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Academic year: 2021

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Fig. 1. The schematic diagram of experimental set-up to fabricate the porous silicon layers.

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Fig. 2. The diagram showing the change of current den- sities as a function of anodization time and area.

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(4)

Fig. 4. The SEM surface images of the porous sili- con layers that was made at different current densities.

(a) 27.0mA/cm

2

, (b) 20.8mA/cm

2

, (c) 14.6mA/cm

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, (d) 8.4mA/cm

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Fig. 5. The photoluminescence spectra that was mea- sured at different point in area II of Fig. 3.

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Fernandez and Joel C. Rubim, Spectrochimica Acta

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(6)

A Method to Make a Porous Silicon Layer with Various Fabrication Conditions on a Single Substrate

Seon-Hwa Park, Youngyou Kim, Jung-Hoon Song and Ki-Won Lee

Department of Physics, Kongju National University, Gongju 314-701

(Received 20 May 2008)

In this study, we investigated a new method to make a porous silicon layer with various fabrication conditions on a single substrate. In contrast to conventional methods, this method makes the samples through an anodization process while inserting the silicon wafer gradually or by stages into a hydrofluoric acid solution. Consequently, a sample having three different structures was made on a single substrate in our experiment. The surface and cross sections of the fabricated porous silicon layer were observed by using a scanning electron microscope. Moreover, the photoluminescence spectra of the porous silicon layer were measured, and potential applications are introduced.

PACS numbers: 68.55.Jk, 78.55.Mb Keywords: Porous silicon

E-mail: [email protected]

수치

Fig. 1. The schematic diagram of experimental set-up to fabricate the porous silicon layers.
Fig. 3. Cross-sectional SEM images for each points indi- indi-cated within a optical photograph.
Fig. 4. The SEM surface images of the porous sili- sili-con layers that was made at different current densities.

참조

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