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PACS numbers: 68.55.Jk, 78.55.Mb Keywords: / B N| 9 ½ © è
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E-mail: [email protected]
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-225-
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ÐÂ Ò' _ µ 1 Ï F g É r 325 nm _ # l © \ " f ¾ º& h 8 £ ¤& ñ r
ç ß 4 í Ð # ë ß /PL ì rF g l (Horiba Jobin Yvon, LabRam HR UV/VIS/NIR)\ ¦ : x K 8 £ ¤& ñ % i .
III. ÷ m Ç] M ö + s ÇÊ Ý õ m Í À X Ø8 ý
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> r _ / B N| 9 ½ © è ] j Z O s Ô ¦ oà º è 6 xÓ o 5 Å q \ l ó ø Íõ Ñ þ
F K ` ¦ ¢ - a y ¶ ú { 9 ô Ç Ê ê\ ] j H כ õ s e
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xÓ o 5 Å q \ ¶ ú { 9 " f { 9 & ñ ô Ç À Óx 9 ¸\ ¦ f Ë 9Å Ò , Ô ¦
oà º è 6 xÓ o 5 Å q Ü ¼ Ð { 9 n |  Òì r (Fig. 1 _ A  Òì r)
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r ª F G í ß o © l ç ß s À Ò# Q4 R / B N| 9 ½ © è 8 £ x _ ¿ ºa
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/& h Ü ¼ Ð ª F G í ß or ç ß s  ú ª 8 £ x _ ¿ ºa H · û ª . ² D G
Fig. 1. The schematic diagram of experimental set-up to fabricate the porous silicon layers.
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ß { 9 l ó ø Í © \ ª F G í ß or ç ß _ < ÊÃ º Ð" f ¿ ºa l Ö ¦ l \ ¦
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B N| 9 ½ © è\ ¦ ] j % i . Fig. 2 H r « Ñ ] j ` ¦ 0 AK ª F G í
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ß > I É r Ô ¦ oà º è 6 xÓ o 5 Å q Ü ¼ Ð l ó ø Í_ & h ` ¦ 1 cm
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2ü < 50 mA/cm
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¦ y y 45 s Õ ªo ¦ 3 s 1 l x î ß 5Å Òl \ ¦ f Ë 9Å Ò% 3 . /
B N| 9 ½ © è H À Óx 9 ¸\ _ K / B N ¸ (8 £ x _ x 9 ¸)
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ñ ÷ & ¦ ª F G í ß or ç ß \ _ K ¿ ºa Å Ò Ð & ñ ) a . Õ ª
QÙ ¼ Ð " f Ð É r À Óx 9 ¸\ ¦ Å Òl & h Ü ¼ Ð f Ë 9Å Ò /
B
N ¸ " f Ð É r 8 £ x[ þ t s §@ / Ð ë ß [ þ t # Q4 R 8 £ x ½ ¨ ¸\ ¦ + þ
A$ í > ) a . é ß > II H ª F G í ß o & h s 1 cm
2\ " f 5 cm
2t 50 s 1 l x î ß 5 Å q& h Ü ¼ Ð ¸2 ¤ l ó ø Í` ¦ Ô ¦ oà º
è 6 xÓ o 5 Å q \ ¶ ú { 9 9 / B N| 9 ½ © è\ ¦ ] j % i . s M :
ª F G í ß o À Ó H 30 mA Ä »t ÷ & ¸2 ¤ [ O & ñ % i . s
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` ¦ À Óx 9 ¸ Ð ¨ 8 í ß 50 s 1 l x î ß 30 mA/cm
2\ " f 6 mA/cm
2t 5 Å q& h Ü ¼ Ð ô Ç כ \ K { © ô Ç . é ß > III
É
r ª F G í ß o & h s 6 cm
2÷ & ¸2 ¤ ¦, 50 mA/cm
2ü <
10 mA/cm
2_ À Óx 9 ¸\ ¦ y y 3s Õ ªo ¦ 90s 1 l x î ß 5Å Ò l
\ ¦ f Ë 9 8 £ x ½ ¨ ¸\ ¦ ] j % i . Fig. 2\ " f { 9 º Õ ü w
H [ j é ß > _ ª F G í ß o õ & ñ ` ¦ : x K ë ß [ þ t # Q| 9 8 £ x \
ñ\ ¦ Â Ò# ô Ç כ s .
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z ´+ « >s < É ª p Ðî r כ É r Ô ¦ oà º è 6 xÓ o 5 Å q Ü ¼ Ð ©
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6 £ § \ ¶ ú { 9 ) a ½ © èl ó ø Í_ % ò % i I É r ^ ª F G í ß o 7 á x
Fig. 2. The diagram showing the change of current den- sities as a function of anodization time and area.
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Ñ | ¨ c M : t > 5 Å q e Ü ¼Ù ¼ Ð, é ß > I ∼ III t _ ¸
H 8 £ x s ¾ º& h ) a H כ s . ì ø Í © t } \ ¶ ú { 9 ) a
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Q . r ´ ú © % 6 £ § \ ¶ ú { 9 ) a % ò % i I É r Fig.
2 _ ` ∼ j t _ ¸ H 8 £ x s ©  Ò\ " f Â Ò ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð
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º& h ) a ½ ¨ ¸\ ¦ ° ú H כ ` ¦ \ V © ½ + É Ã º e . ð ø Ít Ð % ò
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II H Fig. 2 _ e ∼ j t _ 8 £ x s , t } Ü ¼ Ð % ò % i III É r f ∼ j t _ 8 £ x s ] j | ¨ c כ s . s Qô Ç \ V ©
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] X S X ½ + É Ã º e % 3 . Fig. 3 É r ] j ) a r « Ñ_ F g < Æ
õ é ß \ @ /ô Ç & ³p â s p t \ ¦ < Êa Ð כ s
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r × æ ç ß Â Òì r É r % ò % i II, t } Â Òì r É r % ò % i III\ K { © ô
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a ¹ 1 Ïô Ç t & h Ü ¼ Ð" f, & ³p â _ C Ö ¦ É r 17,000 C Ð : x { 9
% i . Õ ªo ¦ f8 £ x _ © é ß ` ¦ l ï r Ü ¼ Ð s p t \ ¦ & ñ
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< ° ú s 8 ú x 11 > h_ 8 £ x s ë ß [ þ t # Q כ ` ¦ S X ½ + É Ã º e .
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∼ j _ 8 £ x s ë ß [ þ t # Q כ ` ¦ S X ½ + É Ã º e . # l " f % ò
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" î S X t · ú § . Õ ª s Ä » H r « Ñ ] X é ß r É r 8 £ x[ þ t õ j8 £ x õ _ ì r o s { 9 u t · ú § í& h Ü ¼ ÐÂ Ò' # Á
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Q e l M :ë H s . Ä ºo H j8 £ x \ @ /K Z > ¸ Ð í& h ` ¦
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Æ Ò# Q ' a ¹ 1 Ï < ÊÜ ¼ Ð" f 8 £ x s > r F < Ê` ¦ S X % i Ü ¼ 7 Hë H
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Fig. 3 \ " f S X ½ + É Ã º e H ¢ ¸ _ < É ª p Ðî r & ³ ©
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r ª F G í ß o À Óx 9 ¸ü < r ç ß s 1 l x{ 9 < Ê\ ¸ y % ò % i
Fig. 3. Cross-sectional SEM images for each points indi- cated within a optical photograph.
_ 8 £ x _ ¿ ºa " f Ð Ø Ô> è ß כ s . \ V\ ¦ [ þ t
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Q Õ ªa Ë >\ " f f8 £ x É r 10 mA/cm
2 Ð 90 s 1 l x î ß ¸¿ º 1 l x{ 9
> ª F G í ß o ) a כ e \ ¸ y % ò % i \ " f 8 £ ¤& ñ ô Ç ¿ ºa
Ø Ô . 7 £ ¤ % ò % i I\ " f H 0.95 µm, II (c) \ " f H 0.72 µm, III \ " f H 0.65 µm Ð z ¤ . s Qô Ç & ³ © É r f8 £ x÷ r ë ß
m g ∼ j8 £ x \ " f ¸ H X <, / B N: x& h Ü ¼ Ð % ò % i I s © ¿ º, ¦ É r % ò % i É r © @ /& h Ü ¼ Ð · û ª . s Qô Ç
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³ © É r Ô ¦ oà º è 6 xÓ o 5 Å q \ " f " f Ð Å Ò Ð ¦ e H ½ © è l
ó ø Íõ Ñ þ F K _ ß ¼l Ä »ô Ç # Ñ ü t s _ l © s ç
H{ 9 t · ú §l M :ë H s . ¢ ¸ô Ç % ò % i I É r % ò % i IIIs ª F G í
ß o r | ¨ c M : `\ " f e t _ / B N| 9 ½ © è 8 £ x s s p
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Ð $ ½ Ós É r % ò % i \ q K © @ /& h Ü ¼ Ð À Ó s Â
Òì r Ü ¼ Ð | 9 × æ ÷ &l M :ë H Ü ¼ Ð K $ 3 ) a .
Fig. 4 H Fig. 3 \ " f % ò % i II_ W 1 t & h \ @ /ô Ç ³ ð ` ¦ Å
Ò & ³p â ` ¦ s 6 x K 90,000C _ C Ö ¦ Ð ' a ¹ 1 Ïô Ç כ s
. s % ò % i \ " f x» ¡ ¤ ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð H ª F G í ß o À Óx 9 ¸
" f Ð Ø Ôl M :ë H \ ³ ð \ ì r í H / B N _ ß ¼l
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f Ð \ ¦ כ ` ¦ l @ /½ + É Ã º e . s \ @ /ô Ç z ´ É r Fig.
4 \ " f " î S X y ' a ¹ 1 Ͻ + É Ã º e . Õ ªa Ë >\ " f 4 (a) H 27.0 mA/cm
2, 4 (b) H 20.8 mA/cm
2, 4 (c) H 14.6 mA/cm
2, 4 (d) H 8.4 mA/cm
2 Ð ª F G í ß o ) a t & h \ K { © ô Ç . Õ ª a Ë
>õ ° ú s ª F G í ß o À Óx 9 ¸_ ° ú כs | 9 Ã º2 ¤ Y J õ
Y J s _ / B N ç ß / B N _ ß ¼l & h & h t H
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` ¦ · ú Ã º e . s M : Fig. 4 (d)_ â Ä º Â Òì r& h Ü ¼ Ð B Ä
º H / B N[ þ t s ' a ¹ 1 Ï÷ & H X <, s  Òì r _ þ j © Â Ò 8 £ x É r ¿ º a
B Ä º · û ª r « Ñ ] j · Ê ê õ & ñ \ " f e ` ¦ Ã º e H
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ð < Ê ¢ ¸ H Â Ò\ e H 8 £ x ½ ¨ ¸_ ³ ð s × ¼ Q
Fig. 4. The SEM surface images of the porous sili- con layers that was made at different current densities.
(a) 27.0mA/cm
2, (b) 20.8mA/cm
2, (c) 14.6mA/cm
2, (d) 8.4mA/cm
2.
Ðs l M :ë H Ü ¼ Ð Ò q ty ) a . Õ ª Q s Qô Ç Â Òì r` ¦ ] jü @
¦ H Fig. 4 (c) Ð ì ø Í& h Ü ¼ Ð ½ ¨" í _ ß ¼l H
H כ ` ¦ · ú Ã º e . s ü < ° ú É r / B N _ ß ¼l o H % ò % i II \ " f x» ¡ ¤` ¦ 5 Å q& h Ü ¼ Ð > ) a . þ j H [ þ t
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Fig. 5 H Fig. 3 _ % ò % i II\ @ /K x» ¡ ¤` ¦ $ Á
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Ð · p כ s . Õ ªa Ë >\ " f 5 (a) H 27.0 mA/cm
2, 5 (b) H 22.4 mA/cm
2, 5 (c) H 17.8 mA/cm
2, 5 (d) H 13.2 mA/cm
2, 5 (e) H 8.4 mA/cm
2 Ð ª F G í ß o ) a t & h \ K
Fig. 5. The photoluminescence spectra that was mea- sured at different point in area II of Fig. 3.
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3 _ ; ¤ É r 550 ∼ 900 nm Ð 1 l x{ 9 > z ¤t ë ß , y © ¸
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A Method to Make a Porous Silicon Layer with Various Fabrication Conditions on a Single Substrate
Seon-Hwa Park, Youngyou Kim, Jung-Hoon Song and Ki-Won Lee
∗Department of Physics, Kongju National University, Gongju 314-701
(Received 20 May 2008)
In this study, we investigated a new method to make a porous silicon layer with various fabrication conditions on a single substrate. In contrast to conventional methods, this method makes the samples through an anodization process while inserting the silicon wafer gradually or by stages into a hydrofluoric acid solution. Consequently, a sample having three different structures was made on a single substrate in our experiment. The surface and cross sections of the fabricated porous silicon layer were observed by using a scanning electron microscope. Moreover, the photoluminescence spectra of the porous silicon layer were measured, and potential applications are introduced.
PACS numbers: 68.55.Jk, 78.55.Mb Keywords: Porous silicon
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