[지상강좌] 잉크젯 프린팅을 통한 미세패턴 형성 및 이를 이용한 고성능 유기박막 트랜지스터 (OTFT) 제작

서론

유기물 전자재료는 기존의 실리콘을 기반으로 하 는 전자소자에서는 구현하기 힘든 용액을 통한 저온 공정으로 소자를 제작할 수 있기 때문에 미래의 유 비쿼터스 환경에 알맞은 휴대용 저가 전자소자를 구 현하는데 적합한 재료이다. 현재 이러한 유기물 전 자재료의 가장 대표적인 응용 분야로 상용화에 성공 한 유기전기발광소자(OLED)를 들 수 있으며, 그

다음으로 유기물 박막 트랜지스터(OTFT)가 여러 응용분야에 상용화를 목표로 전세계적으로 활발히 연구되고 있다. 현재 OTFT의 대표적인 응용분야로 는 flexible 전자종이와 full color display의 driver나 개별물품단위 인식을 위한 저가의 RFID tag 등에 사용될 것으로 예측되고 있으며, 향후 기술개발 정 도에 따라서 wearable 전자소자, 두루말이 디스플레 이 등 상상 속에서만 가능한 제품을 실현하는데 응

(OTFT)

노용영·구재본·최성율·유인규

ETRI, {yynoh, kjb0706, sychoi, ikyou}@etri.re.kr

그림 1. 영국의 Plastic Logics 사와 네덜란드의 Polymer Vision이 각각 발표한 flexible e-paper의 사진 (출처:

Plastic Logics & Polymer Vision).

그림 2. 2027년 유기물 전자재료를 기반으로 한 유기물

전자소자의 예상되는 응용분야 및 시장 규모 (출

처: IDTechEX 2007).

용될 것으로 기대된다. 이중 OTFT를 back plane의 구동회로 소자로 사용한 flexible 전자종이의 경우 현재의 기술수준으로 충분히 구현가능하며 영국의 Plastic Logics와 네덜란드의 Polymer Vision 등은 2008년 내의 상용화를 목표로 공장을 건립하고 있는 단계이다[그림 1]. 유럽에서 발표한 시장예측자료에 따르면 2027년에는 유기물 전자재료를 기반으로 하 는 유기물 전자소자의 시장이 약 3천억 달러 정도가 될 것으로 예측하고 있다[그림 2]. 따라서 이러한 예측이나 현재의 기술 발전 추이로 볼 때 유기물 전 자재료를 기반으로 하는 전자소자는 공정단순성과 가격경쟁력을 바탕으로 나름대로의 시장을 개척할 것으로 전망하고 있다.

트랜지스터는 소스와 드레인 전극 사이에 존재하 는 채널의 전류 흐름을 게이트에 인가된 전압을 통 해서 제어하여 전류가 흐르는 상태(switch on)와 흐르지 않은 상태(switch off)를 만들어 주는 소자 이다[그림 3]. 엄밀한 의미로는 트랜지스터 단독으 로 “0”(switch off)과 “1”(switch on)의 디지털 신 호를 만들어 주는 스위치로 사용될 수 있지만, 단위 트랜지스터는 “0”과 “1”의 상태를 이동하는데 비교 적 긴 시간이 필요하여서 현재의 디지털 회로는 대 부분 이러한 트랜지스터를 두개 결합하여 만든 inverter라는 소자를 기본 단위로 사용하고 있다.

한다. 하지만 트랜지스터의 제작에 사용되는 다른 재료인 절연체나 도체 또한 다양한 고분자 절연체와 전도성 고분자를 사용해서 제작할 수 있으며, 이러 한 형태의 소자를 지향하고 있다. 물론 높은 성능의 OTFT를 제작하기 위해서는 모두 재료가 적절하게 설정되어야 하겠지만 그래도 이들 중 가장 중요한 재료는 유기물 반도체 재료라 할 수 있다.

유기물 반도체 재료는 분자 내에서 탄소와 탄소가 2중 결합과 단일결합을 교대로 하는 구조를 지닌 공 액 저분자와 고분자(conjugated polymer) 재료를 말하며 주로 전달하는 전하의 종류에 따라서 전자전 달형(n-type)이나 정공전달형(p-type) 재료로 나뉠 수 있다. Dopant의 종류에 따라 같은 재료로부터 n- type이나 p-type특성을 모두 얻어낼 수 있는 실리 콘재료에 비해서 유기물 반도체재료는 대체로 그 분 자가 갖는 작용기가 전자흡수도(electron accepting)가 좋으냐 혹은 정공 흡수도가 좋으냐에 따라 일반적으 로 한가지 재료가 특정전하를 보다 높은 이동도로 전 달하게 된다. 전자와 정공은 유기물 반도체 박막 내에 존재하는 분자 사이를 hopping을 통해서 전달되며 분 자들도 비교적 약한 반데르발스 인력으로 결합되어 있어서 실리콘 재료와는 달리 높은 이동도를 원천적 으로 얻을 수 없다. 따라서 유기물 반도체 재료는 이 론적으로 상온에서 수십 cm

/V·s 이상의 이동도를 얻을 수 없고, 지금까지 실험적으로 단결정상을 지닌 rubrene 박막으로 만든 OTFT가 20cm

/V·s 정도의 정공 이동도를 보여준 것이 세계최고의 성능이다. 유 기물 반도체 재료에 대한 보다 구체적인 정보는 여러 최신 review 논문을 참조해서 얻을 수 있다[참고문헌:

Organic Electronics, Materials, Manufacturing and Applications, Wiley-VCH, 2006].

용액을 기반으로 하는 인쇄 기술은 인류가 잉크를

통해 방대한 양의 정보를 종이 위에 인쇄하면서부터

그림 3. 유기물 박막 트랜지스터의 전형적인 구조.

잉크젯프린팅을 통한 OTFT 개발동향

약 천년 동안 사용되어 왔다. 최근에 용액상으로 공 정이 가능한 여러 기능성 잉크들이 개발되면서 이러 한 프린팅기술이 여러 제품생산에 응용되고 있다. 그 러한 접근의 가장 큰 장점은 기존에 기술들에 비해 저렴한 공정비용과 단순성을 들 수 있다. 가령 간단 한 예로 트랜지스터의 소스와 드레인 전극을 패터닝 할 때 기존의 포토 리소그라피 방법을 사용하는 것 에 비해 금속잉크를 잉크젯프린터를 통해 원하는 곳 에만 프린팅하면 간단히 두 금속선을 그리는 것만으 로 모든 복잡한 공정들을 대신할 수 있다. 다양한 직 접 인쇄 공정기술들 중 잉크젯 프린팅 기술은 다른 기술과 달리 원하는 곳에만 프린팅이 가능하여 잉크 의 사용량을 최소화할 수 있고 패턴의 해상도를 높 일 수 있는 개연성이 높아서 최근에 신약개발, LCD color filter 등 display 제조공정, PCB 기판인쇄공정 등 다양한 분야에 광범위하게 응용되고 있다. 본 고 에서는 이러한 잉크젯 프린팅 기술을 통한 OTFT 제작공정의 적용에 관한 최신 연구동향과 앞으로의 연구방향에 대해서 주로 기술하고자 한다.

본론

현재까지 OTFT에 제작공정에 적용되었거나 혹은 적용이 가능한 다양한 직접 프린팅 기술은 offset, gravure, flexography, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 등을 꼽을 수 있다. 이들 다양한 직접 인쇄법들은 적

용 가능한 잉크의 점도, 해상도, 적용분야 등이 각각 조금씩 다르다[표 1]. 이들 공정에 대한 보다 구체적 인 정보는 최근에 보고된 문헌을 통해서 얻을 수 있 다 [참 고 문 헌 : Organic Electronics, Materials, Manufacturing and Applications, Wiley-VCH, 2006].

이러한 직접 인쇄법이 적용 가능한 OTFT 제작공 정은 크게 소스/드레인 전극의 형성 및 패터닝, 유 기물 반도체 층의 형성, 게이트 절연체 박막의 형성, 그리고 게이트 전극의 형성을 들 수 있다. 이들 각 각의 공정이 요구하는 요구사항이 달라서 앞서 말한 전 공정을 한가지 직접 인쇄법을 통해서 제작하기 보다는 여러 가지 직접 인쇄법을 적절하게 혼합하여 사용하는 것이 보다 바람직하다고 여겨지고 있다.

가령 유기물 반도체 층의 형성은 높은 전기적 특성 을 얻기 위한 유기물 반도체 용액의 농도가 정해져 있어서 아주 높은 점도의 용액으로만 프린팅이 가능 한 letterpress나 offset printing은 적합한 직접 인쇄 법이 아니라고 할 수 있다. 또한 유기물 반도체층은 높은 전하 이동도를 얻기 위해 높은 결정성을 얻어 야 한다. 따라서 용매의 증발 속도가 비교적 느린 인쇄방법이 결정성을 높이는데 적절한 방법이라고 할 수 있다. 이러한 직접 인쇄법으로 적용 가능한 네가지 OTFT의 제작 공정 중 소스/드레인 전극의 형성 및 패터닝 공정이 기존 포토 리소그래피 공정 의 높은 공정가격과 복잡성, shadow mask 공정의

인쇄법 층두께 Feature size 점도 인쇄속도 해상도 응용분야나 적용 가능한

(μm) (μm) (mPas) (m

/s) (μm) 기판

Letterpress 0.5~1.5 >50 50000~150000 1 <200 Books

Flexography 0.8~2.5 80 50~500 10 <200 Packaging, Newspaper, Label

Gravure 0.8~8 75 50~200 60 >10 Magazines, Bank notes

Pad 1~2 20 >50 0.1 >10 Toys, CD

Offset 0.5~1.5 10~50 40000~100000 5~30 >10 Magazines, Newspaper, Books

Screen 30~100 20~100 500~50000 2~3 >25 PCBs, Textiles

Inkjet <0.5 20~50 1~30 0.01~0.5 5~20 Desktop, Variable data

(출처: Organic Electronics, Materials, Manufacturing and Applications, Wiley-VCH, 2006)

잉크젯 프린팅을 통한 OTFT의 제작

잉크젯 프린팅은 현재 가정과 사무실에서 서류나 사진을 인쇄하기 위해서 가장 보편적으로 사용하고 있는 인쇄기술 중 하나이다. 상업적인 분야에서는 포스터나 옥외간판, 바코드 등을 인쇄하는 용도로써 주로 사용되어 왔었다. 이러한 잉크젯 프린팅 공정 은 최근에 와서 더욱 더 여러 가지 최신 산업분야에 응용되어서 가령 Generation 7 잉크젯 제조 장비는 LCD 제조분야에서 color filter나 다른 부품들의 프 린팅 공정을 위해 개발되어 현재 적용되고 있다. 다 른 직접 프린팅 기술에 비해 잉크젯 프린팅의 가장 큰 단점은 낮은 프린팅 공정 속도이다. 최근에는 멀 티 노즐을 이용해서 이 문제를 어느 정도 극복하고 있으나, 주로 빠른 공정속도 보다는 정확한 패터닝 을 요구하는 공정에 적합한 기술로써 인식되고 있다.

유기물 전자소자에 잉크젯 프린팅 기술이 최초로 적 용된 사례는 OLED의 화소를 red, green, blue 발광 고분자의 잉크젯 프핀팅을 통해 패터닝하는 것이다.

그 후 PEDOT:PSS나 금속 나노입자 등 전도성 잉 크의 프린팅을 통해서 OTFT의 소스/드레인 전극 의 형성에 주로 적용되어 왔다. 최신의 piezoelectric drop-on demand 잉크젯 프린터로 제작 가능한 잉 크 방울의 부피는 10~30pL 정도이고, 따라서 어떠 한 기판의 화학적 처리 없이 얻을 수 있는 최소 해 상도는 20~100 µm이다. 이 정도의 해상도는 인간이 시각적으로 보는 사진이나 서류의 인쇄에는 문제가 없으나, 트랜지스터의 채널을 형성하기에는 좀 큰 사이즈라고 할 수 있다. 트랜지스터의 성능 중 가장 중요한 요소가 트랜지스터가 포함된 로직 회로의 switching frequency이다. 즉 이것은 트랜지스터가 포함된 디지털 로직 회로가 얼마나 빠르게 정보를 처리하느냐에 관한 것인데, switching frequency가

채널길이 L, 반도체층의 전하 이동도 µ와 다음과 같 은 상관관계를 갖는다.

f ∝ --- µ (1) L

단순하게 현재 일반적인 용액공정용 고분자 반도 체의 이동도(0.1cm

/Vs)와 잉크젯 프린팅으로 구현 가능한 채널의 해상도(20~100 µm)를 적용해서 추 정해보면 수십~수백 Hz의 회로만이 구현 가능하며 실제 잉크젯 프린팅으로 제작된 소스/드레인 패턴 위에 소자도 1~10Hz의 낮은 속도를 보여주었다. 따 라서 이 정도의 회로 속도는 포토 리소그래피 공정 으로 만들어진 채널을 사용한 회로보다 10배 이상 낮은 값이며, 앞서 말한 OTFT의 다양한 응용분야 를 구현하기 어렵다고 할 수 있다. OTFT로 이루어 진 회로의 속도를 향상시키기 위해서는 식(1)에서 알 수 있듯이 높은 이동도를 지닌 유기물 반도체 물 질을 적용하거나 프린팅 공정으로 형성된 채널의 길 이 L을 줄여야만 할 것이다. 고성능 유기물 반도체 물질의 개발은 현재의 기술 수준으로는 많은 시간이 필요하고 고순도 정제 등 어려움이 많다. 따라서 잉 크젯 프린팅을 통해 얻어진 채널의 해상도를 높이고 이를 통한 OTFT의 성능 향상을 달성한 연구들을 소개하고자 한다.

고해상도 잉크젯 프린팅 기술의 개발과 이를 통한 OTFT의 제작

잉크젯 프린팅을 통한 소스/드레인 전극의 형성

및 패터닝공정은 크게 잉크젯 프린팅을 위한 기능성

잉크제작, 프린팅을 통한 droplet 형성 그리고 원하

는 기판 위에 패턴의 작성으로 나눌 수 있다. 이중

프린팅을 통해 형성된 패턴의 해상도를 주로 결정하

는 요소는 잉크의 점도, 잉크젯 장비의 노즐 크기

잉크젯프린팅을 통한 OTFT 개발동향

그리고 프린팅을 수행할 기판의 표면 화학적 성질이 라고 할 수 있다. 이중 잉크의 점도 변화를 통한 패 턴의 해상도 변화는 극히 미미한 수준이고, 주로 장 비의 노즐 크기와 프린팅을 수행할 기판과 잉크 사 이의 화학적 상호작용에 따라서 해상도가 결정된다고 할 수 있다. 일반적인 piezoelectric drop-on demand 방식의 잉크젯 프린터는 현재까지의 기술수준으로 10 µm이상의 직경을 지닌 노즐을 통한 프린팅이 가 능하며 따라서 형성되는 기능성 잉크 droplet의 직경 은 이보다 1.4~1.5배 정도 큰 20 µm 이상이라고 할 수 있겠다. 잉크젯 프린팅을 통한 패턴의 해상도 결 정에 가장 중요한 영향을 미치는 요소는 잉크와 기판 사이의 화학적 상호작용이라고 할 수 있다. 노즐에서 만들어 낸 droplet이 기판에 닿을 때 잉크가 기판에 잘 젖어서 퍼지느냐 그렇지 않느냐에 따라서 실제 패턴의 너비가 결정되기 때문이다. 가령 20 µm의 직 경을 지닌 droplet이 기판에 45도 이하의 contact angle을 보이며 좋은 wetting을 보여줄 때는 실제 패 턴의 크기는 20 µm 보다 휠씬 커질 수 있고 그 반대

의 경우는 droplet의 직경보다 작아질 수도 있다.

이러한 잉크와 기판 사이의 화학적 상호작용을 이

용하여 고해상 잉크젯프린팅기술을 최초로 개발하고

이를 OTFT에 적용한 연구가 2000년에 Cambridge

대학 Cavendish 연구소의 H. Sirringhaus 그룹에서

보고되었다[참고문헌: Science 2000, 290, 2123]. 그

들은 잉크젯 프린팅으로 형성된 channel의 해상도를

높이기 위해 hydrophilic(water like)한 기판 위에

hydrophobic(water hate)한 polyimide(PI)의 둑을

photolithography를 통해서 형성하였다. 이어서

hydrophilic한 conducting polymer(PEDOT:PSS)

ink를 그 위에 printing하였고, 이때 잉크가 PI의 둑

에 dewetting을 통해서 갇히는 특성을 이용하여 채

널의 해상도를 PI line의 선 폭 만큼 얻게 되었다[그

림 4(A)]. 이러한 방법을 통해서 형성 가능한 최소

의 해상도가 photolithography 공정을 통해서 얻을

수 있는 선 폭 한계인 2 µm에 해당되었다. 아울러서

반도체층과 게이트 절연체 층 및 게이트 전극 또한

모두 스핀코팅이나 잉크젯 프린팅 등 용액 공정을

그림 4. PEDOT:PSS의 고해상도 잉크젯 프린팅을 통해 제작된 OTFT. (A) 고해상도 잉크젯 프린팅 방법을 통한 소스/드레

인 전극의 형성 방법과 (B) 이를 통해 제작된 top-gate OTFT의 모식도 및 (C) 트랜지스터의 성능 곡선과 (D) 회

로의 구동속도 곡선 (출처: Science 2000, 290, 2123).

통해서 형성하여 all-solution processable 고성능 OTFT를 실현하였다[그림 4(B), (C)]. 또한 이를 통해 inverter를 제작해서 수 kH

의 빠른 스위칭 속 도를 보고하였다[그림 4(D)]. 2004년에는 같은 연 구그룹에서 hydrophobic한 polyimide line의 선 폭 을 e-beam lithography를 통해 500nm까지 줄인 초 고해상도 잉크젯 프린팅기법을 개발하고 이를 OTFT에 적용하여 우수한 성능을 보고 하였다[참 고문헌: Nature Materials 2004, 3, 171]. 이러한 방 법은 잉크가 프린팅 되는 위치가 기판의 wetting 특 성에 따라서 자기 조립되므로 이를 정밀하게 제어할 필요가 없으며, OTFT의 channel이 미리 형성해 놓 은 polymer line에 따라 정의되므로 공정 재현성이 우수한 장점을 지니고 있다. 하지만 프린팅에 앞서 미

리 기판 위에 고가의 공정인 photolithography나 e- beam lithography를 통해서 polymer line을 형성해야 하므로 백퍼센트 프린팅 공정만으로 형성된 패턴이라 고 말하기엔 어려움이 있다.

이러한 단점을 극복하기 위해서 Cambridge 대학 Cavendish 연구소의 Noh et al.이 최근에 개발한 공 정이 self-aligned inkjet printing 방법이다[참고문 헌: Nature Nanotechnology 2007, 2, 784]. 이 공정 은 어떠한 lithography를 통한 전 처리 공정이 필요 치 않으며, 전도성 잉크의 두번 프린팅을 통해서 50

~400nm까지의 초고해상도를 지닌 패턴을 형성할

수 있는 획기적인 방법이라고 할 수 있으며 구체적

인 공정 방법은 다음과 같다[그림 5(A)]. 우선 기

판 위에 첫번째 전도성 라인을 잉크젯프린팅을 통해

Nanotechnology 2007, 2, 784).

잉크젯프린팅을 통한 OTFT 개발동향

서 형성한다. 프린팅된 전도성 라인의 표면 에너지 를 전도성 재료에 따라서 다양한 표면처리 방법을 이용해서 낮추어 준다. 이어서 두번째 전도성 라인 을 첫번째 라인 위에 약간 겹치게 프린팅을 한다.

이 때 전도성 잉크와 첫번째 라인의 표면간에 dewetting이 일어나서 두번째 잉크가 첫번째 라인 표면에서 미끄러져 기판에 떨어지면서 자연스럽게 두 라인 사이에 작은 틈이 형성되게 된다. 이렇게 형성된 틈은 전도성 잉크와 첫번째 프린팅 라인 사 이의 반발력, 잉크용매의 증발속도 등에 따라서 50nm부터 400nm까지 자유롭게 조절 가능하다[그 림 5(B), (C)]. 또한 self-aligned printing을 통해서

넓은 면적을 프린팅하고 8,000개의 channel을 동시 에 형성하였을 때도 공정이 uniform하게 적용되었음 을 보고하였다. 이때 사용되는 전도성 잉크로는 전도 성 고분자나 metal nanoparticles 등을 들 수 있으며 전도성 잉크의 종류에 따라서 표면처리 방법이 다를 수 있다. 높은 스위칭 속도를 지닌 회로를 제작하기 위해 이렇게 형성된 수백 나노미터 크기의 패턴을 OTFT의 채널에 적용하였다. 이렇게 제작된 OTFT 는 6V 이내의 낮은 구동전압과 0.2cm

/Vs 이상의 높은 이동도를 보여주었다. 또한 [그림 6 (A)]에서 볼 수 있듯이 inverter도 5V 이내의 낮은 구동전압 과 2 이상의 높은 gain 값을 보여주었다. 마지막으로 채널길이에 따라서 회로의 구동 속도를 측정하였을 때 5 µm의 채널 길이를 갖는 OTFT가 1.3KHz을 보 여주었으나, self-aligned printing으로 형성된 200nm 채널길이를 갖는 OTFT는 이보다 1,000배 향상된 1.6MHz의 높은 스위칭 속도를 보여주었다[그림 6(B)]. 이는 현재까지 보고된 잉크젯 프린팅으로 제 작된 OTFT의 최고성능에 해당하며 채널 길이를 줄 임에 따라서 회로의 구동속도가 획기적으로 높아짐 을 보여주는 결과라고 할 수 있다.

결론

유기물 반도체 재료를 이용한 OTFT는 실리콘을 기반으로 한 기존의 트랜지스터에 비해 낮은 성능에 도 불구하고 값싼 공정과 저온공정으로 인한 경량의 유연한 전자소자의 구현 가능성으로 인해서 향후 지 속적인 기술 개발여부에 따라서 다양한 새로운 시장 을 창출할 것으로 예상된다. 특히 잉크젯 프린팅 등 의 직접 프린팅 기법과 roll-to-roll 생산 기술공정 등 의 접목을 통해서 소자의 제작 단가를 획기적으로 낮출 수 있을 것으로 예상된다. 그러나 이러한 희망 적인 예측과 지난 10년 동안의 빠른 기술 발전에도 불구하고 현재도 여러 가지 문제점들이 OTFT를 이용한 시제품의 시장진입을 어렵게 하고 있다. 우 그림 6. (A) self-aligned printing 방법에 의해 형성된 200nm

채널길이는 갖는 OTFT로 제작된 inverter의 특성곡

선, (B) 다양한 채널 길이를 갖는 circuit의 구동 속

도 (출처: Nature Nanotechnology 2007, 2, 784).

tag 등 여러 가지 응용제품에 적용되기 위해서는 아 직 낮은 수준이다. 또한 p-type 재료에 비해서 n- type 재료의 특성과 공기 안정성이 낮아서 CMOS 제작 시 어려움이 있고 제작된 트랜지스터의 장기간 의 안정성도 낮은 수준이라고 할 수 있다. 제품화를 위해서는 향후 이러한 문제점들이 반드시 해결되어 야 할 것이다. 잉크젯 프린팅 공정을 통한 전자소자 의 개발측면에서는 최근에 유기물이 아닌 용액공정

통한 전자소자는 유기물에 비해 높은 성능을 보여주 어서 더욱 광범위한 응용이 가능할 것으로 예상된다.

그러나 대부분의 무기물 반도체 잉크가 용매에 장기 간 안정적으로 분산되기 어려우며, 프린팅 공정 후 에 높은 열처리 온도를 요구하므로 플라스틱 기판 등에 적용되어 flexible한 전자소자를 제작하는데 아 직까지 한계를 보이고 있다.

저자약력 노 용 영

2000 동국대학교 화학공학과 학사 2002 광주과학기술원 신소재공학과 석사 2005 광주과학기술원 신소재공학과 박사 2007 University of Cambridge, Cavendish

연구소, Post doc.

현재 ETRI, 융합부품·소재연구부문, 플렉시블 소자팀 선임연구원

구 재 본

1994 고려대학교 재료공학과 학사 1996 KAIST 재료공학과 석사 2000 KAIST 재료공학과 박사

2000 삼성SDI 중앙연구소 개발 1팀 AMOLED, 책임연구원

현재 ETRI, 융합부품·소재연구부문, 플렉시블 소자팀 선임연구원

최 성 율

1991 KAIST 화학과 학사 1994 KAIST 화학과 석사 1998 KAIST 화학과 박사

현재 ETRI, 융합부품·소재연구부문, 플렉시블 소자팀 선임연구원

유 인 규

1987 고려대학교 재료공학과 학사 1989 고려대학교 재료공학과 석사 1995 고려대학교 재료공학과 박사 1998 현대전자 메모리연구소, 차장 현재 ETRI, 융합부품·소재연구부문, 플렉시블

소자팀장