à Ã
Å « Ö «Y c l0 n É; c 8 ýA 0 < gX c lc Ü R β -In 2 S 3 U c lT c l8 ý ö n ÚP X ì Ä ¤V R Ë
T
+ ä ® £ ∗ · T ø ¶ B% · ¼ ÿ ( å ~ x · »Z Ì Ú
â
© @ / < Æ § õ < Æ@ / < Æ Ó ü t o < Æõ x 9 l íõ < Æ ½ ¨ è, Å Ò 660-701 (2008¸ 5 Z 4 2{ 9 ~ Ã Î6 £ §)
/ B N7 £ x à ÌZ O Ü ¼ Ð β-In
2S
3~ Ã Ì} ` ¦ ITO (indium-tin-oxide) Ä »o l ó ø Í 0 A\ ] j % i . & ñ o H 7 £ x
Ã
Ì ) a ~ Ã Ì} [ þ t` ¦ / B N © I \ " f 200, 300, 400
◦C Ð \ P % o < ÊÜ ¼ Ð" f s Ò ¦ Ã º e % 3 . X- r] X ì r$ 3 \ _
# 7 £ x Ã Ì ) a β-In
2S
3~ Ã Ì} _ ¶ ú ½ Ó © Ã º H a=7.62 ˚ A ü < c=32.33 ˚ A Ð" f & ñ ~ ½ Ó& ñ > (tetragonal) < Ê Û
¼x 3 A q (defect spinel) ½ ¨ ¸s % 3 ¦, \ P % o : r ¸\ ¦ 7 £ x r ( \ (1 0 9) ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð × þ $ í © H d` ¦
· ú
à º e % 3 . 7 £ x Ã Ì ) a β-In
2S
3~ Ã Ì} \ @ / # z ´ : r \ " f 8 £ ¤& ñ ô Ç F g < Æ& h \ -t { ç ß É r 1.84 eV s
%
3 ¦, \ P % o : r ¸ 7 £ x < Ê\ { ç ß ¸ y è % i Ü ¼ 9 400
◦C \ " f \ P % o ) a ~ Ã Ì} _ F g < Æ& h \
-t { ç ß É r 1.7 eVs % 3 . β-In
2S
3~ Ã Ì} ? /_ î r ì ø Í [ þ t _ 1 l x% i < Æ& h 1 l x` ¦ F g Ä »l ~ ½ Ó :
£ ¤$ í (PIDC: photoinduced discharge characteristics) ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð ¸ % i .
PACS numbers: 68.55.-a, 78.20.-e
Keywords: β-In
2S
3~ Ã Ì} , \ P % o ´ òõ , \ -t { ç ß , F g Ä »l ~ ½ Ó : £ ¤$ í
I. " e  ] Ø
A III 2 B V I 3 (A III =Ga, In, Tl ü < B V I =S, Se, Te)+ þ A_
o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ [ þ t É r I ª \ -t ¨ 8 ` ¦ 0 Aô Ç þ j& h % ò % i _
\ -t { ç ß õ Z } É r f ¨ Ã º > Ã º M :ë H \ F g (op- toelectronic) x 9 F g l $ í (photovoltaic) 6 £ x6 x` ¦ 0 Aô Ç
í ß \ O _ F « Ñ Ð" f ´ ú § É r ' a d ` ¦ = å J ¦ e [1,2]. s [ þ t ì
ø Í ¸^ î r X <" f In 2 S 3 õ ° ú É r III-VI7 á ¤ o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ _ Ó
ü t$ í É r ¸$ í q \ ß ¼> % ò ¾ Ó` ¦ ~ Ã Î ¦, I7 á ¤ " é ¶ è_ '
ÐÂ Ò' II-VI7 á ¤ o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ \ " f % 3 ` ¦ Ã º \ O H D h\ v
¦ < É ª p Ðî r Ó ü t$ í ` ¦ % 3 ` ¦ Ã º e ` ¦ כ Ü ¼ Ð l @ / ) a . { 9 ì ø Í
&
h Ü ¼ Ð In 2 S 3 É r < Ê ½ ¨ ¸\ ¦ ë ß × ¼ H X <, s M : S ! oÓ ü t (sul- fide) É r { 9 ~ ½ Ó& ñ > (cubic) ¢ ¸ H ¹ ¢ ¤ ~ ½ Ó& ñ > (hexagonal close packed) ½ ¨ ¸\ ¦ + þ A$ í 9 ª s : r o [ þ t (cation sites) _ { 9
Â Ò q # Qe (/ B N ç ß ç H: D 19 4h -I4/amd) [3]. In 2 S 3 É r S (sulfur) _ Z } É r 7 £ x l · ú Ü ¼ Ð K o < Æ| ¾ Ó : r& h ¸$ í
`
¦ ë ß 7 á ¤ H é ß & ñ ` ¦ % 3 l # Q§ > ¦, 400 ◦ C s \ " f H
&
ñ ~ ½ Ó& ñ > ½ ¨ ¸\ ¦ ° ú H β-In 2 S 3 s ÷ &t ë ß , 400 ∼ 754 ◦ C
: r ¸ % ò % i \ " f H { 9 ~ ½ Ó& ñ > ½ ¨ ¸\ ¦ ° ú H α-In 2 S 3 s ÷ & ¦, 754 ∼ 1090 ◦ C (Ö 6 x& h ) % ò % i \ " f H ~ ½ Ó& ñ > (trigonal) ½ ¨
¸ γ-In 2 S 3 ` ¦ ° ú l M :ë H \ é ß { 9 $ í ` ¦ ° ú H & ñ $ í © s
#
Q§ > [4]. ¢ ¸ô Ç In 2 S 3 ~ Ã Ì} É r î ß & ñ $ í (stability) [5], \ - t
{ ç ß (2∼2.3 eV) [6], È Ò" î ¸ (transparency) Õ ªo ¦
∗
E-mail: [email protected]
F
g ¸^ 1 l x (photoconductor behavior) [7] M :ë H \ , ´ ú §
É
r l Õ ü t& h 6 £ x6 x[ þ t \ @ / # 5 Å q ) a t " é ¶Ó ü t| 9 s . Ð :
x CIS (CuInSe 2 , CuInS 2 ) Õ ªo ¦ CdTe\ ¦ l í Ð ô Ç I
ª t (solar cell)[ þ t \ " f F g l $ í ] X ½ + Ë (photovoltaic junction) É r CdS ¢ - aØ æ 8 £ x (buffer layer)` ¦ s 6 x # ] j
÷
&% 3 [8]. ¨ 8 â & h ' a& h \ " f Cd_ 6 x É r CIS ~ Ã Ì} I
ª t [ þ t \ " f x > ) a . ¢ ¸ CdS_ { ç ß É r  ú ª É r
© (short wavelength)[ þ t \ " f ç ß _ F g < Æ& h f ¨ Ã º < Hz ´_
"
é
¶ s ) a . Õ ª QÙ ¼ Ð CdS\ ¦ 6 x t · ú § H 8 V , É r { ç
ß ì ø Í ¸^ \ @ /ô Ç ½ ¨ H þ j H \ ´ ú § É r ½ ¨ Õ ªÒ ¨[ þ t \ _
K " f ' K 4 R ¸ ¦ e [1,8]. r F g % ò % i \ " f È Òõ Ö ¦ (70 ∼ 80 %)` ¦ In 2 S 3 & ñ ~ Ã Ì} É r F g l § 4 t (photovoltaic cell)[ þ t _ F g < Æ& h ½ Ó (optical window)Ü ¼
Ð" f 6 x| ¨ c à º e ` ¦ ÷ r ë ß m , z ´] j Ð CdS 8 £ x[ þ t \ a
% ~ É r @ /^ ¾ ¡ §` ¦ ½ ¨$ í ½ + É Ã º e [9,10]. CdS 5 Å q Ü ¼ Ð Cu\ ¦ S X
í ß r ( Ü ¼ Ð" f F g l $ í ] X ½ + Ë_ ] j \ ' a ô Ç Ð ¦[ þ t \ _
CdS_ % 6 £ § Y > Y > 8 £ x[ þ t É r p+ þ AÜ ¼ Ð 7 > ÷ & 9 1 l x 7
á x] X ½ + Ë (homojunction)` ¦ + þ A$ í ô Ç [11]. s < É ª p Ðî r
&
h
` ¦ s 6 x # ë ß { 9 In 2 S 3 5 Å q Ü ¼ Ð Cu\ ¦ S X í ß r ~ ´ Ã º e
, Y > Y > 8 £ x[ þ t É r CuInS 2 Ð 1 Ã º ¸ e Ü ¼ 9, Õ ª כ É r I
ª t \ @ /ô Ç © { © y a % ~ É r f ¨ Ã º Ó ü t| 9 s | ¨ c ÷ r ë ß m
F g l $ í ] X ½ + Ë_ ] j É r ~ 1 > z ´ & ³| ¨ c à º e . Õ ª Q Ù
¼ Ð ç ß é ß ¦ ¨ 8 â 2 ; o& h ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð " é ¶ H ~ Ã Ì} [ þ t
`
¦ ] j H כ s l Õ ü t& h Ü ¼ Ð | Ã Ðf # In 2 S 3 ~ Ã Ì} [ þ t
É
r F g o < Æ 7 £ x Ã Ì (PCD:photochemical deposition) [12], o
-144-
< Æ ì r Á º \ P ì r K (chemical spray pyrolysis) [13], " é ¶ 8 £ x 7
£
x Ã Ì (atomic layer deposition) [14], ì ø Í6 £ x$ í 7 £ x µ 1 Ï (reac- tive evaporation) [15], \ P 7 £ x µ 1 Ï (thermal evaporation) [10, 16], ¸ ) a µ 1 Ï 7 £ x Ã Ì (modulated flux deposition) [17]
Õ
ªo ¦ ¦Å Ò Û ¼( ' a A (rf:radio frequency-sputtering) [18] õ ° ú É r ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð ] j ÷ &# Q M ® o . Õ ª Q / B N 7 £ x à Ì
)
a In 2 S 3 ~ Ã Ì} õ : £ ¤$ í \ ' a ô Ç ½ ¨_ Y > Y > Ð ¦[ þ t ë ß s e
%
3 [10,16,19,21–23]. s Ð ¦[ þ t _ @ /Â Òì r \ " f In 2 S 3 ~ Ã Ì }
É r ½ ¨$ í " é ¶ è[ þ t _ 7 £ x µ 1 Ï\ _ K ] j ) a Ê ê \ P % o \ ¦ : x ô
Ç F g < Æ& h : £ ¤$ í \ @ /ô Ç ½ ¨ H Ö ¸ µ 1 Ïy s À Ò# Qt ¦ e t ë
ß , Õ ª s ü @_ Ó ü t$ í õ 6 £ x6 x \ ' a ô Ç ½ ¨ H Z > Ð \ O .
" f f ¸ ² D G ? /ü @& h Ü ¼ Ð ½ ¨ Ö ¸1 l x s Â Ò ô Ç III-VI7 á ¤
o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ β-In 2 S 3 ~ à Ì} ` ¦ / B N7 £ x Ã Ì Z O Ü ¼ Ð ] j
¦ / B N \ " f_ \ P % o : r ¸\ É r ½ ¨ ¸& h , F g < Æ& h : £ ¤
$ í
õ F g Ä »l ~ ½ Ó : £ ¤$ í [24]\ _ ô Ç @ / ) a î r ì ø Í _ 1 l x
%
i < Æ& h 1 l x (dynamical behavior) [25]\ ¦ ¸ % i .
II. ÷ m Ç ] M ö
1. β-In 2 S 3 U c lT c l8 ý < g º
β-In 2 S 3 ~ Ã Ì} ` ¦ ] j l 0 A # o < Æ| ¾ Ó : r& h ç H{ 9 ô
Ç ¸$ í ` ¦ t H β-In 2 S 3 é # Qo (bulk)\ ¦ à º¨ î l Ð
\
" f ½ + Ë$ í ¦ , $ ¦ í H ¸ (99.999 %)_ Inõ Se` ¦
¸$ í q Ð g A| ¾ Óô Ç Ê ê È Ò" î $ 3 % ò ' a ( ? / â : 1.0 cm × ü @ â : 1.4 cm × U ´s : 18 cm)\ V , ¦ 2 × 10 −6 Torr _ /
B
N ¸\ " f 4 x{ 9 % i . 4 x{ 9 ) a Ó re ¦ (ampoule) É r à º¨ î l
Ð 5 Å q \ " f : r ¸\ ¦ 50 ◦ C/h _ Ö ¦ Ð 300 ◦ C t 5 p x : r r
Ê ê, : r ¸ © 5 p x Ü ¼ Ð ô Ç S 7 £ x l · ú _ 7 £ x x 9 F K5 Å q õ S _ ½ + Ë$ í r µ 1 Ï\ P ì ø Í6 £ x Ü ¼ Ð ô Ç Ó re ¦ õ \ ¦ } l 0 A
#
12r ç ß 1 l x î ß ì ø Í6 £ x` ¦ r & 7 £ x l · ú ` ¦ y èr Ê ê, r
100 ◦ C/h _ Ö ¦ Ð 600 ◦ C t 5 p x : r r & , 24 r ç ß ì ø Í 6
£
x r 6 £ §, 50 ◦ C/h _ Ö ¦ Ð 1100 ◦ C t 5 p x : r r ( .
s
: r ¸\ " f 50 r ç ß ì ø Í6 £ x r & ç H{ 9 ô Ç In 2 S 3 & ñ é
#
Qo (ingot)\ ¦ % 3 % 3 . ½ + Ë$ í õ & ñ 1 l x î ß o < Æ ª : r& h ¸$ í q
\ ¦ ë ß 7 á ¤ H ç H{ 9 ô Ç o½ + ËÓ ü t` ¦ % 3 l 0 A # ½ + Ë$ í 6 x Ó r e
¦` ¦ 3 rpm _ 5 Å q ¸ Ð ý aÄ º Ð r r & Å Ò% 3 [26]. ] j ¸
)
a β-In 2 S 3 é # Qo \ ¦ / B N7 £ x Ã Ì © u (Edward E 306A)? /
\
© Ã Ì ¦ 1 × 10 −6 Torr _ / B N \ " f ITO Ä »o l ó
ø Í\ 7 £ x Ã Ì % i . ITO l ó ø Í` ¦ [ j' 6 xÓ o? /\ { H Ê ê 7 £ x À
ÓÃ º Ð ' ½ ¨# Q í6 £ § [ j' l \ " f [ j : r (acetone) Ü ¼ Ð [
j' ¦ r 7 £ x À ÓÃ º Ð ' ç H 6 £ § É r | 9 è Û ¼ Ð Ô ¦
#
Q" f | ¸r & 6 x % i . 1 r_ 7 £ x à Ì` ¦ l 0 AK 2.5 g _ In 2 S 3 é # Qo \ ¦ Û ¼Ö ¿ (basket) + þ AI _ [ j b
(ceramic)` ¦ { 9 2 ³ % û Û ¼J $ (W) Ðà Ô (boat) 5 Å q \ V , # Q Ø æ ì
r y \ V\ P ` ¦ ô Ç Ê ê 7 £ x à Ìr ( Ü ¼ 9 7 £ x à Ì\ èכ ¹ ) a r ç ß É r
\
V\ P ` ¦ í < Ê # 30ì r ? /ü @ Ð % i ¦, 7 £ x à Ìr _ l ó ø Í : r
¸ H 100 ◦ C\ ¦ Ä »t % i [27].
2. ¤V R Ë ¤X N Ë
7
£
x Ã Ì Ê ê\ r « Ñ[ þ t É r 30ì r 1 l x î ß / B N l Ð 5 Å q \ " f 200, 300, 400 ◦ C _ \ P % o \ ¦ r ' % i . \ P % o : r
¸\ ¦ 7 £ x < Ê\ r « Ñ H & h r (dark red grayish) Ò
oÜ ¼ Ð & h & h % i . 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} _ ¿ ºa ü <
³
ð + þ A © É r Å Ò & ³p â (SEM:scanning electron microscope, JSM-6400) Ü ¼ Ð 8 £ ¤& ñ % i Ü ¼ 9, o < Æ| ¾ Ó : r& h
¸$ í q H Å Ò & ³p â \ Â Ò Ã Ì ) a \ -t ì r í ß X- ì r$ 3 l (EDX:energy dispersive X-ray analysis) Ð 8
£ ¤& ñ % i . ¢ ¸ 7 £ x Ã Ì ) a ~ à Ì} _ & ñ ½ ¨ ¸ H X- r] X
>
(XRD:X-ray diffractometer, Siemens D5005)\ ¦ s 6 x
# ¸ % i ¦, 6 x ) a X- _ © É r 1.5418 ˚ A s % 3
. Å Ò % ò % i É r 2θ\ ¦ 10 ◦ ∼ 60 ◦ s Ð % i . UV- Vis-NIR (ultraviolet-visible-near infrared) ì rF g F g ¸> (spectrophotometer, Shimadzu MPS-5000)\ ¦ s 6 x # z
´ : r \ " f F g f ¨ Ã º\ ¦ 8 £ ¤& ñ # F g < Æ& h \ -t { ç ß
`
¦ % 3 % 3 . î r ì ø Í _ + þ AI , Å Ò' r ç ß , î r ì ø Í 0
l
x ¸ Õ ªo ¦ s 1 l x ¸\ ¦ ½ ¨ l 0 A # F g Ä »l ~ ½ Ó : £ ¤$ í
`
¦ ¸ % i . F g Ä »l ~ ½ Ó : £ ¤$ í É r $ [ þ t s β-In 2 Se 3
~ Ã
Ì} _ : £ ¤$ í ` ¦ 8 £ ¤& ñ ô Ç ~ ½ ÓZ O [27]@ / Ð r ' % i . 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} õ 200, 300, 400 ◦ C Ð 30ì r 1 l x î ß / B N l
Ð\ " f \ P % o ô Ç β-In 2 S 3 ~ Ã Ì} ` ¦ @ / © Ü ¼ Ð 8 £ ¤& ñ % i .
III. + s ÇÊ Ý õ m Í w ² o
Å
Ò & ³p â ` ¦ s 6 x # 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} ` ¦
'
a ¹ 1 Ïô Ç õ L : F M ô Ç ³ ð © õ é ß © ` ¦ % 3 ` ¦ Ã º e % 3 Ü
¼ 9, Õ ª ¿ ºa H 1.2 µm Ð 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 . ¢ ¸ \ -t ì r í
ß X- ì r$ 3 l \ ¦ s 6 x # β-In 2 S 3 é # Qo ü < 7 £ x Ã Ì ) a β- In 2 S 3 ~ à Ì} _ o < Æ| ¾ Ó : r& h ¸$ í q \ ¦ 8 £ ¤& ñ ô Ç õ y y In : S = 44 : 56 ü < In : S = 55 : 45 s % 3 Ü ¼ 9, β-In 2 S 3
é # Qo _ â Ä º [S]/[In] q 1.27 Ð" f q §& h ç H{ 9 ô Ç $ í ì
r q Ð ¸$ í ÷ &% 3 ¦, β-In 2 S 3 ~ Ã Ì} _ â Ä º S 6 fµ 1 Ï$ í s Z
} É r 7 á x À Ó_ $ í ì r Ü ¼ Ð [S]/[In] q 0.82 Ð" f Ins ´ ú §s
> r F (In-rich)ô Ç . Fig. 1\ β-In 2 S 3 é # Qo ü < ~ Ã Ì} _ X- r] X Û ¼& 7 à Ô! 3 [ þ t` ¦ ? /% 3 . 8 £ ¤& ñ ) a X- r] X Û
¼& 7 à Ô! 3 \ è ß x ß ¼ (peak)\ @ /ô Ç t à º (h k l)
Fig. 1. X-ray diffraction patterns of as-deposited film (a), β-In 2 S 3 films annealed at 200 ◦ C (b), 300 ◦ C (c), 400 ◦ C (d) for 30 min in vacuum, β-In 2 S 3 bulk (e).
Fig. 2. SEM images for the sample surfaces of as- deposited β-In 2 Se 3 films (a), annealed at 200 ◦ C (b), 300 ◦ C (c), and 400 ◦ C (d) for 30 min in vacuum.
° ú
כ` ¦ & ñ l 0 AK ¶ ú ½ Ó © à º, ç ß o , t à º s _
' a > \ @ /ô Ç 6 £ § d (1)õ ½ ¨ ¸ èY > Z O g Ë : [28]` ¦
6 x # > í ß % i .
1
d 2 = h 2 + k 2 a 2 + l 2
c 2 (1)
>
í ß ô Ç ç ß o _ ° ú כs In 2 S 3 é ß & ñ ` ¦ 8 £ ¤& ñ ô Ç ì r ´ ú X-
r] X > _ ç ß o ° ú כ [29]õ ¸ ú { 9 u % i . Fig. 1\
"
f 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} (a)õ 200 ◦ C Ð \ P % o ô Ç r « Ñ (b) \ " f H r] X x ß ¼\ ¦ ^ ¦ à º \ O % 3 ¦, 300 ◦ C Ð \ P % o ô Ç r
« Ñ (c)\ " f H r] X x ß ¼ l r 9, 400 ◦ C
Ð \ P % o ô Ç r « Ñ (d)\ " f H 2θ 27.4 ◦ H % \ " f & ñ ~ ½ Ó& ñ
>
β-In 2 S 3 _ (1 0 9) \ @ /ô Ç r] X x ß ¼ z ` ¦ ^ ¦ Ã
º e . ¢ ¸ É r É r r] X x ß ¼, 7 £ ¤ 2θ 14.2 ◦ H % \ " f (1 0 3), 28.6 ◦ H % \ " f (2 0 6), 33.2 ◦ H % \ " f (0 0 12), 43.6 ◦ H % \ " f (1 0 15), 47.7 ◦ H % \ " f (2 2 12), 55.9 ◦
H % \ " f (4 1 9) \ @ /ô Ç r] X x ß ¼ z ` ¦ ^ ¦ Ã º e
. X- r] X Û ¼& 7 à Ô! 3 Ü ¼ РÒ' S X ô Ç õ 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} É r & ñ ~ ½ Ó& ñ > ½ ¨ ¸s ¦ ¶ ú ½ Ó © à º H a=7.62
˚ A ü < c=32.33 ˚ A Ð z ¤ . s ° ú כ É r ½ ¨ [ þ t _ õ [
þ t [2,10,30] Õ ªo ¦ JCPDS [29]\ è ß a=7.619 ˚ A ü <
c=32.329 ˚ A _ ° ú כõ ¸ ¸ ú { 9 u < Ê` ¦ · ú Ã º e . " f /
B
N 7 £ x à Ìô Ç β-In 2 S 3 ~ à Ì} É r 7 £ x Ã Ì Ê ê 400 ◦ C s © _ : r ¸\
"
f \ P % o < ÊÜ ¼ Ð" f (1 0 9) ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð × þ & h Ü ¼ Ð $ í © ) a
& ñ (poly-crystalline) + þ AI _ β-In 2 S 3 כ Ü ¼ Ð Ò q ty
)
a . Fig. 2 (a) H 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} _ > ~ ½ ÓØ ¦ Å Ò
& ³p â (FESEM:field emission scanning electron microscope) ³ ð + þ A © ` ¦ · p Õ ªa Ë >s . Fig. 2 (b) H 200 ◦ C Ð \ P % o ô Ç r « Ñ_ ³ ð + þ A © ` ¦ ? / H Õ ªa Ë >
Ü
¼ Ð \ P % o t · ú § É r r « Ñü < ² ú o 320 nm ß ¼l _ ì ø Í
"
é
¶+ þ A ¸ ª (semi-circular shaped) ½ ¨ ¸_ { 9 [ þ t s S X í ß ]
jô Ç ) a (diffusion limited) $ í © ` ¦ % i 6 £ §` ¦ · ú Ã º e .
Fig. 2 (c) ü < 2 (d) H 300 ◦ C ü < 400 ◦ C \ " f \ P % o ô Ç r
«
Ñ[ þ t \ @ /ô Ç > ~ ½ ÓØ ¦ Å Ò & ³p â ³ ð + þ A © ` ¦ y y
· p . \ P % o : r ¸_ 7 £ x ü < 8Ô ¦ # Q 200 ◦ C Ð \ P
%
o ô Ç r « Ñ\ " f ' a8 £ ¤ ÷ & H ì ø Í" é ¶+ þ A ¸ ª ½ ¨ ¸_ { 9 [ þ t
É
r ó ø Í © ½ ¨ ¸ Ð ³ ð \ ê ø Í > $ í © 9, 300 ◦ C Ð \ P
%
o ô Ç r « Ñ_ ³ ð \ " f H 400 nm ß ¼l _ ó ø Í © { 9 [
þ
t s ª > ì r í ¦ e 6 £ §` ¦ · ú Ã º e . 400 ◦ C Ð \ P
%
o ô Ç â Ä º 160 nm ß ¼l \ ¦ ó ø Í © ½ ¨ ¸ { 9 [ þ t s
q §& h ç H{ 9 > ì r í 9, 300 ◦ C Ð \ P % o ô Ç r « Ñ
\
q K ³ ð } 9 l ¢ ¸ô Ç a % ~ & 6 £ §` ¦ ^ ¦ Ã º e . X-
r] X ì r$ 3 x 9 > ~ ½ ÓØ ¦ Å Ò & ³p â ì r$ 3 Ü ¼ ÐÂ Ò' 400 ◦ C Ð \ P % o ½ + É â Ä º & ñ $ í õ ³ ð + þ AI © a % ~
É r β-In 2 S 3 ~ Ã Ì} ` ¦ $ í © r ~ ´ Ã º e 6 £ §` ¦ · ú Ã º e % 3 . 7 £ x
Ã
Ì ) a β-In 2 S 3 ~ Ã Ì} õ 200 ◦ C ∼ 400 ◦ C t \ P % o ô Ç r
«
Ñ[ þ t \ @ / # z ´ : r \ " f F g f ¨ Ã º Û ¼& 7 à Ô! 3 ` ¦ 8 £ ¤& ñ % i
. ¸ H r « Ñ_ F g f ¨ Ã º Û ¼& 7 à Ô! 3 \ " f 720 nm H % \ " f _
/ å L ô Ç F g f ¨ Ã º_ 7 £ x \ ¦ ' a8 £ ¤ % i . s / å L ô Ç 7 £ x
H f ] X s \ -t { ½ ¨ ¸\ ¦ ì ø Í ¸^ _ l í f ¨ Ã
º é ß \ " f F g f ¨ Ã º\ _ ô Ç כ { 9 Ã º e [12]. F g f ¨ Ã º > Ã
º α H l í f ¨ Ã º é ß H % F g f ¨ Ã º Û ¼& 7 à Ô! 3 [ þ t ÐÂ Ò' > í
ß ½ + É Ã º e ¦ { 9 F g ª \ -t hν_ < ÊÃ º Ð" f ? /
#
Q . Fig. 3 É r F g f ¨ Ã º > Ã º_ ] jY L õ { 9 F g \ -t
s _ ' a > \ ¦ · p כ s . f ] X s { 9 M : F g f ¨ Ã º
>
à ºü < { 9 F g \ -t s _ ' a > H 6 £ § d (2)ü <
° ú [31].
(αhν) 2 ∼ (hν − E g ) (2)
Fig. 3. Photon energy vs. (αhν) 2 of β-In 2 S 3 films for as-deposited (a) and annealed at 200 ◦ C (b), 300 ◦ C (c), 400 ◦ C (d) for 30 min in vacuum.
#
l " f, h H Planck © Ã ºs ¦, ν H { 9 F g ª _ 1 l x Ã
ºs . F g < Æ& h \ -t ç ß (E g ) É r Fig. 3 \ · p
ü < ° ú s (αhν) 2 =0 \ @ /ô Ç ¸³ ð_ f ` ¦ ü @¶ ú < ÊÜ ¼ Ð
"
f % 3 H . f ] X F g s H s Õ ªa Ë >\ " f f \ _ K S X
÷ & ¦, 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} õ \ P % o ô Ç ~ à Ì} [ þ t _ F g < Æ
&
h { ç ß É r 1.7 eV ∼ 1.84 eV t % i . s ° ú כ[ þ t
É
r É r q 5 p w ô Ç III-VI7 á ¤ o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ β-In 2 Se 3 [27], InS [32] ü < q § | ¨ c à º e ¦, γ-In 2 S 3 _ \ -t { ç ß õ
_ q 5 p w [32]. F g Ä »l ~ ½ Ó : £ ¤$ í z ´+ « > É r β-In 2 S 3
~ Ã
Ì} ³ ð \ Å Ò{ 9 ) a F g ` O Û ¼ (light pulse)\ _ K Ò q t$ í
)
a î r ì ø Í [ þ t s ~ Ã Ì} ` ¦ Ð| 9 Q" f F g ` O Û ¼ Å Ò{ 9
÷
& H ì ø Í@ /¼ # \ ¸² ú > ÷ & H כ Ü ¼ Ð s \ @ /ô Ç ` O Û ¼_
1 l x` ¦ á Ôo Ó rá Ô (pre-amplifier) Ð 7 £ x; ¤ # ¸z ´ ÐÛ ¼ ï á
Ô (oscilloscope) Ð ' a8 £ ¤ ½ + É Ã º e . Fig. 4 H 7 £ x Ã Ì ) a β- In 2 S 3 ~ à Ì} (a)õ 400 ◦ C Ð \ P % o ô Ç r « Ñ (b)\ s # Q Û
¼ · ú (bias voltage)` ¦ % 3 ` ¦ M :_ F g Ä »l ~ ½ Ó : £ ¤$ í
`
¦ · p ¸z ´ ÐÛ ¼ ïá Ô_ ² D G (trace) s . F g ` O Û ¼
í
H ç ß & h Ü ¼ Ð r « Ñ_ ³ ð \ ¸ ÷ & β-In 2 S 3 ³ ð \ " f
î r ì ø Í Ò q t$ í ) a . s M : Ò q t$ í ) a î r ì ø Í H F g
` O
Û ¼ t 5 Å q ÷ & H r ç ß õ t H í H ç ß _ 2> h_ r ç ß % ò
%
i Ü ¼ Ð ¾ º# Q . 7 £ ¤ î r ì ø Í r « Ñ\ ¦ Ð| 9 Q
"
f ì ø Í@ /¼ # _ F G \ ¸² ú l r H r ç ß \ Á º ' a ô Ç
% ò
% i õ F g ` O Û ¼ t H í H ç ß _ î r ì ø Í [ þ t s è Y >
÷ & H % ò % i Ü ¼ Ð ¾ º# Q . " f F g ` O Û ¼ t
H í H ç ß _ î r ì ø Í [ þ t s èY > ÷ & H % ò % i \ " f H î
r ì ø Í [ þ t s t à º < Êà º& h Ü ¼ Ð y è > ) a . Å Ò' r ç ß
Fig. 4. Oscilloscope trace of the photoexcited carrier for : (a) as-deposited, (b) β-In 2 S 3 film annealed at 400 ◦ C for 30 min in vacuum.
(transit time) É r r ç ß \ É r · ú _ oÖ ¦ s l r
½ + É M : t _ r ç ß Ü ¼ Ð & ñ _ ÷ &Ù ¼ Ð s \ ¦ & ñ S X >
&
ñ l 0 A # r ç ß \ É r · ú _ oÖ ¦ (dV /dt)` ¦ · ú
ô Ç [33]. Fig. 5 H Fig. 4\ ¦ p ì r # · p כ Ü ¼
Ð" f x» ¡ ¤ Ü ¼ Ð · p r ç ß _ l ï r É r F g F G Ü ¼ Ð Ò q t$ í
)
a î r ì ø Í \ _ K + þ A$ í ÷ & H íl 0 A þ j@ / r
&
h Ü ¼ Ð % i Ü ¼ 9, ¶ ú { 9 ) a Õ ªa Ë > É r ì ø Í@ /¼ # F G Ü ¼ Ð s 1 l x
# » ¡ ¤& h ) a î r ì ø Í [ þ t Ð ô Ç dV /dt ¿ º× ¼ Qt >
l r ½ + É M : t _ Å Ò' r ç ß ` ¦ 8 £ ¤& ñ l 0 AK " f dV /dt { 9 & ñ ô Ç Â Òì r` ¦ S X @ /ô Ç Õ ªa Ë >s . Fig. 5_ (a) H
\ P
% o _ ~ Ã Ì} \ @ /ô Ç כ s ¦, (b) H 400 ◦ C Ð \ P % o
# + þ A$ í ) a β-In 2 S 3 ~ Ã Ì} \ @ /ô Ç כ Ü ¼ Ð 8 £ ¤& ñ ) a Å Ò' r
ç ß É r y y 24 µsü < 17 µss % 3 . Fig. 4\ " f ^ ¦ Ã º e H
ü < ° ú s , ¸z ´ ÐÛ ¼ ïá Ô Û ¼ß ¼ 2 ; (screen) © _ à ºf ¼ #
¾ Ó (vertical deflection)s 0 AA á ¤ (upward or positive) Ü ¼ Ð
¾ Ó ª / B N ³ ðÀ Ó (hole drift)s ¦, A A á ¤ (downward or
negative) Ü ¼ Ð ¾ Ó ³ ðÀ Ó (electron drift)s . ¢ ¸
Fig. 5. dV/dt vs. t for the samples: as-deposited (a), and annealed at 400 ◦ C (b). The inset shows the magnified ones for (a) and (b).
ô
Ç s 1 l x ¸ü < î r ì ø Í 0 l x ¸ H Ó ü t o & h ¸4 S qõ I. P. Batra 1 p x [34] _ s : r` ¦ s 6 x # > í ß ½ + É Ã º e Ü ¼ 9,
î r ì ø Í _ Å Ò' r ç ß t T ü < # Qï r · ú s _ ' a >
H
t T = dD
µV (3)
s
¦, # l " f d H r « Ñ_ ¿ ºa , D H ¿ º F G (top and bottom electrodes) s _ o , µ H ³ ðÀ Ó s 1 l x ¸ Õ ªo
¦ V H # Qï r · ú s . r ç ß \ @ /ô Ç dV/dt_ Õ ªA á Ô
ÐÂ Ò' 8 £ ¤& ñ ) a t T ü < d (3)Ü ¼ ÐÂ Ò' ¿ ºa 1.2 µm 7 £ x
Ã
Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} _ ³ ðÀ Ó ª / B N s 1 l x ¸ H µ h ∼ 2.1 × 10 −2 cm 2 /Vs s % 3 ¦, 400 ◦ C Ð \ P % o ) a ~ à Ì} \ @ / #
½
¨ô Ç ³ ðÀ Ó ª / B N s 1 l x ¸ H µ h ∼ 1.1 × 10 −2 cm 2 /Vs s % 3
. 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} õ 400 ◦ C Ð \ P % o ) a ~ à Ì} \ @ / ô
Ç ³ ðÀ Ó ª / B N s 1 l x ¸ H III-VI7 á ¤ o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ \ " f InS (29 cm 2 /Vs) [35] Ð H è É r ° ú כs t ë ß β-In 2 Se 3
~ Ã
Ì} (8.1 × 10 −2 cm 2 /Vs) [27] ü < H _ { 9 u ô Ç . 7 £ x à Ì
)
a β-In 2 S 3 ~ Ã Ì} õ 400 ◦ C \ P % o ) a ~ Ã Ì} _ r « Ñ ³ ð \
"
f î r ì ø Í 0 l x ¸ H y y ∼ 6.4 × 10 18 / cm 3 õ ∼1.7
× 10 19 /cm 3 s % 3 Ü ¼ 9, s ° ú כ É r InS (∼ 10 19 /cm 3 ) [35] ü <
H _ { 9 u % i ¦, β-In 2 Se 3 ~ Ã Ì} (∼ 2.4 × 10 16 /cm 3 ) [27] Ð H H ° ú כs % 3 . # l " f î r ì ø Í 0 l x ¸_ > í
ß [34] É r n (d,t)= (κ/4πqµ)t −1 ` ¦ s 6 x % i Ü ¼ 9, κ H Ä »
© Ã º Ð" f é ß & ñ β-In 2 S 3 _ Ä » © Ã º ° ú כ 6.5\ ¦ 2 [
# > í ß % i [32]. 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì} õ 400 ◦ C \ P
%
o ) a ~ à Ì} É r à ºf ¼ # ¾ Ós 0 AA á ¤ Ü ¼ Ð ¾ Ó l M :ë H \ ª /
B
N ³ ðÀ Ós ¦ p+ þ A ¸s . s H Marsillac 1 p x [36] s β- In 2 Se 3 \ @ /K Ð ¦ô Ç כ õ ¸ ¸ ú { 9 u ô Ç . ¢ ¸ \ P % o : r
¸\ ¦ 7 £ x < Ê\ ª / B N s 1 l x ¸ü < Å Ò' r ç ß É r y è
%
i Ü ¼ , î r ì ø Í 0 l x ¸ H 7 £ x % i .
IV. + s Ç Â ] Ø
/ B N7 £ x à ÌZ O Ü ¼ Ð ITO l ó ø Í 0 A\ β-In 2 S 3 ~ à Ì} ` ¦ ] j
# / B N l Ð 5 Å q \ " f 30ì r 1 l x î ß 200 ◦ C ∼ 400 ◦ C t
\ P % o ô Ç Ê ê X- r] X , ì rF g F g ¸> , Å Ò & ³p
â
z ´+ « > Õ ªo ¦ F g Ä »l ~ ½ Ó : £ ¤$ í ` ¦ ¸ ô Ç õ H 6 £ § õ
° ú s כ ¹ ½ + É Ã º e . X- r] X z ´+ « > õ \ _
¶ ú
½ Ó © Ã º H a=7.62 ˚ A ü < c=32.33 ˚ A Ð" f & ñ ~ ½ Ó& ñ >
< Ê Û ¼x 3 A q ½ ¨ ¸s 9, \ P % o : r ¸\ ¦ 7 £ x < Ê\ (1 0 9) ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð × þ & h Ü ¼ Ð $ í © H d` ¦ · ú Ã º e % 3 . Å Ò
& ³p â z ´+ « >\ " f H ³ ð É r In s ´ ú §s > r F H כ Ü ¼
Ð z ¤ ¦, \ P % o : r ¸\ ¦ 7 £ x < Ê\ { 9 > ß ¼l
&
h & t " f & ñ o÷ & H כ Ü ¼ Ð z ¤ . z ´ : r \ " f 8
£ ¤& ñ ) a F g < Æ& h \ -t { ç ß É r 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3 ~ à Ì}
\
@ / # H 1.84 eV s % 3 ¦, 400 ◦ C Ð \ P % o ô Ç r « Ñ\
@
/ # H 1.7 eV Ð \ P % o : r ¸ 7 £ x < Ê\ y è
% i . F g Ä »l ~ ½ Ó : £ ¤$ í z ´+ « >Ü ¼ РÒ' 7 £ x Ã Ì ) a β-In 2 S 3
~ Ã
Ì} õ 400 ◦ C Ð \ P % o ô Ç r « Ñ\ @ / # H ª / B N ³ ðÀ Ó s
% 3 . ¢ ¸ô Ç s 1 l x ¸, î r ì ø Í 0 l x ¸ Õ ªo ¦ Å Ò' r ç
ß ` ¦ > í ß ½ + É Ã º e % 3 Ü ¼ 9, Õ ª ° ú כ É r y y µ h ∼ 2.1 × 10 −2 cm 2 /Vs ü < µ h ∼ 1.1 × 10 −2 cm 2 /Vs, ∼ 6.4 × 10 18 /cm 3 ü <
∼ 1.7 × 10 19 /cm 3 Õ ªo ¦ 24 µsü < 17 µs Ð > í ß ÷ &% 3 .
" f β-In 2 S 3 ~ Ã Ì} É r ü @ % ò % i \ " f_ F g x 9 F g l
$ í 6 £ x6 x` ¦ 0 Aô Ç í ß \ O _ F « Ñ Ð" f s 6 x 0 p x
.
V. P c p 8 ý ò k >
s
½ ¨ H 2007¸ ¸ â © @ / < Æ § < ÆÕ ü t < É ª t " é ¶ \ O
½
¨q (RPP-2007-019)\ _ # Ã º' ÷ &% 3 Ü ¼ 9, s \ y
× ¼w n m .
Y
c p w à U Ø ô
[1] W.-T. Kim and C.-D. Kim, J. Appl. Phys. 60, 2631 (1986).
[2] N. Barreau, S. Marsillac and J. C. Bernede, Vacuum 56, 101 (2000).
[3] R. S. Becker, T. Zheng, J. Elton and M. Saeki, Sol.
Energy Mater. 13, 97 (1986).
[4] W.-T. Kim, J.-P. Kim, I.-S. Min and A.-G. Chu, SAEMULLI (New Phys.) 25, 619 (1985).
[5] J. L. Shay and B. Tell, Surf. Sci. 37, 748 (1973).
[6] S. Spiering, D. Hariskos, M. Powalla, N. Naghavi and D. Lincot, Thin Solid Films 431-432, 359 (2003).
[7] R. H. Bube and W. H. McCaroll, J. Phys. Chem.
Solids 10, 333 (1959).
[8] T. T. John, S. Bini, Y. Kashiwaba, T. Abe, Y. Ya- suhiro, C. S. Kartha and K. P. Vijayakumar, Semi- cond. Sci. Technol. 18, 491 (2003).
[9] S. Belgacem, M. Amlouk and R. Bennaceur, Rev.
Phys. Appl. 25, 1213 (1990).
[10] A. Timoumi, H. Bouzouita, M. Kanzari and B.
Rezig, Thin Solid Films 480-481, 124 (2005).
[11] Y. Kashiwaba, I. Kanno and T. Ikeda, Jpn. J. Appl.
Phys. 31, 1170 (1992).
[12] R. Kumaresan, M. Ichmura, N. Sato and P. Ra- masamy, Mater. Sci. Eng. B 96, 37 (2002).
[13] N. Kamoun, R. Bennaceur, M. Amlouk, S. Bel- gacem, N. Mliki, J. M. Frigerio and M. C. Theye, Phys. Stat. Sol. A 169, 97 (1998).
[14] N. Naghavi, R. Henriguez, V. Laptev and D. Lincot, Appl. Surf. Sci. 222, 65 (2004).
[15] T. Asikainen, M. Ritila and M. Leskela, Appl. Surf.
Sci. 82/83, 122 (1994).
[16] A. A. Elshazly, D. Abdelkady, H. S. Metoually and M. A. M. Segman, J. Phys. Condens. Mater. 10, 5943 (1998).
[17] C. Guillean, T. Garico, J. Herrero, M. T. Gutier- rez and F. Briones, Thin Solid Films 451-452, 112 (2004).
[18] H. Ihara, H. Abe, S. Endo and T. Irie, Solid State
Commun. 28, 563 (1970).
[19] M. A. M. Seyam, Vacuum 63, 441 (2001).
[20] N. Barreau, S. Marsillac, J. C. Bernede, T. B. Nas- rallah and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. A 184, 179 (2001).
[21] M. M. El-Nahass, B. A. Khalifa, H. S. Soliman and M. A. M. Seyam, Thin Solid Films 515, 1796 (2006).
[22] N. Revathi, P. Prathap and K. T. Ramakrishna Reddy, Appl. Surf. Sci. 254, 5291 (2008).
[23] A. Timoumi, H. Bouzouita, R. Brini, M. Kanzari and B. Rezig, Appl. Surf. Sci. 253, 306 (2006).
[24] H. Tung Li, J. Appl. Phys. 34, 1730 (1963).
[25] I. P. Batra and H. Seki, J. Appl. Phys. 42, 1124 (1971).
[26] C. S. Yang, Y. S. Park, K. H. Kim, J. J. Lee, M. S.
Jin, H. L. Park and W. T. Kim, SAEMULLI (New Phys.) 42, 49 (2001).
[27] J. J. Lee, J. D. Lee, B. Y. Ahn, H. S. Kim and K.
H. Kim, SAEMULLI (New Phys.) 56, 14 (2008).
[28] B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction, 2nd ed.
(Addison-Wesley Publishing Company, Inc., New York, 1978), Chap. 4, p. 107.
[29] JCPDS-International Centre for Diffraction Data, No. 25-0390, 2000.
[30] P. M. Ratheesh Kumar, Teny Theresa John, C.
Sudha Kartha, K. P. Vijayakumar, T. Abe and Y.
Kashiwaba, J. Mater. Sci. 41, 5519 (2006).
[31] J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971), Chap. 1-3.
[32] R. Poerschke, Data in Science and Technology (Springer-Verlag, Berlin, 1992).
[33] C. Manfredotti, A. Rizzo, L. Vasanelli, S. Galassini and L. Rugieri, J. Appl. Phys. 44, 5463 (1973).
[34] I. P. Batra and H. Seki, J. Appl. Phys. 41, 3409 (1970).
[35] A. F. Qasrawi and N. M. Gasanly, Cryst. Res. Tech- nol. 37, 1104 (2002).
[36] S. Marsillac, J. C. Bernede and A. Conan, J. Mater.
Sci. 31, 581 (1996).
Physical Properties of β-In 2 S 3 Thin Films grown by Using Vacuum Evaporation
Jeoung Ju Lee, ∗ Jong Duk Lee, Byeong Yeol Ahn and Kun Ho Kim Department of Physics and Research Institute of Natural Science,
Gyeongsang National University, Jinju 660-701 (Received 2 May 2008)
β-In
2S
3films were prepared on indium-tin-oxide (ITO)-coated glass substrates by using thermal evaporation. The crystallization was achieved by annealing the as-deposited films in a vacuum electric furnace. X-ray diffraction spectra showed that the crystal structure of the β-In
2S
3films was that of a tetragonal defect spinel structure with lattice constants a = 7.62 ˚ A and c = 32.33 ˚ A and that the crystals were preferentially grown with a (1 0 9) orientation. The optical energy band gap, measured at room temperature, of the as-deposited β-In
2S
3film was 1.84 eV and decreased to about 1.7 eV upon annealing in a vacuum electric furnace at temperatures from 200
◦C to 400
◦
C. The dynamical behavior of the charge carriers in the β-In
2S
3film was investigated by using photoinduced discharge characteristics (PIDC) techniques.
PACS numbers: 68.55.-a, 78.20.-e
Keywords: β-In
2S
3, Annealing effect, Optical band gap, PIDC
∗