執行期限:86/08/01~87/07/31 主持人 劉致為 副教授 一‚ 中文摘要
在 研 究 Si/Si 1-x-y Ge x C y /Si quantum well 對熱的穩定性,我們使用 x 光繞射 儀去量定晶格常數,加上紅外線分析儀 測量 SiC 沉積,最後再用 CrO 3 加 HF 溶 液做蝕刻,它可以使晶格缺陷顯現出來, 由 此 可 知 Si/Si 1-x-y Ge x C y /Si quantum well 是否鬆弛,在不同溫度下退火.會發 生數種不同的晶格應力轉變,我們比較
Read more