12 Z 4, pp. 1144∼1149

(1)

12 Z 4, pp. 1144∼1149

m+ s ÇX N Ë ¥M my ¢= k Tetramethyltetraselenafulvalene (TMTSF)8 ý V R

ËX ê sÊ Ý ºX ì Ä ¤V R Ë

Ã ç >¨ £ · - ! H` 9 Ú · T - > <

· ¡ ¤ @ / < Æ § Ó ü t o < Æõ , Å Ò 561-756

(2011¸ 10 Z 4 17{ 9 ~ Ã Î6 £ §, 2011¸ 11 Z 4 7{ 9 Ã º& ñ : r ~ Ã Î6 £ §, 2011¸ 12 Z 4 1{ 9 > F S X & ñ )

Ó ü

t o & h 7 £ x l 7 £ x Ã ÌZ O (Physical Vapor Deposition, PVD)` ¦ s 6 x # ¦í H ¸_ TMTSFì r ´ ú ÐÂ Ò '

~ Ã Ì} + þ AI _ é ß & ñ TMTSF\ ¦ % 3 % 3 . & ñ _ ¨ î ? /\ " f ô Ç » ¡ ¤ s É r » ¡ ¤ _ U ´s Ð © @ /& h Ü ¼

Ð É r Z þ t ¸ ª õ ¿ º » ¡ ¤ _ U ´s q 5 p w ô Ç ó ø Í ¸ ª _ ~ Ã Ì} ` ¦ 1 l x r \ % 3 % 3 . X- r] X J 8 £ ¤& ñ

`

¦ : x K ¿ º t + þ AI _ TMTSF é ß & ñ ~ Ã Ì} É r y y ab » ¡ ¤ õ ac » ¡ ¤` ¦ Bragg Ü ¼ Ð # $ í © H

כ

` ¦ S X ½ + É Ã º e % 3 . ì r Á ú ¢e ½ ¨ ¸ H y » ¡ ¤ _ U ´s ¸¿ º Ø Ô ¦ (a 6= b 6= c), Å Ò » ¡ ¤ ç ß _ s y s

¸¿ º É r (α 6= β 6= γ) & ñ > (triclinic)e ` ¦ S X % i .

Ù þ

d # Q: TMTSF, é ß & ñ , XRD, CVD, OFET, Organic

Growth and Structural Properties of Organic Single-crystal Tetramethyltetraselenafulvalene (TMTSF)

Eul-doo Park · Seon-Ho Kwon · I. J. Lee ^∗

Department of Physics, Research Institute of Physics and Chemistry, Chonbuk National University, Korea, Jeonju 561-756

(Received 17 October 2011 : revised 7 November 2011 : accepted 1 December 2011)

We synthesized single-crystal TMTSF films from physical vapor deposition (PVD) of purified TMTSF powder. Two types of single crystals, needle and plate shaped, were obtained from a single PVD run. We identified from X-ray diffraction studies that the single-crystal films formed a flat surface with ab and ac planes for the needles and the plates, respectively. Interestingly, an identical triclinic stacking structure of TMTSF molecules in which the cell axes and angles were all different (i.e., a 6= b 6= c and α 6= β 6= γ) was found for both types of single crystals.

PACS numbers: 61, 81

Keywords: TMTSF, Single crystal, XRD, CVD, OFET, Organic

∗

E-mail: [email protected]

-1144-

(2)

I. " e Â ] Ø

@

/Â Òì r Ä »l Ó ü t ì ø Í ¸^ _ l & h : £ ¤$ í É r ì ø ÍX <µ 1 ÏÛ ¼

½ + Ë(Van der Waals bonding)\ _ K > ) a ¦ w n

ì r _ Á ú ¢e ½ ¨ ¸\ _ K " f & ñ ) a [1–3]. ¢ ¸ô Ç Ä » l

ì ø Í ¸^ H : r| 9 & h Ü ¼ Ð r « Ñ_ ³ ð \ " f _ s 1 l x

`

¦ ~ ½ ÓK # W = (charge trap)Ü ¼ Ð 6 x H Ô ¦ í o

½ + Ë(dangling bond)_ x 9 ¸ Á ºl Ó ü t ì ø Í ¸^ ü < q §

#

© @ /& h Ü ¼ Ð ± ú . s H > ´ òõ (Field Effect)\ ¦ 0 A ô

Ç ë H) 3 · ú (threshold voltage)° ú כ` ¦ ± ú Æ Ò H s & h Ü ¼ Ð 6

x ô Ç . Ä »l ì ø Í ¸^ \ ¦ s 6 x ô Ç Ä »l > ´ òõ à Ô ½ t Û ¼ '

(Organic Field-Effect Transistor, OFET)_ Z t î r µ 1 Ï

É r Ä »l ì ø Í ¸^ ~ Ã Ì} ` ¦ Ö ¸$ í 8 £ x Ü ¼ Ð H ~ Ã Ì} à Ô ½ t Û

¼' (Tin Film Transistor, TFT) ÐÂ Ò' r ÷ &% 3 [4–

6]. t ë ß ~ Ã Ì} + þ A à Ô ½ t Û ¼' H Ä »l Ó ü t ì ø Í ¸^ (organic semiconductor) _ l & h : £ ¤$ í ` ¦ ½ ¨ l \ H & h ] X

t · ú § . Õ ª s Ä » H ~ Ã Ì} à Ô ½ t Û ¼' _ $ í 0 p x s 7 á x7 á x l

è _ Ö ¸$ í 8 £ x` ¦ s À Ò H Ä »l ì ø Í ¸^ ~ Ã Ì} _ ½ ¨ ¸& h

< Ê, & ñ Ä »l ~ Ã Ì} ? /\ > r F H ± ú · ú Å Ò0 A_ â >

, ¢ ¸ H Ä »l Ó ü t| 9 _ Ô ¦Ø æì r ô Ç í H ¸\ ß ¼> % ò ¾ Ó` ¦ ~ Ã Îl M

:ë H s [4]. s Qô Ç Ä »l ì ø Í ¸^ ~ Ã Ì} _ ½ ¨ ¸& h < Ê

É r OFET + þ AI _ l è \ " f l ¸\ ¦ 8 £ ¤& ñ ½ + É â Ä º

± ú

É r : r ¸\ " f _ s 1 l x ¸(mobility) / å L y y è

H " é ¶ Ü ¼ Ð · ú 94 R M ® o [7]. s õ H í ¦í H ¸ Ä »l Ó

ü

t é ß & ñ ` ¦ s 6 x ô Ç q ' r ç ß (time of fight)8 £ ¤& ñ z ´+ « >\

"

f r « Ñ_ : r ¸\ ¦ ± ú Ø ¦ Ã º2 ¤ _ s 1 l x ¸(mobility)

7 £

x ô Ç H µ 1 Ï| õ @ /q ) a [8,9]. " f OFET½ ¨ ¸\

"

f Ä »l ì ø Í ¸^ ^ _ ¦Ä »ô Ç l & h : £ ¤$ í ` ¦ ½ ¨ l

0 AK " f H ³ ð _ s 1 l x \ Å Ò H ü @Â Ò& h % ò ¾ Ó` ¦ þ

j è o ½ + É Ã º e H é ß & ñ (single crystal)` ¦ 9 כ ¹ Ð ô Ç .

é

ß & ñ É r & ñ ~ ½ Ó ¾ Ós { 9 & ñ 9, í H ¸ Z } ¦ & ñ < Ê s

± ú l M :ë H \ l è Ð" f Z } É r ´ òÖ ¦` ¦ é ß Ð ½ + É Ã º e

. ª ô Ç > : £ ¤$ í Ü ¼ ÐÂ Ò' ¸ H É r % ò ¾ Óõ Ä »l Ó ü t

\

? /] j ) a Ô ¦í HÓ ü t 1 p x # Q ü @& h ¨ 8 â _ % ò ¾ Ó` ¦ þ j@ /ô Ç C

] jô Ç G Ä »l Ó ü t| 9 ^ _ ¦Ä »ô Ç _ s 1 l x ¸\ ¦ % 3 l

0 AK Ë ¨ï r ô Ç ¸§ 4 ` ¦ l Ö ¦ # M ® o . þ j H t s À Ò# Q

½ ¨_ $ í õ Ð _ s 1 l x ¸ TFT\ " f 0.1 cm

²

/Vs

&

ñ ¸ ì ø Í \ OFET\ " f H 8 cm

²

/Vs _ Z } É r s 1 l x ¸

¾ Ó © ` ¦ s À Ò# Q Í Ç x [10–12]. Õ ª õ © Ö ¸ µ 1 Ïy ½ ¨

×

æ é ß & ñ K $ (Pentacene) ¢ ¸ H À ÒÚ Ô 2 ;(rubrene)` ¦ s

6 x ô Ç é ß & ñ OFET½ ¨ ¸\ " f 8 £ ¤& ñ ) a _ s 1 l x ¸ H

© : r \ " f y y þ j@ / 2 cm

²

/Vs ü < 20 cm

²

/Vs& ñ ¸ Ð ´ ú § s

¾ Ó © ÷ &% 3 [13,14]. f ¸ é ß & ñ z ´o B H l ì ø Í_ è

\ (∼1000 cm

²

/Vs) q _ s 1 l x ¸\ e # Q" f

&

³$ ô Ç s > r F t ë ß Ä »l Ó ü t| 9 s t ¦ e H ½ ¨

¸& h Ä » $ í (flexibility), ± ú É r : r ¸\ " f è \ ¦ ] j ¸

½

+ É Ã º e H & h , & ³F V , o æ ¼s H : x& h ì ø Í ¸^ è

ü < ~ 1 > ½ + Ë÷ &# Q l > r F g r Ð\ Â Ò& h l 0 p x` ¦ ] j /

B

N ½ + É Ã º e H & h , Õ ªo ¦ Á º% Á Ð ¸ è / B N s $ § 4

H z ´ É r Ä »l Ó ü t ì ø Í ¸^ _ µ 1 Ï ` ¦ ß ¼> Ö ¸$ í o r v

H " é ¶1 l x§ 4 s ÷ &# Q M ® o . t F K t Ä »l ì ø Í ¸^ \ ¦ s 6 x ô

Ç l è H Õ ª $ í 0 p x s Ë ¨ï r y ¾ Ó © ÷ &# Q ~ Ã Ì} à Ô ½ t Û

¼' [15]÷ r ë ß m µ 1 Ï F g è [16], I ª t [17], F g Ø

¦ l ü < Y Us $ [18] 1 p x # Q 6 £ x6 xì r Ð Õ ª z ´6 x 0 p x$ í s

S X í ß ÷ & ¦ e . Ä »l ì ø Í ¸^ _ ½ ¨% i H © @ /& h Ü ¼

Ð Â ú ªt ë ß Qt · ú § É r p A \ & ³F _ Á ºl ì ø Í ¸^ \ ¦ ¢ - a# 4 y

@ /^ H èF í ß \ O _ × æ Æ Ò | ¨ c כ s . z ´] j Ð & ³F Ä

»l ì ø Í ¸^ ì r \ " f s ê r l Õ ü t& h Ð H Ä »l µ 1 Ï F g s

¸× ¼ü < Ä »l Ó ü t à Ô ½ t Û ¼' \ ¦ l ì ø ÍÜ ¼ Ð H n Û ¼e ¦ Y U s

(active matrix display)\ ¦ © 6 x o H é ß > \ s Ø Ô! 3

. Õ ª Q _ ¦Ä »ô Ç Ã º5 Å x: £ ¤$ í s ¦ b # Qt H 7 £ ¤ Ä

»l ì ø Í ¸^ & ñ ? /\ " f \ ¦ ½ ¨$ í H Ä »l ì r [ þ t s

_ 4 ¤ ¸ ú ô Ç © ñ 6 x \ l H e ¦ : r Ã º5 Å x(polaron transport) \ @ /ô Ç H : r& h s K \ e # Q" f H _ ² ú Ð

© I \ QÓ ü t Qe . s H 1960¸ @ / × æ ì ø Í ' Í P : z ´o B H F

K5 Å q- í ß oÓ ü t ì ø Í ¸^ è (MOSFET)] j \ $ í / B N ô Ç s Ê

ê ì ø Í ¸^ è _ l Õ ü t& h µ 1 Ï s \ Á ºl ì ø Í ¸^ ? /\

"

f_ Ã º5 Å x B j& m 7 £ § \ @ /ô Ç _ ¢ - a# 4 ô Ç s K e

%

3 H z ´õ H ß ¼> @ / ¸& h s .

Ä

»l ì ø Í ¸^ _ ¦Ä »ô Ç Ã º5 Å x: £ ¤$ í _ Ð Ð ) a s K H

& ñ ½ ¨ ¸ É r ª ô Ç Ä »l ì ø Í ¸^ Ó ü t| 9 ` ¦ ½ + Ë$ í ¦ Ó ü t

| 9

_ ½ ¨ ¸& h : £ ¤$ í õ l & h ¢ ¸ H F g < Æ& h : £ ¤$ í 1 p x ª ô Ç

$ í

| 9 ` ¦ " f Ð q § ì r$ 3 < ÊÜ ¼ Ð" f % 3 ` ¦ Ã º e . s \ : r

½ ¨ É r OFET ½ ¨ ¸\ " f è _ Ö ¸$ í Ó ü t| 9 Ð 6 x

½

+ É é ß & ñ Ä »l ì ø Í ¸^ Ó ü t| 9 Ð Tetramethyltetraselena- fulvalene (TMTSF)\ ¦ × þ % i . TMTSF H í ¸ ¢ ¸

H F K5 Å q$ í 1 p x ª ô Ç Ó ü t$ í ` ¦ ? / H ï r { 9 " é ¶ ½ ¨ ¸\ ¦

° ú

H s 5 Å x% i (charage transfer salt) TMTSF

₂

X (X = ClO

4

, PF

6

, AsF

6

, 1 p x) r Û ¼% 7 \ " f Å Ò> h(donor) % i

½

+ É` ¦ H Å Ò ½ ¨$ í Ó ü t| 9 s [19]. þ j H Ð ¦ ) a \ _

é ß & ñ TMTSF ^ ë ß Ü ¼ Ð H p-+ þ A ì ø Í ¸^ _ : £ ¤$ í ` ¦

t ¦ e Ü ¼ 9 l > r \ ¸ ú · ú 9 Pentaceneõ Ä » ô Ç s 1

l

x ¸ ° ú כ` ¦ t m ¦ e [20]. Õ ª Q q §& h þ j H \ · ú 9

é ß & ñ Ä »l ì ø Í ¸^ TMTSF_ & ñ ½ ¨ ¸\ @ /ô Ç

½

¨ H f p f ¨ 9 : £ ¤ y OFET ½ ¨ ¸\ " f s 1 l x ¸

\

& ñ & h % i ½ + É` ¦ H & ñ ³ ð \ " f TMTSF ì r _

& Á ú ¢l ½ ¨ ¸\ @ /ô Ç ½ ¨ H f Ð ¦ ) a \ O .

" f : r ½ ¨ É r PVD ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð é ß & ñ TMTSF\ ¦ ë ß [

þ

t ¦ X- r] X z ´+ « >õ ì r$ 3 ` ¦ : x K z ´] j r « Ñ_ ³ ð \

"

fTMTSF ì r _ & Á ú ¢l ½ ¨ ¸\ ¦ ¸ % i . s ½ ¨ H TMTSF _ & ñ ½ ¨ ¸\ É r q 1 p x ~ ½ Ó& h l & h : £ ¤$ í ` ¦ s

K H X < × æ כ ¹ô Ç l # \ ¦ ½ + É כ Ü ¼ Ð Ò q ty ) a .

(3)

Fig. 1. (Color online) Schematics of the horizontal reac- tor tube and temperature profiles for the growth process.

The temperature gradient in the crystallization zone is -1.62

^◦

C/cm. The source zone is maintained at 160

^◦

C. II. ÷ m Ç] M öU ê s0 n É

Ä

»l Ó ü t ì ø Í ¸^ é ß & ñ É r & ñ ] j ) a ¦í H ¸_ TMTSF ì r

´ ú

` ¦ 6 x # Ô ¦ Ö ¸$ í l ^ Ø Ô 4 H` ¦ s 5 Å x Û ¼ Ð s 6

x H PVD ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð $ í © r ( . 97 % í H ¸\ ¦ ° ú

H © \ O 6 x TMTSF (Sigma-Aldrich chemical company) ì

r ´ ú ` ¦ ¦ / B N \ " f PVD~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð Y > _ F & ñ o õ

&

ñ ` ¦ : x K & ñ ] j % i [21,22]. Õ ªa Ë >1 É r é ß & ñ $ í © ` ¦ 0

Aô Ç PVDr Û ¼% 7 ` ¦ > h| Ä Ì& h Ü ¼ Ð Ð# ï r . PVDr Û ¼% 7

É

r y y 1 l qw n & h Ü ¼ Ð : r ¸\ ¦ ¸] X ½ + É Ã º e H3 > h_ t % i

`

¦ t H ¸(furnace) Ð ½ ¨$ í ÷ &# Q e . & ñ ] j H 10

⁻⁶

Torr _ / B N © I \ " f PVD r Û ¼% 7 ? / : r ¸ l Ö ¦ l \ ¦ - 1.62

^◦

C/cm Ð ¸] X # z ´' % i . z ´] j TMTSF ì r ´ ú s

5 p x o÷ & H t % i É r125

^◦

C Ð ¸] X ) a ] j 2 % ò % i (second zone) s 9 Z } É r : r ¸\ ¦ ° ú H ] j 1 % ò % i (first zone) H

Û ¼X O > W 1 w Ú Ô : r ¸ l Ö ¦ l \ ¦ ] j/ B N # 5 p x o ) a ì r [

þ

t s : r ¸l Ö ¦ l \ ¦ _ þ t Q ] j 1% ò % i Ü ¼ Ð % i À Ó H כ ` ¦

#

QÖ ¼ & ñ ¸ ~ ½ Ót H % i ½ + É` ¦ > ) a . 5 p x o ) a TMTSF ì

r H · ú § 4 _ s ü < : r ¸ l Ö ¦ l \ É r x 9 ¸ s M : ë

H \ ] j 3% ò % i (third zone) Ð S X í ß ) a . # l " f q §& h Á º

>

Á º î r Z } É r í H ¸_ TMTSF ì r ´ ú É r · ú ¡A á ¤ \ ¸s

>

÷ & ¦ ! 9î r Ô ¦í HÓ ü t[ þ t É r + 'A á ¤ Ü ¼ Ð S X í ß ÷ &# Q ¸s >

)

a . s õ & ñ ` ¦ 3 r ì ø Í4 ¤ # ¦ í H ¸_ TMTSF ì r ´ ú

`

¦ ¸ ¤ . é ß & ñ _ $ í © É r & ñ ] j ) a ì r ´ ú ` ¦ í ¦í H ¸ Ar

Û ¼\ ¦ s 6 x # F & ñ r v 9 s M : Ar Û ¼ Ä »{ 9 ª _

þ j& h ¸| É r ì r { © 70 cc% i . ^ % ò % i \ " f : r ¸ l Ö

¦ l H -1.89

^◦

C/cm s ¦ : r ¸\ ¦ 160

^◦

C Ð ¸] X ) a 2% ò

%

i \ " f 5 p x o ) a ì r ´ ú s Å Ò{ 9 ) a Ar Û ¼\ _ K " f ] j 3% ò

%

i Ü ¼ Ð s 1 l x > ) a . s 1 l x ) a TMTSF é ß ì r [ þ t É r þ j

Fig. 2. (Color online) Typical TMTSF single crystals which form in either needle or plate shapes are shown in panel (a). Panel (b) exhibits the chemical structure of TMTSF molecules determined from the 2-dimensional detection of XRD.

&

h _ F & ñ : r ¸\ ¦ s À Ò H ½ ¨ç ß \ " f ~ 1 > b # Qè q Ã º e

H(free standing) é ß & ñ ~ Ã Ì} + þ AI Ð $ í © > ) a . $ í

© ) a TMTSF é ß & ñ ~ Ã Ì} É r ¨ î ? /\ " f ô Ç » ¡ ¤ s É r

»

¡

¤ _ U ´s Ð © @ /& h Ü ¼ Ð É r Z þ t ¸ ª _ ~ Ã Ì} õ ¿ º

»

¡

¤ _ U ´s q 5 p w ô Ç ó ø Í ¸ ª _ ~ Ã Ì} ` ¦ 1 l x r \ % 3 % 3 (Õ ª a Ë

>2 Ã Ð ¸). & ³F t " f Ð É r © ` ¦ ° ú H é ß & ñ TMTSF

$ í

© & ³ © É r f Ð ¦ ) a \ O # Q $ í © ¸| \ É r ½ ¨^

&

h $ í © ¸4 S q ¢ ¸ô Ç B Ä º < É ª p e H ë H ] j s t F K À

Òt H · ú § x . ë ß ¿ º 7 á x À Ó_ & ñ s ° ú É r ì ø Í6 £ x Ð_ 0 A u

\ [ O # H כ Ü ¼ Ð p À Ò# Q $ í © : r ¸ & ñ _

¸ ª ` ¦ & ñ H Å Òכ ¹ כ ¹ Ü ¼ Ð Ðs · ú § H .

PVD\ ¦ s 6 x # $ í © r é ß & ñ _ ½ ¨ ¸& h : £ ¤$ í : £ ¤ y

OFET ½ ¨ ¸\ " f l & h : £ ¤$ í ` ¦ & ñ H × æ כ ¹ô Ç כ ¹

è ~ Ã Ì} _ ¨ î \ " f ³ ð \ × ¼ Q HTMTSFì r _

&

Á ú ¢l ½ ¨ ¸\ ¦ y y 1 " é ¶ õ 2 " é ¶ Ø ¦ l \ ¦ 6 x H X- r] X z ´+ « >` ¦ : x # · ú ? /% 3 . TMTSF_ 3 " é ¶

½

¨ ¸ H é ß & ñ \ þ j& h o ) a XRD\ ¦ : x K " f % i .

X- 8 £ ¤& ñ É r ] t o Ú ÔD ! p_ K

α

(λ = 0.71073 ˚ A)` ¦ 6 x

%

i ¦ ì rF g l í < Ê ) a 2 " é ¶ Ø ¦ © u Bruker Smart

APECCD Area Ø ¦ l \ ¦ 6 xÙ þ ¡ . X <s ' á ÔY Ue [ þ t É r

Bruker SAINT-Plus èá Ôà ÔJ ?# Q J v t \ ¦ 6 x # : x

(4)

Fig. 3. (Color online) Three dimensional packing structures of single crystal TMTSF are displayed in (a). Unit cell contains a single TMTSF molecule. Figure (b), (c) and (d) display the two-dimensional packing structure which is viewed from a-axis, b-axis, and c-axis, respectively.

Table 1. Lattice parameters of single-crystal TMTSF.

Identification code TMTSF

Empirical formula C

10

H

12

Se

4

Crystal system Triclinic

Space group P-1

a = 6.18(6) ˚ A b = 6.89(6) ˚ A

Unit cell c = 8.18(7) ˚ A

Dimensions α = 111.57(3)

^◦

β = 109.86(4)

^◦

γ = 84.80(5)

^◦

Volume 316.2(2) ˚ A

³

Mosaicity 0.66 ∼ 1.26

^◦

½

+ Ë÷ &% 3 ¦ & ñ ½ ¨ ¸_ ì r$ 3 \ H Bruker SHELXTL (ver- sion 6.14)` ¦ s 6 x % i . s \ ¦ : x K TMTSF é ß & ñ _

½

¨ ¸& h : £ ¤$ í õ ì r ´ ú XRD\ ¦ ¸ ô Ç r Ó ý t Y Us X <s '

\

¦ % 3 ` ¦ Ã º e % 3 . ¿ º t + þ AI \ ¦ ° ú H é ß & ñ TMTSF

~ Ã

Ì} _ ³ ð ` ¦ ½ ¨$ í H Bragg \ @ /ô Ç & ñ Ð\ ¦ % 3 l 0 A K

¨ î \ @ /ô Ç 2 8 £ ¤& ñ É r ½ ¨o _ K ` ¦ 6 x ô Ç Bruker XPERT-PRO\ ¦ 6 x Ù þ ¡ .

III. ÷ m Ç] M ö + s ÇÊ Ý8 ý w ² o

é

ß & ñ X- r] X ì r$ 3 ` ¦ : x # % 3 É r TMTSF _ é ß 0

A _ & ñ Ðü < © Ã º, s _ y ¸\ ¦ ³ ð 1\

&

ñ o % i . X- r] X z ´+ « >` ¦ : x K % 3 É r 3 " é ¶& h TMTSFì r _ Á ú ¢e ½ ¨ ¸ H Õ ªa Ë >3\ ? /% 3 .

Ó ü

t o & h 7 £ x l 7 £ x Ã ÌZ O (Physical Vapor Deposition, PVD)` ¦ s 6 x # ¦í H ¸_ TMTSFì r ´ ú ÐÂ Ò' ~ Ã Ì} + þ A I

_ é ß & ñ TMTSF\ ¦ % 3 % 3 . & ñ _ ¨ î ? /\ " f ô Ç

»

¡

¤ s É r » ¡ ¤ _ U ´s Ð © @ /& h Ü ¼ Ð É r Z þ t ¸ ª õ

¿

º » ¡ ¤ _ U ´s q 5 p w ô Ç ó ø Í ¸ ª _ ~ Ã Ì} ` ¦ 1 l x r \ % 3 % 3 .

Fig. 4. Simulation of powder XRD data was obtained from single crystal XRD using the two-dimensional de- tector. Several representative Miller indices and corre- sponding angular positions are shown in inset.

X- r] X J 8 £ ¤& ñ ` ¦ : x K ¿ º t + þ AI _ TMTSF é ß

& ñ ~ Ã Ì} É r y y ab » ¡ ¤ õ ac » ¡ ¤` ¦ Ú ÔA Õ ª Ü ¼ Ð #

$ í

ì

r Á ú ¢e ½ ¨ ¸\ ¦ Ð y » ¡ ¤ _ U ´s ¸¿ º Ø Ô ¦ (a 6= b 6= c), » ¡ ¤ s _ y ¸ ¸¿ º É r (α 6= β 6=

ü @+ þ A& h s \ ¸ Ô ¦ ½ ¨ ¦ Ä ºo _ XRDì r$ 3 õ

H ¿ º r « Ñ\ " f TMTSFì r _ 3 " é ¶& h Á ú ¢e ½ ¨ ¸

8 £ ¤& ñ ¸ # 3 0 A ? /\ " f ½ ¨ì r s Ô ¦ 0 p x H è < É ª p e

H : r` ¦ % 3 % 3 . TMTSF_ 3 " é ¶ ½ ¨ ¸\ @ /ô Ç

&

ñ Ð\ ¦ ½ ÓÜ ¼ Ð À Ò+ þ AI _ XRDJ Ü ¼ Ð ¬ ¹ ô Ç r Ó

ý

t Y Us _ õ H Õ ªa Ë >4\ ? /% 3 . Õ ªa Ë >4_ x 9 \

H Bragg ` ¦ l Õ ü t H Y > t @ /³ ð& h x 9 Qt Ã º ° ú כ õ

H r « Ñ\ @ /ô Ç XRD 8 £ ¤& ñ É r 0 p x ô Ç ¸ H Bragg \ _ ô

Ç X- r] X J ` ¦ Ð# Å ÒÙ ¼ Ð é ß { 9 r » ¡ ¤ \ @ /ô Ç

(5)

Fig. 5. (Color online) Results of 2θ scans obtained from the plate and the needle shaped samples are exhibited in (a) and (b), respectively. Inset in each panel schemati- cally describes the scan direction.

2θ 8 £ ¤& ñ \ " f H Bragg \ _ ô Ç J ` ¦ ½ ¨Z > H a

AI \ ¦ ° ú H é ß & ñ TMTSF ÐÂ Ò' % 3 É r2θ 8 £ ¤& ñ õ s

. q §& h É r ; ¤` ¦ ° ú H 4 x Ä ºo \ ¦ ° ú H r] X J

É r | 9 a % ~ É r é ß & ñ _ : £ ¤$ í s . Z } É r x 9 Qt Ã º\ " f 4 x Ä

ºo _ ° ú f s ' a8 £ ¤ ÷ &% 3 ¦ s H K

α

_ p [ j½ ¨ ¸ 7 £ ¤ K

_α1

(λ = 1.540598 ˚ A) õ K

α2

(λ = 1.544426 ˚ A) M : ë

~

½ Ó ¾ Ó` ¦ > h| Ä Ì& h Ü ¼ Ð Ð# ï r . Õ ªa Ë >4_ r] X J õ q §

« Ñ\ ¦ ì r$ 3 K Ð ó ø Í © + þ AI _ ~ Ã Ì} (Õ ªa Ë >5(a))\ â Ä º (010), (020), (030) _ r] X 4 x Ä ºo ' a8 £ ¤ ÷ & 9 b» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ Ó Ü

¼ Ð Bragg s e H כ ` ¦ · ú Ã º e . 7 £ ¤ & ñ _ ³ ð s

ac-¨ î ` ¦ s ê r H z ´` ¦ · ú Ã º e . ì ø Í Z þ t ¸

ª _ ~ Ã Ì} (Õ ªa Ë >5(b)){ 9 â Ä º r] X 4 x Ä ºo H y y (001), (002), (003) \ K { © 9 c» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð Bragg ` ¦ + þ A$ í

# & ñ _ ³ ð s ab-¨ î ` ¦ s É r H כ ` ¦ · ú Ã º e

. " f & ñ ¨ î \ f ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð ? / 9^ ¦ M : ó ø Í ¸

ª ` ¦ ° ú H r « Ñ\ " f TMTSFì r _ & Á ú ¢e ½ ¨ ¸ H Õ ª a Ë

>3_ (c)\ K { © ¦ ° ú É r ¸| \ " f Z þ t+ þ AI _ r « Ñ H (d) ½ ¨ ¸\ K { © < Ê` ¦ · ú Ã º e . 0 A z ´+ « >` ¦ : x K é ß 0 A

" f r « Ñ ³ ð \ " f TMTSF ì r _ Á ú ¢e + þ AI

É

s

³

o u(Se) Ü ¼ Ð ½ ¨$ í ) a ¿ º > h_ ¦o (π- ½ + Ë)\ ¦ ° ú H # 4 [ t ¸

ª _ ¨ î ½ ¨ ¸\ ¦ ° ú H H X < l H כ Ü ¼ Ð Ð ( Õ ªa Ë > 2 (b) Ã Ð ¸). 7 £ ¤ % 6 £ § ¿ º > h_ TMTSFì r ë ß

"

f ½ + Ë½ + É M : ¦o _ õ s ½ + Ë H â Ä º ± ú É r \

-t \ ¦ t 9 S X Ò ¦& h Ü ¼ Ð ¸ Z } . ² D G TMTSF é ß & ñ

¨ î

É r ì ø Í× ¼r ì r ½ + Ë r ñ H a-» ¡ ¤` ¦ í < Êô Ç .

¢

¸ô Ç Õ ªa Ë > 2_ ì r ½ ¨ ¸\ " f · ú Ã º e 1 p w s íl TMTSF ì

r _ ½ + Ë õ & ñ \ " f c-» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ Ó Ð 8 V , É r 8 £ ¤ ` ¦ ° ú

H b-» ¡ ¤ Ü ¼ Ð ½ + Ë½ + É S X Ò ¦ s 8 ´ ú § . s ü < ° ú s TMTSF ì

r _ ] X 8 ú ¤ & h \ q Y V H ½ + Ë S X Ò ¦ ¸4 S q É r & ñ $ í

H ¨ î ó ø Í ¸ ª _ r « Ñ Ð 8 ´ ú §s Ò q tl H z ´` ¦ > h| Ä Ì& h Ü

¼ Ð [ O " î ô Ç .

IV. + s Ç Â ] Ø

ª ô Ç ~ ½ ÓZ O _ XRD 8 £ ¤& ñ ` ¦ : x K PVD~ ½ ÓZ O ` ¦ s 6 x

#

jy ì r$ 3 Ù þ ¡ . & ñ _ ¨ î ? /\ " f ô Ç » ¡ ¤ s É r » ¡ ¤ _ U

q

5 p w ô Ç ó ø Í ¸ ª _ Ä »l ì ø Í ¸^ TMTSF~ Ã Ì} É r V , É r ³ ð

\

" f y y ab-¨ î õ ac-¨ î ` ¦ + þ A$ í H כ ` ¦ S X ½ + É Ã

º e % 3 . É r + þ AI e \ ¸ Ô ¦ ½ ¨ ¦ 3 " é ¶& h ì r Á

ú

¢e ½ ¨ ¸ H ° ú Ü ¼ 9 Ñ ü t y » ¡ ¤ _ U ´s ¸¿ º Ø Ô ¦ (a 6= b 6= c), Å Ò » ¡ ¤ ç ß _ s y s ¸¿ º É r (α 6= β 6= γ)

& ñ > \ ¦ s ê r . TMTSF ì r _ ½ ¨ ¸& h 8 £ ¤ \ " f

(CH

3

`

¦ Ð{ 9 כ Ü ¼ Ð l @ / ) a .

P

c p 8 ý ò k >

: r ½ ¨ H ô Ç² D G < ÆÕ ü t < É ª F é ß (KRF-2008-313-C00336) õ

² D Gw n < ÆÕ ü t < É ª F é ß (NRF-2011-0011944)_ t " é ¶ \ _ K

" f Ã º' ÷ &% 3 _ þ v m .

(6)

Y

c p w Ã U Ø ô

[1] K. C. Kao and W. Hwang, Electrical Transport in Solids (Pergamon, New York, 1981), Vol. 14.

[2] E. A. Silinsh and V. Capek, Organic Molecular Crystals: Interaction, Localization and Transport Phenomena (AIP, New York, 1994).

[3] M. Pope and C. E. Swenberg, Electronic Processes in Organic Crystals and Polymers, 2nd ed. (Oxford University Press, New York, 1999).

[4] C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv.

Mater. 14, 99 (2002).

[5] W. A. Schoonveld, J. Vrijmoeth and T. M. Klapwijk, Appl. Phys. Lett. 73, 3884 (1998).

[6] G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 77, 1487 (2000).

[7] M. C. J. M. Vissenberg and M. Matters, Phys. Rev.

B 57, 12964 (1998).

[8] W. Warta and N. Karl, Phys. Rev. B 32, 1172 (1985).

[9] N. Karl, K. H. Kraft, J. Marktanner, M. Munch, F. Schatz, R. Stehle and H. M. Uhde, J. Vac. Sci.

Technol. A 17, 2318 (1999).

[10] V. Podzorv, V. M. Pudalov and M. E. Gershenson, Appl. Phys. Lett. 82, 1739 (2003).

[11] V. Podzorv, S. E. Sysoev, E. Loginova, V. M. Pu- dalov and M. E. Gershenson, Appl. Phys. Lett. 83, 3504 (2003).

[12] R. W. I. de Boer, T. M. Klapwijk and A. F. Mor- purge, Appl. Phys. Lett. 83, 4345 (2003).

[13] V. C. Sundar, et al., Science 303, 1644 (2004).

[14] O. D. Jurchescu, et al., Appl. Phys. Lett. (2004) 84, 306 (2004).

[15] A. Dodabalapur, H. E. Katz, L. Torsi and R. C.

Haddon, Science 296, 1560 (1995); F. Garnier, G.

Horowitz, D. Fichou and A. Yassar, Supramolec. Sci.

4, 155 (1997).

[16] V. Prabhakar, S. R. Forrest, J. P. Lorenao and K.

Vaccaro, IEEE Photonics Technology Letters 2, 724 (1990); P. E. Burrows and S. R. Forrest, S. P. Sib- ley and M. E. Thompsin, App. phys. Lett. 69, 2959 (1996).

[17] S. R. Forrest and F. F. So, J. Appl. Phys. 64, 399 (1988); C. W. Tang and S. A. Van Slayke, App.

phys. Lett. 51, 913 (1987).

[18] F. So. Franky, S. R. Forrest, IEEE Transactions on Electron Devices 36, 66 (1989); S. R. Forrest et al., Appl. Phys. Lett. 40, 90 (1982).

[19] D. Jerome, A. Mazaud, M. Ribault and K. Bech- gaard, J. Phys. Lett. 41, L95 (1980).

[20] J. Korean Phys. Soc. 55, 212216 (2009).

[21] R. A. Laudise, Ch. Kloc, P. G. Simpkins and T.

Siegrist, J. Cryst. Growth 187, 449 (1998).

[22] C. Kloc, P. G. Simpkins, T. Siegrist and R. A. Laud- ise, J. Cryst. Growth 182, 416 (1997).

[23] Y. C. Cheng, R. J. Silbey, D. A. da Silva Filho, J. P.

Calbert, J. Cornil and J.-L. Bredas, J. Chem. Phys.

118, 3764 (2003).

12 Z 4, pp. 1144∼1149

12 Z 4, pp. 1144∼1149



 m+ s ÇX N Ë  ¥M   my ¢= k Tetramethyltetraselenafulvalene (TMTSF)8 ý V R

ËX ê sÊ Ý   ºX ì Ä  ¤V R Ë





Ã ç >¨ £ · - ! H` 9  Ú · T  - > < 



 · ¡ ¤ @ / < Æ § Ó ü t o  < Æõ ,   Å Ò 561-756

(2011¸  10 Z 4 17{ 9  ~ Ã Î6 £ §, 2011¸  11 Z 4 7{ 9  Ã º& ñ  : r ~ Ã Î6 £ §, 2011¸  12 Z 4 1{ 9  > F  S X & ñ )

Ó ü

t o & h   7 £ x l  7 £ x  Ã ÌZ O (Physical Vapor Deposition, PVD)`  ¦ s 6 x #   ¦í  H  ¸_  TMTSFì  r ´ ú  ÐÂ Ò '

 ~ Ã Ì}  + þ AI _  é ß   & ñ TMTSF\  ¦ % 3 % 3  .   & ñ _  ¨ î   ? /\ " f ô  Ç » ¡ ¤ s   É r » ¡ ¤ _  U ´s  Ð   © @ /& h Ü ¼



Ð    É r  Z þ t  ¸ ª õ  ¿ º » ¡ ¤ _  U ´s  q 5 p w ô  Ç ó ø Í  ¸ ª _  ~ Ã Ì}  `  ¦ 1 l x r \  % 3 % 3  . X-  r] X  J   8 £ ¤& ñ

`

 ¦ :  x K  ¿ º t  + þ AI _  TMTSF é ß    & ñ ~ Ã Ì}   É r y  y   ab » ¡ ¤ õ  ac » ¡ ¤`  ¦ Bragg  Ü ¼ Ð #  $ í  ©    H

 כ

`  ¦ S X    ½ + É Ã º e  % 3  . ì  r  Á ú ¢e   ½ ¨ ¸  H y   » ¡ ¤ _  U ´s   ¸¿ º Ø Ô ¦ (a 6= b 6= c), Å Ò » ¡ ¤ ç ß _   s  y   s

  ¸¿ º  É r (α 6= β 6= γ)    & ñ > (triclinic)e  `  ¦ S X    % i  .

Ù þ

d  # Q: TMTSF, é ß   & ñ , XRD, CVD, OFET, Organic

Growth and Structural Properties of Organic Single-crystal Tetramethyltetraselenafulvalene (TMTSF)

Eul-doo Park · Seon-Ho Kwon · I. J. Lee ∗

Department of Physics, Research Institute of Physics and Chemistry, Chonbuk National University, Korea, Jeonju 561-756

(Received 17 October 2011 : revised 7 November 2011 : accepted 1 December 2011)

PACS numbers: 61, 81

Keywords: TMTSF, Single crystal, XRD, CVD, OFET, Organic

E-mail: [email protected]

-1144-

I. " e Â ] Ø

@

/Â Òì  r Ä »l Ó ü t ì ø Í ¸^ _    l & h   : £ ¤$ í  É r ì ø ÍX <µ 1 ÏÛ ¼

 

½ + Ë(Van der Waals bonding)\  _ K     >       ) a  ¦ w n

 ì  r  _  Á ú ¢e   ½ ¨ ¸\  _ K " f   & ñ  ) a  [1–3]. ¢ ¸ô  Ç Ä » l

 ì ø Í ¸^   H  : r| 9 & h Ü ¼ Ð r « Ñ_  ³ ð  \ " f   _  s 1 l x

`

 ¦ ~ ½ ÓK  #     W = (charge trap)Ü ¼ Ð   6 x   H Ô  ¦  í o

 

½ + Ë(dangling bond)_  x 9  ¸ Á ºl Ó ü t ì ø Í ¸^ ü < q  § 

#

  © @ /& h Ü ¼ Ð ± ú  . s   H   > ´ òõ (Field Effect)\  ¦ 0 A ô

 Ç ë  H) 3   · ú (threshold voltage)° ú כ`  ¦ ± ú Æ Ò  H s & h Ü ¼ Ð    6

x ô  Ç . Ä »l  ì ø Í ¸^ \  ¦ s 6 x ô  Ç Ä »l    >  ´ òõ  à Ô ½ t Û ¼ '

(Organic Field-Effect Transistor, OFET)_  Z  t î  r µ 1 Ï



  É r Ä »l  ì ø Í ¸^  ~ Ã Ì}  `  ¦  Ö ¸$ í 8 £ x Ü ¼ Ð   H ~ Ã Ì}   à Ô ½ t  Û

¼' (Tin Film Transistor, TFT) ÐÂ Ò'  r   ÷ &% 3   [4–

6]. t ë ß  ~ Ã Ì}   + þ A à Ô ½ t Û ¼'   H Ä »l Ó ü t ì ø Í ¸^ (organic semiconductor) _    l & h   : £ ¤$ í `  ¦   ½ ¨ l \   H & h ] X 

t  · ú § . Õ ª s Ä »  H ~ Ã Ì}   à Ô ½ t Û ¼' _  $ í 0 p x s  7 á x7 á x   l

 è _   Ö ¸$ í 8 £ x`  ¦ s À Ò  H Ä »l  ì ø Í ¸^  ~ Ã Ì}  _  ½ ¨ ¸& h

 

 < Ê,   & ñ Ä »l  ~ Ã Ì}   ? /\   > r F    H ± ú · ú Å Ò0 A_   â > 



 , ¢ ¸  H Ä »l  Ó ü t| 9 _  Ô  ¦Ø  æì  r ô  Ç í  H  ¸\  ß ¼>  % ò  ¾ Ó`  ¦ ~ Ã Îl  M

:ë  H s   [4]. s  Qô  Ç Ä »l ì ø Í ¸^  ~ Ã Ì}  _  ½ ¨ ¸& h      < Ê



É r OFET + þ AI _    l  è \ " f   l     ¸\  ¦ 8 £ ¤& ñ ½ + É  â Ä º

± ú

 É r  : r  ¸\ " f    _  s 1 l x  ¸(mobility) / å L  y  y   è

  H " é ¶   Ü ¼ Ð · ú  94 R M ® o  [7]. s    õ   H  í ¦í  H  ¸ Ä »l  Ó

ü

t é ß    & ñ `  ¦ s 6 x ô  Ç q '  r ç ß (time of fight)8 £ ¤& ñ z ´+ « >\ 

"

f r « Ñ_   : r  ¸\  ¦ ± ú Ø  ¦ Ã º2  ¤    _  s 1 l x  ¸(mobility)

7

£

x ô  Ç   H µ 1 Ï| õ  @ /q   ) a  [8,9].   " f OFET½ ¨ ¸\ 

"

f Ä »l ì ø Í ¸^   ^ _   ¦Ä »ô  Ç   l & h   : £ ¤$ í `  ¦   ½ ¨  l

 0 AK " f  H ³ ð    _  s 1 l x \  Å Ò  H ü @Â Ò& h   % ò  ¾ Ó`  ¦ þ

j è o ½ + É Ã º e    H é ß   & ñ (single crystal)`  ¦  9 כ ¹ Ð ô  Ç .

é

ß    & ñ  É r   & ñ ~ ½ Ó ¾ Ós  { 9 & ñ  9, í  H  ¸ Z  }  ¦   & ñ    < Ê s

 ± ú l  M :ë  H \    l  è  Ð" f Z  } É r ´ òÖ  ¦`  ¦ é ß  Ð ½ + É Ã º e  

.  ª ô  Ç >   : £ ¤$ í Ü ¼ ÐÂ Ò'   ¸  H  É r % ò  ¾ Óõ  Ä »l Ó ü t

\

 ? /] j  ) a Ô  ¦í  HÓ ü t 1 p x #  Q ü @& h   ¨ 8  â _  % ò  ¾ Ó`  ¦ þ j@ /ô  Ç C

m+ s ÇX N Ë ¥M my ¢= k Tetramethyltetraselenafulvalene (TMTSF)8 ý V R

ËX ê sÊ Ý ºX ì Ä ¤V R Ë

Ã ç >¨ £ · - ! H` 9 Ú · T - > <

· ¡ ¤ @ / < Æ § Ó ü t o < Æõ , Å Ò 561-756

(2011¸ 10 Z 4 17{ 9 ~ Ã Î6 £ §, 2011¸ 11 Z 4 7{ 9 Ã º& ñ : r ~ Ã Î6 £ §, 2011¸ 12 Z 4 1{ 9 > F S X & ñ )

t o & h 7 £ x l 7 £ x Ã ÌZ O (Physical Vapor Deposition, PVD)` ¦ s 6 x # ¦í H ¸_ TMTSFì r ´ ú ÐÂ Ò '

~ Ã Ì} + þ AI _ é ß & ñ TMTSF\ ¦ % 3 % 3 . & ñ _ ¨ î ? /\ " f ô Ç » ¡ ¤ s É r » ¡ ¤ _ U ´s Ð © @ /& h Ü ¼

Ð É r Z þ t ¸ ª õ ¿ º » ¡ ¤ _ U ´s q 5 p w ô Ç ó ø Í ¸ ª _ ~ Ã Ì} ` ¦ 1 l x r \ % 3 % 3 . X- r] X J 8 £ ¤& ñ

¦ : x K ¿ º t + þ AI _ TMTSF é ß & ñ ~ Ã Ì} É r y y ab » ¡ ¤ õ ac » ¡ ¤` ¦ Bragg Ü ¼ Ð # $ í © H

כ

` ¦ S X ½ + É Ã º e % 3 . ì r Á ú ¢e ½ ¨ ¸ H y » ¡ ¤ _ U ´s ¸¿ º Ø Ô ¦ (a 6= b 6= c), Å Ò » ¡ ¤ ç ß _ s y s

¸¿ º É r (α 6= β 6= γ) & ñ > (triclinic)e ` ¦ S X % i .

d # Q: TMTSF, é ß & ñ , XRD, CVD, OFET, Organic

Eul-doo Park · Seon-Ho Kwon · I. J. Lee ^∗

/Â Òì r Ä »l Ó ü t ì ø Í ¸^ _ l & h : £ ¤$ í É r ì ø ÍX <µ 1 ÏÛ ¼

½ + Ë(Van der Waals bonding)\ _ K > ) a ¦ w n

ì r _ Á ú ¢e ½ ¨ ¸\ _ K " f & ñ ) a [1–3]. ¢ ¸ô Ç Ä » l

ì ø Í ¸^ H : r| 9 & h Ü ¼ Ð r « Ñ_ ³ ð \ " f _ s 1 l x

¦ ~ ½ ÓK # W = (charge trap)Ü ¼ Ð 6 x H Ô ¦ í o

½ + Ë(dangling bond)_ x 9 ¸ Á ºl Ó ü t ì ø Í ¸^ ü < q §

© @ /& h Ü ¼ Ð ± ú . s H > ´ òõ (Field Effect)\ ¦ 0 A ô

Ç ë H) 3 · ú (threshold voltage)° ú כ` ¦ ± ú Æ Ò H s & h Ü ¼ Ð 6

x ô Ç . Ä »l ì ø Í ¸^ \ ¦ s 6 x ô Ç Ä »l > ´ òõ à Ô ½ t Û ¼ '

(Organic Field-Effect Transistor, OFET)_ Z t î r µ 1 Ï

É r Ä »l ì ø Í ¸^ ~ Ã Ì} ` ¦ Ö ¸$ í 8 £ x Ü ¼ Ð H ~ Ã Ì} à Ô ½ t Û

¼' (Tin Film Transistor, TFT) ÐÂ Ò' r ÷ &% 3 [4–

6]. t ë ß ~ Ã Ì} + þ A à Ô ½ t Û ¼' H Ä »l Ó ü t ì ø Í ¸^ (organic semiconductor) _ l & h : £ ¤$ í ` ¦ ½ ¨ l \ H & h ] X

t · ú § . Õ ª s Ä » H ~ Ã Ì} à Ô ½ t Û ¼' _ $ í 0 p x s 7 á x7 á x l

è _ Ö ¸$ í 8 £ x` ¦ s À Ò H Ä »l ì ø Í ¸^ ~ Ã Ì} _ ½ ¨ ¸& h

< Ê, & ñ Ä »l ~ Ã Ì} ? /\ > r F H ± ú · ú Å Ò0 A_ â >

, ¢ ¸ H Ä »l Ó ü t| 9 _ Ô ¦Ø æì r ô Ç í H ¸\ ß ¼> % ò ¾ Ó` ¦ ~ Ã Îl M

:ë H s [4]. s Qô Ç Ä »l ì ø Í ¸^ ~ Ã Ì} _ ½ ¨ ¸& h < Ê

É r OFET + þ AI _ l è \ " f l ¸\ ¦ 8 £ ¤& ñ ½ + É â Ä º

É r : r ¸\ " f _ s 1 l x ¸(mobility) / å L y y è

H " é ¶ Ü ¼ Ð · ú 94 R M ® o [7]. s õ H í ¦í H ¸ Ä »l Ó

t é ß & ñ ` ¦ s 6 x ô Ç q ' r ç ß (time of fight)8 £ ¤& ñ z ´+ « >\

f r « Ñ_ : r ¸\ ¦ ± ú Ø ¦ Ã º2 ¤ _ s 1 l x ¸(mobility)

x ô Ç H µ 1 Ï| õ @ /q ) a [8,9]. " f OFET½ ¨ ¸\

f Ä »l ì ø Í ¸^ ^ _ ¦Ä »ô Ç l & h : £ ¤$ í ` ¦ ½ ¨ l

0 AK " f H ³ ð _ s 1 l x \ Å Ò H ü @Â Ò& h % ò ¾ Ó` ¦ þ

j è o ½ + É Ã º e H é ß & ñ (single crystal)` ¦ 9 כ ¹ Ð ô Ç .

ß & ñ É r & ñ ~ ½ Ó ¾ Ós { 9 & ñ 9, í H ¸ Z } ¦ & ñ < Ê s

± ú l M :ë H \ l è Ð" f Z } É r ´ òÖ ¦` ¦ é ß Ð ½ + É Ã º e

. ª ô Ç > : £ ¤$ í Ü ¼ ÐÂ Ò' ¸ H É r % ò ¾ Óõ Ä »l Ó ü t

? /] j ) a Ô ¦í HÓ ü t 1 p x # Q ü @& h ¨ 8 â _ % ò ¾ Ó` ¦ þ j@ /ô Ç C

] jô Ç G Ä »l Ó ü t| 9 ^ _ ¦Ä »ô Ç _ s 1 l x ¸\ ¦ % 3 l

0 AK Ë ¨ï r ô Ç ¸§ 4 ` ¦ l Ö ¦ # M ® o . þ j H t s À Ò# Q

½ ¨_ $ í õ Ð _ s 1 l x ¸ TFT\ " f 0.1 cm

ñ ¸ ì ø Í \ OFET\ " f H 8 cm

/Vs _ Z } É r s 1 l x ¸

¾ Ó © ` ¦ s À Ò# Q Í Ç x [10–12]. Õ ª õ © Ö ¸ µ 1 Ïy ½ ¨

æ é ß & ñ K $ (Pentacene) ¢ ¸ H À ÒÚ Ô 2 ;(rubrene)` ¦ s

6 x ô Ç é ß & ñ OFET½ ¨ ¸\ " f 8 £ ¤& ñ ) a _ s 1 l x ¸ H

© : r \ " f y y þ j@ / 2 cm

/Vs& ñ ¸ Ð ´ ú § s

¾ Ó © ÷ &% 3 [13,14]. f ¸ é ß & ñ z ´o B H l ì ø Í_ è

\ (∼1000 cm

/Vs) q _ s 1 l x ¸\ e # Q" f

³$ ô Ç s > r F t ë ß Ä »l Ó ü t| 9 s t ¦ e H ½ ¨

¸& h Ä » $ í (flexibility), ± ú É r : r ¸\ " f è \ ¦ ] j ¸

+ É Ã º e H & h , & ³F V , o æ ¼s H : x& h ì ø Í ¸^ è

ü < ~ 1 > ½ + Ë÷ &# Q l > r F g r Ð\ Â Ò& h l 0 p x` ¦ ] j /

N ½ + É Ã º e H & h , Õ ªo ¦ Á º% Á Ð ¸ è / B N s $ § 4

H z ´ É r Ä »l Ó ü t ì ø Í ¸^ _ µ 1 Ï ` ¦ ß ¼> Ö ¸$ í o r v

H " é ¶1 l x§ 4 s ÷ &# Q M ® o . t F K t Ä »l ì ø Í ¸^ \ ¦ s 6 x ô

Ç l è H Õ ª $ í 0 p x s Ë ¨ï r y ¾ Ó © ÷ &# Q ~ Ã Ì} à Ô ½ t Û

¼' [15]÷ r ë ß m µ 1 Ï F g è [16], I ª t [17], F g Ø

¦ l ü < Y Us $ [18] 1 p x # Q 6 £ x6 xì r Ð Õ ª z ´6 x 0 p x$ í s

S X í ß ÷ & ¦ e . Ä »l ì ø Í ¸^ _ ½ ¨% i H © @ /& h Ü ¼

Ð Â ú ªt ë ß Qt · ú § É r p A \ & ³F _ Á ºl ì ø Í ¸^ \ ¦ ¢ - a# 4 y

@ /^ H èF í ß \ O _ × æ Æ Ò | ¨ c כ s . z ´] j Ð & ³F Ä

»l ì ø Í ¸^ ì r \ " f s ê r l Õ ü t& h Ð H Ä »l µ 1 Ï F g s

¸× ¼ü < Ä »l Ó ü t à Ô ½ t Û ¼' \ ¦ l ì ø ÍÜ ¼ Ð H n Û ¼e ¦ Y U s

(active matrix display)\ ¦ © 6 x o H é ß > \ s Ø Ô! 3

. Õ ª Q _ ¦Ä »ô Ç Ã º5 Å x: £ ¤$ í s ¦ b # Qt H 7 £ ¤ Ä

»l ì ø Í ¸^ & ñ ? /\ " f \ ¦ ½ ¨$ í H Ä »l ì r [ þ t s

_ 4 ¤ ¸ ú ô Ç © ñ 6 x \ l H e ¦ : r Ã º5 Å x(polaron transport) \ @ /ô Ç H : r& h s K \ e # Q" f H _ ² ú Ð

© I \ QÓ ü t Qe . s H 1960¸ @ / × æ ì ø Í ' Í P : z ´o B H F

K5 Å q- í ß oÓ ü t ì ø Í ¸^ è (MOSFET)] j \ $ í / B N ô Ç s Ê

ê ì ø Í ¸^ è _ l Õ ü t& h µ 1 Ï s \ Á ºl ì ø Í ¸^ ? /\