물리학과 첨단기술 OCTOBER 20 1 9
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준원자층 적층 방법으로 형성된 2형 양자점의 광 발광 특성연구
InAs/GaAs 양자점(quantum dot, QD) 은 근적외선 영역에서 높은 흡수율을 가지 고 있어, 고효율 중간대역 태양전지 제조에 아주 적합한 후보 물질이다. InAs QD는 GaAs 기판과 격자상수 불일치에 기인한 계 면응력(strain)의 영향으로 임계두께(1.7 ML) 이상에서 3D QD 구조가 자발 형성 (Stranski-Krastanov mode, S-K)된다. 그 러나 S-K 모드로 성장된 InAs QD는 약 40 ∼50 meV의 높은 활성화 에너지를 가지며 QD에서 운반자 구속이 강함으로 운반자의 포획 및 재결합에 의한 태양전지의 단락전 류(short circuit current, JSC)의 감소가 발
생한다. 따라서 태양전지의 효율향상을 위 해 낮은 활성화 에너지를 가지는 QD를 형성 할 수 있는 준원자층(submonolayer, SML) 성장법이 제시되었다. SML 성장은 임계두 께 이하로 InAs층을 성장하여 2D 구조와 유 사한(2D-like) 매우 작은 크기의 QD가 형성 할 수 있어 활성화 에너지를 감소시킬 수 있 다. 또한, InAs/GaAs QD 성장 시 GaAs층 에 Sb을 첨가함으로 GaAsSb 응력완화 층 을 이용하여 QD 크기를 조절하는 방법이 고 안되었는데, 이때 Sb의 조성비가 13% 이상 일 때 밴드 정렬이 2형(type-II)으로의 전환 이 보고되었다. 2형 정렬 구조에서는 광 여 기된 전자는 InAs QD의 전도대에 구속되 고, 정공은 GaAsSb 층의 가전자대에 분리 구속되는 특성으로 인하여 전자와 정공 간 의 재결합 효율을 감소시킬 수 있어 JSC 감 소를 방지할 수 있을 것으로 기대된다. 본 연구에서는 GaAsSb 층의 Sb의 조성비가 15.8%인 2형 정렬 구조의 SML-QD의 전 이 에너지와 활성화 에너지를 연구하기 위 해 광 발광(photoluminescence)을 이용하 였다. 본 연구에서 Sb 조성이 15.8%인 GaAsSb 층을 이용한 InAs/GaAsSb/GaAs SML-QD 시료와 Sb 조성이 0%인 InAs/ GaAs 시료와 비교하여 QD 관련 신호의 적 색편이(red-shift)와 활성화 에너지의 감소 를 확인할 수 있었다(그림). 김민석, 조현준, 소모근, 김종수, 김영호, 이상준, 이승 현, Christina B. Honsberg, 김희대, New Physics: Sae Mulli 69, 794 (2019).