특허청구의 범위

전체 글

(1)

(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A)

(11) 공개번호 10-2014-0140250 (43) 공개일자 2014년12월09일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.)

G01R 29/08 (2006.01) G01R 31/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0060809

(22) 출원일자 2013년05월29일 심사청구일자 없음

기술이전 희망 : 기술양도, 실시권허여, 기술지도

(71) 출원인

한국전자통신연구원

대전광역시 유성구 가정로 218 (가정동) (72) 발명자

최성웅

대전 유성구 반석서로 109, 704동 1306호 ( 반석동, 반석마을7단지아파트)

박승근

대전 유성구 배울1로 13, 211동 701호 (관평동, 대우푸르지오)

(74) 대리인 제일특허법인 전체 청구항 수 : 총 14 항

(54) 발명의 명칭 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치

(57) 요 약

슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치가 제공되며, 일측에 제 1 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급 받는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region), 적어도 하나의 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 1 언테이퍼 영역 (Untapered Region), 일측에 제 3 포트가 형성되어 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 2 테이퍼 영 역을 포함한다.

대 표 도

- 도3

(2)

이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 12-911-01-103 부처명 방송통신위원회

연구관리전문기관 한국방송통신전파진흥원 연구사업명 방송통신인프라원천기술개발

연구과제명 ICT 시설 등 주요 인프라의 전자파 안전성 연구 기 여 율 1/1

주관기관 한국전자통신연구원 연구기간 2012.03.01 ~ 2015.02.28

(3)

특허청구의 범위

청구항 1

표준전자파 발생장치에 있어서,

일측에 제 1 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region);

적어도 하나의 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 1 언테이퍼 영역(Untapered Region);

일측에 제 3 포트가 형성되어 상기 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 2 테이퍼 영역 을 포함하는, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 2

제 1 항에 있어서,

상기 적어도 하나의 슬릿의 길이(Length)는 상기 제 1 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%인 것인, 슬릿을 이 용한 표준전자파 발생장치.

청구항 3

제 1 항에 있어서,

상기 적어도 하나의 슬릿의 폭(Width)은 상기 제 1 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 4

제 1 항에 있어서,

상기 적어도 하나의 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 5

제 1 항에 있어서,

상기 전자기파는 상기 제 1 포트로부터 제 3 포트 방향으로 진행하고,

상기 적어도 하나의 슬릿의 길이방향은 상기 전자기파와 수직되도록 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 6

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 상부 격벽(Septum)을 형성하는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 7

제 1 항에 있어서,

(4)

상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역의 폭은 동일한 것인, 슬릿을 이용한 표준전자 파 발생장치.

청구항 8

제 1 항에 있어서,

일측에 제 2 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 3 테이퍼 영역(Tapered Region);

적어도 하나의 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 2 언테이퍼 영역(Untapered Region);

일측에 제 4 포트가 형성되어 상기 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 4 테이퍼 영역 을 더 포함하는, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 9

제 8 항에 있어서,

상기 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 하부 격벽(Septum)을 형성하는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 10 제 8 항에 있어서,

상기 적어도 하나의 슬릿의 길이(Length)는 상기 제 2 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%인 것인, 슬릿을 이 용한 표준전자파 발생장치.

청구항 11 제 8 항에 있어서,

상기 적어도 하나의 슬릿의 폭(Width)은 상기 제 2 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 12 제 1 항에 있어서,

상기 적어도 하나의 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 13 제 8 항에 있어서,

상기 전자기파는 상기 제 2 포트로부터 제 4 포트 방향으로 진행하고,

상기 적어도 하나의 슬릿의 길이방향은 상기 전자기파와 수직되도록 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

청구항 14

(5)

제 8 항에 있어서,

상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은, 상기 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영 역 및 제 4 테이퍼 영역과 대칭되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치.

명 세 서 기 술 분 야

본 발명은 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치에 관한 것으로, 슬릿 구조를 이용하여 전자기파 진행 방향에 존 [0001]

재하는 불필요한 성분을 제거할 수 있는 장치에 관한 것이다.

배 경 기 술

최근 전기, 전자 및 정보화 기술의 급속한 발전으로 생활 속에서 많은 전자 기기가 존재한다. 이들 장비에서 [0002]

발생하는 전자파는 인체에 장해를 일으킬 뿐 아니라, 전자기기 간에도 영향을 주기 때문에 오동작 또는 고장을 유발하기도 한다.

이때, 불필요한 전자파의 방출을 규제치 이하로 억제하고, 일정한 규제치의 전자파 환경 속에서 정상적인 동작 [0003]

을 할 수 있도록 내성을 강화시키는 표준전자파 발생장치의 개발이 활발하게 진행되고 있다. 표준전자파 발생 장치와 관련하여, 선행기술인 제2013-0003369호(2013.01.09 공개)에는 TEM 셀의 테이퍼 영역이나 GTEM 셀 설계 및 성능 분석에 이용되도록, TEM 모드 분포를 모드 정합 기법을 이용하여 해석하는 알고리즘이 개시되어 있다.

다만, 표준전자파 발생장치를 제공함에 있어서, 불필요한 전계 성분을 제거하는 기술은 개시되어 있지 않다.

[0004]

즉, 전자파의 진행 방향에 해당하는 불필요한 전계 성분이 크게 발생할 수 있으므로, TEM 모드 뿐만 아니라, 근 역장 모드를 생성하는데 문제점이 발생하게 되는데, 이러한 문제점을 해결하기 위한 내용은 개시되어 있지 않다.

선행기술문헌 특허문헌

(특허문헌 0001) 한국공개특허 제2013-0003369호(2013.01.09 공개)에는 "전자파 표준 발생장치의 해석 알고리즘 [0005]

생성 장치 및 방법"이 개시되어 있다.

발명의 내용 해결하려는 과제

본 발명의 일 실시예는, TEM 셀의 상부 격벽과 하부 격벽에 슬릿을 형성함으로써, TEM 셀 내에서 발생할 수 있 [0006]

는 불필요한 전계 성분을 제거할 수 있는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치를 제공할 수 있다. 다만, 본 실 시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들 이 존재할 수 있다.

과제의 해결 수단

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는, 일측에 제 1 포트가 형성되어 [0007]

전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region), 적어도 하나의 슬릿이 홀(Hole)로 형 성되는 제 1 언테이퍼 영역(Untapered Region), 일측에 제 3 포트가 형성되어 제 1 포트로부터 생성된 전자기파 가 출력되는 제 2 테이퍼 영역을 포함한다.

발명의 효과

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 전자기파 진행 방향에 형성되는 불필요한 전계 성분 [0008]

을 제거함으로써, TEM 셀 내부의 전자파 분포를 개선할 수 있다.

(6)

도면의 간단한 설명

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 정면도이다.

[0009]

도 2는 도 1의 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 정단면도 및 측단면도이다.

도 3은 도 1의 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 상부 격벽 및 하부 격벽의 평면도이다.

도 4는 도 3의 상부 격벽 및 하부 격벽의 다른 일 실시예에 따른 평면도이다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 전계강도를 도시한 그래프이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 전계강도를 도시한 그래프이다.

발명을 실시하기 위한 구체적인 내용

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 [0010]

수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 [0011]

아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아 니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해 되어야 한다.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

[0012]

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 정면도이고, 도 2는 도 1의 슬릿을 [0013]

이용한 표준전자파 발생장치의 정단면도 및 측단면도이다. 다만, 이러한 도 1 및 도 2의 슬릿을 이용한 표준전 자파 발생장치(1)는 본 발명의 일 실시예에 불과하므로, 도 1 및 도 2를 통해 본 발명이 한정 해석되는 것은 아 니다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 전자파 적합성(Electro [0014]

Magnetic Compatibility) 분야에서 사용되는 장치일 수 있다. 이때, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 2 개의 격벽(Septum)을 가지는 TEM(Transvers Electro Magnetic) 셀의 불필요한 전자파 분포 현상을 개선할 수 있는 장치일 수 있다. 또한, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 불필요한 전자파의 방출을 규제치 이하 로 억제하고, 일정한 규제치의 전자파 환경 속에서 장해를 받지 않고, 정상적인 동작을 할 수 있도록 내성을 강 화시키는 EMC 연구에 활용될 수 있다.

도 2를 참조하면, (a)는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 정면에 대한 단면도이고, (b)는 슬릿을 이용 [0015]

한 표준전자파 발생장치(1)의 측면에 대한 단면도이다. (a) 및 (b)를 참조하면, 슬릿을 이용한 표준전자파 발 생장치(1)는, 상부 격벽(Upper Septum, 100), 제 1 포트(110), 제 3 포트(130), 테스트 볼륨(300), 하부 격벽 (Lower Septum, 200), 제 2 포트(220), 제 4 포트(240)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 포트(110)로부터 제 3 포트(130) 방향으로 전자기파가 출력되고, 제 2 포트(220)로부터 제 4 포트(240) 방향으로 전자기파가 출력될 수 있다. 2 개의 격벽(100, 300)을 가진 TEM 셀의 외부는 제로 포텐셜(Zero Potential)의 완전 도체로 이루어 질 수 있다. 또한, TEM 셀의 내부는 상부 격벽(100) 및 하부 격벽(200) 도체가 휘지 않도록 형성될 수 있고, 급전 단자를 일정 거리 만큼 이격시켜 임피던스 정합이 용이하도록 구현될 수 있으며, Q 팩터가 높은 주파수 창 을 발생시켜 사용 주파수 대역을 넓힐 수 있는 구조일 수 있다.

이때, 상부 격벽(100)과 하부 격벽(200)은 직선형 구조로 형성되므로, TEM 셀은 상부 격벽(100)과 하부 격벽 [0016]

(200) 사이에 TEM(Transverse Electro Magnetic) 평면파를 생성할 수 있다. 여기서, TEM 셀은 외부의 전파 환 경에 무관하게 내성력 시험이 가능한 환경을 제공할 수 있고, 근역장(Near-Field) 발생이 가능한 장치일 수 있 다.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 상부 격벽 및 하부 격벽에 [0017]

(7)

대하여 상세히 설명하도록 한다.

도 3은 도 1의 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 상부 격벽 및 하부 격벽의 평면도이고, 도 4는 도 3의 상 [0018]

부 격벽 및 하부 격벽의 다른 일 실시예에 따른 평면도이다.

도 3의 (a)를 참조하면, (a)는 슬릿을 이용한 표준 전자파 발생장치(1)의 상부 격벽(100)을 도시한다. 이때, [0019]

슬릿을 이용한 표준 전자파 발생장치(1)는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region), 제 1 언테이퍼 영역(Untapered Region) 및 제 2 테이퍼 영역을 포함한다.

제 1 테이퍼 영역은 제 1 포트(110)부터 제 1 언테이퍼 영역까지의 영역일 수 있다. 테이퍼라는 것은 서로 상 [0020]

대하는 양측면이 대칭적으로 경사가 져 있을 때의 용어로서, 어떤 부분에서 지름이 점점 작아지거나 커지고 있 을 때 테이퍼가 되어 있다고 지칭한다. 따라서, 제 1 테이퍼 영역은 제 1 포트(110)로부터 지름이 점점 커지는 영역일 수 있다. 또한, 제 1 테이퍼 영역은 일측에 제 1 포트(110)가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공 급받는 영역일 수 있다.

제 1 언테이퍼 영역은 서로 상대하는 양측면이 대칭적으로 경사가 져 있지 않은 영역일 수 있다. 제 1 언테이 [0021]

퍼 영역은 적어도 하나의 슬릿(150)이 홀(Hole)로 형성될 수 있다. 이때, 적어도 하나의 슬릿(150)의 길이(W x)는 제 1 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%일 수 있다. 또한, 적어도 하나의 슬릿(150)의 폭(Wz)은 제 1 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%일 수 있다. 이때, 적어도 하나의 슬릿(150)의 길이 방향은 전자기파가 흐르 는 방향과 수직되도록 형성될 수 있다. 여기서, 전자기파는 제 1 포트(110)로부터 제 2 포트(130) 방향으로 진 행될 수 있다. 즉, 적어도 하나의 슬릿(150)의 길이 방향은 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 정면을 기준으로 후면 방향(x방향)일 수 있고, 적어도 하나의 슬릿(150)은 직사각형의 홀 형상으로 형성될 수 있다.

제 2 테이퍼 영역은 제 1 언테이퍼 영역으로부터 제 3 포트(130)까지의 영역일 수 있다. 또한, 제 2 테이퍼 영 [0022]

역은 일측에 제 3 포트(130)가 형성되어 제 1 포트(110)로부터 생성된 전자기파가 출력되는 영역일 수 있다.

여기서, 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 TEM 셀의 상부 격벽 [0023]

(100)을 형성할 수 있고, 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역의 폭은 동일할 수 있다.

(b)는 슬릿을 이용한 표준 전자파 발생장치(1)의 하부 격벽(200)을 도시한다. 이때, 슬릿을 이용한 표준 전자 [0024]

파 발생장치(1)는 제 3 테이퍼 영역(Tapered Region), 제 2 언테이퍼 영역(Untapered Region) 및 제 4 테이퍼 영역을 포함한다.

제 3 테이퍼 영역은 제 2 포트(220)부터 제 2 언테이퍼 영역까지의 영역일 수 있다. 이때, 제 3 테이퍼 영역은 [0025]

제 2 포트(220)로부터 지름이 점점 커지는 영역일 수 있다. 또한, 제 3 테이퍼 영역은 일측에 제 2 포트(220) 가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 영역일 수 있다.

제 2 언테이퍼 영역은 서로 상대하는 양측면이 대칭적으로 경사가 져 있지 않은 영역일 수 있다. 제 2 언테이 [0026]

퍼 영역은 적어도 하나의 슬릿(250)이 홀(Hole)로 형성될 수 있다. 이때, 적어도 하나의 슬릿(250)의 길이(W x)는 제 2 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%일 수 있다. 또한, 적어도 하나의 슬릿(250)의 폭(Wz)은 제 1 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%일 수 있다. 이때, 적어도 하나의 슬릿(250)의 길이 방향은 전자기파가 흐르 는 방향과 수직되도록 형성될 수 있다. 여기서, 전자기파는 제 1 포트(110)로부터 제 2 포트(130) 방향으로 진 행될 수 있다. 즉, 적어도 하나의 슬릿(250)의 길이 방향은 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 정면을 기준으로 후면 방향(x방향)일 수 있고, 적어도 하나의 슬릿(250)은 직사각형의 홀 형상으로 형성될 수 있다.

제 4 테이퍼 영역은 제 2 언테이퍼 영역으로부터 제 4 포트(240)까지의 영역일 수 있다. 또한, 제 2 테이퍼 영 [0027]

역은 일측에 제 4 포트(240)가 형성되어 제 2 포트(220)로부터 생성된 전자기파가 출력되는 영역일 수 있다.

여기서, 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 TEM 셀의 하부 격벽 [0028]

(200)을 형성할 수 있고, 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역의 폭은 동일할 수 있다.

상부 격벽(100)과 하부 격벽(200)은 대칭 구조를 이룰 수 있고, 테스트 볼륨(300)을 기준으로 상부와 하부에 각 [0029]

각 위치할 수 있다.

도 4를 참조하면, (a)는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 상부 격벽(100)의 일 실시예를 도시하고, [0030]

(b)는 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)의 하부 격벽(200)의 일 실시예를 도시한다. (a)와 (b)는 대칭되 는 구조로써 그 명칭만이 다를 뿐, 그 형상이나 구조는 동일하므로, (a)를 기준으로 설명하기로 한다.

(a)를 참조하면, 적어도 하나의 슬릿(150)은 일정 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 이때, 일정 간격 [0031]

(8)

(Wz_space)은 적어도 하나의 슬릿(150)의 폭(Wz)과 동일하거나 작을 수 있다. 또는, 일정 간격(Wz_space)은 적어도 하나의 슬릿(150)의 폭(Wz)과 동일하거나 클 수 있다. (a)에서는 슬릿(150)의 개수가 3 개(150(1), 150(2), 150(3))로만 도시되어 있으나, 이보다 더 적을 수도 있고, 이보다 더 많을 수도 있다. 슬릿의 개수 (150)는, 진행 방향(z축)에 대한 불필요한 전계 필드(Ey)가 어느 정도로 형성이 되어 있는지에 따라 가감될 수 있다.

이때, TEM 모드는, 즉 전계(Electric Field)와 자계(Magnetic Field)가 수직한 방향으로 형성되고, 전자기파의 [0032]

진행방향은 전계 및 자계와 모두 수직한 방향으로 진행되는 상태를 일컫는다. (a)의 전자기파의 진행방향은 z 축 방향이고, 전계는 y 축 방향으로 형성되고, 자계는 x 축 방향으로 형성된다. 이때, 전계가 x 축 방향이나 z 축 방향으로 형성되는 경우, 의도하지 않은 전계이므로 해당 필드 성분은 제거되어야 한다. 마찬가지로, 자계 가 y 축 방향이나 z 축 방향으로 형성되는 경우, 이 역시 의도하지 않은 자계이므로, 해당 필드 성분은 제거되 어야 한다.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치(1)는 전자기파의 진행 방향에 해당하 [0033]

는 z 축 방향에, 불필요한 전계 강도(Electric Field Intensity) 성분이 발생하지 않도록 하고, TEM 모드와 근 역장 모드를 불필요한 성분 없이 생성할 수 있도록 한다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 전계강도를 도시한 그래프이고, 도 6 [0034]

은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치의 전계강도를 도시한 그래프이다.

도 5를 참조하면, 도 5는 주파수의 크기에 따른 y 축 방향의 전계 필드(Ey) 강도를 도시한다. 이때, y축 방향 [0035]

의 전계 필드(Ey)는 의도된 필드이므로, 슬릿의 존재 유무에 관계없이 Ey 필드 성분은 가능한 한 변하지 않는 것이 바람직하다. 이때, 도 5를 참조하면, Ey 필드 성분은 슬릿이 형성되지 않은 경우(No slit), 슬릿이 1 개 형성된 경우(1 Slit), 2 개 형성된 경우(2 Slit), 3 개 형성된 경우(3 Slit), 슬릿의 길이가 증가한 경우(1 Slit(Wx=400mm)) 모두 동일한 세기의 필드가 형성된 것을 알 수 있다.

도 6을 참조하면, 도 6은 주파수 크기에 따른 z 축 방향의 전계 필드(Ez) 강도를 도시한다. 이때, z 축 방향의 [0036]

전계 필드(Ez)는 의도하지 않은 필드이므로, 슬릿이 존재할 경우 Ez 필드 성분은 제거되는 것이 바람직하다.

이때, 도 6을 참조하면, Ez 필드 성분은 0.15GHz를 기준으로 하였을 때, 슬릿이 형성되지 않은 경우(No Slit)와 길이가 400mm인 슬릿이 1 개 형성된 경우(1 Slit(Wx=400mm))를 비교하면, 약 4.1dBV/m의 차이를 보인다.

또한, 슬릿이 형성되지 않은 경우(No Slit) 보다 1 개라도 형성된 경우가 Ez 필드 성분이 낮은 것을 확인할 수 있다. 또한, 슬릿의 길이가 동일하다면, 슬릿의 개수가 많아질수록, 의도하지 않은 필드 성분은 더 많이 제거 될 수 있으며, 슬릿의 개수가 동일하다면, 슬릿의 길이가 길어질수록, 의도하지 않은 필드 성분은 더 많이 제거 되는 것을 알 수 있다.

또한, 0.15GHz를 기준으로 슬릿의 길이를 300mm, 350mm, 400mm로 형성한 경우, 슬릿을 형성하지 않은 경우보다 [0037]

Ez 전계 강도는 약 1.9dBV/m, 3.3dBV/m, 5.3dBV/m 감소하는 것을 알 수 있다.

이와 같이 주파수를 각각 다르게 변경하였을 때의 Ez 필드 감소량을 정리하면 아래 표 1과 같다.

[0038]

표 1

[0039]

본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치는, 표준전자파 발생장치로 사용하는 2 개의 격 [0040]

벽을 가진 TEM 셀의 단점 중 하나인 불필요한 진행 방향 성분을 줄일 수 있다. 또한, 슬릿 구조의 내부 격벽에

(9)

대한 CST 시뮬레이션을 통하여 원하는 필드 성분의 변화없이 불필요한 진행 방향 필드 성분을 감소시킬 수 있으 며, TEM 셀 내부의 전자파 분포를 개선할 수 있다.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명 [0041]

의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해 할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가 지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 [0042]

및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으 로 해석되어야 한다.

도면

도면1

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도면2

(11)

도면3

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도면4

도면5

(13)

도면6

수치

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참조

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