• 검색 결과가 없습니다.

“ Ó Þ” X ¢ GaN € ¾U c lT c l8 ý ° Ë Ñ] K ¡X ì Ä — ¤V R Ë; c 6 ” X ¢ Ž ì ŏ Œ

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "“ Ó Þ” X ¢ GaN € ¾U c lT c l8 ý ° Ë Ñ] K ¡X ì Ä — ¤V R Ë; c 6 ” X ¢ Ž ì ŏ Œ"

Copied!
5
0
0

로드 중.... (전체 텍스트 보기)

전체 글

(1)

ƒ

»ì Å þ u § כ ŽÃ X Ø ” Ö «P ê s  ‹ ˜ m0 n É(Surface-plasmon enhance Raman spectroscopy) ù p § T

“ Ó Þ” X ¢ GaN € ¾U c lT c l8 ý ° Ë Ñ] K ¡X ì Ä — ¤V R Ë; c 6 ” X ¢ Ž ì ŏ Œ

™ »‡ Ú ø ¶ B · ö ¶ B< ‡ Ú · ¼ ÿ ›( å + Ö < · ò 6 B* 9 # Ñ · ö ¶ B+ ä 0 å 

/ B

N Å Ò@ /† < Ɠ § Ó ü t o † < Æõ , Ø  æ z Œ ™ 314-706

' Ö <* å « »

( Å Ò) THELEDS, 6   x“  r  449-871

(2009¸   9 Z 4 1{ 9  ~ à Î6 £ §, þ j7 á x à º& ñ ‘ : r 2009¸   11 Z 4 6{ 9  ~ à Î6 £ §)

c-   s # Q l ó ø Í 0 A\  $ í  © œô  Ç GaN œ í~ à Ì} Œ •_  F g † < Æ& h  $ í | 9 `  ¦ › ¸  l  0 AK  " f– Ð   É r “ : r • ¸ü < ¿ ºa 

–

Ð $ í  © œô  Ç GaN ~ à Ì} Œ • r « Ñ\  @ /K  ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß – í ß –ê ø ÍZ O `  ¦ r • ¸ % i  . GaN_  Ÿ í 7 H — ¸× ¼“   E

1

(TO) ü < A

1

(LO) — ¸× ¼\  ¦ › ' a8 £ ¤ % i “ ¦, ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß – í ß –ê ø ÍZ O _  þ j& h  o\  ¦ : Ÿ x K  E

1

(TO), A

1

(LO) — ¸× ¼_   ë ß – ’    ñ\  ¦ 10

4

C  s  © œ 7 £ x y © œr ~  ´ à º e ” % 3  . ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –Z O `  ¦ s 6   x

€  , { 9 ì ø Í& h “   8 £ ¤& ñ Z O Ü ¼– Ѝ  H 8 £ ¤& ñ ½ + É Ã º \ O   H GaN œ í~ à Ì} Œ • r « Ñ_  $ í | 9 `  ¦ · ú ˜ è ­ q à º e ” 6 £ §`  ¦ ˜ Ð% i  .

GaN œ í~ à Ì} Œ •_  „    0 l x • ¸  H $ í  © œ“ : r • ¸\          H  כ `  ¦ S X ‰ “   % i  . ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –í ß –ê ø Í Z O

s  ³ ð€     H % ƒ_   ë ß – ’    ñ\  ¦ ‚  × þ ˜& h Ü ¼– Ð 7 £ x r v l  M :ë  He ” `  ¦ · ú ˜ à º e ” % 3 “ ¦, s   H GaN œ íl  $ í  © œ

—

¸× ¼ü < GaN œ í~ à Ì} Œ •_  F g † < Æ& h  : £ ¤$ í `  ¦ › ¸    H X < B Ä º Ä »6   x ô  Ç l Õ ü te ” `  ¦ · ú ˜ à º e ” % 3  .

PACS numbers: 78.20.-e, 78.30.Fs, 78.35.+c, 78.66.-w

Keywords: ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –, GaN œ í~ à Ì} Œ •, e  ¦  Ý ¼ 7 H, E

1

(TO), A

1

(LO)

I. " e  ] Ø

GaN > \ P   o½ + ËÓ ü t ì ø ͕ ¸^ ‰  H ' õ AÒ  o, 0 l qÒ  o x 9 Ñ þ ˜Ò  o µ 1 Ï F g   s

š ¸× ¼(LED)ü < Y Us $   s š ¸× ¼_  > hµ 1 Ï s Ê ê F g„   ™ è



 ì  r  \ " f ‰ & ³F   © œ y Œ • F g`  ¦ ~ à Γ ¦ e ”   H Ó ü t| 9 s  . : £ ¤ y

 t è ß – 10# Œ¸   ç ß – GaN > \ P  LED_  ´ òÖ  ¦“ É r è  H  Òr >  µ

1 τ   % i “ ¦, „   [ j> _  „  § 4 \  -t  ™ èq \  ¦ ß ¼>  ] X €  •½ + É Ã

º e ”   H • 2 ;¨ 8 Š â @ /^ ‰ › ¸" î Ü ¼– Ð  © œ @ /³ ð& h “   Ê ê˜ Ð ™ è 

–

Ð t  $ í  © œ % i  . t ë ß – + À :’  & h “   \  -t  ] X y Œ ™ ´ òõ 

\

 ¦ è ­ q à º e ”   H “ ¦´ òÖ  ¦ _  LED\  ¦ > hµ 1 Ï l  0 AK " f  H  f ” 

•

¸ ´ ú §“ É r ë  H ] j[ þ t s  z Œ ™ e ”  . Õ ª ×  æ $ í  © œ l Õ ü t õ  › ' aº   ) a ë

 H ] j[ þ t“ É r $ í  © œ B j m 7 £ § _  s K \  ¦ : Ÿ x ô  Ç $    † < Ê \ x ½ ¨

›

¸ $ í  © œ, efficiency droop(Ø  ¦§ 4 „  À Ó 7 £ x † < Ê\     ´ ò Ö

 ¦ s  y Œ ™™ è   H ‰ & ³ © œ)_  K   , ? /Â Ò · ú š„   „  l  © œ_  ] j# Q, Á

ºì  rF G GaN < ʓ É r ZnO \ x ~ à Ì} Œ •`  ¦ s 6   x ô  Ç ™ è  > hµ 1 Ï 1 p x s

 . s  ×  æ $    † < Ê_  \ x ½ ¨› ¸ $ í  © œ`  ¦ 0 Aô  Ç $ í  © œ B j  m

7 £ § _  s K \  ¦ 0 AK " f  H $ í  © œ œ íl  Û ¼à ÔY U“  _  ì  r$ 3 s 

×

 æ כ ¹ô  Ç % i ½ + É`  ¦ ô  Ç . l ó ø Íõ  ~ à Ì} Œ • s \   H      © œÃ º, \ P  Ø Ÿ

‚ ½ Ó > à º, ½ ¨› ¸_  s – Ð “   # Œ € 9 ƒ  & h Ü ¼– Ð ~ à Ì} Œ • ? /\ 

E-mail: [email protected]

Û

¼à ÔY U“  s  œ íl  Ò'  µ 1 ϲ ú ˜ >   ) a   [1–4]. : £ ¤ y  GaN > 

\ P

 LED ½ ¨› ¸\ " f   s # Q l ó ø Í 0 A_  œ íl  $ í  © œ r  · û ª“ É r

$

“ : r ! Q( 8 £ x`  ¦ $ í  © œ >  ÷ &  H X <, s  œ íl  $ í  © œ 8 £ x _  Ó ü t

$ í

“ É r Õ ª 0 A\  $ í  © œ÷ &  H B j“   GaN ~ à Ì} Œ •_  : £ ¤$ í \  &  ê ø Í

% ò

† ¾ Ó`  ¦ z • 2 ; . s  Qô  Ç œ íl  $ í  © œ ~ à Ì} Œ • ? / ” > r F    H Û ¼ à

ÔY U“  “ É r ~ à Ì} Œ •_  $ í  © œ 1 l x \  % ò † ¾ Ó`  ¦ º ¡ §“ É r Ó ü t : r, Õ ª  ^ ‰

~ Ã

Ì} Œ •_  F g † < Æ& h  $ í | 9 , „  l & h  $ í | 9 \     o\  ¦ Šғ ¦, þ j7 á x

~ Ã

Ì} Œ •_  ½ ¨› ¸& h  $ í | 9 _    H‘ : r& h  " é ¶ “  s   ) a  .   " f B Ä º

· û

ª“ É r ~ à Ì} Œ •\ " f_  Û ¼à ÔY U“   µ 1 ϲ ú ˜\  @ /ô  Ç & ñ ˜ Ѝ  H “ ¦¾ ¡ §| 9  K

‰_ …– Ð\ x „ à Ìr  ~ à Ì} Œ • $ í  © œ\  e ” # Q B Ä º ×  æ כ ¹ô  Ç   & ñ & h 

“

  & ñ ˜ Ð\  ¦ ] j/ B N † < ʓ É r Ó ü t : r s “ ¦, þ j7 á x Ó ü t$ í _  ] j# Q, > h‚  ,

>

hµ 1 Ï\  \ O # Q" f  H î ß – | ¨ c ×  æ כ ¹ô  Ç & ñ ˜ Ðs  . Õ ª Q  GaN ~ Ã Ì }

Œ

•_    s # Ql ó ø Í © œ_  $ í  © œ\  @ /ô  Ç ƒ  ½ ¨ „   [ j> \ 

"

f t è ß – z  # Œ ¸  ç ß – ”  ' Ÿ ÷ &# Q M ® o6 £ § \ • ¸ Ô  ¦ ½ ¨ “ ¦ s \  @ / ô

 Ç   õ   f ”  t  " î S X ‰ y  µ 1 ß) €t t  · ú §“ ¦ e ” “ ¦, œ í~ à Ì} Œ • _

 Ó ü t$ í \  @ /ô  Ç ƒ  ½ ¨  H  f ” • ¸ p q ô  Ç  © œI s  .

II. T Â ] ØX ì Ä 9 0ß O Ë



ë ß – ì  rF gZ O “ É r { 9   F g _  Ÿ í 7 H \  _ ô  Ç q ò ø Í$ í í ß –ê ø Í`  ¦ 8

£ ¤& ñ   H 8 £ ¤& ñ Z O Ü ¼– Ð, GaN > \ P  ì ø ͕ ¸^ ‰_  \ x 8 £ x _  Û ¼

-467-

(2)

Fig. 1. (a) Ag nanoparticles on the 30nm thick GaN.

(b) SEM image Ag nanoparticles after annealing 16 nm thick Ag layers at 200

C.

à

ÔY U“  õ  „    0 l x • ¸ 1 p x F g † < Æ& h  : £ ¤$ í `  ¦ › ¸    H X < B Ä º F

g# 3 0 A >   6   x ÷ &“ ¦ e ”   [5,6]. t ë ß – GaN_  ¿ ºa 

100 nm ˜ Ð   Œ •Ü ¼€   ’    ñ_  ”  ; Ÿ ¤ s  B Ä º  Œ •l  M :ë  H \  { 9  ì

ø Í& h “    ë ß –Z O Ü ¼– Ѝ  H 8 £ ¤& ñ l  B Ä º # Q§ >  .   É r ô  Ç

¼

# Ü ¼– Ð   s # Q 0 A\  $ í  © œô  Ç GaN œ í~ à Ì} Œ •(< 30 nm)_  :

£ ¤$ í “ É r GaN > \ P  \ x 8 £ x _  „  ì ø Í& h “   ½ ¨› ¸ü < F g † < Æ& h  $ í

| 9

`  ¦   & ñ l  M :ë  H \  B Ä º ×  æ כ ¹  . 7 £ ¤, z  ´] j– Ð ×  æ כ ¹ ô

 Ç œ í~ à Ì} Œ •_  $ í | 9 “ É r š ¸y  9 8 £ ¤& ñ s  Ô  ¦ 0 p x ô  Ç  © œ S ! s  

“

¦  ’ x .   " f ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f  H GaN œ í~ à Ì} Œ •_  F g † < Æ& h  :

£ ¤$ í `  ¦ 8 £ ¤& ñ l  0 Aô  Ç ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ   ë

ß –Z O `  ¦ s 6   x % i  .

F

K s   “ É r õ  ° ú  “ É r ) F K5 Å q(noble metal) { 9  _  ß ¼l 

{ 9

   ) a y n C_   © œ˜ Ð  Ø  æì  r y   Œ •Ü ¼€   r  F g‚   % ò % i _  y n

C`  ¦ B Ä º ´ òõ & h Ü ¼– Ð f  ¨ à º # Œ, e  ¦  Ý ¼ 7 H s  # Œl ÷ &“ ¦, s

 Qô  Ç e  ¦  Ý ¼ 7 H“ É r F K5 Å q  ” ¸ { 9   ³ ð€     H ~ ½ Ó\  B Ä º ² D G

™

è o ÷ &# Q e ”   H ² D G ™ è „   l  © œ`  ¦ Ä »• ¸ô  Ç . s  ² D G ™ è „  



l  © œ“ É r ß ¼>  ¿ º t  $ í | 9 `  ¦ ˜ Ðs   H X <, ' Í P :  H s  ² D G ™ è

„

  l  © œ_  [ jl  B Ä º y © œK " f { 9   F g _  [ jl ˜ Ð  & h 

>

  H à ºÑ þ ˜ C \ " f ´ ú §>   H 10

4

C  s  © œ_  „   l  © œs  Ä »

•

¸  ) a    H & h s “ ¦, Ñ ü t P :  H s  Ä »• ¸  ) a ² D G ™ è „   l  © œs  à º z 

nm & ñ • ¸_  B Ä º a % v“ É r % ò % i \  ² D G ™ è o ÷ &# Q e ”    H & h  s

 . s X O >  Ä »• ¸  ) a ² D G ™ è „   l  © œ ? /\  Ä ºo  8 £ ¤& ñ 

“

¦    H Ó ü t| 9 `  ¦ 0 Au r v €  , Õ ª Ó ü t| 9 _  F g † < Æ& h  $ í | 9 s  F G& h Ü ¼– Ð    oô  Ç  [7–9]. s  Qô  Ç ‰ & ³ © œ`  ¦ ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7

£

x y © œ  ë ß –Z O s   ô  Ç .

‘

: r  7 Hë  H \ " f  H ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –Z O `  ¦ s 6   x 

#

Œ   É r œ íl  $ í  © œ › ¸| , 7 £ ¤ ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa ü < $ í  © œ “ : r • ¸



 É r GaN ~ à Ì} Œ •_  F g † < Æ& h  : £ ¤$ í \  @ /K  ƒ  ½ ¨ % i  .

III. ÷ m Ç] M ö õ m Í À X Ø8 ý

‘

: r z  ´+ « >\ " f   s # Q l ó ø Í0 A_  GaN ~ à Ì} Œ •“ É r  © œ6   x  o  ) a Metal Organic Chemical Vapor Doposition(MOCVD)  © œ q

\  ¦ s 6   x # Œ { 9 ì ø Í& h “   GaN_  $ í  © œ“ : r • ¸˜ Ð  ± ú “ É r 500

Fig. 2. Normal micro-Raman spectra of 30 nm and 300 nm thick GaN layers and a bare sapphire substrate.

C ü < 530

C \ " f 7 £ x ‚ Ã Ì % i Ü ¼ 9, GaN ~ à Ì} Œ •_  ³ ð€  0 A\ 

“ É

r  ” ¸ { 9  \  ¦ ] j Œ • l  0 AK  „   c ”  7 £ x ‚ à ÌZ O Ü ¼– Ð “ É r ~ Ã Ì }

Œ

•`  ¦ · û ª>  7 £ x ‚ à Ìô  Ç Ê ê, \ P % ƒo \  ¦ % i  . $ í  © œ“ : r • ¸ü < ¿ ºa 

   É r GaN ~ à Ì} Œ • 0 A\  7.5 nm, 12 nm, 16 nm_  “ É r ~ à Ì} Œ •

`

 ¦ 7 £ x ‚ Ã Ì “ ¦, 100

C \ " f 30ì  r, 200

C \ " f 20ì  r ç ß – \ P % ƒ o

\  ¦ % i  . Õ ª\     GaN ~ à Ì} Œ • 0 A\  “ É r  ” ¸{ 9  _  Á

º Œ •0 A C \ P s  + þ A$ í ÷ &% 3  . Fig. 1“ É r (a) ] j Œ •ô  Ç r « Ñ_ 

½

¨› ¸, (b)  H r « Ñ ³ ð€   “ É r  ” ¸{ 9  _  scanning electron microscope(SEM)  ”  s  . Fig. 1-(a)\ " f ˜ Ѝ  H  כ % ƒ

! 3

 \ P % ƒo  ´ òõ – Ð “  K  “ É r  ” ¸{ 9   + þ A$ í ÷ &% 3  . Fig.

1-(b)  H 16 nm _  “ É r ~ à Ì} Œ •`  ¦ 200

C \ " f 20ì  r ç ß – \ P % ƒo  ô

 Ç r « Ñ_  SEM  ”  Ü ¼– Ð “ É r  ” ¸ { 9   Á º Œ •0 A– Ð C \ P 

÷

&% 3 6 £ §`  ¦ S X ‰ “   ½ + É Ã º e ”  . s ü < ° ú  s  ] j Œ •ô  Ç r « Ñ\  ¦ ³ ð

€

  e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –Z O  z  ´+ « >`  ¦ s 6   x # Œ GaN ~ à Ì} Œ •_  F

g † < Æ& h  : £ ¤$ í `  ¦ › ¸ K  ˜ Ѐ Œ ¤ .

Figure 2  H “ É r  ” ¸{ 9  \  ¦ + þ A$ í r v l  „  _    s # Q l

ó ø Íõ  30 nm, 300 nm ¿ ºa _  GaN r « Ñ\  ¦  s ß ¼– Ð-  ë

ß –Z O Ü ¼– Ð 8 £ ¤& ñ ô  Ç Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 s  . 300 nm GaN r « Ñ\ " f



 H GaN > \ P  Ÿ í 7 H — ¸× ¼ › ' a8 £ ¤ ÷ &% 3 “ ¦, 30 nm_  GaN r 

«

Ñ\ " f  H › ' a8 £ ¤ ÷ &t  · ú §€ Œ ¤ . { 9 ì ø Í& h Ü ¼– Ð 100 nm s  _  GaN ~ à Ì} Œ •\ ‚    ë ß – ’    ñ\  ¦ 8 £ ¤& ñ   H  כ s   _  Ô  ¦ 0 p x ô

 Ç  כ Ü ¼– Ð · ú ˜ 94 R e ”  . Fig. 2\ " f · ú ˜ à º e ” 1 p w s , ¿ ºa 

 Ø  æì  r y  ¿ º î  r, 300 nm GaN r « Ñ\ " f 560 cm

−1

ü <

738.9 cm

−1

_  ¿ º > h_  x ß ¼ › ' a ¹ 1 Ï÷ &% 3  . s  ¿ º> h_  x  ß

¼  H S X ‰ “  `  ¦ 0 AK  Ê ê} Œ • (6 um) GaN r « Ñ\  ¦ 8 £ ¤& ñ K  ‘ : r

 

õ , GaN > \ P  Ÿ í 7 H — ¸× ¼_  E

1

(TO), A

1

(LO) — ¸× ¼e ” `  ¦ S X

‰ “  ½ + É Ã º e ” % 3   [9–11].   " f s \  ¦ l ì ø ÍÜ ¼– Ð $ í  © œ“ : r

•

¸ü < ¿ ºa \    É r GaN _  F g † < Æ& h  : £ ¤$ í `  ¦ › ¸ K  ˜ Ѐ Œ ¤ .

Figure 3“ É r ¿ ºa  300 nms “ ¦, 530

C \ " f $ í  © œr †  

GaN r « Ñ_  ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –Z O Ü ¼– Ð 8 £ ¤& ñ ô  Ç Û ¼

(3)

Fig. 3. SERS of GaN when the thickness is 300 nm grown at 530

C.

&

7 ˜à Ô! 3 s  . s  Õ ªa Ë >\ " f 300 nm ¿ ºa _  GaN r « э  H e  ¦



Ý ¼ 7 H # Œl \  ¦ 0 AK  þ j& h › ¸| \  ´ ú ð  r “ É r  ” ¸ { 9  \  _  K

 F G& h Ü ¼– Ð 7 £ x y © œ÷ &% 3  . ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –Z O \  _

K  300 nm ¿ ºa _  GaN r « і РÒ'  7 £ x y © œ  ) a  ë ß – ’    

ñ  H “ É r  ” ¸ { 9   \ O   H GaN r « Ñ\  q K  B Ä º y © œ 

>

   z Œ ¤ . ¢ ¸ô  Ç 7 £ x y © œ  ) a  ë ß – ’    ñ  H “ É r 8 £ x _  ¿ ºa \  ¦ 16 nm – Ð “ ¦, Õ ª Ê ê r « Ñ\  ¦ 200

C – Ð 20ì  r ç ß – \ P % ƒo ô  Ç r

« Ñ\ " f 10

4

& ñ • ¸– Ð  © œ ß ¼>    z Œ ¤“ ¦, s  כ “ É r / B I s  r

« Ñ\ " f e  ¦  Ý ¼ 7 H / B N" î s   © œ ß ¼>  { 9 # Qz Œ ¤   H  כ `  ¦ _

p ô  Ç . s  Õ ªA á Ô\ " f E

1

(TO) ü < A

1

(LO) — ¸× ¼  H 547 cm

−1

ü < 738.8 cm

−1

\ " f 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3  .

Figure 4  H 30 nm ¿ ºa _  GaN\  ¦ (a) 500

C, (b) 530

C

–

Ð $ í  © œ“ : r • ¸  Ø Ô>  # Œ $ í  © œr †   GaN r « Ñ_  ³ ð€   e

 ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –Z O  Û ¼& 7 ˜à Ô! 3  Õ ªA á Ôs  . 30 nm ¿ º a

_  GaN r « э  H { 9 ì ø Í& h “    s ß ¼– Ð- ë ß –Z O \ " f  H   ë

ß – ’    ñ 8 £ ¤& ñ ÷ &t  · ú §€ Œ ¤% 3   H X <, s  Õ ªA á Ô\ " f  H ³ ð€   e

 ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –Ü ¼– Ð “  K  GaN > \ P  Ÿ í 7 H — ¸× ¼ › ' a 8

£

¤ ÷ &% 3  . s  Õ ªA á Ô\ " f ¢ ¸ô  Ç 16 nm-200

C-20 min r 

«

Ñ_   ë ß – ’    ñ  © œ ß ¼>  7 £ x y © œ÷ &% 3  . E

1

(TO) — ¸× ¼



 H (a), (b) — ¸¿ º 549.7 cm

−1

\ " f › ' a8 £ ¤ ÷ &% 3   H X <, s  כ “ É r E

1

(TO) — ¸× ¼  H $ í  © œ“ : r • ¸\  ß ¼>  % ò † ¾ Ó`  ¦ ~ à Ît  · ú §  H  כ Ü ¼

–

Ð ˜ Ð# Œ”   . Õ ª\  ì ø ÍK  A

1

(LO) — ¸× ¼_   â Ä º, 500

C \ " f

$ í

 © œô  Ç r « э  H 730.8 cm

−1

, 530

C \ " f  H 739.7 cm

−1

– Ð

¿

º r « э  H €  • 9 cm

−1

& ñ • ¸ s 1 l x ) a  כ Ü ¼– Ð › ' a8 £ ¤ ÷ &% 3  .

A

1

(LO) — ¸× ¼  H „    0 l x • ¸ü < › ' a >  e ”   H — ¸× ¼– Ð" f „    0

l

x • ¸_  7 £ x \    É r { 9 ì ø Í& h  : £ ¤f ç Ü ¼– Ð (1) x ß ¼_  0 Au 

Z

 }“ É r ”  1 l x à º % ò % i Ü ¼– Ð s 1 l x, (2) Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 s  V , # Qf ” , (3) [

jl  €  •K f ”  1 p x s  · ú ˜ 94 R e ”   H X <, s  : £ ¤f ç [ þ t“ É r GaN _  LO — ¸× ¼ü < e  ¦  Ý ¼ 7 H — ¸× ¼_    ½ + Ë(coupling)\  _ ô  Ç  כ Ü ¼

–

Ð · ú ˜ 94 R e ”   [12–14]. 7 £ ¤, „   _  0 l x • ¸ 7 £ x † < Ê\   



" f e  ¦  Ý ¼ 7 H — ¸× ¼_  / B N" î ”  1 l x à º 7 £ x  # Œ A

1

(LO)

Fig. 4. 4. SERS of GaN when the thickness is 30 nm grown at (a) 500

C and (b) 530

C.

—

¸× ¼\   0 >t “ ¦,   ² D G e  ¦  Ý ¼ 7 H — ¸× ¼ü < A

1

(LO) — ¸× ¼ _

 4 Ÿ ¤ ½ + Ë(hybrid)  © œI \  ¦ + þ A$ í # Œ, A

1

(LO) — ¸× ¼ (˜ Ð  & ñ S X

‰ y   H LO+ — ¸× ¼) _  / B N" î ”  1 l x à º ˜ Ð  Z  }“ É r ”  1 l x à º

% ò

% i Ü ¼– Ð s 1 l x   H  כ s  .   " f s  8 £ ¤& ñ   õ – Ð 530

C r « Ñ_  „    0 l x • ¸ 500

C ˜ Ð   8 Z  }    H  כ `  ¦ · ú ˜ Ã

º e ” % 3 “ ¦, $ í  © œ“ : r • ¸ Z  } Ü ¼€   „    0 l x • ¸• ¸ Z  }  f ” `  ¦ S X ‰

“

  ½ + É Ã º e ” % 3  .

Figures 2, 3`  ¦ : Ÿ x K " f E

1

(TO) ü < A

1

(LO) — ¸× ¼ ‚  × þ ˜

&

h Ü ¼– Ð 7 £ x  H † d`  ¦ · ú ˜ à º e ” % 3 “ ¦, ì ø ̀  \  E

2

-high — ¸× ¼  H í

ß –ê ø Íõ & ñ \ " f F K t   ) a — ¸× ¼e ” `  ¦ · ú ˜ à º e ” % 3  . s ü < ° ú   s

 ± ú “ É r “ : r • ¸\ " f $ í  © œô  Ç GaN œ í~ à Ì} Œ •\  @ /ô  Ç  ë ß – ’    ñ



 H (0001) ¨ î €  \ " f Ê ê~ ½ Óí ß –ê ø Í 8 £ ¤& ñ > _  { 9 ì ø Í& h “   ‚  × þ ˜Z O  g Ë

:(selection rule) `  ¦  Ø Ôt  · ú §“ ¦ e ”   H X <, s  כ “ É r GaN

$

“ : r $ í  © œ ~ à Ì} Œ •s     & ñ (poly-crystalline)s   , q & ñ

| 9

(amorphous) e ” `  ¦    · p . ô  Ǽ # , 8 £ ¤& ñ  ) a — ¸× ¼[ þ t“ É r q

2 Ÿ ¤ (0001) ¨ î €  _  ‚  × þ ˜Z O g Ë :`  ¦  Ø Ô“ ¦ e ” t   H · ú §t ë ß –, GaN \ " f › ' a8 £ ¤ 0 p x ô  Ç   É r Ÿ í 7 H — ¸× ¼[ þ t õ  / B N" î ”  1 l x à º

 B Ä º ¸ ú ˜ { 9 u  “ ¦ e ” l  M :ë  H \  ± ú “ É r “ : r • ¸\ " f $ í  © œô  Ç GaN ~ à Ì} Œ •“ É r    & ñ (poly-crystalline) ½ ¨› ¸\  ¦ ° ú   H  כ Ü ¼

–

Ð Ò q ty Œ •  ) a   [15]. Õ ª   õ ,  ë ß – í ß –ê ø Íõ & ñ \ " f_  C \ P s 

(4)

IV. + s Ç Â ] Ø

‘

: r ƒ  ½ ¨\ " f  H ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –`  ¦ s 6   x # Œ

$ í

 © œ“ : r • ¸ü < ¿ ºa \    É r GaN ~ à Ì} Œ •_  F g † < Æ& h  : £ ¤$ í `  ¦ › ¸



Ù þ ¡ . { 9 ì ø Í& h “    s ß ¼– Ð- ë ß –Z O \ " f  H 8 £ ¤& ñ ÷ &t  · ú §

€

Œ

¤~   GaN > \ P  Ÿ í 7 H — ¸× ¼“   E

1

(TO) ü < A

1

(LO) — ¸× ¼



” ¸{ 9  _  + þ A$ í \     # Œl   ) a e  ¦  Ý ¼ 7 H \  _ K  ‚  × þ ˜

&

h Ü ¼– Ð 7 £ x y © œ÷ &% 3  . 7 £ x y © œ & ñ • ¸  H €  • 10

4

C  s  © œÜ ¼– Ð B  Ä

º ß ¼>  7 £ x ÷ &% 3 6 £ §`  ¦ S X ‰ “   % i  . „   _  0 l x • ¸\  ¦ · ú ˜ à º e ”

  H A

1

(LO) — ¸× ¼  H 530

C r « Ñ  8 Z  }“ É r ”  1 l x à º % ò

%

i \ " f 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3   H X <, s   H A

1

(LO) — ¸× ¼_  „    0 l x • ¸



8 Z  }    H  כ `  ¦ _ p ô  Ç . s – Ð+ ‹ $ í  © œ“ : r • ¸ 7 £ x  €  

„

   0 l x • ¸• ¸ 7 £ x ô  Ç   H  כ `  ¦ · ú ˜ à º e ” % 3 “ ¦, 7 £ ¤ $ í  © œ“ : r

•

¸_  s  „    0 l x • ¸_     o\  ¦ 4 R“ : r    H  כ `  ¦ S X ‰ “  

½

+ É Ã º e ” % 3  . s    õ   H ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß –Z O `  ¦ s

6   x K  t F K  t  ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa  100 nm s  \ " f  H 8 £ ¤

&

ñ ÷ &t  · ú §€ Œ ¤~   GaN ~ à Ì} Œ •_   ë ß – ’    ñ\  ¦ 8 £ ¤& ñ ô  Ç  כ Ü ¼– Ð _

p e ”   H   õ s  . Õ ª QÙ ¼– Ð ³ ð€   e  ¦  Ý ¼ 7 H 7 £ x y © œ  ë ß – Z O

“ É r GaN œ í~ à Ì} Œ •_  Û ¼à ÔY U“  , „    0 l x • ¸, Õ ªo “ ¦   & ñ

$ í

1 p x F g † < Æ& h  : £ ¤$ í `  ¦ › ¸    H X < B Ä º Ä »6   x ô  Ç l Õ ü t s  | ¨ c Ã

º e ” `  ¦  כ s   Ò q ty Œ •ô  Ç .

P

c p 8 ý ò k >

‘

: r ƒ  ½ ¨  H / B N Å Ò@ /† < Ɠ § ’  e ” “ §Ã º & ñ ‚ à ̃  ½ ¨q \  _  # Œ

ƒ

 ½ ¨÷ &% 3 6 £ §.

Y

c p w Š à U Ø ”  ô

[1] A. R. Woll, R. L. Headrick, S. Kycia and J. D.

Brock, Phys. Rev. Lett. 83, 4349 (1999).

[2] A. D. Andreev and E. P. OïReilly, Phys. Rev. B. 62,

(2005).

[4] V. Darakchieva, P. P. Paskov, T. Paskova, E.

Valcheva, B. Monemar and M. Heuken, Appl. Phys.

Lett. 82, 703 (2003).

[5] W. Limmer, W. Ritter, R. Sauer, B. Mensching, C. Liu and B. Rauschenbach, Appl. Phys. Lett. 72, 2589 (1998).

[6] A. Bittar, H. J. Trodahl, N. T. Kemp and A. Mark- witz, Appl. Phys. Lett. 78, 619 (2001).

[7] G. Laurent, N. Fe ´lidj, J. Aubard, G. Le´vi J. R.

Krenn, A. Hohenau, G. Schider, A. Leitner and F.

R. Aussenegg, J. Chem. Phys. 122, 011102 (2005).

[8] Todd L. Williamson, Xiaoying Guo, Andrew Zukoski, Aditya Sood, Diego J. Dƒ´az and Paul W.

Bohn, J. Phys. Chem. 109, 20186 (2005).

[9] A. GMilekhin, R. JMeijers, T. Richter, R. Calarco, S. Montanari, H. L ¨uth, B. A. Paez Sierra and D.

R. T Zahn, J. Phys. 18, 5825 (2006).

[10] J. M. Zhang, T. Ruf, M. Cardona, O. Ambacher M.

Stutzmann, J. M. Wagner and F. Bechstedt, Phys.

Rev. B. 56, 14399 (1997).

[11] Takafumi Yao and Soon-Ku Hong, Oxide and Nitride Semiconductors, edited by J.-H. Song (Springer, Berlin, 2009).

[12] D. Huang, F. Yun, M. A. Reshchikov, D. Wang, H.

Morko¸ c, D. L. Rode, L. A. Farina, C ¸ . Kurdak, K. T.

Tsen, S. S. Park and K. Y. Lee, Solid-State Electron.

45, 711 (2001).

[13] T. Inushima, M. Higashiwaki and T. Matsui, Phys.

Rev. B. 68, 235204 (2003).

[14] F. A. Ponce, J. W. Steeds, C. D. Dyer and G. D.

Pitt, Appl. Phys. Lett. 69, 2650 (1996).

[15] Ryota Matsui, Prabhat Verma, Taro Ichimura, Ya- sushi Inouye and Satoshi Kawata, Appl. Phys. Lett.

90, 061906 (2007).

(5)

A Surface-plasmon-enhanced Raman Spectroscopy (SERS) Study on the Optical Properties of Ultra-thin (< 30 nm) GaN layers Deposited

on Sapphire Substrates

Ho-Jong Kim, Jae-Ho Song, Byung-Jun An, Yanqun Dong and Jung-Hoon Song

Department of Physics, Kongju National University, Kongju 314-701

Youngboo Moon

THELEDS Co., Ltd, Yongin, Gyeonggi 449-871 (Received 1 September 2009, in final form 6 November 2009)

We have carried out surface-plasmon-enhanced Raman spectroscopy (SERS) on 30-nm-thick GaN samples grown at various temperatures in order to investigate the properties of ultrathin GaN films on sapphire. We found that the properties, such as the strain in and the free-carrier density of the thin layers, were sensitively affected by the growth temperature. Our results show that SERS, by selectively enhancing the Raman signal near the surface, can be a very useful technique to investigate the optical properties of GaN thin films and the initial growth mode.

PACS numbers: 78.20.-e, 78.30.Fs, 78.35.+c, 78.66.-w Keywords: SERS, GaN thin film, Plasmon, E

1

(TO), A

1

(LO)

E-mail: [email protected]

수치

Fig. 2. Normal micro-Raman spectra of 30 nm and 300 nm thick GaN layers and a bare sapphire substrate.
Fig. 3. SERS of GaN when the thickness is 300 nm grown at 530 ◦ C.

참조

관련 문서

Tailor-controlling the LD operating temperature for emission of an 808-nm centered LD spectrum proved to be not only an effective method for maximizing the LD’s output power but also

We report a systematical investigation of the ac dielectrophoresis (DEP) force of the n-type gallium-nitride nanowires (GaN NWs) across patterned Ti / Au electrodes for various types

Therefore, the electrical and optical properties of IZO films are strongly dependent on the oxygen concentration adsorbed on the grain boundary surface of the films during

Our loss measurement system, with a standard detector, the tunable LD sources, and the polarization controller, has shown a good measurement uncertainty within 0.015 dB in the

However, if the amount of space devoted to explaining the concepts of physics and the total amount of integration are considered, science textbooks for the 7th curriculum are better

We have studied the structural and the optical properties of In x Ga 1 −x As/GaAs muliple quantum wells (MQWs) grown on two different substrates.. The calculated transition energies

Resonant and non-resonant Raman scatter- ing spectra from 3 ML-thick CdSe/ZnSe self-assembled quantum dot structure excited at energies of 2.21 eV and 2.54 eV from top to

The time–dependence of th delayed-luminescence (DL) from Euonymus Japonica leaves was stud- ied and the DL exhibited a hyperbolic decay function, which is the signature of coherence