemental metals (ex. HAuCl
4)
Reagents : tetrao ctyl ammonium bromide (TOAB)
Polymer stabilizer : PVA
3.2.3 Synthesis of metallic nanoparticles : How to create Au colloids ?
Dissolve 9.0×10−4 mol of HAuCl4 (about 0.3 g) in 30 ml of water.
Dissolve 4.0×10−3 mol of tetraoctylammonium bromide (TOAB) (about 2.187 g) in 80 ml of toluene.
Add the HAuCl4 solution to the TOAB and stir vigorously for about 10–
minutes. The colour of the aqueous phase should become clear, and the colour of the organic phase (the toluene) should become orange.
While stirring vigorously, add (preferably dropwise, but really doesn't matter) sodium borohydride.(NaBH4); the colour should change from orange to white to purple to eventually reddish, although the latter colours will be poorly discernible, since the solution will be quite concentrated and thus will look very dark.
Keep stirring the solution for up to 24 hours to ensure monodispersity (especially if NaBH4 was not added dropwise; otherwise just an hour or two is enough).
Separate the organic phase, wash it once with dilute H2SO4 (sulfuric acid) to neutralize it, and several times with distilled water.
3.2.3 Synthesis of metallic nanoparticles : How to create Au colloids ?
3.2.3 Synthesis of metallic nanoparticles : How to create Au colloids ?
Reduction method
Reduction of metal complex in dilute solutions is a general method for metal particles
XM
n+nK→M+nKX
Precursor, reduction reagents, polymer stabilizer
Strength of reducer
influence on reaction rate and size distribution
Rh
RhCl
3+3/2CCH
3OH→Rh+3/
2HCHO+2HCl
Pd
PdCl
2+Na
2CO
3+2H
2O
→Pd(OH)
2+H
2CO
3+2Na
++2C l
-
Pt
PtCl
2-4+H
2O →Pt(H
2O)Cl
3-+Cl
-
Pt(H
2O)Cl
3-+H
2O→Pt(H
2O)
2Cl
2+Cl
-3.2.3.1 Influence of reduction reagents
Size and size
distribution of metallic colloids vary with the types of reduction reagents
대기만성!
Strong reduction promotes a fast reaction→small nanoparticles
Slow reaction leads
→large nanoparticles
Large particle size ; Formation of nuclei and growth
각종 reagent 에 따른 Au 입자의 크기 와 크기의 편차
3.2.3.1 Influence of reduction reagents
Na3C6H5O7
C6H8O7 Au particles prepared by
Sodium citrate Reagent
citrate
Au particle
with spherical shape In Sodium citrate
with facets in Hn4OH+HCL
유기산 음료의 신맛
Reageant의 반응성에 따른 particle size
잠깐만 … 산과염기(?) 의 정의?
1. 아레니우스의 정의
가장 오래 써 온 방법으로서 아직 도 수용액의 반응에서는 대부분 이 방법으로 산과 염기를 구별 한다.
(1) 산 ; 수용액에서 H+ 이온을 낼 수 있는 물질
질산(HNO3), 황산(H2SO4), 염산 (HCl), 아세트산(CH3COOH), 인산(H3PO4)...
(2) 염기 ; 수용액에서 OH-이온을 낼 수 있는 물질
수산화나트륨(NaOH), 수산화칼슘 (Ca(OH)2), 수산화마그네슘 (Mg(OH)2)...
2. 브뢴스테드-로우리의 정의
아레니우스의 정의에 따른다면 수용액이 아닌 경우에는 적용할 수가 없어서 다음과 같은 반응은 산과 염기의 구별이
어렵다.
NH3(g) + HCl(g) --> NH4Cl(s) (OH- 를 내놓지 않는다)
이런 경우에도 산과 염기를 구분하기 위 해 브뢴스테드-로우리에 따르면 산은 H+를 내놓는 물질로, 염기는 H+를 받
아들이는 물질로 정의된다.
3.2.3.2 influences by other factors
Ag 의 경우
2Ag
++HCHO+2OH
-→2Ag+HCOO
-+2H
2O Ag
++HCHO+OH
-→Ag+HCOOH+1/2H
2
Two-step reduction reactions
Pt 의 경우
PtCl
62-+CH
3OH→ PtCl
42-+HCHO+2H
++2CL
-
PtCl
42-+CH
3OH→
Pt+HCHO+2H
++4CL
-
Diffusion limited growth (slow)
3.2.3.2 influences by other factors
- 핵의 성장은 (크기의 분포 및 형상) Presursor와 Reagent 의 비율 (그림 3.12)이나, polymer stabilizer의 농도, (3.13) 반응중의 분위기나 온도 (3.14) 에도 영향을 받는다.
3.2.3 Synthesis of metallic nanoparticles : Summary
Growth of metallic nanopartilces
Precursor : various metal-Acid
Reagent : 산화환원 반응의 제어
Reagent 의 반응도에 따라서, 농도에 따라서 입 자성장속도 제어
Other parameters growth : 농도, 온도, stabilizer 유/무 등이 size (distribution), density, shape, 등에 중요한 영향
3.2.4 Synthesis of semiconductor nanoparticles
Semiconductor nanoparticles ?
다양한 재료
다양한 물성
다양한 성장 방법
다양한 물성
SiGe 발광
Solar cell
Biocursor
다양한 분석방법
적절한 성장방법
재현성 있는 구조구현
사이즈/분표/형상의 제어가능성
3.2.4 Synthesis of semiconductor nanoparticles : Summary
Semiconductor nanoparticles
Metalorganic precursors (TEGa, TMGa …)
Anhydride* solvent (airless enviroment)
* 산의 화학식에서 물 1분자 또는 2분자가 제거된 형의 화합물 이다. 이산화탄소 CO2 ·삼산화황 SO3 ·오산화이인 P2O5 는 각 각 탄산 H2CO3 ·황산 H2SO4 ·인산 H2PO4 등의 무수물이다.
Polymer stabilizer or capping materials (ex. Sulfur)
Ex for Semiconductor nanoparticles
CdE(E=S, Se, Te)
GaCl
3+Li
3N→GaN+3LiN (in benzene at 280
oC) (3.38)
3.2.4 Synthesis of semiconductor nanoparticles
CdSe Active region for Blue light emitter, Cancer cursor WZ a 2.499 Eg (4K) 1.84 eV Eg(300K) 1.74 eV
c 7.015
ZB 6.057 Metastable
3.2.4 Synthesis of semiconductor nanoparticles
3.2.5 synthesis of oxide nanoparticles
특징
Easy approach ! – undefined strategy
대표적 방법 Sol-Gel approach
가수분해 (hydorlysis)-condensation (응축)
균일한 산화반응
반응과정 제어 용이
Sol-gel 반응
Hydrolysis (메탈염의 형성)
M(OEt)4+xH2O⇔M(OEt)4-x(OH)x+xEtOH
Condensation (메탈과 물의형성)
M(OEt)4-x(OH)x+M(OEt)4-x(OH)x ⇔ (OEt)4-x(OH)x-1MOM (OEt)4-x(OH)x-1+H2O
Sol-gel Process ?
Sol : 미립자의 분산질(콜로이드 입자, 낱알의 지름이 0.1㎛ 정 도)이 액체를 분산매로 하여 분 산하고 동시에 유동성을 유지하 고 있는 것. 분산매가 물인 것은 히드로졸이라 하고 유기용매인 것은 유기졸이라고 한다.
Gel : 콜로이드 용액(졸)이 젤리 처럼 굳어진 것. 졸이 겔로 변 화하는 현상을 겔화라고 한다.
한천·젤라틴·두부·곤약·실리카겔
등이 그 예이며, 콜로이드 입자
의 그물조직 사이에 용매인 물
등이 들어가 굳은 것이다.
3.2.5 synthesis of oxide nanoparticles
Sol-gel approach
가장 일반적 방법이나 반응과정이나 속도 제어 개선 요구
Forced hydrolysis
To obtain uniform metal oxides
가수분해반응의 촉진을 위한 촉매의 사용
예) Silica-gel : 암모니아(catalyst), 에탄올, H
2O, silicon alkoxides (precursor)
Controlled release of ions
용액의 산성도 제어해서 반응진행을 제어
예) FeCl
3, HCl solution
3.2.5 synthesis of oxide nanoparticles : Results of Sol-Gel process
Forced hydrolysis Controlled release of ions
3.2.6 Vapor phase reactions
기상성장법
액상 뿐만 아니라 기상상태의 precursor 공급에 의 한 나노입자 성장이 가능
Precursor 공급을 위해서 진공이 필요
Precursor 는 일반적으로 기판의 표면에 공급됨
이 방법은 stabilizer 를 사용하기 부적합
Vapor-Solidification
Vapor-liquid-solidification
3.2.7 Solid-state phase segregation
3.3 Nanoparticles through heterogeneous nucleation
Fundamentals of heterogeneous nucleations
Synthesis of nanoparticles
3.3 Nanoparticles through heterogeneous nucleation
3.4 kinetically confined synthesis of nanoparticles
Synthesis inside micelles or using microemulsions
Aerosol synthesis
Growth termination
Spray pyrosis
Template based synthesis
3.4 kinetically confined synthesis of nanoparticles
3.5 Epitaxial core-shell nanoparticles