° Ë
Ñ Ó ÞS ë s õ m Í ° Ë Ñ ¹ Å ½ ¤X N Ë; c 8 ý X ¢ In 0.08 Ga 0.92 As/GaAs
ú n Þ W ë s ¤ ö n Ú º; c" e «ã _ Ë ' [ , f ÇÂ S Ë
L
| ç ¡¬ £ · Ðg ` @* > · 9 - > Ú ∗
% ò
z @ / < Æ § Ó ü t o < Æõ , â í ß 712-749
Ð ¢ 9 Ú
Ð| @ / < Æ ~ ½ Óí ß õ , @ /½ ¨ 702-722
»- > ¬ £
â
î r @ / < Æ § î ß â F g < Æõ , ½ ¨p 730-852
(2004¸ 10 Z 4 11{ 9 ~ à Î6 £ §, þ j7 á x à º& ñ : r 2004¸ 12 Z 4 6{ 9 ~ à Î6 £ §)
In
0.08Ga
0.92As/GaAs × æ ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸(multiple quantum wells; MQWs)\ ¦ F g ¸ \ " f
· ú \ É r 6 x| ¾ Ó(capacitance-voltage; C-V)\ @ /K ½ ¨ % i . · ú \ É r 6 x| ¾ Ó Õ ªA á Ô
ÐÂ Ò' ª õ 6 £ §_ · ú 0 Au \ " f ß ¼l É r ¿ º > h_ & ñ & h ` ¦ ' a8 £ ¤ % i H X <, s Ö ©ô Ç ª Ä ºÓ ü t_ ½ ¨ 5
Å
q ï r0 A[ þ t ç ß _ ' V , a Aõ ' a s ) a . s ¿ º > h_ & ñ & h É r F g [ jl 7 £ x ½ + ÉÃ º2 ¤ ñ_ [ jl 7 £ x
" f ª õ 6 £ § Ü ¼ Ð 8¹ ¡ ¤ ì r o ÷ &% 3 ¦, ? /Â Ò_ õ e ç H o # Q_ ' V , a A 7 £ x Ð & ñ & h _ ß ¼l 7 £ x ) a כ Ü
¼ Ð « Ñ ) a .
PACS numbers: 72
Keywords: In
0.08Ga
0.92As/GaAs × æ ª Ä ºÓ ü t, F g6 x| ¾ Ó, F g À Ó, / B N" î ' V , a A
I. " e  ] Ø
{ 9
ì ø Í& h Ü ¼ Ð, è Ð" f_ Ó ü t o & h : £ ¤$ í É r & ñ $ í \
´ ú §s ý aÄ º ) a . t è ß Ã ºz # ¸ ç ß , ì ø Í ¸^ Ó ü t| 9 _ : £ ¤$ í
\
' aô Ç ½ ¨ Ð ¦¾ ¡ §| 9 _ é ß { 9 (single) x 9 8 £ x(multiple layer) ½ ¨ ¸_ è z ´ & ³` ¦ 0 p x > % i Ü ¼ 9, ª Ä º Ó
ü t(quantum well; QW) ½ ¨ ¸\ " f Ä ºÓ ü t8 £ x(well layer) õ ©
#
4 8 £ x(barrier layer)` ¦ t H ª à º5 Å x(quantum trans- port) & ³ © É r à º_ ì ø Í ¸^ s 7 á x] X ½ + Ë ½ ¨ ¸_ Ó ü t o & h :
£
¤$ í õ è Ð" f_ 6 £ x6 x$ í ` ¦ & ñ > ÷ &Ù ¼ Ð B Ä º × æ כ
¹ > 2 [/ å L ÷ &% 3 [1]. s Qô Ç : £ ¤$ í _ ½ ¨ Ð, Ca- passo 1 p x [2] É r í (supperlattices; SLs) ½ ¨ ¸\ " f
_ ª Ä ºÓ ü t ? /_ ' Í P : (n = 1) ï r0 A s Ö
©ô Ç ª Ä ºÓ ü t \ " f ¿ º P : < Ê É r [ j P : ï r0 A ü
< / B N" î (resonance)Ü ¼ Ð ô Ç F g À Ó- · ú (photocurrent- voltage; photo I-V) \ " f 6 £ §_ B H ü Û ¼(conductance)_
'
a8 £ ¤` ¦ Ð ¦ % i . s õ \ " f / B N" î ' V , a A(resonant tunneling) É r l © \ 8¹ ¡ ¤ 7 £ x H & ³ © [ þ t` ¦ ¸ ú
∗
E-mail: [email protected]
Ð# Å Ò% 3 [3]. r ´ ú K , r « Ñ ? /Â Ò\ Ã ºf Ü ¼ Ð ª Ã
º5 Å x & ³ © ` ¦ l ì ø ÍÜ ¼ Ð H è \ " f_ r ç ß 6 £ x² ú (time response) x 9 r ç ß © Ã º(time constant) H ì ø Í ¸^ r « Ñ
°
ú ¦ e H 6 x| ¾ Ó(capacitance)_ ° ú כ\ _ K ] jô Ç$ í ` ¦
. s Qô Ç ½ ¨ ½ Ós ÷ &# Q, s × æ © # 4 ' V , a A s
¸× ¼(double barrier tunneling diode; DBTD) è \ " f s
: r& h s ¦ z ´+ « >& h ½ ¨\ " f µ 1 Ïé ß s ÷ &% 3 [4,5]. þ j
H \ J. L. Sanchez-Rojas 1 p x [6] É r In
xGa
1−xAs/GaAs
×
æ ª Ä ºÓ ü t(multiple quantum wells; MQWs) ½ ¨ ¸\ " f
$ í
© & ñ ~ ½ Ó ¾ Óõ ' a ) a · ú (piezoelectric) ´ òõ ü < Õ ª
\
É r l © x 9 / B N" î ' V , a A ´ òõ \ ¦ ½ ¨ % i . s z
´+ « >& h H \ ¦ ½ ÓÜ ¼ Ð In
xGa
1−xAs/GaAs s 7 á x] X ½ + Ë>
\
@ /ô Ç l : r& h ' ½ ¨ Ð Â Ò& ñ ½ + Ë(lattice mis- match) \ É r ª ß ¼l ´ òõ (quantum size effect)1 p x` ¦
¦ 9÷ &# Q ô Ç . ¢ ¸ô Ç + þ A` ¦ { 9 Ü ¼v H e > $ í © 8 £ x ¿ º a
(critical layer thickness; CLT) [7]\ @ /ô Ç ½ ¨ ¸ 9 כ ¹
. e > $ í © 8 £ x ¿ ºa © ` ¦ $ í © ½ + É â Ä º s 7 á x] X ½ + Ë >
\ " f  Òì r& h ¢ - a o(relaxation)\ _ ô Ç > : £ ¤$ í × æ l
© [8,9] ¸ ¦ 9÷ &# Q ô Ç .
ô
Ǽ # , _ ¸ô Ç@ / Ð $ í © : £ ¤$ í ` ¦ Ð# ï r , ¦¾ ¡ §| 9 è
\ ¦ ] j H X < ½ Ós ÷ & xt ë ß , Õ ªü < ì ø Í@ / Ð
-507-
o
(vacancy) < Ê É r # QF M l (dislocation) 1 p x_ è ] j
\
$ K כ ¹ è < Êx 9 ¸ [10–12]\ ¦ ± ú Æ Ò H כ ¸ ' a| s
)
a . s Qô Ç : £ ¤$ í [ þ t É r Ö ¸$ í 8 £ x(active layer) Ü ¼ Ð" f ª Ä
ºÓ ü t ½ ¨ ¸_ Y Us $ s ¸× ¼(laser diodes; LDs), & h ü @
F g Ø ¦ l (infrared photodetector), Ã » ¸+ þ A ¦ s 1
l
x ¸ à Ô ½ t Û ¼' (pseudomorphic high electron mobility transistor; p-HEMT) 1 p x [13, 14]_ F g· l & h è \ ¦ ] j
½ + É M : : £ ¤$ í ` ¦ ´ òõ & h Ü ¼ Ð ¨ 8 l 0 AK ' ½ ¨
9
כ ¹ . ¢ ¸ô Ç, Ö ¸$ í 8 £ x_ r « Ñ ? /Â Ò\ Ã ºf Ü ¼ Ð ª Ã º 5
Å
x & ³ © ` ¦ l ì ø ÍÜ ¼ Ð H è \ " f_ r ç ß 6 £ x² ú x 9 r ç ß
© Ã º H ì ø Í ¸^ r « Ñ ° ú ¦ e H 6 x| ¾ Ó(capacitance)\ @ / ô
Ç ½ ¨ ¸ 9 כ ¹ .
: r ½ ¨\ " f H F K5 Å q Ä »l o < Æ l © 7 £ x à ÌZ O Ü ¼ Ð (metal organic chemical vapor deposition; MOCVD) $ í © ô Ç In
0.08Ga
0.92As/GaAs × æ ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸\ ¦ $ í s
Ð H \ -t _ F g " é ¶_ ¸ \ " f · ú \ É r 6 x
|
¾ Ó(capacitance-voltage; C-V)` ¦ 8 £ ¤& ñ % i Ü ¼ 9, ¿ º > h_
&
ñ & h É r ¿ º > h_ ª Ä ºÓ ü t ? /_ ¿ º > h_ ½ ¨5 Å q ï r0 A[ þ t ç ß _
ª Ä ºÓ ü t` ¦ Ðt Ø Ô H ( J $ [ > \ -t y © (drop)\ _
ô Ç / B N" î ' V , a A` ¦ ¸ % i . q § ì r$ 3 Ü ¼ Ð F g À Ó Û
¼& 7 à Ô! 3 ` ¦ 8 £ ¤& ñ # y  Ò{ (subband) s \ ¦ ½ ¨ # s
s [ þ t \ © 6 £ x H é ß Ò oF g` ¦ r « Ñ\ { 9 # · ú \
É r F g À Ó(current-voltage; I-V) 8 £ ¤& ñ # F g6 x| ¾ Ó 8 £ ¤& ñ õ
1 l x{ 9 ô Ç t & h \ " f { 9 # Q H ' V , a A` ¦ ½ ¨ % i .
II. ÷ m Ç ] M ö
: r ½ ¨\ 6 xô Ç r « Ñ H ì ø Í] X $ í GaAs0 A\ $ 130 nm_ GaAs ¢ - aØ æ8 £ x(buffer layer)` ¦ $ í © r v ¦, Õ ª 0 A\ ´ o u(In) ¸$ í s 8 % 12 nm_ In
xGa
1−xAs Ä ºÓ ü t 8
£ x(well layer) õ 30 nm_ GaAs © # 4 8 £ x(barrier layer)` ¦ 3 Å Òl Ð $ í © r 6 £ §, © Â Ò8 £ x(cap layer) Ü ¼ Ð 40 nm_ GaAs\ ¦ $ í © r × æ ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸% i . ´ o u` ¦ e
¦ ½ (in-plan) ~ ½ Ód Ü ¼ Ð 7 £ x Ã Ì # 6 §$ í ] X 8 ú ¤(Ohmic con- tact)` ¦ ë ß [ þ t% 3 .
F
g ¸ \ " f · ú \ É r 6 x| ¾ Ó 8 £ ¤& ñ ` ¦ 0 AK " f f . Ë 8
\
r « Ñ\ ¦ Â Ò Ã Ì ¦, 10 mW_ He-Ne 543 nm_ Y Us $
\
[ jl ¸] X s 0 p xô Ç 9 ' \ ¦ 6 x # Ã ºf Ü ¼ Ð { 9
% i . r « Ñ ÐÂ Ò' _ ñ H 6 x| ¾ Ó> \ ¦ s 6 x # Ø ¦
% i .
F
g ¸ \ " f · ú \ É r À Ó 8 £ ¤& ñ Ü ¼ Ð F g6 x
|
¾ Ó @ / · ú 8 £ ¤& ñ õ 1 l x{ 9 ô Ç © u \ " f r ' % i . 250 W_ ) í Û ¼J $ ½ + É Ð p Ï þ á Ôü < 0.75 m_ é ß Ò o o © u
(monochromator)_ ¸½ + Ë # 8 £ ¤& ñ F g " é ¶ Ü ¼ Ð 6 x % i
Fig. 1. The plot of photocapacitance versus voltage at room temperature.
Ü
¼ 9, é ß Ò o o © u \ ¦ : x õ ô Ç ¸ F g " é ¶_ [ jl \ ¦ 10
−5W/cm
2 Ð { 9 & ñ > # r « Ñ\ ¸ % i . r « ÑÂ Ò'
¸Ø ¦ ) a ñ H x ï À Ó> (pico-amperemeter)\ ¦ 6 x
# ñ\ ¦ Ø ¦ % i
III. + s ÇÊ Ý õ m Í À X Ø8 ý
Fig. 1 É r z ´ : r \ " f F g ¸ \ " f 8 £ ¤& ñ ô Ç · ú \ É r 6
x| ¾ Ó` ¦ · p כ s . Õ ªa Ë >\ " f ª õ 6 £ §_ · ú % ò % i \
"
f ¿ º > h_ ± ú Ðî r & ñ & h ` ¦ ' a8 £ ¤½ + É Ã º e H X <, { 9 F g
"
é ¶_ [ jl 7 £ x ½ + ÉÃ º2 ¤ ª õ 6 £ § Ü ¼ Ð 8¹ ¡ ¤ 7 £ x " f ì
r o 8 & f ` ¦ ^ ¦ Ã º e . s ¿ º > h_ & ñ & h ` ¦ ì r$ 3
l 0 AK , 6 £ §_ Y > t ¸| [ þ t` ¦ ¸{ 9 % i . $ , Z O
ß ¼(bulk) GaAs_ ³ ð l © (built-in surface electric field) \ _ K F gÒ q t$ í H o # Q(photogenerated carrier)
ì
r o ) a [15]. Ñ ü t P : Ð, ª Ä ºÓ ü t ? /\ F g ¸ \ _ K Ò q t
$ í
) a õ e ç H o # Q(excess carrier) Ã º5 Å x & ³ © ` ¦ Fig. 2 \
¸d o % i [16].
Õ
ªa Ë >\ " f (a) ª Ä ºÓ ü t ? /_ ? /Â Ò l © \ _ K ì r o
) a õ e ç H o # Q_ \ P & h ~ ½ ÓØ ¦(thermal emission) x 9 (b) F
gÒ q t$ í H o # Q ü @Â Ò l © \ _ K · û ª © # 4 _ ' V ,
a A(tunneling)` ¦ Ð# Å Ò ¦ e . " f, Õ ªa Ë >_ F g [ j l
7 £ x < Ê\ É r ¿ º > h_ & ñ & h _ ì r o H F g \ _ ô Ç
-& ñ / B N © (electron-hole pairs; EHPs)_ ì r o \ É r
Fig. 2. Possible escape mechanisms for photo-generated carriers out of the quantum well. (a)thermal emission, and (b) field-aided tunneling emission and carrier sepa- ration.
{
(band)_ l Ö ¦ # Qf õ Õ ª\ É r s Ö ©ô Ç Â Ò{ ï r0 Aç ß _ /
B
N" î ' V , a AÜ ¼ Ð [ O " î ½ + É Ã º e . { 9 ì ø Í& h Ü ¼ Ð, ª Ä ºÓ ü t
½
¨ ¸\ " f · ú \ @ /ô Ç ' V , a A S X Ò ¦(probability) É r [17]
T = exp − 8π √
2qm
eχ
3/2B3hF
!
(1)
Ü
¼ Ð è q à º e H X <, # l " f χ
B H ' V , a A H o # Q
â Ä º { (valence band)\ " f # l ) a P :
ï r0 A\ " f Ò' © # 4 _ ¸{ (conduction band) t _
; ¤(width)` ¦ ? / 9, F H l © s ¦, h H Planck
© Ã ºs . Õ ªo ¦, ' V , a A À Ó(j
t) ü < ' V , a A S X Ò ¦ õ _
'
a > H 6 £ § õ ° ú .
j
t= qAν
thnT = qAν
thn exp − 8π √
2qm
eχ
3/2B3hF
! (2)
#
l " f, A H î rì ø Í $ í © » ¡ ¤(growth direction) ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼
Ð s 1 l x 0 p xô Ç & h (area)s ¦, ν
th H ' V , a A÷ & H H o
#
Q_ 5 Å q ¸(velocity)s . Õ ªo ¦ r « Ñ ^ \ o H l
© F H,
F = V
bi+ V
ad (3)
s
. # l " f V
a H r « Ñ\ ) a · ú s ¦, d H $ í
% ò
% i _ ¿ ºa s . Eq. (3) É r r « Ñ ^ \ " f o H l
© ° ú כs . Eq. (1), (2) x 9 (3) É r s ë H ³\
Fig. 3. The plot of 1/C
2versus reverse bias.
É
r H o # Q_ ' V , a A S X Ò ¦ \ ' a > ) a d Ü ¼ Ð ¸ ú · ú 94 R e
. : r ½ ¨\ " f H d (1), (2) x 9 (3)` ¦ ½ ÓÜ ¼ Ð
#
Fig. 2(b)\ " fü < ° ú s ª Ä ºÓ ü t \ " f H o # Q_ » ¡ ¤
&
h (accumulation)õ õ e ç H o # Q_ ' V , a A` ¦ & ñ ô Ç .
ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸_ r « Ñ\ " f ' V , a A É r Å Ò# Q ª Ä ºÓ ü t
\
" f ¿ º > h_ ½ ¨5 Å q ï r0 A(confined state)[ þ t ç ß _ \ -t
s (difference) Å Òl & h ª Ä ºÓ ü t` ¦ Ðt Ø Ô H ( J $
[ > \ -t y © (drop) H · ú _ ß ¼l \ K { © ÷ & H
·
ú \ " f ¸ ú { 9 # Qè ß ¦ Ð ¦ ) a e [3]. s Qô Ç ' V ,
a A É r 6 £ §_ l ©
e(W + L
B)AEF = X
nX
m= X
nm(4) ü
< ' a s e . # l " f X
nm É r m õ n_ ½ ¨5 Å q ï r0 A ç ß _ /
B
N" î · ú s . # l " f AEF H Ö ¸$ í % ò % i (active layer)\
"
f ¨ î ç H l © (average electric field) ° ú כs ¦, 6 £ § õ ° ú s
[3]
AEF = V
bi+ V
RN E
pW L
i+ E
pW
L
B+ W (5)
è q à º e . # l " f, V
biü < V
R É r y y ? /Â Ò (built-in) x 9
% i s # QÛ ¼(reverse bias) · ú s . Nõ E
p H y y ª
Ä ºÓ ü t_ à ºü < piezoelectric l © s .
Fig. 3 É r õ e ç H o # Q 0 l x ¸(concentration)_ o\ ¦
·
ú Ðl 0 AK Fig. 1_ ' a > \ ¦ 1/C
2@ / % i ~ ½ Ó ¾ Ó
· ú
_ Õ ªA á Ô Ð ¨ 8 # · p כ s . Õ ªa Ë >\ " f Ð
%
i ~ ½ Ó ¾ Ó · ú \ @ /K " f ? /Â Ò · ú (built-in voltage) x 9 f
_ l Ö ¦ l ¿ º× ¼ Qt > oH d` ¦ ^ ¦ à º e . s Õ ª
Fig. 4. Tunneling processes of electron in quantum well on applied bias.
Table 1. Transitions in quantum well.
11H 12H 13H 11L E
0(GaAs) PC(eV) 1.345 1.356 1.380 1.395 1.415 SPV (eV)
a1.345 1.355 1.381 1.394 1.416 PR (eV)
a1.344 1.355 1.380 1.395 1.418 Theory(eV) 1.347 1.356 1.383 1.398 1.420
a
from ref [19]
a Ë
>` ¦ K $ 3 l 0 AK 6 £ §_ d ,
N
D= 2 qε
s−1 d(1/C
2)/dV
(6)
_ Schottky ¸4 S q` ¦ [18] ¸{ 9 % i . # l " f N
D, q x 9 ε
s H y y 0 l x ¸, _ (electron charge) x 9 ì ø Í
¸^ \ " f_ Ä » Ö ¦(permeability) s . Fig. 3Ü ¼ ÐÂ Ò'
+ þ A ? /¶ ú Z O (linearly inter-polation)Ü ¼ Ð ½ ¨ô Ç ? /Â Ò
· ú
(built-in voltage)_ oÖ ¦ É r y y 0.314, 0.712 x 9 0.966 V s ¦, d (5) ÐÂ Ò' ½ ¨ô Ç õ e ç H o # Q ' ) a
^ _ 0 l x ¸ H y y 1.167 × 10
15, 2.217 × 10
15x 9 1.190
× 10
16cm
−3s . " f, F g ¸ \ É r H o # Q_
o Ð K ? /Â Ò l © É r o÷ & ¦, s \ É r ' V , a A 7 £ x
Ð x ß ¼_ 7 £ x ) a כ Ü ¼ Ð « Ñ ) a .
s
Qô Ç â ¾ Ó` ¦ Fig. 4 \ ¸d o % i . Õ ªa Ë >\ " f a) H
?
/Â Ò l © _ ~ ½ Ó ¾ Óõ ì ø Í@ /_ l © s ÷ &% 3 ` ¦ M :
ª
Ä ºÓ ü t_ o Ð" f ü @Â Ò l © s 7 £ x Ð { _ l Ö ¦ # Q f
s & h & h ¢ - aë ß K t ¦ Õ ª\ { _ l Ö ¦ # Qf s ì ø Í@ /
Ð 6 x # 8 H l © \ " f ' V , a As { 9 # Q ¦, b) H
?
/Â Ò l © õ 1 l x{ 9 ô Ç ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð l © s 6 x #
± ú
É r ü @Â Ò l © \ " f ¸ H o # Q_ ' V , a As ¸ ú { 9 # Q
±
ú Ã º e 6 £ §` ¦ Ð# Å Ò ¦ e . " f ª õ 6 £ §_ · ú _ 0 Au \ " f ¿ º > h_ & ñ & h É r s Qô Ç õ Ð z ` ¦ · ú Ã º e
.
Fig. 5 H ¿ º > h_ & ñ & h _ H" é ¶ \ @ /ô Ç & ñ Ð\ ¦ · ú
Ðl 0 AK , Ð ¸ z ´+ « > X <s ' Ð F g À Ó @ / · ú ` ¦ 8
£
¤& ñ # ? /% 3 . ¶ ú { 9 Õ ªa Ë > É r F g _ < ÊÃ º Ð" f F g
Fig. 5. The plot of photocurrent versus apllied voltage.
Inset; photocurrent spectrum as a function of photon energy.
À Ó Û ¼& 7 à Ô! 3 ` ¦ · p כ s . Õ ªa Ë >\ " f ¸+ þ A É r F g À
Ó Û ¼& 7 à Ô! 3 Ü ¼ РÒ' ½ ¨ô Ç y  Ò{ s \ K { © H
© \ " f 8 £ ¤& ñ ô Ç õ s . s ë H ³\ " f [19] ¸ ô Ç y Â
Ò{ s _ ñ\ ¦ ½ ÓÜ ¼ Ð, Õ ªa Ë >\ " f A ∼ E H y y 11H, 12H, 13H, 11L x 9 GaAs\ K { © H ñs . # l
" f, mnH H m P : ü < n P : & ñ / B N Â Ò{ ç ß _ s
\
¦ · p כ s . 8 £ ¤& ñ ) a s [ þ t_ \ -t \ ¦ s ë H ³
\
" f µ 1 ϳ ðô Ç ° ú כõ < Êa Table 1\ ? /% 3 . Fig. 5\
"
f @ /g A$ í (symmetry)_ s 7 £ ¤ 11H x 9 11L_ s H
· ú _ 7 £ x \ 7 £ x â ¾ Ó` ¦ Ð# Å Òt ë ß , q @ / g A(asymmetry) 7 £ ¤, F K t ) a s H 7 £ x { 9 & ñ
·
ú \ " f y è 7 £ x â ¾ Ó` ¦ Ð# Å Ò ¦ e . Fig. 2\ " f [ O
"
î ô Ç / B N" î ' V , a Aõ ' a` ¦ .
IV. + s Ç Â ] Ø
In
0.08Ga
0.92As/GaAs × æ ª Ä ºÓ ü t ½ ¨ ¸\ ¦
·
ú \ É r F g6 x| ¾ Ó x 9 F g À Ó 8 £ ¤& ñ Ü ¼ ÐÂ Ò' 6 £ § õ ° ú É r
õ \ ¦ % 3 ` ¦ Ã º e % 3 . 6 x| ¾ Ó @ / · ú Õ ªA á Ô\ " f ¿ º > h _ É r ± ú Ðî r ¿ º > h_ & ñ & h ` ¦ ' a8 £ ¤ % i H X <, s ¿ º
&
ñ & h É r 7 £ x H F g [ jl \ @ /K " f ñ_ [ jl 7 £ x
" f y y ª õ 6 £ §_ ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð 8¹ ¡ ¤ ì r o ÷ &% 3 . F g` ¦
¸ ô Ç © I \ " f · ú \ É r 1/C
2_ ' a > \ " f F g
Ò q
t$ í H o # Q_ o| ¾ Ó` ¦ ' a8 £ ¤ % i . · ú \ É r F
g À Ó 8 £ ¤& ñ Ü ¼ ÐÂ Ò' / B N" î ' V , a A t & h ` ¦ ½ ¨ % i Ü ¼ 9, s
õ H ¿ º z ´+ « >& h ' a > \ " f Ä » ô Ç ' V , a A & ³ © ` ¦ ' a 8
£
¤½ + É Ã º e % 3 .
Y c
p w à U Ø ô
[1] E. E. Mendez, Physics and Application of Quantum Well and Supperlattices, edited by E. E. Mendez and K. V. Klitzing (Plenum. New York, 1987).
[2] F. Capasso, K. Mohammed and A. Y. Cho, Appl.
Phys. Lett. 48, 478 (1986).
[3] G. Liveseu, A. M. Fox, D. A. Miller, T. Sizer, W. H.
Knox, J. E. Cunningham, A. C. Gossard and J. H.
English, Semicond. Sci. Technol. 5, 549 (1990).
[4] J. Genoe, C. Van Hoof, W. Van Roy, J. H. Smet, K. Fobelets, R. P. Mortens and G. Borghs, IEEE Trans.Electron Devices ED-38, 2006 (1991).
[5] L. Eaves, M. L. Leadbeater, D. G. Hayes, E. S.
Alves, F. W. Sheard, G. A. Toombs, P.E. Simmonds, M. S. Skolnick, M. Henini and O. H. Huges, Solid- State Electron. 32, 1101 (1989).
[6] J. L. Sanchez-Rojas, A. Sacedon, E. Calleja and Munoz, Appl. Phys. Lett. 66, 2223 (1995).
[7] D. J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck and G. Borghs, J. Appl. Phys. 66, 1739 (1989).
[8] S. A. Dickey, A. Maerfeld, J. L. Sanchez-Rojas, A.
Sacedon, E. Munoz, A. Sanz-Hervas, M. Aguilar, B.
W. Kim, Microlectronic Eng. 43/44, 171 (1998).
[9] J. I. Izpura, J. J. Sanchez, J. L. Sanchez-Rojas, E.
Munoz, Microelectronic J. 30, 4391 (1999).
[10] Kevin H. Chang, Pallab K. Bhattacharya, Ronald Gibala, J. Appl. Phys. 66, 2993 (1989).
[11] J. W. Matthews and A. E. Blackslee, J. Cryst.
Growth 27, 118 (1974).
[12] J. H. van der Merwe, J. Appl. Phys. 34, 117 (1963);
34, 123 (1963).
[13] S. Solodky, A. Khramtsov, T. Baksht, M. Lei- bovitch, S. Hava, Y. Shapira, Appl. Phys. Lett. 83, 2465 (2003).
[14] Y. T. Cheng, Y. S. Huang, D. Y. Lin, F. H. Follak, K. R. Evans, Physica E 14, 313 (2002).
[15] D. Gershoni, J. M. Vandenberg, S. N. G. Chu, H.
Temkin, T. Tabun-EK and R. A. Logan Phys. Rev.
B 40, 10017 (1989).
[16] S. Datta, B. M. Arora and S. Kumar, Phys. Rev. B 62, 13604 (2000).
[17] H. C. Liu, Fedrico Cappaso, in Semiconductors and Semimetals (New York: Academic Press 2000), Vol.
62.
[18] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (New York: Wiley, 1987).
[19] S. S. Choi, K. H. Kim, I. H. Bae. I. S. Kim and S.
B. Park, Samulli 49, 198 (2004).
Photocapacitance-Voltage and Photocurrent-Voltage Measurements of Resonant Tunneling in In 0.08 Ga 0.92 As/GaAs MQWs
Sang-Soo Choi, Hyun-Min Cho and In-Ho Bae
∗Department of Physics, Yeungnam University, Kyongsan 712-749
Gwang Ho Cho
Department of Radiologic Technology, Daegu Health College, Daegu 702-722
In-Soo Kim
Department of Visual Optics, Kyongwon University, Gumi 730-852 (Received 11 October 2004, in final form 6 December 2004)
We studied resonant tunneling in In
0.08Ga
0.92As/GaAs multiple quantum wells (MQWs) by using capacitance-voltage characteristics illumination. Two peaks were observed in the plot of the capaci- tance versus the applied voltage and are related to tunneling between confined states in the quantum well. The separation between the two peaks increased with increasing illumination intensity, and the ntessities of the two peaks with increasing tunneling of excess careers.
PACS numbers: 72
Keywords: In
0.08Ga
0.92As/GaAs MQWs, Photocapacitance, Photocurrent, Resonant tunneling
∗
