LECTURES > 과년도 시험문제 > 2학년과목 | 군산대학교 자성체물성연구실

1. 다음 물음에 답하시오. (가) 외인성 반도체 중에서 Si 나 Ge 에 미량의 3 족 원소를 첨가한 것을 ( )형 반도체라고 한다. 이 물질에서 대다수를 이루는 캐리어는 ( )이고, 이 경우 미량 도핑해주는 원소를 ( )라고 한다. (나) 다이오드의 pn 접합부부근에서 확산현상에 의해 p형 영역의 ( )과 n형 영역의 ( )이 서로 만나는 현상이 일어난다. 이를 ( )라고 하며, 이에 의해 접합부에 캐리어가 없는 영역이 생기는데, 이를 ( )이라 한다. 이 영역을 넘어서는데 필요한 에너지를 ( )이라 하며, Si의 경우 약 0.7V 이다. (다) 트랜지스터 회로가 제대로 동작하기 위해서는 E-B 다이오드는 ( )방향으로, C-B 다이오드는 ( )방 향으로 바이어스 되어야 하며, C-B 다이오드의 바이어스 전압은 ( )보다 작아야 한다. 2. 다음 그래프와 같은 특성곡선을 갖는 트랜지스터로 옆의 회로를 구성했다. 이때 활성영역에서 VBE는 0.6V 이다. (가) 그래프 위에 부하선을 그리시오. (나) IB 를 구하고 이때의 동작점 Q 를 그래프상에 표시하시오. (다) 위 (나) 상태에서 IC 와 VCE 를 대략 구하시오. (라) 이 트랜지스터의 직류전류 증폭률 DC 는 얼마인가? 물리학과 2학년 전자회로 및 실험 중간고사 - 2012년 10월 19일 실시 검 인 학 과 물리학과 학 번 이 름 주의: 답만 쓰지말고, 풀이과정을 명확히 보일 것 3.다음 트랜지스터 바이어스에서 물음에 답하시오. (가) 이 트랜지스터는 PNP 형인가, NPN 형인가? (나) 이 트랜지스터에서 베이스와 콜렉터 사이의 전압차 VC-VB는 몇 V 인가? (다) 이 회로에서 에미터와 콜렉터 사이는 ( )방향 바이어스 되어 있고 베이스와 콜렉터 사이는 ( )방향 바이어스 되어 있다. (라) 이 트랜지스터는 포화, 활성, 차단 영역 중 어디에 있겠는가? 4. 다음 회로에서 콜렉터 전류 IC는 2 mA 이다. 컬렉터와 에미터 사이의 전압 VCE는 몇 V 이겠는가? 5. [실험문제] 다음 회로는 트랜지스터의 직류전류 증폭률 DC를 측정하는 회로이다. 실험방법을 몇 단계의 순서로 설명하시오.