5장 OLED
1. OLED의 분류 및 정의
2. OLED의 구조 및 동작 원리
3. 발광재료 및 특성
4. 디스플레이 기술
5. 연구동향 및 과제
6. 결론, 생각해 볼 문제
1.OLED의 분류 및 정의
EL 이란?
ELD(ElectroLuminiscent Displays)- 전계를 인 가하거나 전류를 흘려주었을 때 발광재료가 자 체 발광하는 것
LED(Light Emitting Displays)와 같은 뜻으로 쓰
임
유기물/고분자 EL 이란?
유기물/고분자 ELD는 반도체 성질을 띄는 유기물
또는 공액 고분자를 발광 소재로 하여 이를 두 전
극 사이에 끼워 놓고 전압을 가하면 전류가 발광
소재 내로 흐르면서 유기물 또는 고분자로부터 빛
이 발생되는 원리 (전기발광이라 부른다)를 이용하
는 발광 디스플레이이다.
유기물/ 고분자 EL 디스플레이 특장
1. 발광 소자
2. 고휘도(>10만 cd/m 2 ), 고효율(>10 lm/W)
3. 낮은 구동 전압 ; 직류 구동; 건전지 사용 가능 4. 색상 변화 용이(다색화 가능)
5. 대면적화 용이
6. 구부릴 수 있는 소자 용이
7. 소자 구조 간단 ; 제작 공정 간단 8. 고속 응답성(ms 이하)
9. 타 분야 핵심 기술로 응용 가능
기술적 측면
유기 EL의 구분
발광 재료에 따른 분류
유기 EL과 무기 EL의 장단점 비교
왜 OLED 인가?
solid-state로써 내구성 우수, 빠른 응답속 도
자체발광 – 고휘도, 고효율, 높은 대조비, 광시야각, 후면광(backlight unit)이 불필 요
무기 EL 은 고전압필요, 대면적화와 청색
발광 어려움
1998 1999 2000
Pioneer
5.2” PM-OLED Sanyo-Kodak
5.5” AM-OLED Pioneer, PM
4 Area Color OLED
ETRI
2” PM-OLED
Sony 13” AM-OLED
SDI 15.1” XGA AM-OLED
UDC OLED
Pioneer OLED CDT-Seiko Epson
2” AM-PLED
1999
LG, 8”-Full color
2001
LG, 1.8”
Full color Motolora
Area color
Toshiba 2.8”
Full color
Flexible 유기 EL
유기 EL
TMD 17” AM-PLED
XGA
2002
2.OLED의 구조 및 동작원리
OLED의 기본구조(단층,다층)
Multilayer Device Structure(다층구조)
- +
Electron Injection Electrode(cathode)
Hole Injection Electrode(anode, ITO) Emitting Layer(EML)
Light Substrate
Electron Transporting Layer(ETL)
Hole Transporting Layer(HTL)
OLED의 기본구조
LIGHT
전자 수송층
(ETL) 발광층
(EML) 정공
수송층 (HTL)
양극
(투명전극, ITO 유리, 등)음극
(낮은 일함수 금속, Ca, Al:Li, Mg:Ag,등)
-
전자
정공
+
- +
두께: 100 ~ 200 nm
Exciton
능동유기 EL의 주요기술
그림 5-2에서 능동 유기EL의 주요기술을 도식적으로 표현하고 있다. 유리기 판위에 반도체를 증착하여 TFT를 제작한다. 2.2” 능동유기 EL 패널 제작을 위 해 화소구동용 TFT가 약 1백30만개 필요하며 데이터, 스캔구동, DC/DC 변환 기등에 30만개정도의 TFT가 소요된다. Red, Green, Blue가 각각 독립 증착되 며 증착된 유기 EL의 오염 및 습도 방지를 위해 봉지기술이 필요하다.
OLED의 발광원리
Cathode-electron injection
Anode-hole injection
EML(발광층 or host)에서의 전자-정공의
재결합과정을 거쳐 광이 생성
+ V
f-
I
fhn
+ V
r- I
rI
f>> I
rV
Band diagram under bias
+ -
Impact Excitation
Acceleration
EL Luminescence Center
Electron-hole Recombination
EL
Electron moves into p-region
Electron injection
Intrinsic or High-field EL
(Phosphor, Org. Crystal) Injection EL
p n
Semiconductor p-n junction Organic / Polymeric LED
Electron-hole Recombination
EL
Hole injection
Schematic representation of various EL mechanisms
Schematic Diagram of EL Process
Anode
Coulomb Capture (Non-geminate recombination)
Cathode
Singlet S = 0
Triplet S = 0
Ground State
Electron Injection Hole Injection
Hole Leakeage Current Electron Leakage Current
ISC
T-T Anihil.
Nonrad.
Nonrad.
hn
h+ e-
Exciton Formation
Exciton Decay
Cathode Anode
Electron Hole
Conduction Band (LUMO)
Valence Band (HOMO)
Electron-Hole Capture; Exciton
Singlet Exciton Triplet Exciton
Light Emission Heat Dissipation
Light Output Internal Decay g
j
f
hext he
hF
c hre
제조공정
ITO Patterning : Photo-mask, Photo-lithography Cathode Patterning
1. Simple patterning : Shadow mask 2. High resolution Patterning
1. Cathode separator 형성
2. 발광층 형성
3. Cathode 형성
Prevention of shorts Angular Evaporation
1. ITO Patterning
2. Vertical shadow mask
3. Organic Deposition
4. Oblique Cathode Deposition
제조공정-패키징
현재는 흡습제 사용한 금속캔을 유기ELD 뒷면 부착-무게 부피 문제
등..
보호층 형성방법 연구중 : PE-CVD 등
3.발광재료 및 특성
Aspects in Emissive Material
1. Color tuning 2. Color Purity
3. Quantum Efficiency : Photoluminescence
4. Stability
단분자 ELD
장점-낮은 구동전압과 비교적 큰 휘도
단점-지속적인 발광이나 안정성, 양자 효
율면에서 문제점
Emissive Materials :
Polymers vs Small molecules
1. No essential difference in molecular design concept 2. Emission mechanism is very similar
3. Big difference in processing and durability of devices Polymers : spin-coating, about 5,000 hours
Small molecules : vacuum-deposition, ~10,000 hours
Advantages of Small Molecules:
1. Molecular Design and synthesis of materials are easy : Color tuning and high fluorescence efficiency
2. Fabrication of multiple layer structures are easy : High Quantum efficiency
3. Simplified understanding of phenomena Disadvantages :
1. Insufficient stability of vacuum deposited films
2. Lack of thermal and mechanical durabilities
Functional Molecules Metal Complexes:
배위자 자신이 강한 형광성을 갖는 것(넓은 선폭)
배위자로 부터의 에너지 전이에 의해 금속 이온 자신이 발광하는 것:
(예; Tb, Eu, Dy 등 ) ; 선폭이 좁음 (단색성 우수)
N
N N
O O O
Al
N N O O
N O N
O Zn
N
N O
O Be
Lumophore molecules:
CH CH
N O
N
O N N
N N
Organic ELD
Eg; p-p* gap
+ + +
- - -
+
+ +
+ + +
+ +
+ - - -
+
- -
+ +
+
-
- +
- -
+ + +
LUMO
HOMO
High p-electron density at para-position
Poly(p-phenylene)
Energy Band Structure
Band Gap Eg
Benzene
sp2 (s) + pz (p) bonding
p-orbitals
HOMO-LUMO gap of organic molecules
E g N 1
발광재료에 요구되는 특성
유기물 발광층으로 요구되는 특성
고체 상태에서 양자 효율이 클 것
전자 또는 정공 이동도가 클 것
진공 증착이 가능할 것
균일한 박막이 형성 될 것
막 구성이 안정할 것
적당한 HOMO, LUMO 준위를 가질 것
Doping in OLEDs
• Color tuning
eg. Red emission from DCJTB or DCM2 doped Alq3
• Enhance lumious efficiency
Doping either fluorescent or phosphorescent dyes
• Improve the device stability – longer lifetime,
– less voltage increase during operation
eg. Alq3-based OLEDs doped with rubrene, quinacridone derivatives, etc.
• Energy transfer to dopant
• Direct charge carrier Trapping at dopant
0.15
0.10
0.05
0.00
Li ght (ar b. units)
800 700
600 500
Wavelength (nm)
310 K 290 K 250 K 200 K 150 K 100 K 50 K 17 K undoped
OLEDs doped with DCM
H
3C o
N CH
3CH
3NC CN
N O
N N O
O Al
Alq3 DCM
Dopants :
N
N O
O
i) Exciton formation in host -> energy transfer -> dopants excitation -> light emission ii) Recombination in Dopant itself
O NC CN
H3C
N(CH3)2
O
N CN
NC
H3C
Roles of Dopants 1. Color Tuning
2. Higher Quantum efficiency
3. High Durability
N
O NC CN
N
2
TDK
DPVBi Idemitsu
Alq3
Red shift modifided
Gaq3
Perylene
distyrylbiphenyl Idmitsu
Pioneer quinacridone
DPT
rubrene
BTX
ABTX
DCJTB Kodak Kodak
Kodak
B G Y Or R
Host
Dopant
N S
O H O
S
O OCH3 N
H
HN O
O N
O N N O
O Al CH3
H3C
CH3
L
(Rj)m
(Ri)n
2
Alq-family
N O
N ON N
O Al N
O N ON N O Ga
Mitsubishi
Mitsubishi Mitsubishi
Mitsubishi
대표적인 host/dopant 발광계
Effect of Dopants on the EL Spectrum
Solid State Solvation Effect
host
Bulovic et al., Chem. Phys. Lett. 287, 455 (1998); 308, 317 (1999). ´
Host – Dopant Interaction
Blue OLED I-V Curve
Energy transfer
1. Intermolecular energy transfer 1. Forster energy transfer
2. Dexter energy transfer
2. Intramolecular energy transfer
Forster
~ 100 angstrom
Dexter
< 10 angstrom
Donor Acceptor
Dopant 조건 :
1. 높은 발광 효율
2. Host 물질 보다 밴드 갭이 낮을 것
3. Host 물질과 exciplex를 형성하지 말 것 4. 여기-발광 사이클 동안 안정할 것
5. Host 물질에 분산이 잘 될 것
Advantages of Polymers:
1. Stability and durability are much improved
2. Good Processibility using solution or melt processes 3. Possibility of molecular design
Disadvantages :
1. Fabrication of multilayer structures is difficult 2. Removal of impurity is difficult
3. Less flexible in molecular design and difficulty in synthesis
Trans-Polyacetylene
sp2
s p
Pz
C C C C C C
sp
2: mixing of one s and two p orbitals
120
oC : One S
Three P orbitals
Pz
C
C C C
C H
H H H
H H
H
H 3
C
H C H
H H
H H H
H H
H
H
H
C C C C C
15
H H
C C
n->
HOMO LUMO
Eg; p-p* gap
?
HOMO : Highest Occupied Molecular Orbitals <-> Valence band
LUMO : Lowest Occupied Molecular Orbitals <-> Conduction band
Analogous to Tight binding model :
n
R
R n
n
n
n
OR
RO
S n
S n
R
S n
NH n
N
H n
p-p* Energy Gap of Some Common Conjugated Polymers
trans-Polyacetylene 1.5 eV
Polydiacetylene 1.7
Poly(p-phenylene) 3.0
PPV 2.5
RO - PPV 2.2
Polythipophene 2.0
Poly(3-alkylthiophene) 2.0
PTV 1.8
Polypyrrole 3.1
Polyaniline 3.2
Positive polaron
Negative polaron
Positive polaron
Negative
polaron
Carrier Transport
Hopping Transport
Microscopic Anisotropy : Intrachain transport is faster than interchain transport and Conformational disorders or defects interrupt the 1-D transport
Interchain Hopping Low Mobility : m~ 10-4- 10-8cm2/Vs for holes
due to poor wavefunction overlap (larger hopping distance), increased disorder and trapping
much lower m for electrons(at least two order of magnitude smaller) trapping at defect sites due to impurities such as O2
HOMO 음극
e
hn 전자
주입
음성 폴라론
발광 분자
양성 폴라론
전자- 포논 커플링
LUMO
양극
h 정공 주입 폴라론
재결합- 여기자 빌광소멸
전자- 포논 커플링
1 2 3 4 5 4 3 2 1
전기 발광 기구
Electroluminescence ; Non-geminate recombination
재료 측면 :
- 치환기
- Electronic properties
ex) MEH-PPV : red shift : incorporation of unused electron pairs to enhance the p-electron conjugation - Steric effects
- Backbone 구조
- Ring structure - Segmentation
- Torsional twist due to side group ex) Polythiophene derivatives
색상 튜닝 전략
N O
Al
N O N
O
N O
Al
2 4 5
7
N
N O
Al
N N O
N N
O
N
N O
Al
N N
O
N N
O
515 nm
440 nm 580 nm
Group 4-Me 5-Me 5-F
285-Cl
225-CN 7-nPr
DlmaxPL-10nm 31nm 15nm 10nm -3nm 35nm
HOMO LUMO
Effects of substituents
n
OMe
n
O
O n
OC6H13
OC6H13
OC6H13
OC6H13
CN
CN
n
520 nm ; Green 550 nm ; Yellow
590 nm ; Orange 620 nm ; Red
n
520 nm ; Green
S
n650 nm ; Red
S
CH2CH2OCONHCH2COOC4H9
n
590 nm ; Orange
S n
650 nm ; Red
Effects of torsion of backbone
O O Si
Si n
470 nm ; Blue-green n
520 nm ; Green
Effects of segmentation
300 400 500 600 700 0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
Abs.
PL EL
Intensity (Normalized)
Wavelength (nm) Spectra of conjugated polymer
O O Si
Si n
400 500 600 700 800 0
5000 10000 15000 20000 25000
PPV
EL Intensity
Wavelength (nm)
Color Purity
Definition of color purity
White light generation
EL Intensity(a.u.)
400 500 600 700
A B C
Wavelength (nm)
ITO/PVK(30wt% PBD; 3mol% TPB; 0.04mol% coumarin6;0.02mol% DCM1;0.015mol% Nile Red)/Mg:Ag
A: 10mA/cm2 B: 20mA/cm2 C: 200mA/cm2
1. 재료
- 형광 수율이 높은 것 ; - 평면성이 좋을 것
- 사슬간 상호작용이 적을 것 - 여기자 속박이 잘 될 것
- 3중항 여기자 생성확률이 낮거나, 일중항 여기자로 에너지 전이가 잘 될 것
PL efficiency
: Q = h X q
h
= efficiency of singlet exciton formation q = t/t
r; ratio of radiative decay
t-1
= t
-1r+ t
-1nrEfficient PL : Necessary but not sufficient condition for EL - PL studies provides good insight
- Needs photophysics and photochemistry study
m-x
OMe
OMe
n-y
OMe
x
y OMe
OMe
OMe
효과적인 Exciton Confinement 를 위한 구조
1. Copolymer
2. Long side chain
Si Si
3. Disorder in chain
- cis, trans-alkene unit
- kink in backbone
Non-radiative channel;
- intersystem crossing
- exciton-exciton collisional annihilation - migration to quenching site
- deep levels - excimers - exciplexes
- chemical defects such as C=O group - contaminants
400 450 500 550 600 650 0.1
1 10 100
Q u a n tu m E ff ic ie n c y ( lm /W )
W avelength (nm )
FL
Halogen/R LED Bulb
B LED LCD PDP
Pioneer
Quinacridone CDT Polymer
Idemitsu DPVBi
Mitsubishi Rubrene
Kodak DCM
Q.E. Limit(5%, 5V)
Full Color Requirement
Electronic Processes in Molecules
N Ir
3
N N
N N
CH3 CH3
Ir(ppy)3
CBP
BCP
2.6eV 2.7eV
3.7eV 3.2eV
5.7eV 4.7eV
6.3eV
6.7eV
6.0eV Alq3
BCP Ir(ppy)3 /CBP a-NPD
Singlet -> ground state in Ir(ppy)3
Triplet of CBP -> Dexter energy transfer to triplet of Ir(ppy)3-> ground state Singlet -> intersystem crossing to triplet in Ir(ppy)3-> ground state
7.5 % external quantum efficiency , 19 lm/W @ 100 cd/m2 ITO
MgAg
Ligand Effects on Emission energy
Hybrid Organic/Quantum Dot LED
Organic LED의 발전 추세
[J. R. Sheats et al., Science 273, 884 (1996)의 자료에 최근 발전을 추가함.]
고분자 유기 EL 물질의 분류표
소재 관련 기술
유기 LED의 주요 기판 소재인 유리와 플라스틱의 특징 비교
발광 효율
금 속 일함수 ( eV ) 양자 효율 (%) Ca
In Ag
Al Cu Au
2.87~3.00 4.12~4.20 4.26~4.74 4.06~4.41 4.65~4.70 5.1~5.47
4Χ10-3 1.6Χ10-4 1.8Χ10-4 8Χ10-6 8Χ10-6 5Χ10-7 MEH-PPV로 된 발광층 단층 소자에서의
음극 금속의 일함수에 따른 양자 효율의 변화
전하 수송층을 포함한 소자의 구조
4.디스플레이 기술
(1) 색상도 향상 기술
유기물 및 고분자의 EL 발광 - 스펙트럼의 영역의 반촉 치 매우 넓음
넓은 스펙트럼 - 선명한 색을 내지 못함
색상도 - 삼원색 각각의 색순도(color purity)가 좋아 야 함 (발광 빛의 단색성)
단색성 - 발광 스펙트럼의 폭이 매우 좁아야함
희토류 금속을 포함 유기물
dopant로 사용하여 적색의 색순도를 높임
Eu을 포함하는
유기물의 화학 구조 EL 발광 스펙트럼
마이크로 공진기
유전체 다층막 반사경-투명 전극과 기판에 도입
EL 발광 소자와 구조는 같음 (다음 슬라이드 그림 참고)
색순도를 높이기 위한 발광 색의 단색성을 높임
방향성을 가짐(그림)
발진 공진 구조를 이용할 경우 색순도가 좋아짐
공진 길이를 조절 - 발광 파장을 조절할 수 있어
색상 조절도 가능
마이크로 공진기의
발광 빛의 방향성과 EL spectra
(2) 화소제작 기술
유기물 및 고분자 발광 소자를 이용
컬러 디스플레이를 실현하는 방법
Side – by – side
CCM
Color filter
Microcavity
B G R
Blue EL +
Color Changing Material Blue,Green, Red EL
Emitting Layer
Color Technology
Company Pioneer, NEC 장점
과제
높은 발광 효율 고해상도
고효율 R, B 발광재료
White EL +
C/F for LCD
B G R
LCD용 Color Filter 사용가능
백색 EL 효율 향상
B G R
Idemitsu Kosan 유기층 패턴 불필요
높은 변환효율 TDK
Full-Color 방법
ITO Patterning : Photo-mask, Photo-lithography Cathode Patterning
1. Simple patterning : Shadow mask 2. High resolution Patterning
1. Cathode separator 형성
2. 발광층 형성
3. Cathode 형성
Prevention of shorts Angular Evaporation
1. ITO Patterning
2. Vertical shadow mask
3. Organic Deposition
4. Oblique Cathode Deposition
Organics : Vacuum deposition
Thin Film Formation
Mask stock chamber
Mask change/
alignment chamber Loading chamber
EV1 EV2
EV3 Unload chamber 1. In-line Type
- Easy to install more chamber - Easy maintenance
2. Cluster Type
- Easy back and forth process - Parallel process
ITO Stripes
Glass Substrate Cathode
Separator
Cathode Stripes
Organic layer
Pixel Patterning Process
Fine Metal Shadow Mask
Substrate
Source
Vacuum Deposition
Pioneer
Spin Coating
Doctor Blade
Ink Jet Printing
Dipping
Polymers
Ink-Jet Multicolor Polymer Display Patterning
Cathode
Red(Rhodamin101/PPV)
Green(PPV)
Blue(Poly(dioctylfluorene)
PEDT/PSS
마이크로 가공 관련 기술
side – by -side
R, G , B 소자를 나란히 배열
공정에 어려움
Organic EL display demonstrated
by Pioneer (1998)
CCM
청색 발광된 빛을 색 변환층 이용 화소 형성
고휘도 청색 발광소자 이용-발광된 빛을 광 발광 효율이
우수한 R,G,B의 색변환층 이용
Kosan CCM display
color filter
백색광을 방출하는 전계발광 소자를 컬러
필터를 이용하여 화소 형성
Microcavity
백색광 발광 소자로부터 나온 빛을 미세공진 구조를 이 용하여 화소 형성
컬러 필터 대신 공진 구조사용
유기 EL 소자의 풀칼라 구현방식
(3) 디스플레이 구동방법
메트릭스 구동 요구
Passive Matrix
Active Matrix
Passive Matrix Active Matrix 차이
Passive Matrix-가로,세로 전극이 교차
Active Matrix-TFT가 화소마다 위치
(스위치 역할)
Device Structures - AMOLED
Al
Wiring
Light
Metal Cathode
Transparent Anode
Metal Anode Translucent
Cathode
Transparent Plate
Light
Emissive Layer
Buffer Layer
Emissive Layer
(a) Bottom emission (b) Top emission
Driving the pixels
active matrix
능동 구동 소자와 수동 구동 소자의 비교
전압모드 프로그래밍 방식은 데이터를 쓰는 동안 화소의 저장 커패시터에 균일한 전압을 유지하도록 하는 방식인 반면, 전류 모드 프로그래밍 방식은 전류를 데이터로 하여 그에 해당하는 전압치를 저장 커패시터에 인가함으로 써 TFT의 특성에 상관없이 일정한 전류를 유기 EL 소자에 흐르게 한다.
유기 발광 디스플레이의 구동 원리
수동 구동 방식(a)과 능동 구동 방식(b)의 회로도
구동 원리를 살펴보면 선택 신호에 따라 실렉트 전극에 신호를 인가하 면 SW_TFT가 열리고 데이터 전극 에 서 인 가 한 데 이 터 신 호 가 SW_TFT를 통과하여 DRV_TFT와 저장 커패시터(Capacitor)에 인가 되며 DRV_TFT가 열리면 전원 공 급 선(라인)인 power line(Vdd)로 부터 전류가 DRV_TFT를 통하여 유기 EL 소자에 인가되어 발광하게 된다. 데이터 신호의 크기에 따라 DRV_TFT의 열리는 정도가 달라져 서 DRV_TFT를 통하여 흐르는 전 류량을 조절하여 계조 표시를 할 수 있게 된다.
채널 길이에 따른 저온 폴리 TFT의 ID-VG 특성
[그림 5-25]는 능동유기 EL 패널 구동을 위한 TFT 특성이다. 폭 2um에 따른 채널 길이 변화의 특성이 다. n/p TFT 특성비를 맞 추기위해 문턱전압과 이 동 도 의 균 형 을 공 정 과 nTFT LDD를 조정하여 최 적화한 특성이다.
능동 구동 소자와 수동 구동 소자의 비교
M1 M2
M3
M4 V1 C2
C1
Power Line Source Line
Gate Line
AZ AZB
OLED GND
Data AZ
AZB Scan
M1 M2
M3
M4 V1 C2
C1
Power Line Source Line
Gate Line
AZ AZB
OLED GND
M1 M2
M3
M4 V1 C2
C1
Power Line Source Line
Gate Line
AZ AZB
OLED GND
Data AZ
AZB Scan Data AZ
AZB Scan
M3 CST
Power Line
Gate Line
OLED GND 1 Dat M1
M2
M4 VEL
1 Dat VEL VSEL
M3 CST
Power Line
Gate Line
OLED GND 1 Dat M1
M2
M4 VEL
M3 CST
Power Line
Gate Line
OLED GND 1 Dat M1
M2
M4 VEL
1 Dat VEL VSEL
전압 모드 프로그래밍 방식과 전류 모드 프로그래밍 방식의 보상회로
구동 TFT를 보상하기 위해 사용되는 여러 가지 예
구동 TFT를 보상하기위해 사용되는 전압 모드
프로그래밍 보상회로 :
(a) 전압 프로그램(IMID '02), (b) 전압 프로그램(SID '03), (c) 전압 프로그램
(Mirror Compensation)(IDW '03), (d) 구동TFT 직접보상(IDW '03)
디지털 구동방식
최근에는(2008년) 유기 EL 디스플레이에서 발생하는 TFT 불균일을 원천적으 로 보상할 수 있는 구동방식의 대안으로 디지털 방식이 연구되고 있다. 2TR 1 캐패시터를 사용하는 [그림 5-24(b)] 디지털 구동방식은 [그림 5-28]에서와 같이 TFT의 on/off 영역을 이용한다. 구동 TFT는 on/off 동작만함으로 TFT의 Subthreshold영역의 변화에 좌우되지않는다. 유기 EL에 전류를 공급하는 구 동 TFT를 완전 OFF 상태와 완전 ON 상태만을 이용하는 디지털 방법으로 이 경우에는 TFT의 특성이 불균일하여도 그에 따른 전류량의 차이가 상대적으로 적어서 불균일성을 해소할 수 있다. 즉, TFT 특성 불균일을 보상할 수 있어 전 압방식의 대안으로 떠오르고 있다. 계조표현방식으로 시분활계조와 면적계조 방식이 있다. 시분할 계조 표시 방식으로 화소가 켜져 있는 시간을 길게 또는 짧게 조절하여 사람의 눈에는 밝기가 다르게 보이도록 하여 계조를 표시하는 방법이다. 면적계조방식은 고개구율이 불가능하다. 즉, 하나의 화소를 여러 개 의 작은 단위 화소로 나누어 발광되는 단위 화소의 개수에 따라 밝기를 조절하 는 면적 분할 방식이다.
디지털 구동 방식 구동영역 유기 EL의 응용 분야
디지털 구동방식
Variation in threshold voltage and I-V slope causes problems
AM 소자와 PM 소자의 비교
PM소자 – 제조방법 간단함
크기,화소수 증가시 RC지연,
화소간 간섭,소비전력 문제점
Passive type Active type
구동법
고휘도 고정세화
소비전력
소형화
소자구조 cost
Duty 구동
(Row line선택시 on)
Static 구동 (anytime on)
Row line 수 증가에 반비례하여 휘도 감소 Row line 수에 한계 (현 240개)
Row line 수에 관계없이 고휘도 실현 가능
Row line 선택시 요구 휘도 X Row line 수의 휘도가 필요
고전압 구동
요구 휘도의 구동 전압에서
항시 발광 저전압 구동
(저소비 전력화)
구동 IC를 외장 구동 IC를 패널 상에 내장
소형화
단순 매트릭스 단순한 공정
저온 poly-Si 복잡한 공정
Power Consumption
Device Efficiency Display Efficiency
• Injection Efficiency
- ITO surface modification - Interface layers
- Low work function metals/alloys
• Balanced Transport
- Selection of HTL and ETL
• Recombination
- Band Offset
• Quantum Efficiency - Quenching - Doping
• Heating Effects
- ITO tracks
- Reverse bias leakage
• Drive Electronics
- Drive waveforms
Power Consumption
0 Time Voltage
Light I
Behaviour of the LED during operation
1. Intrinsic Degradation - Electrodes :
- Cathode :
- Corrosion ; O2, H2O
- Chemical Rxn with Org. Mater.
- Diffusion - Anode :
- ITO ; Oxygen Source;
Degradation of Org. Layers - In ; diffusion ; Quenching sites - Au ; diffsuion ; formation of shorts - Interfaces :
- Interfacial degradation
- Chemical Rxn with Org. Layers Dopant ; PPV/ITO, PPV/Ca Covalent bond ; PPV/Al - Uncontrolled formation of oxide layer - Changes in injection
- Electrochemical reaction
- Delamination of polymer/metal Interfaces - Organic layers :
- Morphological changes - Crystallization - Intermixing
- Morphological changes - Crystallization - Intermixing
- Electrochemical Degradation - Photochemical changes
- Bleaching ; Carbonyl; chain scission - Intrinsic Impurities
- O2, H2O, ionic, ....
2. Extrinsic Degradation
- Moisture and Oxygen
- Substrate Roughness & Particles
- Thickness of Organic Layers - Particles : Substrate/Preparation
; Device Fab.; under Cleanroom - External Heat : Crystallization
- Light : UV, Visible
- Device preparation condition
- Sputtering, evaporation, etc.
Metal - Polymer Interfaces ;
Al : Covalent Bond
PT ; a - linkage carbon PPV ; vinylene carbon interfacial region ; 20 - 30 A Breaking p- conjugation
Interfacial region
Polymer Cathode Anode
Ca : Doping or Oxide Layer
Oxygen-free sample ; Doping by Ca+2 ; Conducting Polymer at Hi-Temp Oxygen-rich sample ; Oxide layer formation
Interface region ; 20 - 30 A
Polymer Cathode
Anode Anode Polymer Cathode
Doped region Oxide region
Oxygen - free Oxygen - rich
0 5000 10000 15000 20000 25000
400 500 600 700
0 m in 15 min 30 min 60 min
EL Intensity
Wavelength(nm)
0 100 200 300 400 500
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
air458 vac458 air514
PL intensity
Time(min)
n
Generation of carbonyl group which is quenching site under light irradiation
Effects of moisture on the LED
1
EL image PL image Optical image
3 4 2
1 5
6 7
8
3 4 2
1 5
6 7
8
3 4 2
1 5
6 7
8
ITO MEH-PPV
Al
488 nm
ITO MEH-PPV
Al
Halogen lamp
ITO MEH-PPV
Al
Microscopic images of EL device
t
0t
30 100 200 300 400 500 600 0
2 4 6 8 10
V o lt ag e (V )
Time (sec) t
1t
2Evolution of Dark Spots
1 2 1 2
(d)
(c) (a)
1
2
(b)
1 2
Origin of Degradation Dark Spots ; Pinhole
Packaging
Encapsulating material for OLED displays
10-year device lifetime
water vapor and oxygen less than 10-6 g/m2/day (at 38°C and 90% RH).
Vitex Systems (Sunnyvale, CA)
Barix is a coating :
alternating layers of polymer
and ceramic thin films
Light Technology Performance
Light Technology Performance
(M. G. Craford et al. in Electroluminescence I edited by G. Mueller, p. 34) Light Technology Average Commercial Efficiency (lm/W)
Incandescent 8 – 22
Halogen 13 - 39
LEDs (Inorganic)
blue 3 – 7
red, yellow, green 20 - 30
white (phosphor-converted blue) 5 - 10
High-pressure mercury 36 - 60
Metal Halide 68 – 95
Fluorescent 41 - 104
High-pressure sodium 46 - 140
low-pressure sodium 100 – 200
Organic EL 40 - 50
유기EL의 응용 분야
AM 유기EL의 기본 화소 구조
선택신호 구간
M2 정도에 따라 전류 량 조절 가능
비선택 신호 구간-커
패시터에 충전된 데이
터가 M2에 지속적으
로 인가,유기소자발광
수동 구동에 비해 낮은 전압
순간적으로 낮은 전류 인가 가능
셀렉트에 관계없이 한 화면시간 동안 구동 가능
저소비전력, 고해상도, 대면적화에 유리
TFT 통해 전류 흘려주는 구조
기존의 비정질 실리콘-캐리어 이동도 낮음
캐리어 이동도 높은 Poly-Si TFT 채용
유기 발광 디스플레이의 연구 동향 및 과제
① 삼성 SDL ② LG 화학 ③ SKC
④ Elia Tec ⑤ NESS Display ⑥ Smart Display
⑦ 현대 Display Tech. ⑧ 네오 디스플레이 ⑨ LG 전자
⑩ 에이스디지텍 ⑪ 삼성정밀유리
주요소재 관련기업
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ⑪
Assembly ■ • ■ • ■ ■
발광 재료 • • ■ •
발광 도핑 재료 • • ■ •
전 자 주 입 / 음 극 전 극 재
료 • • • • •
전자 수송 재료 •
정공 저지 재료 •
정공 주입 재료 • •
봉지 기판
Encapsulation •
흡습제
편광판 •
유리 기판
국내 소재 개발 동향
(자료 : 전자부품 연구원, 유기 EL 부품소재 산업동향, 2002. 12.)
(a) CDT (b) Covion
(c) eMagin의 유기 LED 소자 (d) Philips의 고분자 발광 소재 국내 소재
개발 동향
국외의 연구 개발 동향
국외의 연구 개발 동향
TOLED와 SOLED의 개념도 및 FOLED의 모양
5. 발전 방향
Display Search 예측
기술 수준 및 기술로드맵
구 분 선진국 한국 기술격차
(년)
종 합
선진국 한국 기술격차
원천 기술 보유 90 50 5
80 50 2
신뢰성 검사 기술 85 70 1.5
소재, 부품 자급도 85 50 3
생산 기술 85 80 0.5
인적 자원 85 75 1
자료 : 한국산업은행, 테크노리포트
유기 EL 기술 수준 비교
~2004 2005 2006 2007 2008 2009 ~ 2010
유기 EL
소형급 AM EL 개발 - Pixel 100PPI - 수율 : 50%
- 기판 사이즈 :
중대형급 AM 유기 EL개발 - Pixel 200PPI
- 수율 : 50%
-기판 사이즈 : 730×920
Flexible 유기 EL - Pixel 300PPI - 수율 : 90%
- 기판 사이즈 :
유기 EL 기술로드맵