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5 Z 4, pp. 526∼531

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(1)

 5 Z 4, pp. 526∼531

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Enhancements of the Electric Fields Near the Contact between a Metal and a Dielectric

Y. J. Jang · M. S. Chung

Department of Physics, University of Ulsan, Ulsan 680-749

(Received 4 February, 2010 : revised 26 February, 2010 : accepted 11 May, 2010)

We investigated the behavior of the electric field near a junction composed of a metal, a dielectric, and vacuum. By using the two-dimensional model of a quadruple junction composed of a metal, vacuum, a dielectric, and vacuum, we calculated the electric field near the junction as a function of the configuration and the dielectric constant. We found that the obtained field was enhanced more strongly for the quadruple junction than for the associated triple junction.

PACS numbers: 77, 51.50, 52.80, 77.22, 79.70

Keywords: Electric field enhancement, Vacuum breakdown, Dielectric breakdown, Metal-dielectric contact, Triple junction

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-526-

(2)

Fig. 1. Triple and quadruple junctions. The contact of metal(W) and dielectric makes triple junctions of metal- vacuum-dielectric (small circle) and quadruple junctions of metal-vacuum-dielectric-vacuum (large circle).

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Fig. 2. Cylindrical quadruple junction. The quadruple junction is the axis of the cylinder of radius R and length

` which is composed of metal, vacuum, dielectric and vacuum subtended by angle α, θ 1 , θ 2 and θ 3 , respectively.

Here, θ 1 + θ 2 + θ 3 = θ t = 2φ − α.



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 [17].

Φ 1 = A 1 r ν sin νθ, 0 ≤ θ ≤ θ 1 (”  / B N) (1)

Φ 2 = r ν (A 2 sin νθ + B 2 cos νθ),

θ 1 ≤ θ ≤ θ 1 + θ 2 ( Ä »„  ^ ‰) (2)

Φ 3 = A 3 r ν sin ν(2π − α − θ),

θ 1 + θ 2 ≤ θ ≤ θ 1 + θ 2 + θ 3 = θ t (”  / B N) (3)

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F 1 = A 1 νr ν−1 (4)

F 2 = (A 2 2 + B 2 2 ) 1/2 νr ν−1 (5)

F 3 = A 3 νr ν−1 (6)

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= ε tan νθ 3 + tan ν(θ 1 + θ 2 )

1 − ε tan νθ 3 tan ν(θ 1 + θ 2 ) (7)

η 1 ≡ A 1 /A 2 = ε(1 + tan 2 νθ 1 )

1 + ε tan 2 νθ 1 (8)

η 2 ≡ B 2 /A 2 = (ε − 1) tan νθ 1

1 + ε tan 2 νθ 1 (9)

η 3 ≡ A 3 /A 2 = sin ν(θ 1 + θ 2 ) + η 2 cos ν(θ 1 + θ 2 ) sin νθ 3 (10)

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ε tan νθ 1 = − tan νθ 2 (11)

Fig. 3. Enhancement parameter ν . The ν is obtained for θ 0 = 0 (upper, triple junction), 15 (middle, asymmet- ric quadruple junction), θ 1 (lower, symmetric quadruple junction). When ν and θ 2 are given in units of ν 0 and θ t , the plots of ν vs. θ 2 are independent of α. We use ε

= 5.7(solid, diamond) and 10.4 (dotted, GaN).

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ν = ν 0 = π

θ 1 + θ 2 + θ 3 = π

θ t = π

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(4)

Fig. 4. Minimum enhancement factor ν min . The ν min is obtained as a function of the metallic contact angel α for ε = 5.7 (solid line) and 10.4 (dotted line).

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, (16)

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 R r

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Fig. 5. Field enhancement β of the symmetric quadru- ple junction. The β represents the enhancement for the vacuum field F 1 (solid line) and the dielectric field F 2

(dotted line). We take ε = 5.7 (lower line) and 10.4 (upper line).

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수치

Fig. 2. Cylindrical quadruple junction. The quadruple junction is the axis of the cylinder of radius R and length
Fig. 3. Enhancement parameter ν . The ν is obtained for θ 0 = 0 (upper, triple junction), 15 ◦ (middle,  asymmet-ric quadruple junction), θ 1 (lower, symmetric quadruple junction)
Fig. 4. Minimum enhancement factor ν min . The ν min is obtained as a function of the metallic contact angel α for ε = 5.7 (solid line) and 10.4 (dotted line).
Fig. 5. Field enhancement β of the symmetric quadru- quadru-ple junction. The β represents the enhancement for the vacuum field F 1 (solid line) and the dielectric field F 2

참조

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