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[신기술 소개] 발광 상태의 유기 EL 소자 내부의 상태를 계측ㆍ평가 - 동작 중인 봉인된 유기 EL 소자 내의 분자를 최초로 평가 -

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KIC News, Volume 15, No. 5, 2012

KIC News, Volume 15, No. 5, 2012 31

Figure 1. 다층 유기EL 소자 구성의 개략도와 SFG분 광법의 광입출사(光入出射) 방향.

발광 상태의 유기 EL 소자 내부의 상태를 계측 ․ 평가

- 동작 중인 봉인된 유기 EL 소자 내의 분자를 최초로 평가 -

유기 EL 소자를 발광시키면서 소자 내부의 특정 유기층 계면 정보를 선택적으로 비파괴 측정 첨단 계측 기술인 레이저분광 측정법과 유기 EL 소자의 제작·평가 기술을 융합

유기 EL 디바이스의 특성 향상 및 열화 해석을 위한 비파괴 분석에도 응용

일본 산업기술종합연구소(AIST) 나노시스템 계측그룹 미야마에 타카유키(宮前孝行) 주임연구원, 플렉시 블일렉트로닉스 연구센터 인쇄일렉트로닉스 디바이스팀 타카다 노리유키(高田德幸) 연구팀장은 차세대 화 학재료평가기술 연구조합(CEREBA)과 공동으로 발광 중인 다층적층 유기 EL 소자 내부의 유기층 계면에 있는 특정 분자의 행동을 선택적으로 측정하는 방법을 개발, 소자 내 전하의 행동을 분자 수준에서 계측하 는 데 최초로 성공했다.

 이는 최첨단 레이저분광 계측법을 이용하여 유기 EL 소자 내에 있는 특정 유기층 계면의 분자진동 스펙 트럼(spectrum)을 계측하도록 개량한 것이다. 또한 유기 EL 측정에서는 전장(電場)이 집중되는 계면에서의 신호를 증강시키는 현상을 이용하여, 소자를 파괴하지 않으면서 발광 상태의 다층적층된 유기 EL 소자 내 부의 유기층 분자의 상태를 평가할 수 있다. AIST의 첨

단 계측 기술기반과 CEREBA의 실제적인 유기 EL 소 자 제작·평가 기술의 융합을 통해 이루어낸, 세계 최 초의 성과다.

 이번 연구로 인해 유기 EL 소자의 장수명화에 필요 한 재료의 열화나 소자의 계면열화에 관한 내용을 분자 수준의 정보를 통해 규명될 수 있을 것으로 기대된다.

 본 기술의 상세 내용은 2012년 8월 15일 미국 학술 지 「Applied Physics Letters」 판에 게재되었다(※발표 논문 참고). 또한 2012년 9월 11∼14일 일본 에히메대 학(愛媛大学) 및 마쓰야마대학(松山大學)에서 개최되는 추계 제73회 응용물리학회 학술강연회와 2012년 9월 18∼21일 도쿄대학(東京大學)에서 개최되는 제6회 분 자과학토론회에서도 발표될 예정이다.

※ 발표논문: T. Miyamae, N. Takada, and T. Tsutsui, “Probing buried organic layers in organic light-emitting diodes under operation by electric-field-induced doubly resonant sum-frequency generation spectroscopy”, Applied Physics Letters , published online 15 August 2012

DOI: 10.1063/1.4746273

출 처 : 2012.08.15. AIST(http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120815/pr20120815.html) 작 성 : 소 대 섭(한국과학기술정보연구원)

수치

Figure 1. 다층 유기EL 소자 구성의 개략도와 SFG분 광법의 광입출사(光入出射) 방향. 발광  상태의  유기  EL  소자  내부의  상태를  계측 ․ 평가 -  동작  중인  봉인된  유기  EL  소자  내의  분자를  최초로  평가  -  •  유기 EL 소자를 발광시키면서 소자 내부의 특정 유기층 계면 정보를 선택적으로 비파괴 측정   • 첨단 계측 기술인 레이저분광 측정법과 유기 EL 소자의 제작·평가 기술을 융합  • 유기 EL 디바이

참조

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