»ì Å þ u § כ à X Ø Ö «P ê s m0 n É(Surface-plasmon enhance Raman spectroscopy) ù p § T
Ó Þ X ¢ GaN ¾U c lT c l8 ý ° Ë Ñ] K ¡X ì Ä ¤V R Ë; c 6 X ¢ ì Å
» Ú ø ¶ B · ö ¶ B< Ú · ¼ ÿ ( å + Ö < · ò 6 B* 9 # Ñ · ö ¶ B+ ä 0 å ∗
/ B
N Å Ò@ / < Æ § Ó ü t o < Æõ , Ø æ z 314-706
' Ö <* å « »
( Å Ò) THELEDS, 6 x r 449-871
(2009¸ 9 Z 4 1{ 9 ~ à Î6 £ §, þ j7 á x à º& ñ : r 2009¸ 11 Z 4 6{ 9 ~ à Î6 £ §)
c- s # Q l ó ø Í 0 A\ $ í © ô Ç GaN í~ à Ì} _ F g < Æ& h $ í | 9 ` ¦ ¸ l 0 AK " f Ð É r : r ¸ü < ¿ ºa
Ð $ í © ô Ç GaN ~ à Ì} r « Ñ\ @ /K ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß í ß ê ø ÍZ O ` ¦ r ¸ % i . GaN_ í 7 H ¸× ¼ E
1(TO) ü < A
1(LO) ¸× ¼\ ¦ ' a8 £ ¤ % i ¦, ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß í ß ê ø ÍZ O _ þ j& h o\ ¦ : x K E
1(TO), A
1(LO) ¸× ¼_ ë ß ñ\ ¦ 10
4C s © 7 £ x y © r ~ ´ Ã º e % 3 . ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Z O ` ¦ s 6 x
, { 9 ì ø Í& h 8 £ ¤& ñ Z O Ü ¼ Ð H 8 £ ¤& ñ ½ + É Ã º \ O H GaN í~ à Ì} r « Ñ_ $ í | 9 ` ¦ · ú è q à º e 6 £ §` ¦ Ð% i .
GaN í~ Ã Ì} _ 0 l x ¸ H $ í © : r ¸\ H כ ` ¦ S X % i . ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß í ß ê ø Í Z O
s ³ ð H % _ ë ß ñ\ ¦ × þ & h Ü ¼ Ð 7 £ x r v l M :ë He ` ¦ · ú Ã º e % 3 ¦, s H GaN íl $ í ©
¸× ¼ü < GaN í~ à Ì} _ F g < Æ& h : £ ¤$ í ` ¦ ¸ H X < B Ä º Ä »6 x ô Ç l Õ ü te ` ¦ · ú à º e % 3 .
PACS numbers: 78.20.-e, 78.30.Fs, 78.35.+c, 78.66.-w
Keywords: ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß , GaN í~ Ã Ì} , e ¦ Ý ¼ 7 H, E
1(TO), A
1(LO)
I. " e  ] Ø
GaN > \ P o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ H ' õ AÒ o, 0 l qÒ o x 9 Ñ þ Ò o µ 1 Ï F g s
¸× ¼(LED)ü < Y Us $ s ¸× ¼_ > hµ 1 Ï s Ê ê F g è
ì r \ " f & ³F © y F g` ¦ ~ Ã Î ¦ e H Ó ü t| 9 s . : £ ¤ y
t è ß 10# ¸ ç ß GaN > \ P LED_ ´ òÖ ¦ É r è H Â Òr > µ
1 Ï % i ¦, [ j> _ § 4 \ -t èq \ ¦ ß ¼> ] X ½ + É Ã
º e H 2 ;¨ 8 â @ /^ ¸" î Ü ¼ Ð © @ /³ ð& h Ê ê Ð è
Ð t $ í © % i . t ë ß + À : & h \ -t ] X y ´ òõ
\
¦ è q à º e H ¦´ òÖ ¦ _ LED\ ¦ > hµ 1 Ï l 0 AK " f H f
¸ ´ ú § É r ë H ] j[ þ t s z e . Õ ª × æ $ í © l Õ ü t õ ' aº ) a ë
H ] j[ þ t É r $ í © B j m 7 £ § _ s K \ ¦ : x ô Ç $ < Ê \ x ½ ¨
¸ $ í © , efficiency droop(Ø ¦§ 4 À Ó 7 £ x < Ê\ ´ ò Ö
¦ s y è H & ³ © )_ K , ? /Â Ò · ú l © _ ] j# Q, Á
ºì rF G GaN < Ê É r ZnO \ x ~ à Ì} ` ¦ s 6 x ô Ç è > hµ 1 Ï 1 p x s
. s × æ $ < Ê_ \ x ½ ¨ ¸ $ í © ` ¦ 0 Aô Ç $ í © B j m
7 £ § _ s K \ ¦ 0 AK " f H $ í © íl Û ¼à ÔY U _ ì r$ 3 s
×
æ כ ¹ô Ç % i ½ + É` ¦ ô Ç . l ó ø Íõ ~ Ã Ì} s \ H © Ã º, \ P Ø
½ Ó > Ã º, ½ ¨ ¸_ s Ð # 9 & h Ü ¼ Ð ~ Ã Ì} ? /\
∗
E-mail: [email protected]
Û
¼à ÔY U s íl  Ò' µ 1 ϲ ú > ) a [1–4]. : £ ¤ y GaN >
\ P
LED ½ ¨ ¸\ " f s # Q l ó ø Í 0 A_ íl $ í © r · û ª É r
$
: r ! Q( 8 £ x` ¦ $ í © > ÷ & H X <, s íl $ í © 8 £ x _ Ó ü t
$ í
É r Õ ª 0 A\ $ í © ÷ & H B j GaN ~ Ã Ì} _ : £ ¤$ í \ & ê ø Í
% ò
¾ Ó` ¦ z 2 ; . s Qô Ç íl $ í © ~ Ã Ì} ? / > r F H Û ¼ à
ÔY U É r ~ Ã Ì} _ $ í © 1 l x \ % ò ¾ Ó` ¦ º ¡ § É r Ó ü t : r, Õ ª ^
~ Ã
Ì} _ F g < Æ& h $ í | 9 , l & h $ í | 9 \ o\ ¦ Å Ò ¦, þ j7 á x
~ Ã
Ì} _ ½ ¨ ¸& h $ í | 9 _ H : r& h " é ¶ s ) a . " f B Ä º
· û
ª É r ~ à Ì} \ " f_ Û ¼à ÔY U µ 1 ϲ ú \ @ /ô Ç & ñ Ð H ¦¾ ¡ §| 9 K
_ Ð\ x à Ìr ~ à Ì} $ í © \ e # Q B Ä º × æ כ ¹ô Ç & ñ & h
& ñ Ð\ ¦ ] j/ B N < Ê É r Ó ü t : r s ¦, þ j7 á x Ó ü t$ í _ ] j# Q, > h ,
>
hµ 1 Ï\ \ O # Q" f H î ß | ¨ c × æ כ ¹ô Ç & ñ Ðs . Õ ª Q GaN ~ Ã Ì }
_ s # Ql ó ø Í © _ $ í © \ @ /ô Ç ½ ¨ [ j> \
"
f t è ß z # ¸ ç ß ' ÷ &# Q M ® o6 £ § \ ¸ Ô ¦ ½ ¨ ¦ s \ @ / ô
Ç õ f t " î S X y µ 1 ß) t t · ú § ¦ e ¦, í~ Ã Ì} _
Ó ü t$ í \ @ /ô Ç ½ ¨ H f ¸ p q ô Ç © I s .
II. T Â ] ØX ì Ä 9 0ß O Ë
ë ß ì rF gZ O É r { 9 F g _ í 7 H \ _ ô Ç q ò ø Í$ í í ß ê ø Í` ¦ 8
£ ¤& ñ H 8 £ ¤& ñ Z O Ü ¼ Ð, GaN > \ P ì ø Í ¸^ _ \ x 8 £ x _ Û ¼
-467-
Fig. 1. (a) Ag nanoparticles on the 30nm thick GaN.
(b) SEM image Ag nanoparticles after annealing 16 nm thick Ag layers at 200
◦C.
à
ÔY U õ 0 l x ¸ 1 p x F g < Æ& h : £ ¤$ í ` ¦ ¸ H X < B Ä º F
g# 3 0 A > 6 x ÷ & ¦ e [5,6]. t ë ß GaN_ ¿ ºa
100 nm Ð Ü ¼ ñ_ ; ¤ s B Ä º l M :ë H \ { 9 ì
ø Í& h ë ß Z O Ü ¼ Ð H 8 £ ¤& ñ l B Ä º # Q§ > . É r ô Ç
¼
# Ü ¼ Ð s # Q 0 A\ $ í © ô Ç GaN í~ Ã Ì} (< 30 nm)_ :
£ ¤$ í É r GaN > \ P \ x 8 £ x _ ì ø Í& h ½ ¨ ¸ü < F g < Æ& h $ í
| 9
` ¦ & ñ l M :ë H \ B Ä º × æ כ ¹ . 7 £ ¤, z ´] j Ð × æ כ ¹ ô
Ç í~ Ã Ì} _ $ í | 9 É r ¸y 9 8 £ ¤& ñ s Ô ¦ 0 p x ô Ç © S ! s
¦ x . " f : r ½ ¨\ " f H GaN í~ Ã Ì} _ F g < Æ& h :
£ ¤$ í ` ¦ 8 £ ¤& ñ l 0 Aô Ç ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë
ß Z O ` ¦ s 6 x % i .
F
K s É r õ ° ú É r ) F K5 Å q(noble metal) { 9 _ ß ¼l
{ 9
) a y n C_ © Ð Ø æì r y Ü ¼ r F g % ò % i _ y n
C` ¦ B Ä º ´ òõ & h Ü ¼ Ð f ¨ Ã º # , e ¦ Ý ¼ 7 H s # l ÷ & ¦, s
Qô Ç e ¦ Ý ¼ 7 H É r F K5 Å q ¸ { 9 ³ ð H ~ ½ Ó\ B Ä º ² D G
è o ÷ &# Q e H ² D G è l © ` ¦ Ä » ¸ô Ç . s ² D G è
l © É r ß ¼> ¿ º t $ í | 9 ` ¦ Ðs H X <, ' Í P : H s ² D G è
l © _ [ jl B Ä º y © K " f { 9 F g _ [ jl Ð & h
>
H à ºÑ þ C \ " f ´ ú §> H 10
4C s © _ l © s Ä »
¸ ) a H & h s ¦, Ñ ü t P : H s Ä » ¸ ) a ² D G è l © s à º z
nm & ñ ¸_ B Ä º a % v É r % ò % i \ ² D G è o ÷ &# Q e H & h s
. s X O > Ä » ¸ ) a ² D G è l © ? /\ Ä ºo 8 £ ¤& ñ
¦ H Ó ü t| 9 ` ¦ 0 Au r v , Õ ª Ó ü t| 9 _ F g < Æ& h $ í | 9 s F G& h Ü ¼ Ð oô Ç [7–9]. s Qô Ç & ³ © ` ¦ ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7
£
x y © ë ß Z O s ô Ç .
: r 7 Hë H \ " f H ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Z O ` ¦ s 6 x
#
É r íl $ í © ¸| , 7 £ ¤ ~ Ã Ì} _ ¿ ºa ü < $ í © : r ¸
É r GaN ~ Ã Ì} _ F g < Æ& h : £ ¤$ í \ @ /K ½ ¨ % i .
III. ÷ m Ç] M ö õ m Í À X Ø8 ý
: r z ´+ « >\ " f s # Q l ó ø Í0 A_ GaN ~ Ã Ì} É r © 6 x o ) a Metal Organic Chemical Vapor Doposition(MOCVD) © q
\ ¦ s 6 x # { 9 ì ø Í& h GaN_ $ í © : r ¸ Ð ± ú É r 500
Fig. 2. Normal micro-Raman spectra of 30 nm and 300 nm thick GaN layers and a bare sapphire substrate.
◦
C ü < 530
◦C \ " f 7 £ x Ã Ì % i Ü ¼ 9, GaN ~ à Ì} _ ³ ð 0 A\
É
r ¸ { 9 \ ¦ ] j l 0 AK c 7 £ x à ÌZ O Ü ¼ Ð É r ~ Ã Ì }
` ¦ · û ª> 7 £ x à Ìô Ç Ê ê, \ P % o \ ¦ % i . $ í © : r ¸ü < ¿ ºa
É r GaN ~ Ã Ì} 0 A\ 7.5 nm, 12 nm, 16 nm_ É r ~ Ã Ì}
`
¦ 7 £ x Ã Ì ¦, 100
◦C \ " f 30ì r, 200
◦C \ " f 20ì r ç ß \ P % o
\ ¦ % i . Õ ª\ GaN ~ Ã Ì} 0 A\ É r ¸{ 9 _ Á
º 0 A C \ P s + þ A$ í ÷ &% 3 . Fig. 1 É r (a) ] j ô Ç r « Ñ_
½
¨ ¸, (b) H r « Ñ ³ ð É r ¸{ 9 _ scanning electron microscope(SEM) s . Fig. 1-(a)\ " f Ð H כ %
! 3
\ P % o ´ òõ Ð K É r ¸{ 9 + þ A$ í ÷ &% 3 . Fig.
1-(b) H 16 nm _ É r ~ Ã Ì} ` ¦ 200
◦C \ " f 20ì r ç ß \ P % o ô
Ç r « Ñ_ SEM Ü ¼ Ð É r ¸ { 9 Á º 0 A Ð C \ P
÷
&% 3 6 £ §` ¦ S X ½ + É Ã º e . s ü < ° ú s ] j ô Ç r « Ñ\ ¦ ³ ð
e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Z O z ´+ « >` ¦ s 6 x # GaN ~ Ã Ì} _ F
g < Æ& h : £ ¤$ í ` ¦ ¸ K Ð ¤ .
Figure 2 H É r ¸{ 9 \ ¦ + þ A$ í r v l _ s # Q l
ó ø Íõ 30 nm, 300 nm ¿ ºa _ GaN r « Ñ\ ¦ s ß ¼ Ð- ë
ß Z O Ü ¼ Ð 8 £ ¤& ñ ô Ç Û ¼& 7 à Ô! 3 s . 300 nm GaN r « Ñ\ " f
H GaN > \ P í 7 H ¸× ¼ ' a8 £ ¤ ÷ &% 3 ¦, 30 nm_ GaN r
«
Ñ\ " f H ' a8 £ ¤ ÷ &t · ú § ¤ . { 9 ì ø Í& h Ü ¼ Ð 100 nm s _ GaN ~ Ã Ì} \ ë ß ñ\ ¦ 8 £ ¤& ñ H כ s _ Ô ¦ 0 p x ô
Ç כ Ü ¼ Ð · ú 94 R e . Fig. 2\ " f · ú Ã º e 1 p w s , ¿ ºa
Ø æì r y ¿ º î r, 300 nm GaN r « Ñ\ " f 560 cm
−1ü <
738.9 cm
−1_ ¿ º > h_ x ß ¼ ' a ¹ 1 Ï÷ &% 3 . s ¿ º> h_ x ß
¼ H S X ` ¦ 0 AK Ê ê} (6 um) GaN r « Ñ\ ¦ 8 £ ¤& ñ K : r
õ , GaN > \ P í 7 H ¸× ¼_ E
1(TO), A
1(LO) ¸× ¼e ` ¦ S X
½ + É Ã º e % 3 [9–11]. " f s \ ¦ l ì ø ÍÜ ¼ Ð $ í © : r
¸ü < ¿ ºa \ É r GaN _ F g < Æ& h : £ ¤$ í ` ¦ ¸ K Ð ¤ .
Figure 3 É r ¿ ºa 300 nms ¦, 530
◦C \ " f $ í © r
GaN r « Ñ_ ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Z O Ü ¼ Ð 8 £ ¤& ñ ô Ç Û ¼
Fig. 3. SERS of GaN when the thickness is 300 nm grown at 530
◦C.
&
7 à Ô! 3 s . s Õ ªa Ë >\ " f 300 nm ¿ ºa _ GaN r « Ñ H e ¦
Ý ¼ 7 H # l \ ¦ 0 AK þ j& h ¸| \ ´ ú ð r É r ¸ { 9 \ _ K
F G& h Ü ¼ Ð 7 £ x y © ÷ &% 3 . ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Z O \ _
K 300 nm ¿ ºa _ GaN r « Ñ ÐÂ Ò' 7 £ x y © ) a ë ß
ñ H É r ¸ { 9 \ O H GaN r « Ñ\ q K B Ä º y ©
>
z ¤ . ¢ ¸ô Ç 7 £ x y © ) a ë ß ñ H É r 8 £ x _ ¿ ºa \ ¦ 16 nm Ð ¦, Õ ª Ê ê r « Ñ\ ¦ 200
◦C Ð 20ì r ç ß \ P % o ô Ç r
« Ñ\ " f 10
4& ñ ¸ Ð © ß ¼> z ¤ ¦, s כ É r / B I s r
« Ñ\ " f e ¦ Ý ¼ 7 H / B N" î s © ß ¼> { 9 # Qz ¤ H כ ` ¦ _
p ô Ç . s Õ ªA á Ô\ " f E
1(TO) ü < A
1(LO) ¸× ¼ H 547 cm
−1ü < 738.8 cm
−1\ " f 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 .
Figure 4 H 30 nm ¿ ºa _ GaN\ ¦ (a) 500
◦C, (b) 530
◦C
Ð $ í © : r ¸ Ø Ô> # $ í © r GaN r « Ñ_ ³ ð e
¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Z O Û ¼& 7 à Ô! 3 Õ ªA á Ôs . 30 nm ¿ º a
_ GaN r « Ñ H { 9 ì ø Í& h s ß ¼ Ð- ë ß Z O \ " f H ë
ß ñ 8 £ ¤& ñ ÷ &t · ú § ¤% 3 H X <, s Õ ªA á Ô\ " f H ³ ð e
¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Ü ¼ Ð K GaN > \ P í 7 H ¸× ¼ ' a 8
£
¤ ÷ &% 3 . s Õ ªA á Ô\ " f ¢ ¸ô Ç 16 nm-200
◦C-20 min r
«
Ñ_ ë ß ñ © ß ¼> 7 £ x y © ÷ &% 3 . E
1(TO) ¸× ¼
H (a), (b) ¸¿ º 549.7 cm
−1\ " f ' a8 £ ¤ ÷ &% 3 H X <, s כ É r E
1(TO) ¸× ¼ H $ í © : r ¸\ ß ¼> % ò ¾ Ó` ¦ ~ à Ît · ú § H כ Ü ¼
Ð Ð# . Õ ª\ ì ø ÍK A
1(LO) ¸× ¼_ â Ä º, 500
◦C \ " f
$ í
© ô Ç r « Ñ H 730.8 cm
−1, 530
◦C \ " f H 739.7 cm
−1 Ð
¿
º r « Ñ H 9 cm
−1& ñ ¸ s 1 l x ) a כ Ü ¼ Ð ' a8 £ ¤ ÷ &% 3 .
A
1(LO) ¸× ¼ H 0 l x ¸ü < ' a > e H ¸× ¼ Ð" f 0
l
x ¸_ 7 £ x \ É r { 9 ì ø Í& h : £ ¤f ç Ü ¼ Ð (1) x ß ¼_ 0 Au
Z
} É r 1 l x à º % ò % i Ü ¼ Ð s 1 l x, (2) Û ¼& 7 à Ô! 3 s V , # Qf , (3) [
jl K f 1 p x s · ú 94 R e H X <, s : £ ¤f ç [ þ t É r GaN _ LO ¸× ¼ü < e ¦ Ý ¼ 7 H ¸× ¼_ ½ + Ë(coupling)\ _ ô Ç כ Ü ¼
Ð · ú 94 R e [12–14]. 7 £ ¤, _ 0 l x ¸ 7 £ x < Ê\
" f e ¦ Ý ¼ 7 H ¸× ¼_ / B N" î 1 l x à º 7 £ x # A
1(LO)
Fig. 4. 4. SERS of GaN when the thickness is 30 nm grown at (a) 500
◦C and (b) 530
◦C.
¸× ¼\ 0 >t ¦, ² D G e ¦ Ý ¼ 7 H ¸× ¼ü < A
1(LO) ¸× ¼ _
4 ¤ ½ + Ë(hybrid) © I \ ¦ + þ A$ í # , A
1(LO) ¸× ¼ ( Ð & ñ S X
y H LO+ ¸× ¼) _ / B N" î 1 l x à º Ð Z } É r 1 l x à º
% ò
% i Ü ¼ Ð s 1 l x H כ s . " f s 8 £ ¤& ñ õ Ð 530
◦
C r « Ñ_ 0 l x ¸ 500
◦C Ð 8 Z } H כ ` ¦ · ú Ã
º e % 3 ¦, $ í © : r ¸ Z } Ü ¼ 0 l x ¸ ¸ Z } f ` ¦ S X
½ + É Ã º e % 3 .
Figures 2, 3` ¦ : x K " f E
1(TO) ü < A
1(LO) ¸× ¼ × þ
&
h Ü ¼ Ð 7 £ x H d` ¦ · ú Ã º e % 3 ¦, ì ø Í \ E
2-high ¸× ¼ H í
ß ê ø Íõ & ñ \ " f F K t ) a ¸× ¼e ` ¦ · ú à º e % 3 . s ü < ° ú s
± ú É r : r ¸\ " f $ í © ô Ç GaN í~ Ã Ì} \ @ /ô Ç ë ß ñ
H (0001) ¨ î \ " f Ê ê~ ½ Óí ß ê ø Í 8 £ ¤& ñ > _ { 9 ì ø Í& h × þ Z O g Ë
:(selection rule) ` ¦ Ø Ôt · ú § ¦ e H X <, s כ É r GaN
$
: r $ í © ~ Ã Ì} s & ñ (poly-crystalline)s , q & ñ
| 9
(amorphous) e ` ¦ · p . ô Ǽ # , 8 £ ¤& ñ ) a ¸× ¼[ þ t É r q
2 ¤ (0001) ¨ î _ × þ Z O g Ë :` ¦ Ø Ô ¦ e t H · ú §t ë ß , GaN \ " f ' a8 £ ¤ 0 p x ô Ç É r í 7 H ¸× ¼[ þ t õ / B N" î 1 l x à º
B Ä º ¸ ú { 9 u ¦ e l M :ë H \ ± ú É r : r ¸\ " f $ í © ô Ç GaN ~ Ã Ì} É r & ñ (poly-crystalline) ½ ¨ ¸\ ¦ ° ú H כ Ü ¼
Ð Ò q ty ) a [15]. Õ ª õ , ë ß í ß ê ø Íõ & ñ \ " f_ C \ P s
IV. + s Ç Â ] Ø
: r ½ ¨\ " f H ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß ` ¦ s 6 x #
$ í
© : r ¸ü < ¿ ºa \ É r GaN ~ à Ì} _ F g < Æ& h : £ ¤$ í ` ¦ ¸
Ù þ ¡ . { 9 ì ø Í& h s ß ¼ Ð- ë ß Z O \ " f H 8 £ ¤& ñ ÷ &t · ú §
¤~ GaN > \ P í 7 H ¸× ¼ E
1(TO) ü < A
1(LO) ¸× ¼
¸{ 9 _ + þ A$ í \ # l ) a e ¦ Ý ¼ 7 H \ _ K × þ
&
h Ü ¼ Ð 7 £ x y © ÷ &% 3 . 7 £ x y © & ñ ¸ H 10
4C s © Ü ¼ Ð B Ä
º ß ¼> 7 £ x ÷ &% 3 6 £ §` ¦ S X % i . _ 0 l x ¸\ ¦ · ú Ã º e
H A
1(LO) ¸× ¼ H 530
◦C r « Ñ 8 Z } É r 1 l x à º % ò
%
i \ " f 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 H X <, s H A
1(LO) ¸× ¼_ 0 l x ¸
8 Z } H כ ` ¦ _ p ô Ç . s Ð+ $ í © : r ¸ 7 £ x
0 l x ¸ ¸ 7 £ x ô Ç H כ ` ¦ · ú Ã º e % 3 ¦, 7 £ ¤ $ í © : r
¸_ s 0 l x ¸_ o\ ¦ 4 R : r H כ ` ¦ S X
½
+ É Ã º e % 3 . s õ H ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Z O ` ¦ s
6 x K t F K t ~ Ã Ì} _ ¿ ºa 100 nm s \ " f H 8 £ ¤
&
ñ ÷ &t · ú § ¤~ GaN ~ Ã Ì} _ ë ß ñ\ ¦ 8 £ ¤& ñ ô Ç כ Ü ¼ Ð _
p e H õ s . Õ ª QÙ ¼ Ð ³ ð e ¦ Ý ¼ 7 H 7 £ x y © ë ß Z O
É r GaN í~ à Ì} _ Û ¼à ÔY U , 0 l x ¸, Õ ªo ¦ & ñ
$ í
1 p x F g < Æ& h : £ ¤$ í ` ¦ ¸ H X < B Ä º Ä »6 x ô Ç l Õ ü t s | ¨ c Ã
º e ` ¦ כ s Ò q ty ô Ç .
P
c p 8 ý ò k >
: r ½ ¨ H / B N Å Ò@ / < Æ § e §Ã º & ñ Ã Ì ½ ¨q \ _ #
½ ¨÷ &% 3 6 £ §.
Y
c p w à U Ø ô
[1] A. R. Woll, R. L. Headrick, S. Kycia and J. D.
Brock, Phys. Rev. Lett. 83, 4349 (1999).
[2] A. D. Andreev and E. P. OïReilly, Phys. Rev. B. 62,
(2005).
[4] V. Darakchieva, P. P. Paskov, T. Paskova, E.
Valcheva, B. Monemar and M. Heuken, Appl. Phys.
Lett. 82, 703 (2003).
[5] W. Limmer, W. Ritter, R. Sauer, B. Mensching, C. Liu and B. Rauschenbach, Appl. Phys. Lett. 72, 2589 (1998).
[6] A. Bittar, H. J. Trodahl, N. T. Kemp and A. Mark- witz, Appl. Phys. Lett. 78, 619 (2001).
[7] G. Laurent, N. Fe ´lidj, J. Aubard, G. Le´vi J. R.
Krenn, A. Hohenau, G. Schider, A. Leitner and F.
R. Aussenegg, J. Chem. Phys. 122, 011102 (2005).
[8] Todd L. Williamson, Xiaoying Guo, Andrew Zukoski, Aditya Sood, Diego J. D´az and Paul W.
Bohn, J. Phys. Chem. 109, 20186 (2005).
[9] A. GMilekhin, R. JMeijers, T. Richter, R. Calarco, S. Montanari, H. L ¨uth, B. A. Paez Sierra and D.
R. T Zahn, J. Phys. 18, 5825 (2006).
[10] J. M. Zhang, T. Ruf, M. Cardona, O. Ambacher M.
Stutzmann, J. M. Wagner and F. Bechstedt, Phys.
Rev. B. 56, 14399 (1997).
[11] Takafumi Yao and Soon-Ku Hong, Oxide and Nitride Semiconductors, edited by J.-H. Song (Springer, Berlin, 2009).
[12] D. Huang, F. Yun, M. A. Reshchikov, D. Wang, H.
Morko¸ c, D. L. Rode, L. A. Farina, C ¸ . Kurdak, K. T.
Tsen, S. S. Park and K. Y. Lee, Solid-State Electron.
45, 711 (2001).
[13] T. Inushima, M. Higashiwaki and T. Matsui, Phys.
Rev. B. 68, 235204 (2003).
[14] F. A. Ponce, J. W. Steeds, C. D. Dyer and G. D.
Pitt, Appl. Phys. Lett. 69, 2650 (1996).
[15] Ryota Matsui, Prabhat Verma, Taro Ichimura, Ya- sushi Inouye and Satoshi Kawata, Appl. Phys. Lett.
90, 061906 (2007).
A Surface-plasmon-enhanced Raman Spectroscopy (SERS) Study on the Optical Properties of Ultra-thin (< 30 nm) GaN layers Deposited
on Sapphire Substrates
Ho-Jong Kim, Jae-Ho Song, Byung-Jun An, Yanqun Dong and Jung-Hoon Song
∗Department of Physics, Kongju National University, Kongju 314-701
Youngboo Moon
THELEDS Co., Ltd, Yongin, Gyeonggi 449-871 (Received 1 September 2009, in final form 6 November 2009)
We have carried out surface-plasmon-enhanced Raman spectroscopy (SERS) on 30-nm-thick GaN samples grown at various temperatures in order to investigate the properties of ultrathin GaN films on sapphire. We found that the properties, such as the strain in and the free-carrier density of the thin layers, were sensitively affected by the growth temperature. Our results show that SERS, by selectively enhancing the Raman signal near the surface, can be a very useful technique to investigate the optical properties of GaN thin films and the initial growth mode.
PACS numbers: 78.20.-e, 78.30.Fs, 78.35.+c, 78.66.-w Keywords: SERS, GaN thin film, Plasmon, E
1(TO), A
1(LO)
∗