• 검색 결과가 없습니다.

s Œ £ ;  ˜ m× D0 n É; c 8 ýA 0 V R ËX ê sc Ü R  ˜ m× DT c l (Binary Oxide)8 ý

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "s Œ £ ;  ˜ m× D0 n É; c 8 ýA 0 V R ËX ê sc Ü R  ˜ m× DT c l (Binary Oxide)8 ý"

Copied!
6
0
0

로드 중.... (전체 텍스트 보기)

전체 글

(1)

W ë

s Œ £ ;  ˜ m× D0 n É; c 8 ýA 0 V R ËX ê sc Ü R  ˜ m× DT c l (Binary Oxide)8 ý

W ÄX ì Ä $ []  §  ì Å× D — ¤V R Ë Ž ì ŏ Œ

"

k ý — ¡­ £ · + ä ¦ ‡ Ú · ™ » ÷ 7 B * > · ™ » ‘ ž + > · + ä  ] ï B ·  ™ »g ` @  ™ ¸

1 l

x² D G @ /† < Ɠ § ì ø ͕ ¸^ ‰õ † < Æõ , " fÖ  ¦ 100-715

™ »0 ï F„ ç ¡

1 l

x² D G @ /† < Ɠ § Ó ü t o † < Æõ , " fÖ  ¦ 100-715 (2006¸   3 Z 4 21{ 9  ~ à Î6 £ §)

‘

: r ƒ  ½ ¨\ " f  H € ª œF G í ß – o (Anodizing) l Õ ü t`  ¦ s 6   x # Œ AlO

x

í ß – o} Œ •`  ¦ $ í  © œ “ ¦ „  l & h  : £ ¤$ í `  ¦ ƒ  

½

¨ % i  . € ª œF G í ß – o\  ¦ 0 Aô  Ç „  K Ó  oÜ ¼– Ѝ  H õ í ß – oà º™ èà º (30 %)\  ¦  6   x % i Ü ¼ 9 í ß – o r ç ß –s  U  ´# Qf ” 

\

    AlO

x

í ß – o} Œ • ¿ ºa  ‚  + þ A& h Ü ¼– Ð 7 £ x † < Ê`  ¦ S X ‰ “   “ ¦, SEM (Scanning Electron Microscopy) 8

£ ¤& ñ   õ – РÒ'  ¨ î ç  H& h “   í ß – o} Œ • $ í  © œ 5 Å q • ¸ €  • 15 ˚ A/sec  H † d`  ¦ S X ‰ “   % i  . ¢ ¸ô  Ç, í ß – o÷ &  H ~ à Ì} Œ • _

 “ : r • ¸\  ¦ ² ú ˜o † < Ê\     AlO

x

í ß – o} Œ •_  í ß –™ è mole q Ö  ¦`  ¦ › ¸] X ½ + É Ã º e ” Ü ¼ 9, $ í  © œ  ) a AlO

x

í ß – o} Œ • _

 œ íl  $ † ½ ӓ É r à º MΩ & ñ • ¸s  9, „  · ú š`  ¦ “   † < Ê\     í ß – o} Œ •_  $ † ½ Ós  à º kΩ\ " f MΩ t  % i 

&

h Ü ¼– Ð    o÷ &  H $ † ½ Ó Û ¼0 Ag A (resistive switching) ‰ & ³ © œ`  ¦ › ' a ¹ 1 Ï % i  . s  Qô  Ç $ † ½ Ó Û ¼0 Ag A : £ ¤$ í “ É r

€

ª œF G í ß – o $ í  © œ › ¸| \     ß ¼>  ý aÄ º  ) a  .

PACS numbers: 77.84.-s, 77.84.Bw, 77.80.Fm Keywords: € ª œF G í ß – o, í ß – o} Œ • $ í  © œ, % i & h  $ † ½ Ӂ   o

I. " e  ] Ø

þ

j   H & ñ ˜ Ð: Ÿ x’   í ß –\ O _  µ 1 τ  Ü ¼– Ð “   # Œ y Œ •7 á x B j— ¸o 

™

è _  à ºכ ¹ / å L7 £ x “ ¦ e ” Ü ¼ 9 # Œl \   6   x ÷ &  H ‰ & ³F  _

 B j— ¸o   H $  © œ ~ ½ Ód ” \     ß ¼>  6 fµ 1 Ï$ í (volatile)õ  q

-6 fµ 1 Ï$ í (non-volatile)Ü ¼– Ð ì  r À Ó  ) a  . 6 fµ 1 Ï$ í B j— ¸o 



 H   É r X <s '  „  5 Å x`  ¦ z  ´‰ & ³½ + É Ã º e ”   H @ /’   „  " é ¶ s  \ O  Ü

¼€   & ñ ˜ Ð\  ¦ { 9 # Q! Qo “ ¦ q -6 fµ 1 Ï$ í B j— ¸o   H „  " é ¶ s  \ O 

#

Q• ¸  © œr ç ß – & ñ ˜ Ð\  ¦ $  © œ½ + É Ã º e ”   H ì ø ̀   5 Å q • ¸\  ô  Ç> 

 e ”  .   " f y Œ •y Œ •_  é ß –& h `  ¦ ˜ Ð ¢ - a l  0 AK  @ / Òì  r _  ( Ž

É Ó'  r Û ¼% 7 ›“ É r ¿ º t  B j— ¸o \  ¦ ° ú  s   6   x # Œ M ® o Ü ¼ 9 þ j   H y Œ •7 á x Y O w p n # Q ] j¾ ¡ § _  r  © œ ½ ©— ¸   É r 5 Å q

•

¸– Ð µ 1 τ   “ ¦ e ” l  M :ë  H \  „  " é ¶ s   t  8 • ¸ l 2 Ÿ ¤ ) a

&

ñ ˜ Ð t 0 >t t  · ú §  H q - 6 fµ 1 Ï$ í B j— ¸o \  @ /ô  Ç Ã ºכ ¹

 & h   7 £ x    H Æ Ò[ js  . ‰ & ³F  > hµ 1 Ï ÷ &“ ¦ e ”   H q -6 f µ

1 Ï$ í B j— ¸o  ™ è   H l ‘ : r& h Ü ¼– Ð D h– Ðî  r B j— ¸o  : £ ¤$ í `  ¦

”   F « Ñ\  @ /ô  Ç ƒ  ½ ¨ ‚  ' Ÿ  ÷ &# Q    H X < t F K  t 

¸ ú

˜ · ú ˜ 9”   Ó ü t| 9  : £ ¤$ í \    É r B j— ¸o  ™ è  ì  r À Ӎ  H  6 £ § õ  ° ú   . FeRAM (Ferroelectric Random Access Mem- ory) [1], MRAM (Magneto-resistive Or Magnetic RAM)

E-mail: hyunsik7@dongguk.edu

[2], PRAM (Phase Change RAM) [3], PoRAM (Poly- mer RAM), ReRAM (Resistive RAM) [4], NFGM (Nano Floating Gate Memory) [5].

s

 Qô  Ç B j— ¸o  ™ è  ×  æ ReRAM“ É r : £ ¤& ñ ô  Ç „  · ú š\  _ K 

$

† ½ Ó    o : £ ¤$ í `  ¦ ˜ Ðs   H Ó ü t| 9 `  ¦ s 6   x ô  Ç  כ s  9 s  Qô  Ç

$

† ½ Ó    o\  ¦ : Ÿ x K  % 3 “ É r ¿ º t _  $ † ½ Ó ° ú כ`  ¦ n t _ O  ’    ñ

“

  0õ  1– Ð   ¨ 8 Š # Œ B j— ¸o  ™ è – Ð+ ‹_  l 0 p x`  ¦ >   ) a



. ReRAM Ó ü t| 9  ×  æ Binary oxide _  $ † ½ Ó    o (resistive switching) \  @ /ô  Ç : £ ¤$ í ƒ  ½ ¨  H 1960¸  @ / t   _ þ t  Q `  ¦



 9 [6], þ j   H q -6 fµ 1 Ï$ í B j— ¸o  ™ è  6 £ x6   x 0 p x$ í M : ë

 H \   r  ƒ  ½ ¨  Ö ¸ µ 1 Ïy  ”  ' Ÿ ÷ &“ ¦ e ” “ ¦, binary oxide\  ¦

Ÿ

í† < Ê # Œ  € ª œô  Ç Ó ü t| 9 \ " f $ † ½ Ó    o ‰ & ³ © œs  µ 1 Ï| ÷ &% 3 



 [7,8].

‘

: r ƒ  ½ ¨\ " f  H 4 Ÿ ¤ ¸ ú š “ ¦ “ ¦-”  / B N`  ¦ כ ¹½ ¨   H q “ §& h 

“

¦“   ReRAM ~ à Ì} Œ • $ í  © œ ~ ½ ÓZ O  @ /’   ç ß –é ß –ô  Ç € ª œF G í ß – oZ O  (Anodizing) `  ¦ s 6   x # Œ $ † ½ Ó    o (resistive switching) :

£ ¤$ í `  ¦ ¸ ú ˜ ˜ Ð# ŒÅ ҍ  H binary oxide $ í  © œ ~ ½ ÓZ O õ  z  ´] j 8 £ ¤& ñ

 )

a $ † ½ Ó    o : £ ¤$ í x 9 ì  r$ 3    õ \  ¦ ] jr  “ ¦  ô  Ç .

-484-

(2)

II. W ë s Œ £ ;  ˜ m× D0 n É ù p § T “ Ó Þ” X ¢ binary oxide ± n ǎ ì Å= k



˜ m× DT c l V R ËX ê s Ž ì ŏ Œ

t

F K  t  ˜ Г ¦  ) a $ † ½ Ó    o Ó ü t| 9 [ þ t“ É r sputtering, PLD (Pulsed Laser Deposition), MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 1 p x “ ¦-”  / B N`  ¦ כ ¹½ ¨   H “ ¦

_  ~ à Ì} Œ • $ í  © œ ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð ] j Œ •  ) a  כ s   [9,10]. Õ ª Q  í

ß –\ O & h  8 £ ¤€  \ " f B j— ¸o – Ð s 6   x l  0 AK " f  H q “ §& h  ç ß – é

ß – “ ¦ F ‰ & ³$ í s  Z  } Ü ¼ 9 @ /| ¾ Ó Ò q tí ß –s  6   x s ô  Ç ~ à Ì} Œ • $ í  © œ

~

½ ÓZ O s   H  © œ& h Ü ¼– Ð  Œ •6   x ½ + É  כ s  . s \     ‘ : r ƒ  ½ ¨\ 

"

f  H z  ´6   x& h “   8 £ ¤€  \ " f € ª œF G í ß – oZ O `  ¦ s 6   x # Œ Ä ºÃ º ô

 Ç $ † ½ Ó    o : £ ¤$ í `  ¦ ˜ Ðs   H í ß – o} Œ • $ í  © œ\  @ /K  ƒ  ½ ¨ 

%

i  . € ª œF G í ß – oZ O  (Anodizing)s ê ø Í F K5 Å q l ó ø Í_  ³ ð€  \ 

„

 l - o† < Æ& h  ~ ½ ÓZ O `  ¦ s 6   x # Œ F K5 Å q _  í ß – oÓ ü t, | 9  oÓ ü t x 9 S !

 oÓ ü t`  ¦ + þ A$ í r v   H ~ ½ ÓZ O s  . s  Qô  Ç € ª œF G í ß – oZ O `  ¦ s

6   x # Œ í ß – o} Œ •`  ¦ $ í  © œ½ + É Ã º e ”   H F K5 Å q[ þ t`  ¦ Table 1 \ 



 ? /% 3   [11].

Table 1 \  " î r   ) a F K5 Å q ×  æ · ú ˜À Òp ³ o u“ É r t y Œ • © œ_   © œ Û

 æ  Òô  Ç " é ¶ ™ è ×  æ _   – Ð" f, Z > “ ¦  o† < Æ& h Ü ¼– Ð ì ø Í6 £ x$ í x 9

î ß –& ñ $ í s  Z  } Ü ¼ 9 ? /d ” $ í õ  / B N$ í s  Ä ºÃ º # Œ y Œ •7 á x

Table 1. Anodizing growth rate and maximum thickness of anodized oxide layer for various metals.

Thickness-Voltage Maximum Thickness Metal

[˚ AV

−1

] [µm]

Al 10 ∼ 14 1.5

Ta 16 1.1

Nb 22

15 (Aqueous solution) Ti 50 (including NaCl)

Zr 12-30 > 1

Si 3.5 0.12

Fig. 1. The experimental schematic of anodizing tech- nique for binary oxide film growth.

„

   ™ è _  l ‘ : r F « і Ð  6   x ÷ &“ ¦ e ”   [12]. € ª œF G í ß – o

\

 _ ô  Ç · ú ˜À Òp ³ o u 6 Ÿ ¤  s × ¼ $ í  © œ (ŠҖ Ð Al

2

O

3

~ à Ì} Œ •)“ É r „   0

A © œ# 4  (potential barrier)~ à Ì} Œ • $ í  © œs  Å Ò 3 l q& h s  . Õ ª Q



, ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f  H € ª œF G í ß – oZ O \  _ K  $ í  © œ  ) a AlO

x

\ 

"

f % i & h “   $ † ½ Ó    o : £ ¤$ í `  ¦ þ jœ í– Ð 8 £ ¤& ñ % i  .

Fig. 1“ É r ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f  6   x ô  Ç AlO

x

~ à Ì} Œ • + þ A$ í ~ ½ ÓZ O `  ¦

Fig. 2. SEM (Scanning Electron Microscopy) images of

AlOx samples grown by the anodizing technique. An-

odizing solution was 30 % H

2

O

2

and 0.5 mA was applied

for oxide film growth. Anodizing time (a) 100 s and (b)

300 s. (c) AlOx film thickness vs. anodizing time.

(3)

ç

ß –é ß –y     · p  כ s  . ˜ Ѝ  H  ü < ° ú  s  ² D G ™ è& h  í ß – o ~ ½ Ó d ”

Ü ¼– Ð Û ¼Ÿ ís × ¼\  ¦ s 6   x # Œ " é ¶   H  Òì  r \  6   xÓ  o`  ¦ Å Ò { 9

 “ ¦ Ñ þ ˜F K (Pt) Tip`  ¦ s 6   x # Œ & ñ „  À Ó\  ¦ “     H ~ ½ Ó d ”

`  ¦  6   x % i  . # Œl " f l Õ ü t& h Ü ¼– Ð ×  æ כ ¹ô  Ç & h “ É r Tip s  Ñ þ

˜F K s ü @_  Ó ü t| 9 “    â Ä º Tip  ^ ‰ í ß – o÷ &“ ¦ $ † ½ Ós  Z

 }  4 R € ª œF G í ß – o\  € 9 כ ¹ô  Ç „  À Ó / B N/ å L s  s À Ò# Qt t  · ú §



 H  . AlO

x

~ à Ì} Œ •_  € ª œF G í ß – o $ í  © œ õ & ñ \  @ /ô  Ç  o† < Æ ì ø Í 6

£ xd ” “ É r  6 £ § õ  ° ú   .

4Al + 3H

2

O

2

= 2Al

2

O

3

+ 3H

2

(↑) (1)

#

Œl " f, Al l ó ø Í\   H (+)F G`  ¦ Ñ þ ˜F K (Pt) Tip \   H (-)F G

`

 ¦ ƒ     # Œ 30 % õ í ß – oà º™ è\  „  l  \  -t \  ¦ K  à º

™

èü < í ß –™ è– Ð ì  r o  r †   Ê ê · ú ˜À Òp ³ o u \  í ß –™ è\  ¦ Å Ò{ 9 ô  Ç .

€ 9

כ ¹ô  Ç AlO

x

~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa \  ¦ í ß – o r ç ß –\     › ¸] X  “ ¦

€

ª œF G í ß – o = å Q  €   Si l ó ø Í 0 A\   H Bottom „  F G Ü ¼– Ð   6

 

x 0 p x ½ + É & ñ • ¸_  · ú ˜À Òp ³ o u s  z Œ ™“ ¦ 0 A\   H AlO

x

 + þ A$ í

 )

a  . ~ à Ì} Œ • $ í  © œ r ç ß –“ É r 5ì  r p ë ß –Ü ¼– Ð l ” > r _  “ ¦-”  / B N  © œ q

\  ¦ s 6   x ô  Ç 7 £ x ‚ Ã Ì ~ ½ ÓZ O \  q K   © œ{ © œy    É r $ í  © œ 5 Å q • ¸s 



.

Fig. 2  H € ª œF G í ß – o\  ¦ s 6   x # Œ $ í  © œô  Ç AlO

x

_  SEM 8

£ ¤& ñ   õ ü < r ç ß –\    É r ~ à Ì} Œ • ¿ ºa \  ¦ 8 £ ¤& ñ ô  Ç  כ s  . ~ Ã Ì }

Œ

•_  ¿ ºa   H r ç ß –\     ‚  + þ A& h Ü ¼– Ð 7 £ x   9, · ú ˜À Ò p

³ o u í ß – o} Œ •_  $ í  © œ 5 Å q • ¸  H ¨ î ç  H& h Ü ¼– Ð €  • 15 ˚ A/s s 



. Õ ª Q  AlO

x

_  ¨ î ç  H $ í  © œ 5 Å q • ¸  H  6   x ô  Ç „  K | 9 \  ß

¼>  _ ” > r ô  Ç . € ª œF G í ß – o\  ¦ s 6   x ô  Ç ~ à Ì} Œ • $ í  © œ“ É r l Õ ü t

&

h Ü ¼– Ð & ñ „  À Ó (constant-current)ü < & ñ „  · ú š (constant- voltage) \  _ ô  Ç ~ ½ ÓZ O s  e ” “ ¦, Õ ª ×  æ & ñ „  À Ó\  ¦ s 6   x ô  Ç ~ ½ Ó Z O

s   © œ { 9 ì ø Í& h s  . ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f• ¸ s  ~ ½ ÓZ O `  ¦ G × þ ˜ 

% i  .

€

ª œF G í ß – o r ç ß –`  ¦  © œ{ © œy  U  ´>  €   ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa   H Ÿ í



o  ) a  . 7 £ ¤, + þ A$ í  ) a ~ à Ì} Œ •\  ~ ½ ӄ   (spark discharge) ‰ & ³ © œ s

 µ 1 ÏÒ q t l  r  Œ • “ ¦ „  À Ó  „  · ú šs  > 5 Å q& h Ü ¼– Ð “   H † d

\

    r ¼ #  „  ^ ‰– Ð S X ‰ í ß –÷ & 9 [ jl   H  8 y © œK ”    [13].

s

M : µ 1 ÏÒ q t÷ &  H ~ ½ ӄ  \  _ K  ~ à Ì} Œ •s  õ ÷ &“ ¦ F   & ñ  o

\

 ¦ { 9 Ü ¼( ” \     ¿ ºa  7 £ x  ô  Ç> $ í `  ¦   ? / 9 ~ à Ì} Œ •

$ í

 © œs  Ÿ í o  ) a  . Õ ª Q , 0 A_    õ \ " f  H í ß – o r ç ß –s  Ø

 æì  r y  U  ´t  · ú §l  M :ë  H \  Ÿ í o ‰ & ³ © œ“ É r › ' a8 £ ¤ ½ + É Ã º \ O % 3 

“

¦, @ /| Ä Ì ~ à Ì} Œ • ¿ ºa  1.5 µm & ñ • ¸Â Ò'  Ÿ í o  ) a  “ ¦ ˜ Ѐ   AlO

x

~ à Ì} Œ •s  Ÿ í o ÷ &l  r  Œ •   H í ß – o r ç ß –“ É r @ /| Ä Ì 10ì  r Ü

¼– Ð \ V © œ½ + É Ã º e ”  . ‚ à Г ¦– Ð, $ † ½ Ó    o : £ ¤$ í `  ¦ ¸ ú ˜ ˜ Ðs 



 H í ß – o} Œ •_  ¿ ºa   H { 9 ì ø Í& h Ü ¼– Ð 0.5 µm s  s l  M :ë  H

\

 ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f  H |   r ç ß –_  $ í  © œs  € 9 כ ¹ \ O  .

Fig. 3(a)  H & ñ „  À Ó 0.5 mA– Ð 200 sec 1 l x î ß – $ í  © œr †   AlO

x

_  SEM 8 £ ¤& ñ   õ s  9 (b)ü < (c)  H y Œ •y Œ • € ª œF G í ß – o

Fig. 3. (a) SEM image of a AlO

x

/Al/Si structure. EDAX (Energy Dispersive X-Ray analysis) spectroscopy: (b) AlO

x

film and (c) bottom electrode.

  ) a AlO

x

ü < í ß – o÷ &t  · ú §“ É r Â Ò „  F G  Òì  r`  ¦ EDAX (Energy Dispersive X-ray analysis) – Ð 8 £ ¤& ñ ô  Ç Energy Dis- persive X-ray Spectrum s  . € ª œF G í ß – o  ) a  Òì  r“ É r · ú ˜ À

Òp ³ o u õ  í ß –™ è ” > r F  “ ¦ e ”    H  כ `  ¦ · ú ˜ à º e ”  .

Fig. 4  H Fig. 3 \ " f  6   x ) a 1 l x{ 9 ô  Ç ~ à Ì} Œ •_  XRD

(X-ray diffraction)   õ s  9 8 £ ¤& ñ Ê ê ì  r$ 3 ô  Ç   õ  y Œ •y Œ •

(111), (202), (036)   & ñ ~ ½ ӆ ¾ Ó`  ¦ t   H    & ñ (polycrys-

(4)

Fig. 4. XRD (X-ray diffraction) spectra of the AlO

x

layer used in Fig. 3.

Fig. 5. Reversible resistive switching I-V characteristics at room temperature.

talline) ½ ¨› ¸e ” `  ¦ S X ‰ “   % i  . s  Qô  Ç   õ   H l ” > r _  $ í



© œ ~ ½ ÓZ O “   sputtering, PLD, MOCVD 1 p x`  ¦ s 6   x ô  Ç ~ à Ì} Œ • _

 ì  r$ 3    õ ü < & ñ $ í & h Ü ¼– Ð ° ú  “ É r  ⠆ ¾ Ó`  ¦ ° ú   H   [14,15].

III. AlO x U c lT c l8 ý  ¹ ÅM X ì Ä — ¤V R Ë • ¤X N Ë õ m Í Ä Z ØV Ä

0

A\ " f € ª œF G í ß – o– Ð % 3 “ É r Al

2

O

3

/Al ~ à Ì} Œ • 0 A\  F K5 Å q „   F

G`  ¦ `  ¦  9 metal-insulator-metal ™ è  ½ ¨› ¸\  ¦ ] j Œ • “ ¦

$

† ½ Ó    o : £ ¤$ í `  ¦ 8 £ ¤& ñ ì  r$ 3  % i  .  [ jô  Ç z  ´+ « >   õ  x 9 ì

 r$ 3 “ É r  6 £ § õ  ° ú   .

Fig. 5  H € ª œF G í ß – oZ O Ü ¼– Ð $ í  © œ  ) a Al

2

O

3

/Al ~ à Ì} Œ •_  

% i

& h  $ † ½ Ӂ   o : £ ¤$ í `  ¦ ˜ Ð# Œï  r  . ‘ : r   õ \ " f · ú ˜ à º e ”  1

p

w s  8 £ ¤& ñ  ) a ON-OFF Û ¼0 Ag A : £ ¤$ í “ É r s p  ˜ Г ¦  ) a „  + þ A

&

h “   binary oxide > \ P _  Û ¼0 Ag A : £ ¤$ í õ  ° ú  6 £ §`  ¦ S X ‰ “  ½ + É Ã

º e ” % 3  . # Œl " f, Forming“ É r €  • 13 V \ " f s À Ò# Q & ’  Ü

¼ 9, Õ ª s Ê ê „  · ú š`  ¦ 0 V  Ò'   r  “  † < ÊÜ ¼– Ð+ ‹ €  • 1V

Fig. 6. Substrate-temperature dependence of the resis- tive switching characteristics (a) 50

C (b) 100

C.

_

 ± ú “ É r „  · ú š\ " f ° ú š Œ •Û ¼   $ † ½ Ó 7 £ x     “ ¦ AlO

x

~ Ã

Ì} Œ •_  $ † ½ ӓ É r OFF „  À Ó_  " é ¶ A _  ° ú כÜ ¼– Ð 4 Ÿ ¤" é ¶ ) a  . s  M

:_  „  · ú š`  ¦ RESET „  · ú šs    ÒØ Ô 9, „  · ú š`  ¦ 0 V  Ò' 



r  “   † < ÊÜ ¼– Ð+ ‹ OFF „  À Ó\ " f ° ú š Œ •Û ¼   $ † ½ Ó y Œ ™™ è

–

Ð “  K  µ 1 ÏÒ q t   H ON „  À Ó €  • 2 V ∼ 5 V \ " f Ò q t$ í

÷

& 9, s M :_  „  · ú š`  ¦ SET „  · ú šs  “ ¦  ҏ É r  . SET „  · ú š s

 q “ §& h  Z  }“ É r  כ Ü ¼– Ð › ' a ¹ 1 Ï ÷ &% 3   H X < s  כ “ É r í ß –™ è € ª œs 

´ ú

§  Al   † < Ê\  _ ô  Ç  כ Ü ¼– Ð \ V © œ÷ & 9 s   H NiO \ " f_  Ni-vacancy  ON, OFF : £ ¤$ í `  ¦   & ñ   H  כ õ  ° ú  “ É r " é ¶

“

 \ " f s K ½ + É Ã º e ” “ ¦ [15], s   Òì  r`  ¦ 7 á §  8 S X ‰ z  ´y  s K 

l  0 AK  € ª œF G í ß – or  l ó ø Í_  “ : r • ¸\  ¦ s 6   x # Œ Alõ    

½

+ Ë   H í ß –™ è € ª œ`  ¦ › ¸] X    H z  ´+ « >`  ¦  6 £ § õ  ° ú  s  Æ Ò& h  Ü

¼– Ð z  ´' Ÿ  # Œ ON, OFF Û ¼0 Ag A : £ ¤$ í `  ¦ › ' a8 £ ¤ % i  .

Fig. 6“ É r € ª œF G í ß – o r  Al l ó ø Í_  “ : r • ¸\  ¦ 7 £ x r &  

€

 " f $ í  © œô  Ç Al

2

O

3

~ à Ì} Œ •_  ON, OFF Û ¼0 Ag A : £ ¤$ í `  ¦ 8 £ ¤

&

ñ ô  Ç  כ s  . ‘ : r z  ´+ « >_  3 l q& h “ É r Al

2

O

3

~ à Ì} Œ •_  í ß –™ è € ª œ`  ¦

›

¸] X    H  כ s  3 l q& h s  9 s p  NiO\ " f ˜ Г ¦  ) a  כ ° ú  s  í

ß –™ èü < F K5 Å q _  mole q Ö  ¦ \     ON/OFF : £ ¤$ í s  ² ú ˜ 

(5)

t

  H  כ `  ¦ € ª œF G í ß – oZ O \  & h 6   x r †    כ Ü ¼– Ð € ª œF G í ß – oZ O  Ü

¼– Е ¸ í ß –™ è € ª œ`  ¦ › ¸] X ½ + É Ã º e ” 6 £ §`  ¦ 7 £ x" î l  0 Aô  Ç  כ s 



. 50

C  © œI \ " f $ í  © œ  ) a ~ à Ì} Œ •“ É r " î S X ‰ y  q -6 fµ 1 Ï$ í „   À

Ó : £ ¤$ í `  ¦ ˜ Ðs t ë ß – 100

C \ " f $ í  © œ  ) a ~ à Ì} Œ •“ É r Û ¼0 Ag A

‰

&

³ © œ˜ Ð   H # Q* ‹ô  Ç „  · ú š\ " f „  À Ó    o   H ë  H) 3  „  

· ú

šõ  ° ú  “ É r : £ ¤$ í `  ¦ ˜ Ðs   H  כ `  ¦ · ú ˜ à º e ” Ü ¼ 9 s  ‰ & ³ © œ`  ¦ threshold ‰ & ³ © œs  “ ¦  ҏ É r   [16]. s    õ   H l ó ø Í “ : r • ¸

 7 £ x † < Ê\     í ß –™ è ì  r · ú šs  Z  }  t “ ¦ Al5 Å q Ü ¼– Ð g Ë >È Ò

  H í ß –™ è_  € ª œs  ´ ú § 4 R   õ & h Ü ¼– Ð ON/OFF Û ¼0 Ag A :

£ ¤$ í \     o { 9 # Qè ß – .

IV. + s Ç Â ] Ø

‘

: r ƒ  ½ ¨  H q -6 fµ 1 Ï$ í B j— ¸o  > hµ 1 Ï`  ¦ 0 Aô  Ç € ª œF G í ß – oZ O 

`

 ¦ s 6   x # Œ Binary Oxide ~ à Ì} Œ •_  $ q 6   x “ ¦´ òÖ  ¦ $ í  © œ

~

½ ÓZ O \  @ /ô  Ç ƒ  ½ ¨ x 9 ~ à Ì} Œ •_  „  l & h  : £ ¤$ í `  ¦ ì  r$ 3  % i 



. $ í  © œ  ) a Al

2

O

3

~ à Ì} Œ •\ " f % i & h “   $ † ½ Ó    o : £ ¤$ í `  ¦

› '

a8 £ ¤ % i “ ¦, ~ à Ì} Œ •$ í  © œ › ¸| \     „  l & h  : £ ¤$ í `  ¦ › ¸] X 

½

+ É Ã º e ” 6 £ §`  ¦ S X ‰ “   % i  . ‘ : r ƒ  ½ ¨   õ – РÒ'  € ª œF G í ß –



oZ O `  ¦ s 6   x ô  Ç í ß – o} Œ • $ í  © œ“ É r “ ¦”  / B N  © œq \  ¦ s 6   x ô  Ç $ í

 ©

œ ~ ½ ÓZ O `  ¦ @ /’  K  ReRAM ™ è  > hµ 1 Ï`  ¦ 0 Aô  Ç $  q 6   x “ ¦

´

òÖ  ¦ ~ à Ì} Œ • $ í  © œ ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð s 6   x | ¨ c à º e ” `  ¦  כ s  .

P

c p 8 ý ò k >

‘

: r  7 Hë  H“ É r 2005¸  • ¸ 1 l x² D G @ /† < Ɠ § ƒ  ½ ¨¸   t " é ¶ \  _ K 

"

f s À Ò# Q & ’ Ü ¼ 9 s \  U  ·“ É r y Œ ™ \  ¦ × ¼w n m  .

Y

c p w Š à U Ø ”  ô

[1] Huijun Yu, Future Memory : FRAM, (Sigmapress, Seoul, 2000), p. 30.

[2] H. Boeve, C. Bruynseraede, J. Das, K. Dessein, G.

Borghs and J. D. Boeck, IEEE Transactions on Mag- netics, 35, 2820 (1999).

[3] Y. Hwan et al., IEDM Technical Digest, Session 37, 1 (2003).

[4] Y. Chen et al., IEDM Technical Digest, Session 37, 4 (2003).

[5] S. J. Baik et al., IEDM Technical Digest, Session 22, 3 (2003).

[6] K. L. Chopra, J. Appl. Phys. 36, 1 (1965).

[7] J. C. Bruyere and B. K. Chakraverty, Appl. Phys.

Lett. 16, 1 (1970).

[8] W. R. Hiatt and T. W. Hickmott, Appl. Phys. Lett.

6, 6 (1965).

[9] C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J-S Zhao and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 262907 (2005).

[10] A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel and D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 77, 139 (2000).

[11] Seong Ho Han , Bull of the Korean Inst. of Metal.

2, 102 (1989).

[12] Guk Gwang Won, Anodizing Technology, (Donghwa Technology, Seoul, 2005), p. 101.

[13] C. W. Yoo, H. J. Oh, J. H. Lee, J. J. Chang and C. S.

Chi, J. of the Korean Inst. of Structure Engineering 35, 383 (2002).

[14] Christina Rohde, Byung Joon Choi, Doo Seok Jeng, Seol Choi, Jin-Shi Zhao and Cheol Seong Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 262907 (2005).

[15] S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. -S.

Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. S. Byun, I. R. Hwang, S. H. Kim and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 093509 (2005).

[16] S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. -S.

Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim,

I. S. Byun, J. -S. Kim, J. S. Choi and B. H. Park,

Appl. Phys. Lett. 85, 23 (2004).

(6)

Resistive Switching Characteristics in Binary Oxide Films Grown for ReRAM Applications by Using an Anodizing Technique

Hongwoo Seo, Kyooho Jung, Yongmin Kim, Nambin Kim, Woong Jung and Hyunsik Im

Department of Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 100-715

Hyungsang Kim

Department of Physics, Dongguk University, Seoul 100-715 (Received 21 March 2006)

We have investigated, for the first time, reversible ON and OFF resistive switching in aluminum- oxide (AlO

x

) films grown by using an anodizing technique. Hydrogen peroxide (H

2

O

2

) is used to grow the AlO

x

films on Al/SiO

2

/Si substrates. The thickness of the AlO

x

film is found to linearly increase with the anodizing time at a rate of 15 ˚ A/sec up to 1.5 µm. We demonstrate that the oxygen content (x) can be controlled by changing the substrate temperature and that the film’s its ON/OFF resistive switching properties can be changed accordingly.

PACS numbers: 77.84.-s, 77.84.Bw, 77.80.Fm

Keywords: Anodizing, Oxide film growth, Resistive switching

E-mail: hyunsik7@dongguk.edu

수치

Table 1. Anodizing growth rate and maximum thickness of anodized oxide layer for various metals.
Fig. 3. (a) SEM image of a AlO x /Al/Si structure. EDAX (Energy Dispersive X-Ray analysis) spectroscopy: (b) AlO x film and (c) bottom electrode.
Fig. 4. XRD (X-ray diffraction) spectra of the AlO x layer used in Fig. 3.

참조

관련 문서

• 신장의 K+ 분비 능력이 있어도 이를 배설시킬 충분한 distal flow가 부 족한 경우로 Effective circulating volume 부족 , 저단백식(urea 감소).

동 기한내 위반사항이 개선되지 않는 경우「사회적기업 육성법」제18조의 규정에 따라 사회적기업 인증이 취소될 수 있음을 알려드립니다... 동

Kim, Hwa-Jung, Hyung-Kyu Nam, Wee-Haeng Hur, Jung-Youn Lee, Jae-Woong Hwang, Ji-Yeon Lee, Yu-Seong Choi, Dong-Won Kim, Jin Young Park. National

In a recent study([10]), Jung and Kim have studied the problem of scalar curvature functions on Lorentzian warped product manifolds and obtained partial

Sang - pil Yoon, Hyeok - jung Kwon, Han - sung Kim, Yong - sub Cho, Bo - hyun Chung, Kyung - tae Seol, Young - gi Song, Dae - il Kim, and Yi - sub Min(KAERI). Current Design

Hwa Jung Kim, Bon-Cheol Ku, Jae Kwan Lee “Use of Pyrolyzed Amino Acids as Versatile Dopants for Synthesis of Heteroatoms-doped

Dombret H, Sutton L, Duarte M, Daniel MT, Leblond V, Castaigne S, Degos L: Combined therapy with all-trans retinoic acid and high-dose chemotherapy in

Find out what type of conic section the following quadratic form represents and transform it to principal