공학논문작성법
2017년 1학기
(9강) 영문 공학논문 작성법
(1) Outline version 1 피드백 (2) 영문 abstract version 2 피드백
(3) 논문작성을 위한 English expression 모음
관사
종류: a, the, 무관사
오류를 최소화 하여 관사를 사용하는 방법
단수명사를 무관사로 작성하는 것을 가능한 방지한다.
The 독자 입장에서 알고 있는 명사, 뒷 단어들에 의해 한정되는 명사
A 셀수 있는 명사 중 독자 입장에서 모르고 있는 (논문에서 처음 나오는) 명사
무관사+단수명사 매우 어렵다 !! (본인 논문을 통해 몇가지 예를 익혀 둘 것)
(공학논문 작성시) 생각보다 단수명사를 복수명사로 바꿔야 할 경우가 많다.
관사를 넣어서 발생하는 오류는 관사를 넣지 않아서 발생하는 오류에 비해 작은 오류이다. (보통 대학원생들의 경우 넣지 않는 경우가 더 많으므로)
영문 abstract 작성 실제 예
(박사과정 학생의 실제 논문)
배경 설명
배경 설명
최근 연구 결과가 아니고 예전 데이터를 논문화 할 필요가 있어서 논문으로 작성
본 주제로 논문 작성을 계획하고 진행 한 실험이 아님
다른 목적으로 진행된 실험에서 발견한 흥미로운 측정 결과
이 흥미로운 결과를 더 분석하기 위한 추가 실험은 진행되지 않았음
이 흥미로운 결과가 발생하는 이유가 무엇인지 정확히 알고 있지 않고 그 것을 설명 할 적절한 보충 데이터 및 시나리오가 없음
결론적으로, 좋은 논문을 작성할 수 있는 데이터가 아님
UV detector 성능 향상에 관한 연구 내용임
GaN라는 반도체 재료를 사용해서 제작함
GaN 재료의 가격을 낮추기 위해 저가인 Si(실리콘) 위에 GaN를 만드는게 추세임
GaN를 Si위에 만들기 위해서는 원자크기의 차이때문에 buffer layer를 넣어야 함
UV Visible
UV Visible
기존 일반적인 구조 본 연구의 구조
배경 설명
관사 확인 먼저
Abstract: A buffer layer design for the growth of gallium nitride (GaN) epitaxial layer on silicon substrate is one of the key technique to release the difference of the physical coefficient mismatch between GaN and silicon. To optimize the quality of GaN epitaxial layer, we used the five stacks of graded AlxGa1‐xN buffer layers for epitaxial growth of GaN. In this work, we show a unique response characteristic of GaN metal‐
semiconductor‐metal ultraviolet (UV) photodetector in a
selective wavelength region with graded AlxGa1‐xN buffer
layers. This response characteristic result in the enhanced
photoresponsive current and UV‐to‐visible rejection ratio for
__ 365 nm wavelength. (101 words)
본인이 참고하고 있는 최고 수준의 논문을 이용하여
관사 사용법 확인
Abstract: [1‐2] A buffer layer design for the growth of gallium nitride (GaN) epitaxial layer on silicon substrate is one of the key technique to release the difference of the physical coefficient mismatch between GaN and silicon. [실 험내용] To optimize the quality of GaN epitaxial layer, we used the five stacks of graded AlxGa1‐xN buffer layers for epitaxial growth of GaN. [3‐1]
In this work, we show a unique response characteristic of GaN metal‐
semiconductor‐metal ultraviolet (UV) photodetector in a selective wavelength region with graded AlxGa1‐xN buffer layers. [3‐2] This response characteristic result in the enhanced photoresponsive current and UV‐to‐
visible rejection ratio for 365 nm wavelength. (101 words)
내용 확인 (영어를 떠나서 실험 결과에 맞게 작성 되어있는가?
Abstract: [1‐2] The UV‐to‐visible rejection ratio is one of the important figure of merits of GaN‐based UV photodetectors. [1‐2]+[2] For cost‐
effectiveness and large‐scale fabrication of GaN devices, it is tried to grow GaN epitaxial layer on silicon substrate with complicated buffer layers for a stress‐release and it is known that the structure of the buffer layers affect the performance of devices fabricated on the GaN epitaxial layers. [3‐1] In this study, we show that the design of a buffer layer structure can make effect on the UV‐to‐visible rejection ratio of GaN UV photodetectors. [3‐2]
The GaN photodetector fabricated on GaN‐on‐silicon substrate with a graded AlxGa1‐xN buffer layer have a highly‐selective photoresponse at 365‐
nm wavelength. The UV‐to‐visible rejection ratio of the GaN UV photodetector with the graded AlxGa1‐xN buffer layer was an order‐of‐
magnitude higher than that of a photodetector with a conventional GaN/
AlN multi buffer layer. The maximum photoresponsivity was as high as 5 × 10‐2 A/W. [3‐3] This result implies that the design of buffer layer is important for photoresponse characteristics of GaN UV photodetectors as well as the crystal quality of the GaN epitaxial layers. (181 words)
