LECTURES > 과년도 시험문제 > 2학년과목 | 군산대학교 자성체물성연구실

(1)

1. 다음 물음에 답하시오.

(가) 외인성 반도체 중에서 Si 나 Ge 에 미량의 5 족 원소를 첨가한 것을 ( )형 반도체라고 한다. 이 물질에서 대다수를 이루는 캐리어는 ( )이고, 이 경우 미량 도핑해주는 원소를 ( )라고 한다. (나) 다이오드의 pn 접합부부근에서 확산현상에 의해 p형 영역의 ( )과 n형 영역의 ( )이 서로 만나는 현상이 일어난다. 이를 ( )라고 하며, 이에 의해 접합부에 캐리어가 없는 영역이 생기는데, 이를 ( )이라 한다. 이 영역을 넘어서는데 필요한 에너지를 ( )이라 하며, Si의 경우 약 0.7V 이다.

2. 아래 회로에서는 A 점과 B 점 사이에 peak-peak 전압 12V 인 사인파가 나온다.

(가) 이때 R 양단의 파형을 그리고 최고 전압을

표시하시오.

(나) 저항 R 양단의 평균 dc 전압은 몇 V 인가?

물리학과 2학년 전자회로 및 실험 중간고사 - 2010년 10월 21일 실시 검 인 학 과 물리학과 학 번 이 름 주의: 답만 쓰지말고, 풀이과정을 명확히 보일 것

(2)

3.

다음 트랜지스터 바이어스에서 물음에 답하시오. (가) 이 트랜지스터는 PNP 형인가, NPN 형인가? (나) 이 트랜지스터에서 베이스와 콜렉터 사이의 전압차 VC-VB는 몇 V 인가? (다) 이 회로에서 에미터와 콜렉터 사이는 ( )방향 바이어스 되어 있고 베이스와 콜렉터 사이는 ( )방향 바이어스 되어 있다. (라) 이 트랜지스터는 포화, 활성, 차단 영역 중 어디에 있겠는가?

4. (가) 옆 그림에서 B-E사이는 순방향 바이어스되어 0.7V가 걸린다. 이 회로에서 베이스전류(I

B

)는

몇 ㎃인가?

(나) 이때 V

CE

를 6V로 조정하니, 콜랙터전류(I

C

)가 10 ㎃ 흐른다.

이 트랜지스터의 직류전류 증폭률(

DC

)는 얼마인가?

5. [실험문제]

(가) 다이오드 전원 필터 실험에서 C 의 크기에 따라 ripple 전압에 어떤 변화가 생기는가?

(나) 이 실험에서 부하저항의 크기에 따라 ripple에 어떤 변화가 생기는가?

(다) 이 실험에서 C 가 커지면 V

out