AlSb/InAs/AlSb W ë s ¤ö n Ú º; c" e InSb-like 4 ì Å8 ý ¹ ÅM X ì Ä ¤V R Ë
{
¡* å # Ò · »' Ö <% ∗
Ø
æ z @ / < Æ § Ó ü t o < Æõ , @ / 305-764
¡< û B
ô
Ç ª @ / < Æ § l ] j# Q> 8 £ ¤/ B N < Æõ , î ß í ß 426-791
»* å g Y @
ô
Dz D G ³ ðï r õ < Æ ½ ¨" é ¶, @ / 305-340
» ö ¶ B~ ç ¡
×
æ Â Ò@ / < Æ § & ñ Ð: x < Æõ , F K í ß 312-702
»g ` @ ¸
1 l
x² D G @ / < Æ § ì ø Í ¸^ õ < Æõ , " fÖ ¦ 100-715 (2007¸ 3 Z 4 28{ 9 ~ Ã Î6 £ §)
: r ½ ¨\ " f H GaAs l ó ø Í 0 A\ molecular beam epitaxy Z O Ü ¼ Ð $ í © ) a AlSb/InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t
½
¨ ¸\ " f InAs G V , 0 A, A InSb-like > ` ¦ + þ A$ í # l & h , ½ ¨ ¸& h : £ ¤$ í ` ¦ reflection high-energy electron diffraction, transmission electron microscopy, Hall ´ òõ 1 p x Ü ¼ Ð ¸ % i . 30 nm InAs G
V , 0 A, A InSb-like > ½ ¨ ¸ ÐÂ Ò' © : r \ " f 20,700 cm
2V·s _ s 1 l x ¸\ ¦ % 3 % 3 Ü ¼ 9, ¢ ¸ô Ç
:
r ¸_ > r$ í 8 £ ¤& ñ Ü ¼ ÐÂ Ò' > \ InSb-like > s + þ A$ í ÷ &% 3 6 £ §` ¦ S X % i .
PACS numbers: 73.61 Ey, 73.63.Hs, 81.15.Hi
Keywords: InAs, AlSb, > , TEM, Hall ´ òõ 8 £ ¤& ñ , s 1 l x ¸
I. " e  ] Ø
III-V ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸ × æ AlSb/InAs/AlSb (s InAs/AlSb Ð ³ ðr ) ª ½ ¨ ¸ H type II ½ × ¼& ñ § > =` ¦ 9 1.35 eV _ Z } É r ¸@ / s _ ° ú כ` ¦ ° ú H . Ö ¦ Q s
½
¨ ¸ H Z } É r x 9 ¸ü < s 1 l x ¸\ ¦ ° ú H 2 " é ¶ Û
¼ (two-dimensional electron gases, 2DEG)8 £ x` ¦ + þ A$ í Ù
¼ Ð $ § 4 ¦5 Å q è 6 £ x6 x \ & h ½ + Ëô Ç ½ ¨ ¸s [1–7].
InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸ H GaAs/(Al,Ga)As, (Ga, In)As/(Al,In)As ½ ¨ ¸[ þ t õ É r : £ ¤ s ô Ç > ½ ¨ ¸\ ¦ + þ A
$ í
ô Ç . Õ ª s Ä » H ª Ä ºÓ ü t` ¦ s À Ò ¦ e H ¿ º Ó ü t| 9 _ 6 £ § s
: r õ ª s : r s ¸¿ º Ø Ôl M :ë H s 9 $ í © Z O \
¿
º 7 á x À Ó_ > ` ¦ + þ A$ í ½ + É Ã º e . AlSb ~ Ã Ì} _ þ j © 8 £ x
`
¦ Sb Ð = å Q ? / ¦ InAs ~ Ã Ì} ` ¦ $ í © r ~ ´ M : In` ¦ $ f ¨
Ã
Ì > \ " f In-Sb ½ + Ës Ò q tl > ) a . s Qô Ç ½ + Ë
`
¦ s ê r > ` ¦ “InSb-like” > s ¦ ô Ç . ¢ ¸ô Ç AlSb
∗
E-mail: [email protected]
~ Ã
Ì} _ Alõ InAs ~ Ã Ì} _ Ass ½ + Ë # + þ A$ í ) a Al-As
½ + Ë` ¦ “AlAs-like” > s ¦ ô Ç . s Qô Ç ¿ º 7 á x À Ó_
>
É r InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸\ " f l & h : £ ¤$ í ` ¦
&
ñ H × æ כ ¹ô Ç כ ¹ è ) a [8]. AlAs-like > É r $ í © r
1 l x{ 9 ô Ç : r ¸\ " f ± ú É r ³ ð s 1 l x \ -t \ ¦ ° ú H Al õ Z
} É r ³ ð s 1 l x \ -t \ ¦ ° ú H As \ _ K Al " é ¶ o \ As " é ¶ 0 Au > ÷ & H As antisite (AsAl) Ò q tl l
~ 1
. > \ + þ A$ í ) a AsAl H U · É r ï r 0 A Å Ò> h (deep level donor) Ð 6 x # InAs_ î r ì ø Í 0 l x ¸\ ¦ 7 £ x r v ¦ Å
Ò> h s : r \ _ K î r ì ø Í _ s 1 l x ¸\ ¦ ± ú Æ Ò H í ß ê ø Í " é ¶ s
) a [8]. " f InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸_ > \ AlAs-like > @ / InSb-like > ` ¦ + þ A$ í H כ s Z }
É
r s 1 l x ¸\ ¦ ° ú H ª Ä ºÓ ü t` ¦ $ í © H X < B Ä º × æ כ
¹ô Ç כ ¹ è ) a [9].
: r ½ ¨\ " f H molecular beam epitaxy (MBE)Z O ` ¦ s 6
x # InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸\ ¦ GaAs l ó ø Í 0 A\ $ í
© % i Ü ¼ 9 InAs ª Ä ºÓ ü t 0 A, A InSb-like > + þ A$ í
-555-
\
@ /ô Ç ½ ¨ ¸& h , l & h o\ ¦ TEM õ Hall ´ òõ 1 p x Ü ¼
Ð ¸ % i .
II. ÷ m Ç] M ö X ê sV õ m Í U ê s0 n É
: r ½ ¨\ 6 x ) a r « Ñ H ¸¿ º MBE Z O Ü ¼ Ð ï r q
%
i . l ó ø ÍÜ ¼ Ð ì ø Í \ P ^ (semi-insulating) GaAs(001) wafer\ ¦ 6 x % i Ü ¼ 9 s : r* 3 á Ô\ ¦ s 6 x # $ í © × æ /
B
N` ¦ 1 × 10
−9 Ð Ä »t % i . ¢ ¸ô Ç As õ Sb cell É r S X í
ß (effusion)` ¦ s 6 x % i . GaAs l ó ø Í 0 A\ + þ A$ í ) a í ß
o} ` ¦ ] j l 0 AK $ í © z ´\ " f 560
◦C Ð 20ì r ç ß \ P
%
o % i . s M : GaAs l ó ø Í ³ ð \ " f As ì r \ P \ _
K ì r K ÷ &# Q ³ ð s < H © ÷ & H כ ` ¦ } l 0 AK \ P % o 1
l
x î ß As cell` ¦ \ P # Q As ì r \ ¦ > 5 Å q / B N/ å L % i . í ß o}
`
¦ ] j ô Ç Ê ê l ó ø Í : r ¸\ ¦ 540
◦C Ð ± ú Æ Ò# Q GaAs ¢ - aØ æ 8
£
x` ¦ 0.7 µm/h _ $ í © Ò ¦ Ð 0.2 µm $ í © % i .
Fig. 1 É r MBEZ O Ü ¼ Ð GaAs l ó ø Í 0 A\ $ í © ) a InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t _ ½ ¨ ¸s . Â Ò& ñ ½ + Ës 8 %
GaAs l ó ø Í 0 A\ InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸\ ¦ $ í © l
0 AK AlSbü < GaSb ¢ - aØ æ8 £ x` ¦ y y 0.3 µm, 1.6 µm $ í
© % i . ¢ ¸ô Ç ³ ð _ } 9 l x 9 ¾ º[ O À Ó\ ¦ ± ú Æ Òl 0 A K
GaSb ¢ - aØ æ8 £ x 0 A\ AlSb (2 nm)/GaSb (2 nm) í
20Å Òl \ ¦ 500
◦C \ " f $ í © % i . InAs/AlSb ª Ä º Ó
ü
t % i r 500
◦C \ " f $ í © % i Ü ¼ 9 ª Ä ºÓ ü t _ > $ í © r
Sbü < In_ f ¨ Ã Ì r ç ß ` ¦ or & > _ : £ ¤$ í ` ¦ ² ú o
% i . > $ í © ¸| \ É r ½ ¨ ¸& h : £ ¤$ í É r reflection high-energy electron diffraction (RHEED), transmission electron microscopy (TEM) Ü ¼ Ð, l & h : £ ¤$ í É r Hall ´ ò õ
8 £ ¤& ñ Ü ¼ Ð ¸ % i .
III. ÷ m Ç] M ö+ s ÇÊ Ý õ m Í º8 ý
Fig. 2 H InSb-like > ` ¦ $ í © l 0 Aô Ç $ í © ½ ¨ ¸ü <
3
9' 1 l x Y V (shutter sequence) s . InAs/AlSb ª
Ä ºÓ ü t \ " f InSb-like (Fig. 2(a)) > ` ¦ + þ A$ í H כ É r
¦5 Å q 5 Å x : £ ¤$ í ` ¦ % 3 H X < × æ כ ¹ô Ç כ ¹ èe ` ¦ · ú ¡" f [ O " î
%
i . " f Fig. 2(a)ü < ° ú s > \ " f In " é ¶ ü < Sb " é ¶
_ ½ + Ë` ¦ ½ ©g Ë :& h Ü ¼ Ð + þ A$ í l 0 AK Fig. 2(b)ü < ° ú
É
r 3 9' 1 l x s 9 כ ¹ . Fig. 2(b)\ " f A A á ¤ > _ t
Sb H AlSb _ ³ ð ` ¦ Sb 8 £ x Ü ¼ Ð + þ A$ í l 0 Aô Ç Sb f ¨ Ã Ì r
ç ß ` ¦ _ p 9 t
In É r Sb ³ ð \ In` ¦ f ¨ Ã Ìr v H r ç
ß ` ¦ _ p ô Ç . ¢ ¸ô Ç 0 AA á ¤ > _ t
In H InAs ³ ð ` ¦ In 8
£
x Ü ¼ Ð + þ A$ í l 0 Aô Ç In f ¨ Ã Ìr ç ß s ¦ t
Sb H In ³ ð \ Sb\ ¦ f ¨ Ã Ìr v H r ç ß s .
Fig. 1. InAs/AlSb quantum well structure on GaAs sub- strate.
Fig. 2. Interface structures for (a) InSb-like interface and (b) shutter sequencing with InSb-like interface on top and bottom.
Fig. 3 É r InAs G V , © 8 £ x  Ò\ " f Sb f ¨ à Ì\ _ K InSb- like > s ë ß [ þ t # Qt H õ & ñ ` ¦ · p כ s [10].
$
Fig. 3(b)ü < ° ú s InAs ³ ð \ Sb\ ¦ f ¨ Ã Ìr v Asõ
Sb o À D K` ¦ K " f InSb ½ + Ë` ¦ + þ A$ í > ) a . Sb\ ¦
Fig. 3. (a)-(d) schematic diagram of inSb-like interface on InAs surface (top interface). RHEED pattern of (e) InAs and (f) InSb layer.
>
5 Å q f ¨ Ã Ì Fig 3(d)ü < ° ú s InSb ½ + Ës ç H{ 9 > + þ A
$ í
) a . s Qô Ç õ H RHEED ³ ð ì r$ 3 õ Ð S X
½
+ É Ã º e . Fig. 3(e)ü < (f) H InSb-like > $ í © , Ê ê _
RHEED ½ ¨ ¸ Ð" f Fig. 3(e) H InAs ³ ð ` ¦ ? / H (2 × 1) ½ ¨ ¸s ¦ Fig. 3(f) H InSb ³ ð ` ¦ ? / H (1
× 3) ½ ¨ ¸s . " f Sb f ¨ Ã Ì Ê ê InAs ³ ð \ InSb 8 £ x s
+ þ A$ í ÷ &% 3 H כ ` ¦ · ú Ã º e . s כ É r InAs G V , 0 A A
á
¤ > $ í © r Sb f ¨ Ã Ìë ß Ü ¼ Ð ¸ InAs ³ ð \ InSb-like
>
` ¦ + þ A$ í r ~ ´ Ã º e H כ ` ¦ _ p 9 : r ½ ¨\ " f
H InAs G V , © 8 £ x  Ò_ InSb-like > + þ A$ í r In f ¨ à Ìr ç
ß õ Sb f ¨ Ã Ì r ç ß ` ¦ 0 í x 9 15 í Ð y y ¦& ñ % i .
#
l " f Sb f ¨ Ã Ì 15 í H z ´+ « >` ¦ : x K þ j& h o % i .
Fig. 4 H InAs G V , A _ In f ¨ Ã Ìr ç ß õ Sb f ¨ Ã Ìr ç
ß o\ É r s 1 l x ¸ x 9 0 l x ¸\ ¦ · p Õ ªA á Ô s
. s M : In f ¨ Ã Ìr ç ß õ InAs G V , _ ¿ ºa H y y 1 í ü
< 15 nm Ð : x{ 9 % i . Fig. 4(a)\ " f Ð H ü < ° ú s Sb\ ¦ f ¨ Ã Ì t · ú § É r â Ä º s 1 l x ¸ 8,067 cm
2/V·s
Ð © ± ú ¤Ü ¼ 9 0 l x ¸ H 5.78 × 10
12cm
−2 Ð © Z }
¤ . s כ É r > \ InSb 8 £ x s ç H{ 9 > + þ A$ í ÷ &t 3 l w
¦ AlAs < Ê É r AlSbAs8 £ x 1 p x s + þ A$ í ÷ &# Q + þ Aõ U · É r
< Ê` ¦ + þ A$ í , _ 0 l x ¸\ ¦ Z } s ¦ s 1 l x ¸\ ¦ ± ú Æ Ò H כ ¹ Ü
¼ Ð # . t ë ß Sb\ ¦ 15 í s © f ¨ Ã Ì H â Ä º
s 1 l x ¸ü < 0 l x ¸ ° ú כ É r y y 12,000 ∼ 13,000 cm
2V·s ü
< 1.0 × 10
12∼ 2.0 × 10
12cm
−2s _ ° ú כ` ¦ & Ü ¼ 9 f
¨ à Ìr ç ß s 45 í s © Ü ¼ Ð U ´# Q4 R ¸ s 1 l x ¸ü < 0 l x
¸ H 8 s © t · ú § ¦ Ä »t ÷ & H â ¾ Ó` ¦ Ð% i . s
כ
É r Sb 1 monolayer (ML) f ¨ Ã Ì ) a Ê ê\ H l ó ø ͳ ð _
Fig. 4. Electron mobility and sheet carrier concentration at 300 K in dependence of the bottom (a) Sb and (b) In soaking time.
\ P
\ -t \ _ K ~ 1 > ì r K ÷ & H Sb-Sb ½ + Ës ³ ð \ + þ A
$ í
÷ &# Q 8 s © f ¨ à Ì÷ &t · ú §l M :ë H Ü ¼ Ð # .
"
f Sb f ¨ à Ìr ç ß ` ¦ Z þ t # ¸ s 1 l x ¸ü < 0 l x ¸ Ä »t ÷ &
H â ¾ Ó` ¦ Ðs > ) a . Fig 4(b) H A A á ¤ > \ " f Sb f
¨ Ã Ì Ê ê In f ¨ à Ìr ç ß \ É r s 1 l x ¸ü < 0 l x ¸\ ¦
· p Õ ªA á Ôs . s M : A A á ¤ > _ t
Sb É r 30 í Ð ½ ©
o % i ¦ InAs G V , _ ¿ ºa % i r 15 nm Ð : x{ 9 % i .
Fig. 4(b) \ " f 1 p w s In f ¨ Ã Ìr ç ß s 3 í â Ä º\
s 1 l x ¸ 18,000 cm
2/V·s Ð þ j@ /° ú כ` ¦ Ðs
7 í\ H s 1 l x ¸ r ± ú . _ 0 l x ¸ % i r In f ¨ Ã Ìr ç ß s 3 í { 9 M : 1.2 × 10
12cm
−2 Ð © ± ú É r
° ú
כ` ¦ Ð% i .
Fig. 5 H In f ¨ Ã Ìr ç ß \ É r > _ : £ ¤$ í ` ¦ TEM Ü ¼
Ð 8 £ ¤& ñ ô Ç é ß s . õ \ 1 p w s In f ¨ Ã Ìr ç
ß s 3 í â Ä º > s © L : F M > + þ A$ í ÷ &% 3 Ü ¼ 9 f ¨
Ã
Ì r ç ß s U ´# Q| 9 Ã º2 ¤ & h & h > s } 9 # Qt H ^ ¦ Ã º e
. s ü < ° ú É r s Ä » H In f ¨ Ã Ìr ç ß s U ´# Q| 9 Ã º2 ¤ F K5 Å q$ í _
In " é ¶ [ þ t s Ó ü æ u > ÷ &# Q > : £ ¤$ í s t l M :ë H s
9 TEM õ \ ¦ : x K " f s \ ¦ S X ½ + É Ã º e .
Fig. 6(a) H InAs G V , ¿ ºa oü < A A á ¤ > _ In f
¨ à Ìr ç ß \ É r _ s 1 l x ¸ü < 0 l x ¸\ ¦ · p Õ ªA
Fig. 5. Cross-sectional TEM images of InAs/AlSb quan- tum well in dependence of the bottom In soaking time.
Sb soaking times are 30 sec. In soaking times are (a) 1 sec, (b) 3 sec, (c) 5 sec, and (d) 7 sec.
á
Ôs . InAs G V , _ ¿ ºa 15 nm\ " f 30 nm Ð ¿ º 0
>f \ _ s 1 l x ¸ Z } & Ü ¼ 9 In f ¨ Ã Ìr ç ß
\
É r o H InAs _ ¿ ºa ü < © ' a \ O s Ä » ô Ç â ¾ Ó
`
¦ Ð% i . s כ É r InAs G V , _ ¿ ºa ¿ º 0 >f \
> \ " f µ 1 ÏÒ q t÷ & H î r ì ø Í _ í ß ê ø Í % ò ¾ Ós × ¦ # Q[ þ t l M
:ë H s . Fig. 6(a)\ Í Ç x1 p w s InAs G V , _ ¿ ºa
30 s ¦ In f ¨ Ã Ìr ç ß s 3 í{ 9 M : s 1 l x ¸ 20,700 cm
2/V·s Ü ¼ Ð þ j@ /° ú כ` ¦ ? /% 3 .
Fig. 6(b)-(c) H 0 A, A > 7 á x À Ó\ É r : r ¸ _ > r
$ í
(10 k ∼ 300 k) Hall ´ òõ 8 £ ¤& ñ õ s . Fig. 6(b)- (c) \ " f É rÒ o " é ¶ s z ´ Ü ¼ Ð ) a Õ ªA á Ô H · ú ¡" f
s 1 l x ¸ þ j@ / Ð 8 £ ¤& ñ ) a r « Ñ_ : r ¸_ > r$ í 8 £ ¤& ñ
õ s . Fig. 6(b)\ " f Ð H ü < ° ú s 8 £ ¤& ñ : r ¸
± ú
f \ s 1 l x ¸ Z } 4 R 10 k \ " f 65,860 cm
2/V·s t 7 £ x % i . 8 £ ¤& ñ : r ¸ ± ú f \
s 1 l x ¸ 7 £ x H כ É r Å Ò> h s : r \ _ ô Ç î r ì ø Í _ í
ß ê ø Ís \ O H כ ` ¦ _ p 9 " f InAs/AlSb ª Ä º Ó
ü
t \ " f InSb-like > s ¸ ú + þ A$ í ÷ &% 3 H כ ` ¦ _ p ô Ç
. G. Tuttle et al [3]\ _ K Ð ¦ ) a õ H 10 k \ " f 121,000 cm
2/V·s _ Z } É r ° ú כ` ¦ Ð% i H X < : r ½ ¨\ " f H InAs ü < AlSb_ ¿ ºa þ j& h o÷ &t · ú § ± ú É r ° ú כ` ¦ Ð
כ
Ü ¼ Ð ó ø Íé ß ) a . Fig. 6(b)-(c)\ " f ¸ É r ) a " é ¶ õ rÒ o
"
é
¶ Ü ¼ Ð · p Õ ªA á Ô H G. Tuttle et al. \ " f Ð ¦ ) a
«
Ñ Ð" f y y A A á ¤ > \ AlAs-like > s + þ A$ í ) a â Ä
ºü < 0 A, A A á ¤ ¸¿ º AlAs-like > s + þ A$ í ) a â Ä º_ : r
¸_ > r$ í f . Ë 8 £ ¤& ñ õ s 9 8 £ ¤& ñ : r ¸ ± ú f \ ¸
s 1 l x ¸_ o _ \ O H כ ` ¦ ^ ¦ Ã º e . ¢ ¸ô Ç
Fig. 6. (a) Electron mobility and sheet carrier concentra- tion at 300 K in dependence of the InAs channel thick- ness. Comparison of (b) mobility and (c) sheet carrier concentration for quantum wells utilizing the three com- binations of InSb-like and AlAs-like interface.
Fig. 6(c) \ " f ^ ¦ Ã º e 1 p w s _ 0 l x ¸ % i r 0 A, A A
á
¤ > \ InSb-like > s + þ A$ í ÷ &% 3 ` ¦ M :\ H © : r \
"
f_ 0 l x ¸ 1.7 × 10
12cm
−2Ü ¼ Ð AlAs-like > s
+ þ A$ í ÷ &% 3 ` ¦ M : Ð ± ú Ü ¼ 9 8 £ ¤& ñ : r ¸ ± ú f \
+ þ A& h Ü ¼ Ð 0 l x ¸ ± ú . t ë ß AlAs-like > s
+ þ A$ í ) a â Ä º\ H 100 k ü < 250 k \ " f Å Ò> h_ 1 l x
(freeze-out) & ³ © s H כ ` ¦ ^ ¦ Ã º e Ü ¼ 9 s H AlAs-like > s Å Ò> h\ ¦ + þ A$ í # î r ì ø Í í ß ê ø Í_ " é ¶ s
) a H כ ` ¦ _ p ô Ç .
IV. + s Ç Â ] Ø
MBE Z O Ü ¼ Ð GaAs l ó ø Í 0 A\ InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t
`
¦ $ í © r & InAs> $ í © ¸| \ É r : £ ¤$ í ` ¦ TEM õ
Hall ´ òõ 8 £ ¤& ñ Ü ¼ Ð ¸ % i .
InAs/AlSb ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸_ > \ " f Sbü < In_ f ¨ Ã Ì r
ç ß ` ¦ or & InSb-like > ` ¦ + þ A$ í % i . InAs G V ,
_ 0 AA á ¤ > \ " f H Sb f ¨ Ã Ìë ß Ü ¼ Ð ¸ InSb-like > s + þ
A$ í ÷ &% 3 . A A á ¤ > \ " f H Sb f ¨ Ã Ì_ â Ä º\ 15 í s
© f ¨ à Ì÷ & 8 s © > : £ ¤$ í s o t · ú § ¤ .
t ë ß In f ¨ Ã Ì r ç ß o\ î r ì ø Í _ s 1 l x ¸ü <
>
: £ ¤$ í s / å L > o % i Ü ¼ 9 InAs Ä ºÓ ü t _ ¿ ºa
\
¦ 15 nm \ " f 30 nm Ð 7 £ x r ( ` ¦ M : © : r \ " f 20,700 cm
2/V·s _ s 1 l x ¸\ ¦ % 3 % 3 ` ¦ Ã º e % 3 . ¢ ¸ô Ç : r ¸ _
> r$ í Hall´ òõ 8 £ ¤& ñ ` ¦ : x # > \ InSb-like > s + þ
A$ í ÷ &# Q s : r o Å Ò> h\ _ ô Ç í ß ê ø Ís µ 1 ÏÒ q t t · ú § H
H כ ` ¦ S X % i .
P
c p 8 ý ò k >
: r ½ ¨ H ô Dz D G < ÆÕ ü t F é ß ¸õ ] j (KRF-2004-041- D00433) ü < õ < ÆF é ß : £ ¤& ñ l í (R01-2006-000-10874- 0) t " é ¶ \ _ K ' ÷ &% 3 6 £ §.
Y
c p w à U Ø ô
[1] A. Nakagawa, H. Kroemer and J. H. English, Appl.
Phys. Lett. 54, 1893 (1989).
[2] L. F. Luo, R. Beresford, W. I. Wang and H.
Munekata, Appl. Phys. Lett. 55, 789 (1989).
[3] J. Werking, G. Tuttle, C.Nguyen, E. L. Hu and H.
Kroemer, Appl. Phys. Lett. 57, 905 (1990).
[4] K. Yoh, T. Moriuchi and M. Inoue, Jpn. J. Appl.
Phys. Part 2 29, L2455 (1990).
[5] J. B. Boss, W. Kruppa, B. V. Shanabrook, D. Park, J. L. Davis and H. B. Dietrich, Electron. Lett. 29, 1888 (1993).
[6] C. R. Bolignesi, E. J. Canine and H. Kroemer, IEEE Electron Device Lett. 15, 16 (1994).
[7] G. Tuttle and H. Kroemer, IEEE Trans. Electron Device ED-34, 2358 (1987).
[8] G. Tuttle, H. Kroemer and J. H. English, J. Appl.
Phys. 67, 3032 (1990).
[9] J. Shen, H. Goronkin, J. D. Dow and S. Y. Ren. J.
Appl. Phys. 77, 1576 (1995).
[10] Takeshi Miura, Takanori Nakai and Koichi Yam-
aguchi, Appl. Surf. Sci. 237, 242 (2004).
Electrical Properties of the InSb-like Interface in an AlSb/InAs/AlSb Quantum Well
Y. K. Noh and M. D. Kim
∗Department of Physics, Chungnam National University, Daejeon 305-764
J. E. Oh
Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University, Ansan 426-791
Y. H. Kim
Korea Research Institute of Standards And Science, Daejeon 305-340
S. G. Kim
Department of Information and Communications, Joongbu University, Gumsan-gun 132-940
H. S. Im
Department of Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 100-715 (Received 28 March 2007)
We researched the electrical and the structural properties of the InSb-like top and bottom in- terfaces of an InAs layer in an AlSb/InAs/AlSb quantum-well structure grown on a GaAs (001) substrate by using molecular beam epitaxy. We investigated these properties by using reflection high-energy electron diffraction, transmission election microscopy, and Hall effect measurements.
We obtained an electron mobility of 20,700 cm
2/V·s at room temperature by using a combina- tion of a 30-nm InAs well and InSb-like top and bottom interfaces. In addition, according to the measurement of the temperature dependence, the InAs well interface formed an InSb-like layer.
PACS numbers: 73.61.Ey, 73.63.Hs, 81.15.Hi
Keywords: InAs, AlSb, Interface, TEM, Hall effect, Mobility
∗
