• 검색 결과가 없습니다.

10 Z 4, pp. 987∼992

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share " 10 Z 4, pp. 987∼992"

Copied!
6
0
0

로드 중.... (전체 텍스트 보기)

전체 글

(1)

 10 Z 4, pp. 987∼992

à Ã

Å Œ Ÿ «” Ö «Y c l0 n É; c 8 ý” X ¢ GeSe 2 :In U c lT c l8 ý < gX c l õ m Í ö n ÚP X ì Ä — ¤V R Ë

ƒ

‘

š‡ ç ¡* å  ·  6 Ò ò 6 Bg Y @ · T  ø ¶ B%   · T + ä ® £

 â

 © œ@ /† < Ɠ §  ƒ  õ † < Æ@ /† < Æ Ó ü t o † < Æõ  x 9 l œ íõ † < ƃ  ½ ¨™ è, ”  Å Ò 660-701 (2011¸   8 Z 4 4{ 9  ~ à Î6 £ §, 2011¸   9 Z 4 23{ 9  à º& ñ ‘ : r ~ à Î6 £ §, 2011¸   10 Z 4 5{ 9  > F  S X ‰& ñ )

”

 / B N7 £ x ‚ à ÌZ O Ü ¼– Ð GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •`  ¦ ITO(indium-tin-oxide) Ä »o  l ó ø Í 0 A\  ] j Œ • % i  .   & ñ  o  H 7 £ x

‚ Ã

Ì  ) a ~ à Ì} Œ •[ þ t`  ¦ ”  / B N  © œI \ " f 200, 300, 400

C – Ð \ P % ƒo † < ÊÜ ¼– Ð" f s Ò  ¦ à º e ” % 3  . X-‚    r] X  ì  r$ 3 \  _

 # Œ 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •_  ¶ ú ˜‚ ½ Ó © œÃ º  H a = 7.037 ˚ A, b = 11.826 ˚ A, c = 16.821 ˚ A – Ð" f  ~ ½ Ó& ñ

>

(orthorhombic) ½ ¨› ¸\  ¦ “ ¦ e ” % 3 Ü ¼ 9, \ P % ƒo  “ : r • ¸\  ¦ 7 £ x † < Ê\     (020)ü < (200) ~ ½ ӆ ¾ ÓÜ ¼– Ð $ í  © œ H

†

d`  ¦ · ú ˜ à º e ” % 3  . 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •\  @ / # Œ z  ´“ : r \ " f 8 £ ¤& ñ ô  Ç F g † < Æ& h “   \  -t  {  ç ß –  “ É r 2.16 eV s % 3 “ ¦, \ P % ƒo  “ : r • ¸\  ¦ 7 £ x † < Ê\     {  ç ß –  “ É r 7 £ x  % i Ü ¼ 9, 200 ∼ 400

C \ " f \ P % ƒo   ) a ~ à Ì} Œ • _

 F g † < Æ& h  \  -t  {  ç ß –  “ É r 2.25 eV ∼ 2.41 eV s % 3  . GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ • ? /_  „   î  r ì ø Í [ þ t _  1 l x% i † < Æ

&

h   1 l x`  ¦ F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í (PIDC : photoinduced discharge characteristics) ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð › ¸  % i  .

Ù þ

˜d ” # Q: GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •, \ P % ƒo  ´ òõ , \  -t  {  ç ß –  , F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í

Growth and Physical Properties of GeSe 2 :In Films Prepared on Indium Tin Oxide

Chang Young Park · Dong Hun Han · Jong Duk Lee · Jeoung Ju Lee

Department of Physics and Research Institute of Natural Science, Gyeongsang National University, Jinju 660-701 (Received 4 August 2011 : revised 23 September 2011 : accepted 5 October 2011)

GeSe

2

:In films were prepared on indium-tin-oxide (ITO)-coated glass substrates by using thermal evaporation. The crystallization was achieved by annealing the as-deposited films in a vacuum electric furnace. X-ray diffraction spectra showed that the GeSe

2

:In films had an orthorhombic structure with lattice constants a = 7.037 ˚ A, b = 11.826 ˚ A, and c = 16.821 ˚ Aand that the crystals were grown with (020) and (200) orientations. The optical energy band gap, measured at room temperature, of the as-deposited GeSe

2

:In films was 2.16 eV and increased to about 2.25 eV ∼ 2.41 eV upon annealing in a vacuum electric furnace at temperatures from 200

C to 400

C.

The dynamical behavior of the charge carriers in the GeSe

2

:In films were investigated by using photoinduced discharge characteristic(PIDC) techniques.

PACS numbers: 68.55.-a, 78.20.-e

Keywords: GeSe

2

:In films, Annealing effect, Optical band gap, PIDC

E-mail: [email protected]

-987-

(2)

I. " e  ] Ø

º ú

˜ ï>  s × ¼(chalcogenide) Ä »o [ þ t“ É r õ † < Æ l Õ ü t _  6 £ x 6

 

x õ   © œ\ O & h  ×  æ כ ¹$ í M :ë  H \  › ' a d ” _  @ / © œs  ÷ &  H Ó ü t| 9 s 



 [1,2]. Ge-Se ü < ° ú  “ É r Se`  ¦ l œ í– Ð ô  Ç q & ñ | 9  º ú ˜ ï>   s

× ¼ Ä »o   H F g$ 3 Ä », F g • ¸ – Ð, G ' p" f ¢ ¸  H  Bž ÐÀ Ó " é ¶ ™ è_  '

‘ \  _ ô  Ç F g$ 3 Ä » Y Us $  x 9 7 £ x; Ÿ ¤ l  1 p x õ  ° ú  “ É r à º1 l x& h 

“

  Õ ªo “ ¦ 0 p x1 l x& h “   r  F g‚  , & h ü @‚  _  6 £ x6   x Ñ ü t  \  & h  {

© œô  Ç Ó ü t| 9 s  [3-6]. ¢ ¸ô  Ç s  Ó ü t| 9 “ É r F g# 3 0 Aô  Ç % ò % i _  F g Ä

»• ¸ ‰ & ³ © œ M :ë  H \  Ÿ íž ÐY Ut Û ¼à Ô(photoresists), ] j– ÐÕ ªA  x

(xerography), Ÿ íž Ðo ™ èÕ ªA x (photolithography), Û ¼ 0

Ag A x 9 l % 3 ™ è , $ § 4 ô  Ç q 6   x _  I € ª œ„  t _  ] j Œ •\  Õ ª o

“ ¦  8¹ ¡ ¤ þ j   H \  € ª œ€  _   © œ   o F g l 2 Ÿ ¤ \  @ / # Œ Ä »} © œ ô

 Ç Ó ü t| 9 – Ð" f Å Ò3 l q`  ¦ = å J # Q M ® o   [6, 7]. q & ñ | 9  º ú ˜ ï>   s

× ¼ Ä »o [ þ t“ É r Se — ¸^ ‰(matrix) 5 Å q Ü ¼– Ð Ge " é ¶  [ þ t`  ¦ Ä » { 9

r ( ” Ü ¼– Ð" f  o† < Æ& h  $ í ì  r õ  \  -t  {  ½ ¨› ¸   ô  Ç  [8]. \ P % ƒo  ¢ ¸  H \  -t  {  ç ß –   s  © œ_  y n C`  ¦ › ¸ ½ + É M

:   & ñ  oü < ½ ¨› ¸   o\  ¦ ô  Ç   H  כ ¢ ¸ô  Ç ¸ ú ˜ · ú ˜ 94 R e ”   [9]. Ge-Se ½ ¨› ¸_     o  H Ä »o  + þ A$ í % ò % i , Ä »o  „  s “ : r

•

¸, Ÿ íž ÐÀ Òp W 1G ' p" f(photoluminescence) Õ ªo “ ¦ & h ü @‚   x 9

Raman Û ¼& 7 ˜à Ô! 3  1 p x _  F g † < Æ& h  : £ ¤$ í \ • ¸ % ò † ¾ Ó`  ¦ ï  r   [10,11]. P. Sharma 1 p x [12]“ É r IV-VI + þ A s " é ¶  o½ + ËÓ ü t ì ø ͕ ¸

^

‰_  F g † < Æ& h  : £ ¤$ í s  $ í ì  r _ ” > r$ í “  t  ¢ ¸ F g# 3 0 Aô  Ç % ò % i  Ü

¼– Ð_  6 £ x6   x 0 p x ô  Çt \  ¦ › ¸  % i  . J. E. Griffiths 1 p x [13]“ É r F g Ä »• ¸   & ñ  o ‰ & ³ © œ`  ¦ þ jœ í– Ð ˜ Г ¦ % i Ü ¼ 9, F g Ä

»• ¸   & ñ  o õ & ñ \ " f  © œ   o F g l % 3 ™ è – Ð 6 £ x6   x| ¨ c Ã

º e ” 6 £ §`  ¦ µ 1 Ï|  % i  . G. Dittmar 1 p x õ  O. Matsuda 1 p x

“

É r Raman í ß –ê ø Íõ  XRD(X-ray diffraction) ì  r$ 3 `  ¦ : Ÿ x K  GeSe

2

  H α, β Õ ªo “ ¦ γ  © œ_  3t    & ñ + þ AI  ” > r F † < Ê

`

 ¦ µ 1 ß+ À I . [14,15].  ~ ½ Ó& ñ > (orthorhombic)_  α-GeSe

2

(Pmmn ¢ ¸  H Pmn)“ É r CdI

2

(P¯ 3m1) _  ~ Õ ª Q”   8 £ x ½ ¨› ¸

\

 ¦  9, € ª œs “ : r[ þ t“ É r & ñ 8€  ^ ‰– Ð 0 Au ÷ &# Q e ”   [16]. 8 £ x Ü

¼– Ð  ) a β-GeSe

2

(P2

1

/c)  H a» ¡ ¤`  ¦   " f — ¸" fo \  ¦  â Ä »

# Œ ƒ     ) a  _ þ t(chain) ? /\  GeSe

4

4€  ^ ‰\  ¦ ° ú “ ¦ b» ¡ ¤

`

 ¦   " f  © œ o \  ¦ / B N Ä »   H Ge

2

Se

8

s ×  æ4€  ^ ‰\  ¦ ° ú 



 H “ ¦“ : r + þ AI _  HT-GeSe

2

s   [14]. γ-GeSe

2

_  ½ ¨› ¸  H CdI

2

+ þ A_  ¹ ¢ ¤ ~ ½ Ó(hexagonal) ½ ¨› ¸ SnSe

2

\  › ' aº   ) a   [17].

GeSe

2

_  α, β, 㠁  + þ A\  ˜ Г ¦  ) a 0 l q  H “ : r • ¸  H y Œ •y Œ • T

m

= 1013 (± 3) K, T

m

= 1016 (± 5) K, T

m

= 1123 (± 3) K s   [18].   " f   & ñ + þ AI   H º ú ˜ ï  p_   o† < Æ| ¾ ӏ : r& h s 



   € ª œ`  ¦ Ÿ í† < ʽ + É Ã º e ” “ ¦, õ e ç Sü < Se " é ¶  [ þ t“ É r  _ þ t

`

 ¦ + þ A$ í ½ + É Ã º e ”   [2]. q & ñ | 9  º ú ˜ ï>  s × ¼ ì ø ͕ ¸^ ‰_ 

~ Ã

Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ •   H ~ ½ ÓZ O “ É r ”  / B N7 £ x ‚ à ÌZ O  [6,8], “ ¦Å Ò  Û ¼(  '

a AZ O  [19], ` O Û ¼ Y Us $  7 £ x ‚ à ÌZ O  [20],  o† < Æl  © œ 7 £ x ‚ à ÌZ O  [21, 22] 1 p x s  e ”  . q & ñ | 9  º ú ˜ ï>  s × ¼ ì ø ͕ ¸^ ‰_   â Ä º

{ 9

& ñ ô  Ç   & ñ ½ ¨› ¸ \ O “ ¦, ç  H{ 9 ô  Ç › ¸$ í `  ¦ ° ú   H € ª œ| 9 _  ~ Ã Ì }

Œ

•`  ¦ $ í  © œ l  # Q§ > l  M :ë  H \ , q “ §& h  $ “ : r \ " f  o† < Æ| ¾ Ó



: r& h Ü ¼– Ð $ í  © œs  / 'î  r ”  / B N7 £ x ‚ à ÌZ O Ü ¼– Ð GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •`  ¦ ]

j Œ • “ ¦, ”  / B N \ " f_  \ P % ƒo  “ : r • ¸(200, 300, 400

C) \ 



 É r ½ ¨› ¸& h , F g † < Æ& h  : £ ¤$ í õ  F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í (PIDC : photoinduced discharge characteristics) [23] \  _ ô  Ç @ /„  

 )

a î  r ì ø Í _  1 l x% i † < Æ& h   1 l x(dynamical behavior) [24]\  ¦

›

¸  % i  .

II. ÷ m Ç ] M ö

1. GeSe

2

:In U c lT c l8 ý < g º



o† < Æ| ¾ ӏ : r& h Ü ¼– Ð ç  H{ 9 ô  Ç › ¸$ í `  ¦ t   H GeSe

2

é # Q o

(bulk)\  ¦ à º¨ î „  l – Ð\ " f ½ + Ë$ í l  0 A # Œ €  $  “ ¦ í

 H • ¸(99.999 %)_  Geü < Se\  ¦ › ¸$ í q  Ge : Se = 1 : 2– Ð g A| ¾ Óô  Ç Ê ê È Ò" î $ 3 % ò › ' a( ? / â :1.0 cm × ü @ â :1.4 cm × U

 ´s :18 cm)\  V , “ É r Ê ê 2 ×10

−6

Torr _  ”  / B N • ¸\ " f Ó  r Û

 ¦(ampoule)`  ¦ 4 Ÿ x{ 9 ô  Ç Ê ê \ P % ƒo \  ¦ 0 A # Œ › ' a  © œ„  l – Ð

–

Ð s 5 Å x r (   . \ P % ƒo  1 l x î ß – “ : r • ¸ © œ5 p x \    É r Se 7 £ x l · ú š _

 / å L  ô  Ç Ø Ÿ ‚ ½ Ó`  ¦ ~ ½ Ót  “ ¦ Geõ  Se  s _  ç  H{ 9 ô  Ç ~ ½ Ó 6

£

x`  ¦ Ä »• ¸ l  0 A # Œ 10

C/h _   © œ5 p xÖ  ¦ – Ð 400

C   t

  © œ5 p x r †   Ê ê 10 r ç ß – 1 l x î ß – Ä »t ô  Ç  6 £ §, 10

C/h – Ð

“

: r • ¸\  ¦ 1,000

C  t   © œ5 p x r †   . 1,000

C \ " f 20 r  ç

ß – Ä »t r †   Ê ê …  ;…  ;y  Í ‰ ty Œ •r &  Z O ß ¼ GeSe

2

\  ¦ $ í  © œr  ( 

 . \ P r  ì ø Í6 £ x`  ¦ 8 ú ¤”  r v “ ¦ ç  H{ 9 ô  Ç › ¸$ í `  ¦ Ä »• ¸  l

 0 A # Œ Ó  rÛ  ¦`  ¦ 1 rpm _  y Œ •5 Å q • ¸– Ð  r„  r (    [25].

]

j› ¸  ) a GeSe

2

é # Qo ü < In : \ ša Å @(pellet)`  ¦ ”  / B N7 £ x ‚ Ã Ì  © œ u

(Edward E 306A) ? /\   © œ‚ Ã Ì “ ¦ 1 ×10

−6

Torr _  ”   /

B

N \ " f ITO Ä »o l ó ø Í 0 A\  7 £ x ‚ Ã Ì % i  . ITO l ó ø Í“ É r [ j '

‘

6   xÓ  o ? /\  { Œ ™   H Ê ê 7 £ x À Óà º– Ð '  ½ ¨# Q œ í6 £ §  [ j' ‘ l \ 

"

f  [ j— : r(acetone) Ü ¼– Ð [ j' ‘  “ ¦  r  7 £ x À Óà º– Ð '  ç  H   6

£

§   É r | 9 ™ è Û ¼– Ð Ô  ¦ # Q" f | › ¸r &   6   x % i  . 1 r 7

£

x ‚ à Ì`  ¦ l  0 AK  GeSe

2

é # Qo ü < In : \ ša Å @`  ¦ 1 g & ñ • ¸ ÷ &



 H € ª œÜ ¼– Ð  Û ¼Ö ¿ (basket) + þ AI _  [ j b ” (ceramic)`  ¦ { 9 

˜

2 ³ ) í Û ¼J $ ™(W) ˜ Ðà Ô(boat) 5 Å q \  V , # Q Ø  æì  r y  \ V\ P `  ¦ ô  Ç Ê

ê 7 £ x ‚ à Ìr (   . 7 £ x ‚ à Ì\  ™ èכ ¹  ) a r ç ß –“ É r \ V\ P `  ¦ Ÿ í† < Ê # Œ 30ì  r ? /ü @– Ð % i Ü ¼ 9, 7 £ x ‚ à Ìr _  l ó ø Í“ : r • ¸  H 100

C\  ¦ Ä

»t  % i  .

2. — ¤V R Ë • ¤X N Ë 7

£

x ‚ Ã Ì Ê ê\  r « Ñ[ þ t“ É r 10ì  r 1 l x î ß – ”  / B N „  l – Ð 5 Å q \ " f

200, 300, 400

C _  \ P % ƒo \  ¦ r ' Ÿ  % i  . \ P % ƒo  “ : r

(3)

•

¸\  ¦ 7 £ x † < Ê\     r « э  H S ! ° ú ˜Ò  o(yellowish brown)Ü ¼

–

Ð & h & h     % i  . 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa ü < ³ ð

€

  + þ A © œ“ É r „  >  ~ ½ ÓØ  ¦ Å Ò  „    ‰ & ³p  â (FESEM : field emission scanning electron microscopy, JSM-6400) Ü ¼– Ð 8

£ ¤& ñ % i Ü ¼ 9,  o† < Æ| ¾ ӏ : r& h  › ¸$ í q   H „  >  ~ ½ ÓØ  ¦ Å Ò  „  



 ‰ & ³p  â \   ҂ Ã Ì  ) a \  -t  ì  r í ß – X-‚   ì  r$ 3 l (EDX : energy dispersive X-ray analysis) – Ð 8 £ ¤& ñ % i  . ¢ ¸ 7 £ x

‚ Ã

Ì  ) a ~ à Ì} Œ •_    & ñ ½ ¨› ¸  H X-‚    r] X > (XRD : X-ray diffractometer, Siemens D5005)\  ¦ s 6   x # Œ › ¸  % i 

“

¦,  6   x ) a X-‚  _   © œ“ É r 1.5418 ˚ A s % 3  . Å Ò % ò % i “ É r 2θ\  ¦ 10

o

∼ 60

o

 s – Ð % i  . UV-VIS-NIR(ultraviolet- visible-near infrared) ì  rF g F g • ¸> (spectrophotometer, Shimadzu MPS-5000)\  ¦ s 6   x # Œ z  ´“ : r \ " f F gf  ¨ à º\  ¦ 8

£ ¤& ñ # Œ F g † < Æ& h “   \  -t  {  ç ß –  `  ¦ % 3 % 3  . „   î  r ì

ø Í _  + þ AI , Å Ò' Ÿ r ç ß –, „   î  r ì ø Í  0 l x • ¸ Õ ªo “ ¦ s  1

l

x • ¸\  ¦ > í ß – l  0 A # Œ F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í `  ¦ › ¸  

%

i  . F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í `  ¦ › ¸  l  0 A # Œ ! s q(cell)“ É r glass/ITO/GeSe

2

:In/ITO/glass _  ½ ¨› ¸– Ð ] j Œ • % i Ü ¼ 9 8

£ ¤& ñ \  % ò † ¾ Ó`  ¦ z } 9  à º e ”   H ü @Â Ò „  l & h  ¸ ú š6 £ §`  ¦ ` ‚ r

v l  0 A # Œ Al  © œ ? /\ " f F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í ì  r$ 3 `  ¦ Ã

º' Ÿ  % i  . r « Ñ ³ ð€  \  › ¸   ) a F g ` O Û ¼(light pulse)  H ]

j 7 H Ï þ ›á Ô(xenon lamp)_  F g " é ¶`  ¦ é ß –5 Å q # Œ % 3 % 3 “ ¦, s 

\

 ¦ È Ò" î „  F G } Œ •`  ¦ : Ÿ x # Œ r « Ñ\  | 9 5 Å q r (   . r « Ñ ? /

\

 › ¸   ) a F g ` O Û ¼_  t 5 Å q r ç ß –“ É r à º µs s  _  ; Ÿ ¤ s % 3 



. F g ` O Û ¼\  _ K  Ò q t$ í  ) a „   î  r ì ø Í [ þ t s  r « Ñ_  ì ø Í

@

/¼ # \  • ¸² ú ˜   H 1 l x î ß –_  õ • ¸ „  · ú š: £ ¤$ í `  ¦ › ¸  l  0 A

# Œ á Ôo Ó  rá Ô(pre-amplifier)– Ð p ™ è „  l ’    ñ\  ¦ 7 £ x; Ÿ ¤ ô  Ç



6 £ § š ¸z  ´– ÐÛ ¼ ïá Ô(oscilloscope)– Ð › ' a8 £ ¤ >   ) a  . š ¸z  ´

–

ÐÛ ¼ ïá Ô  © œ\ " f 0 A– Ð † ¾ Óô  Ç õ • ¸ „  · ú š: £ ¤$ í `  ¦ ˜ Ðs   H  â Ä

º € ª œ/ B N ³ ðÀ Ó(hole drift)\  ¦ _ p   9,  A A á ¤{ 9   â Ä º „   

³

ðÀ Ó(electron drift)\  ¦ _ p ô  Ç . 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ • õ

 200, 300, 400

C – Ð 10ì  r 1 l x î ß – ”  / B N „  l – Ð 5 Å q \ " f \ P 

%

ƒo ô  Ç GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •`  ¦ @ / © œÜ ¼– Ð 8 £ ¤& ñ % i  .

III. + s ÇÊ Ý õ m Í w в  o

„

 >  ~ ½ ÓØ  ¦ Å Ò  „   ‰ & ³p  â `  ¦ s 6   x # Œ 8 £ ¤& ñ  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •`  ¦ › ' a ¹ 1 Ïô  Ç   õ  L :  F M ô  Ç ³ ð€   © œõ  é ß –€   © œ

`

 ¦ % 3 `  ¦ à º e ” % 3 Ü ¼ 9, Õ ª ¿ ºa   H €  • 0.8 µm– Ð 8 £ ¤& ñ ÷ &

%

3  . ¢ ¸ \  -t  ì  r í ß – X-‚   ì  r$ 3 l \  ¦ s 6   x # Œ 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •_   o† < Æ| ¾ ӏ : r& h “   › ¸$ í q \  ¦ 8 £ ¤& ñ ô  Ç   õ  Ge : Se : In = 35.60 : 61.96 : 2.44 s % 3 Ü ¼ 9, q “ §& h  ç  H{ 9  ô

 Ç $ í ì  r q – Ð › ¸$ í ÷ &% 3  . ¢ ¸ VI 7 á ¤ _  Ses   s `›   ´ ú §“ É r € ª œ Ü

¼– Ð › ¸$ í ÷ &# Q e ” l  M :ë  H \ , { 9 ì ø Í& h “   º ú ˜ ï>  s × ¼ ì ø Í

Fig. 1. (Color online) X-ray diffraction patterns of the as-deposited sample (a), and the samples annealed at 200

C (b), 300

C (c), 400

C (d) for 10 min in vacuum.

Asterisk (∗) correspond to In

2

O

3

(222), In

2

O

3

(400), and In

2

O

3

(440).

•

¸^ ‰\ " fü < ° ú  s  p-+ þ A „  • ¸\  ¦    · p  [26]. Fig. 1\  GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •_  X-‚    r] X  Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 [ þ t`  ¦   ? /% 3  .

8

£ ¤& ñ  ) a X-‚    r] X  Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 \    è ß – x ß ¼(peak)\  @ / ô

 Ç €  t à º(h, k, l) ° ú כ`  ¦   & ñ l  0 AK  ¶ ú ˜‚ ½ Ó © œÃ º, €  ç ß –  o

, €  t à º  s _  › ' a > \  @ /ô  Ç  6 £ § d ”  (1) õ  ½ ¨› ¸“   

™

èY >  Z O g Ë : [27]`  ¦  6   x # Œ > í ß – % i  .

1

d

2

= h

2

a

2

+ k

2

b

2

+ l

2

c

2

(1)

>

í ß –ô  Ç €  ç ß – o _  ° ú כs  GeSe

2

é ß –  & ñ `  ¦ 8 £ ¤& ñ ô  Ç ì  r ´ ú ˜ X-‚    r] X > _  €  ç ß – o  ° ú כ [28]õ  ¸ ú ˜ { 9 u  % i  . Fig.

1 \ " f 8 £ ¤& ñ  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •(a)õ  200

C – Ð \ P % ƒo ô  Ç r 

«

Ñ (b)\ " f   è ß – 30.4

o

  H % ƒ, 35.1

o

  H % ƒ, 50.9

o

  H % ƒ _

  r] X  x ß ¼[ þ t“ É r ITO \  › ' aº   ) a x ß ¼[ þ t s  . 300

C – Ð

\ P

% ƒo ô  Ç r « Ñ (c)\ " f  H 14.8

o

  H % ƒ\ " f (020) €  \  @ / ô

 Ç  r] X  x ß ¼    l  r  Œ •  9, ITO\  › ' aº   ) a 30.4

o



 H % ƒ\ " f_   r] X  x ß ¼ €  •ç ß – y Œ ™™ è % i  . 400

C – Ð \ P 

%

ƒo ô  Ç r « Ñ (d)\ " f  H 2θ  14.8

o

  H % ƒ\ " f (020) €  õ  24.5

o

  H % ƒ\ " f (200) €  \  @ /ô  Ç 2> h_  y © œô  Ç  r] X  x ß ¼



 z Œ ™`  ¦ ^  ¦ à º e ”  . ¢ ¸   É r  Œ •“ É r  r] X  x ß ¼ 7 £ ¤ 2θ  28.5

o

  H % ƒ\ " f (212), 29.5

o

  H % ƒ\ " f (220), 37.6

o

  H % ƒ

\

" f (126), 49.4

o

  H % ƒ\ " f (019) €  \  @ /ô  Ç  r] X  x ß ¼



 z Œ ™`  ¦ ^  ¦ à º e ”  . X-‚    r] X  Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 Ü ¼– РÒ'  S X ‰

“

 ô  Ç   õ  7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •“ É r q & ñ | 9 s % 3 Ü ¼ , 400

C – Ð \ P % ƒo † < Ê\      ~ ½ Ó& ñ > (orthorhombic) ½ ¨› ¸s 

“

¦ ¶ ú ˜‚ ½ Ó © œÃ º  H a = 7.037 ˚ A, b = 11.826 ˚ A, c = 16.821 ˚ A

–

Ð   z Œ ¤ . s  ° ú כ“ É r G. Dittmar 1 p x [14] õ  JCPDS [28]\ 



  · p GeSe

2

\  @ /ô  Ç a = 7.016 ˚ A, b = 11.831 ˚ A, c =

(4)

Fig. 2. SEM images for the sample surfaces of the as- deposited sample (a), and the samples annealed at 200

C (b), 300

C (c), 400

C (d) for 10 min in vacuum.

Fig. 3. (Color online) Photon energy vs. (αhν)

2

for the as-deposited sample (a), and the samples annealed at 200

C (b), 300

C (c), 400

C (d) for 10 min in vacuum.

16.796 ˚ A _  ° ú כõ  ¸ ú ˜ { 9 u † < Ê`  ¦ · ú ˜ à º e ”  . 400

C – Ð \ P 

%

ƒo ô  Ç GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •“ É r (020) õ  (200) ~ ½ ӆ ¾ ÓÜ ¼– Ð $ í  © œ  ) a



  & ñ (poly-crystalline) + þ AI _  GeSe

2

:In “    כ Ü ¼– Ð Ò q t y

Œ

•  ) a  .

Figure 2(a)  H 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •_  „  >  ~ ½ ÓØ  ¦ Å Ò



 „   ‰ & ³p  â ³ ð€  + þ A © œ`  ¦    · p Õ ªa Ë >s  . r « Ñ_  ³ ð

€

 \ " f { 9  [ þ t s  Ó ü æ• 2 ; Ó  o © œ_  6 £ x   ) a ½ ¨› ¸\  ¦ “ ¦ e ”  .

Fig. 2(b)  H 200

C – Ð \ P % ƒo ô  Ç r « Ñ_  ³ ð€  + þ A © œ`  ¦  

? /  H Õ ªa Ë >Ü ¼– Ð \ P % ƒo  t  · ú §“ É r r « Ñü < ² ú ˜o  r « Ñ_ 

³

ð€  + þ A © œ x 9  } 9 l  “ ¦Ø Ôt  3 l w ô  Ç ì  r Ÿ í– Ð €  • 90 ∼ 100 nm ß ¼l \  ¦ ”   Ó ü t ~ ½ ÓÖ  ¦ — ¸€ ª œ(water-drop shaped)_  Ó  o



© œ { 9  [ þ t s  V , o  ( 4 R ³ ð€  \   ê ø Í >  $ í  © œ  9, 300

C \ P % ƒo ô  Ç r « Ñ_  ³ ð€   (c)\ " f  H Ó  o © œ { 9  [ þ t s  Ô  ¦ç  H { 9

 >  [ O # Œ €  • 20 ∼ 100 nm ß ¼l _  $ 3 (island) ½ ¨› ¸\  ¦

“ ¦ e ” 6 £ §`  ¦ · ú ˜ à º e ”  . 400

C – Ð \ P % ƒo ô  Ç  â Ä º (d)  H

€



• 40 ∼ 80 nm ß ¼l _  $ 3  ½ ¨› ¸– Ð S X ‰ í ß – ] jô  ǝ ) a(diffusion limited) $ í  © œ`  ¦ % i 6 £ §`  ¦ · ú ˜ à º e ”  . 300 Җ Ð \ P % ƒo ô  Ç r

« Ñ\  q K  ³ ð€    } 9 l   H Z > – Ð s  \ O Ü ¼ 9, { 9  [ þ t _

  â >   H " î S X ‰ >  ½ ¨ì  r ÷ &# Q4 R   & ñ $ í õ  ³ ð€   + þ AI 

a

% ~  & ’ 6 £ §`  ¦ ^  ¦ à º e ”  .   " f XRD x 9 FESEM ì  r$ 3 Ü ¼

–

ÐÂ Ò'  400

C – Ð \ P % ƒo ½ + É  â Ä º   & ñ $ í õ  ³ ð€   + þ AI 

a

% ~“ É r GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr ~  ´ à º e ” 6 £ §`  ¦ · ú ˜ à º e ” % 3  .

7

£

x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •õ  200

C ∼ 400

C  t  \ P % ƒo ô  Ç r

« Ñ[ þ t \  @ / # Œ z  ´“ : r \ " f F gf  ¨ à º Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 `  ¦ 8 £ ¤& ñ % i 



. — ¸Ž  H r « Ñ_  F gf  ¨ à º Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 “ É r 550 nm   H % ƒ\ " f / å L

 

ô  Ç F gf  ¨ à º_  7 £ x \  ¦ › ' a8 £ ¤ % i  . s  / å L  ô  Ç 7 £ x   H f ”  ] X

 „  s  \  -t  {  ½ ¨› ¸\  ¦ ”   ì ø ͕ ¸^ ‰_  l œ í f  ¨ à ºé ß –\ 

"

f F gf  ¨ à º\  _ ô  Ç  כ { 9  à º e ”   [29]. F gf  ¨ à º > à º ±  H l

œ í f  ¨ à ºé ß –   H % ƒ F gf  ¨ à º Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 [ þ t – РÒ'  > í ß –½ + É Ã º e ”

“ ¦, { 9   F g € ª œ  \  -t  hν_  † < Êà º– РÒ'    ? /# Q”  



. Fig. 3“ É r F gf  ¨ à º > à º_  ] jY  L õ  { 9   F g \  -t   s  _

 › ' a > \  ¦    · p  כ s  . f ” ] X  „  s { 9  M : F gf  ¨ à º > à ºü <

{ 9

  F g \  -t   s _  › ' a >   H  6 £ § d ”  (2)ü < ° ú    [24].

(αhν)

2

∼ (hν − E

g

) (2)

#

Œl " f, h  H Planck  © œÃ ºs “ ¦, ν  H { 9   F g € ª œ _  ”   1

l

x à ºs  . F g † < Æ& h “   \  -t  ç ß –  “ É r (E

g

)“ É r Fig. 3 \   

 · p  ü < ° ú  s  (αhν)

2

=0 \  @ /ô  Ç • ¸³ ð_  f ” ‚  `  ¦ ü @¶ ú š

†

< ÊÜ ¼– Ð" f % 3   H  . f ” ] X  F g„  s   H s  Õ ªa Ë >\ " f f ” ‚  \  _  K

 S X ‰ “  ÷ &“ ¦, 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •õ  \ P % ƒo ô  Ç ~ à Ì} Œ •[ þ t _

 F g † < Æ& h “   {  ç ß –  “ É r 2.16 eV ∼ 2.41 eV  t     % i  .

s

 ° ú כ[ þ t“ É r   É r IV-VI

2

+ þ A s " é ¶  o½ + ËÓ ü t ì ø ͕ ¸^ ‰ [30] õ  q 

“

§ | ¨ c à º e ” “ ¦, é ß –  & ñ GeSe

2

_  \  -t  {  ç ß –  õ  { 9 u ô  Ç



 [30].

Figure 4(A)  H 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •õ  200

C ∼ 400

C – Ð \ P % ƒo ô  Ç r « Ñ\   s # QÛ ¼ „  · ú š(bias voltage)`  ¦

 

% 3 `  ¦ M :_  F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í `  ¦    · p š ¸z  ´– ÐÛ ¼ ïá Ô _

  ² D G(trace) s  . F g ` O Û ¼ í  H ç ß –& h Ü ¼– Ð r « Ñ_  ³ ð€  

\

 › ¸ ÷ &€   GeSe

2

:In ³ ð€  \ " f Ò q t$ í  ) a „   î  r ì ø Í   H r 

«

Ñ\  ¦ – Ð| 9  Q" f ì ø Í@ /¼ # _  „  F G \  • ¸² ú ˜ l  r  Œ •   H r  ç

ß –\  Á º › ' a ô  Ç % ò % i  (I)õ  F g ` O Û ¼   t   H í  H ç ß –_  „  

î  r ì ø Í [ þ t s  ™ èY > ÷ &  H % ò % i (II)– Ð  ¾ º# Q”   . % ò % i (II)

\

" f  H „   î  r ì ø Í [ þ t s  t à º † < Êà º& h Ü ¼– Ð y Œ ™™ è >   ) a



. Å Ò' Ÿ r ç ß –(transit time)“ É r r ç ß –\    É r „  · ú š_     o Ö

 ¦ s     l  r  Œ •½ + ÉM :  t _  r ç ß –Ü ¼– Ð & ñ _ ÷ &Ù ¼– Ð s 

\

 ¦ & ñ S X ‰ >    & ñ l  0 A # Œ r ç ß –\    É r „  · ú š_     o Ö

 ¦ (dV /dt)`  ¦ · ú ˜   ô  Ç  [31]. Fig. 4(B)  H Fig. 4(A)\  ¦ p

ì  r # Œ    · p  כ Ü ¼– Ð" f x» ¡ ¤ Ü ¼– Ð    · p r ç ß –_  l ï  r

“ É

r F g  F G Ü ¼– Ð Ò q t$ í  ) a „   î  r ì ø Í \  _ K  + þ A$ í ÷ &  H œ í l

 „  0 A þ j@ /“   r & h Ü ¼– Ð % i Ü ¼ 9, ì ø Í@ /¼ #  „  F G Ü ¼– Ð

(5)

Fig. 4. (A) Oscilloscope trace of the photoexcited carrier and (B) dV /dt vs. time for the as-deposited sample (a), and the samples annealed at 200

C (b), 300

C (c), 400

C (d) for 10 min in vacuum.

s

1 l x # Œ » ¡ ¤& h  ) a „   î  r ì ø Í [ þ t – Ð “  ô  Ç dV /dt  ¿ º× ¼ Q t

>     l  r  Œ •½ + É M : t _  r ç ß –`  ¦ Å Ò' Ÿ r ç ß –Ü ¼– Ð 

%

i  . 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •õ  200

C ∼ 400

C  t  \ P 

%

ƒo ô  Ç r « Ñ[ þ t _  Å Ò' Ÿ r ç ß –“ É r 42 µs ∼ 95 µs  t     % i 



. ¢ ¸ô  Ç ³ ðÀ Ós 1 l x • ¸ü < „   î  r ì ø Í  0 l x • ¸  H Ó ü t o & h “   — ¸ 4

S qõ  Batra 1 p x [32] _  s  : r`  ¦ s 6   x # Œ > í ß –½ + É Ã º e ” Ü ¼ 9, „   î  r ì ø Í _  Å Ò' Ÿ r ç ß – t

T

ü <   # Qï  r „  · ú š  s _  › ' a

>

  H

t

T

= dD

µV (3)

s

“ ¦, # Œl " f d  H r « Ñ_  ¿ ºa , D  H ¿ º „  F G(top and bottom electrodes)  s _   o , µ  H ³ ðÀ Ós 1 l x • ¸ Õ ªo 

“

¦ V   H   # Qï  r „  · ú šs  . r ç ß –\  @ /ô  Ç dV /dt_  Õ ªA á Ô

–

РÒ'  8 £ ¤& ñ  ) a t

T

ü < d ” (3)Ü ¼– РÒ'  ¿ ºa  0.8 µm“   7 £ x ‚ à Ì

 )

a GeSe

2

:In õ  200, 300, 400

C – Ð \ P % ƒo   ) a ~ à Ì} Œ •\  @ / 

Table 1. Calculated values of drift mobility and carrier concentration for the GeSe

2

:In thin films.

Film status Drift mobility Carrier concentration ( × 10

−4

cm

2

/Vs ) ( × 10

20

/cm

3

) as-deposited ∼ 51.0 22.0

200

C ∼ 3.3 3.0

300

C ∼ 0.7 7.1

400

C ∼ 1.4 3.8

#

Œ ³ ðÀ Ӏ ª œ/ B N s 1 l x • ¸ü < „   î  r ì ø Í  0 l x • ¸  H Table 1 \   

? /% 3  . ³ ðÀ Ӏ ª œ/ B N s 1 l x • ¸  H G. I. Kim 1 p x [33] s  ˜ Г ¦ô  Ç Ge

x

Se

1

− x ~ à Ì} Œ •_  ° ú כõ   H q “ §÷ & , G. I. Kim 1 p x [34] s  Ge

x

Se

1

− x é ß –  & ñ \  @ /K " f ˜ Г ¦  ) a   õ ü < ¸ ú ˜ { 9 u ô  Ç



. „   î  r ì ø Í  0 l x • ¸  H L. A. Wahab 1 p x [35] s  ˜ Г ¦ô  Ç q 

&

ñ | 9  GeSe

2

~ à Ì} Œ •_    õ ü < q “ §& h  ¸ ú ˜ { 9 u ô  Ç . # Œl " f

„

   î  r ì ø Í  0 l x • ¸_  > í ß – [32]“ É r n(d, t) = (κ/4πqµ)t

−1

`  ¦ s

6   x % i Ü ¼ 9, κ  H Ä »„   © œÃ º– Ð" f é ß –  & ñ _  Ä »„   © œÃ º ° ú כ

“

  9.5`  ¦ 2 [ # Œ > í ß – % i   [30]. 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ • õ

 200, 300, 400

C – Ð \ P % ƒo   ) a ~ à Ì} Œ •“ É r à ºf ” ¼ # † ¾ Ós  0 A A

á

¤ Ü ¼– Ð † ¾ Ó l  M :ë  H \  € ª œ/ B N ³ ðÀ Ós “ ¦ p-+ þ A „  • ¸s  . s 



 H Ref. [26] \ " f VI7 á ¤ _  Se s   s `›   ´ ú §“ É r € ª œÜ ¼– Ð º ú ˜ ï

>

 s × ¼ ì ø ͕ ¸^ ‰\ " f  H { 9 ì ø Í& h Ü ¼– Ð p-+ þ A „  • ¸\  ¦   ? /



 H  כ õ  { 9 u ô  Ç . ¢ ¸ \ P % ƒo  “ : r • ¸\  ¦ 7 £ x † < Ê\     Å Ò '

Ÿ r ç ß –“ É r 300

C  t   H 7 £ x    400

C \ " f  H y Œ ™™ è

% i Ü ¼ , ³ ðÀ Ós 1 l x • ¸ü < „   î  r ì ø Í  0 l x • ¸  H 300

C   t

  H y Œ ™™ è   400

C \ " f  H 7 £ x  % i  .

IV. + s Ç Â ] Ø

”

 / B N7 £ x ‚ à ÌZ O Ü ¼– Ð ITO l ó ø Í 0 A\  GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ •

# Œ ”  / B N „  l – Ð 5 Å q \ " f 10ì  r 1 l x î ß – 200

C ∼ 400

C   t

 \ P % ƒo ô  Ç Ê ê X-‚    r] X , ì  rF g F g • ¸> , „  >  ~ ½ ÓØ  ¦ Å Ò



 „    ‰ & ³p  â z  ´+ « > Õ ªo “ ¦ F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í `  ¦ › ¸  ô

 Ç   õ   H  6 £ § õ  ° ú  s  כ ¹€  •½ + É Ã º e ”  . X-‚    r] X  z  ´+ « >

 

õ \  _  €   ¶ ú ˜‚ ½ Ó © œÃ º  H a = 7.037 ˚ A, b = 11.826 ˚ Ac

= 16.821 ˚ A  ~ ½ Ó& ñ >  ½ ¨› ¸s  9, \ P % ƒo  “ : r • ¸\  ¦ 7 £ x † < Ê\ 



  14.8

o

  H % ƒ\ " f (020)ü < 24.5

o

  H % ƒ\ " f (200)_  ¿ º

~

½ ӆ ¾ ÓÜ ¼– Ð ‚  × þ ˜& h Ü ¼– Ð $ í  © œ H † d`  ¦ · ú ˜ à º e ” % 3  . „  >  ~ ½ ÓØ  ¦ Å

Ò  „    ‰ & ³p  â z  ´+ « >\ " f  H \ P % ƒo  “ : r • ¸\  ¦ 7 £ x † < Ê\ 



  { 9 >  ß ¼l  y Œ ™™ è €  " f   & ñ  o÷ &  H  כ Ü ¼– Ð    z

Œ

¤ . z  ´“ : r \ " f 8 £ ¤& ñ  ) a F g † < Æ& h “   \  -t  {  ç ß –  “ É r 7 £ x ‚ à Ì

 )

a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •õ  \ P % ƒo ô  Ç r « Ñ\  @ / # Œ 2.16 eV ∼ 2.41 eV  t     % i  . F g Ä »l  ~ ½ ӄ   : £ ¤$ í z  ´+ « >Ü ¼– РÒ'  7

£

x ‚ Ã Ì  ) a GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •õ  \ P % ƒo ô  Ç r « э  H € ª œ/ B N ³ ðÀ Ós % 3 

(6)

“

¦, Å Ò' Ÿ r ç ß –`  ¦ 8 £ ¤& ñ ½ + É Ã º e ” % 3  . ¢ ¸ô  Ç ³ ðÀ Ós 1 l x • ¸ü < „  

î  r ì ø Í  0 l x • ¸\  ¦ > í ß –½ + É Ã º e ” % 3  . Õ ª ° ú כ“ É r µ

h

∼ 5.1 × 10

−3

cm

2

/Vs, 2.2 × 10

21

/cm

3

, 42 µs (7 £ x ‚ Ã Ì  ) a Ê ê), µ

h

∼ 3.3 × 10

−4

cm

2

/Vs, 3.0 × 10

20

/cm

3

, 48 µs (200

C), µ

h

∼ 7.0 × 10

−5

cm

2

/Vs, 7.1 × 10

20

/cm

3

, 95 µs (300

C), µ

h

∼ 1.4 × 10

−4

cm

2

/Vs, 3.8 × 10

20

/cm

3

, 90 µs (400

C) s % 3  .   " f GeSe

2

:In ~ à Ì} Œ •“ É r r  F g‚   % ò % i \ " f _

 F g„    x 9 F g l „  $ í 6 £ x6   x`  ¦ 0 Aô  Ç „   F « і Ð" f s 6   x

0 p x  .

Y

c p w Š à U Ø ”  ô

[1] K. Tanaka, Phys. Rev. B39, 1270 (1989).

[2] A. B. Seddon, J. Non-Cryst. Solids 184, 44 (1995).

[3] S. D. Hart, G. R. Maskaly, B. Temelkuran, P. H.

Prideaux, J. D. Joannopoulos and Y. Fink, Science 296, 510 (2002).

[4] H. Nicolas, J. M. Laniel, R. Valle and A. Villeneuve, Opt. Lett. 28, 965 (2003).

[5] A. Ganjoo, H. Jain, C. Yu, R. Song, J. V. Ryan, J.

Irudayaraj, Y. J. Ding and C. G. Pantano, J. Non- Cryst. Solids 352, 584 (2006).

[6] L. F. Santos, A. Ganjoo, H. Jain and R. M. Almeida, J. Non-Cryst. Solids 355, 1984 (2009).

[7] V. K. Tikhomirov, A. B. Seddon, K. Asatryan, T.

V. Galstian and R. Valle, J. Non-Cryst. Solids 326- 327, 205 (2003).

[8] P. Sharma and S. C. Katyal, Thin Solid Films 515, 7966 (2007).

[9] K. Sakai, T. Uemoto, H. Yokoyama, A. Fukuyama, K. Yoshino, T. Ikari and K. Maeda, J. Non-Cryst.

Solids 266-269, 933 (2000).

[10] Y. Wada, Y. Wang, O. Matsuda, K. Inoue and K.

Murase, J. Non-Cryst. Solids 198-200, 732 (1996).

[11] A. Feltz, H. Aust and A. Blayer, J. Non-Cryst. Solids 55, 179 (1983).

[12] P. Sharma, M. Vashistha and I. P. Jain, J. Opt. Adv.

Mater. 7, 2647 (2005).

[13] J. E. Griffiths, G. P. Espinosa, J. P. Remeika and J.

C. Phillips, Phys. Rev. B25, 1272 (1982).

[14] G. Dittmar and H. Schafer, Acta Crystallogr. B32, 2726 (1976).

[15] O. Matsuda, K. Inoue, T. Nakane and K. Murase, J. Non-Cryst. Solids 150, 202 (1992).

[16] L. Cjua-Hua, A. S. Pashinkin and A. V. Novoselova, Zh. Neorg. Khim. 7, 2159 (1962).

[17] D. I. Bletskan, V. S. Gerasimenko and M. Yu.

Sichka, Kristallographiya 24, 83 (1979).

[18] A. Grzechnik, T. Grande and S. St ølen, J. Solid State Chem. 141, 248 (1998).

[19] S. Ramachandran and S. G. Bishop, Appl. Phys.

Lett. 74, 13 (1999).

[20] K. E. Youden, T. Grevatt, R. W. Eason, H. N. Rutt, R. S. Deol and G. Wylangowski, Appl. Phys. Lett.

63, 1601 (1993).

[21] R. Y. Kim, H. G. Kim and S. G. Yoon, J. Elec- trochem. Soc. 155, D137 (2008).

[22] N. Mukherjee, Sk. F. Ahmed, D. Mukherjee, K.

K. Chattopadhyay and A. Mondal, Phys. Stat. Sol.

(c)5, 3458 (2008).

[23] H. Tung Li, J. Appl. Phys. 34, 1730 (1963).

[24] I. P. Batra and H. Seki, J. Appl. Phys. 42, 1124 (1971).

[25] K. Sakai, K. Yoshino, A. Fukuyama, H. Yokoyama, T. Ikari and K. Maeda, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 1058 (2000).

[26] M. M. El-Samanoudy, Thin Solid Films 423, 201 (2003).

[27] B. D. Cullity, Elements of X-ray diffraction, 2nd ed.

(Addison-Wesley Publishing Company, Inc., New York, 1978), Chap. 4, pp. 107.

[28] JCPDS-International Centre for Diffraction Data, No. 32-0410, 2000.

[29] J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971), Chaps. 1-3.

[30] R. Poerschke, Data in Science and Technology (Springer-Verlag, Berlin, 1992).

[31] C. Manfredotti, A. Rizzo, L. Vasanelli, S. Galassini and L. Rugieri, J. Appl. Phys. 44, 5463 (1973).

[32] I. P. Batra and H. Seki, J. Appl. Phys. 41, 3409 (1970).

[33] G. I. Kim, J. Shirafuji and Y. Inuishi, Jpn. J. Appl.

Phys. 20, 1377 (1981).

[34] G. I. Kim and J. Shirafugi, Jpn. J. Appl. Phys. 17, 1789 (1978).

[35] L. A. Wahab, A. Adam, M. R. Balboul, N. Makram,

A. A. El-Ela and K. Sedeek, Physica B387, 81

(2007).

수치

Fig. 1. (Color online) X-ray diffraction patterns of the as-deposited sample (a), and the samples annealed at 200 ◦ C (b), 300 ◦ C (c), 400 ◦ C (d) for 10 min in vacuum.
Fig. 2. SEM images for the sample surfaces of the as- as-deposited sample (a), and the samples annealed at 200
Table 1. Calculated values of drift mobility and carrier concentration for the GeSe 2 :In thin films.

참조

관련 문서

멘토링 과정에서는 많은 어려움이 발생하기 때문에 초지일관 자신 감과참을성을 가지고 끈질기게 멘토링에 참여하는 것이 필요하다. 계획된 멘토링에 진지하고 헌신적으로

이렇게 작동을 하게 하려면 각 예제 폼들을 자식 윈 도우로 설정해야 하는데 그 방법으로는 다음과 같이 자식으로 생성될 폼 들의 속성을

[r]

그러므로 ㉥ ‘김 선생님’은 현재의 담화 상황에 참여하지 않는 인물을 지칭하는 표현이라는 설명은 적절하다.. 그러므로 ㉤이 아버지가 지금까지 은주와 나눈 대화의 화제

*단어 사이의 공통성과

상기 신입생 장학금 외에도 본교는 신입생장학금-재학생장학금-해외연수장학금-대학원진학장학금에 이르는 전주기 장학제도를 운영하고 있으며, 다양한 교외장학금

약국은 당초 수집 목적과 합리적으로 관련된 범위에서 정보주체에게 불이익이 발생하는지 여부, 암호화 등 안전성 확보에 필요한 조치를 하였는지 여부 등을

at the Specific Conditions of Sputtering Power in the Preparation of CoSi 2 Thin Films by Using the Sputtering Method ……… 88 Fig.. 44 Carrier Concentration and Mobility of the