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정준익

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Academic year: 2022

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(1)

Applied Electrics and Electronics Engineering 원광대학교원광대학교 기계자동차공학과기계자동차공학과 정준익정준익

3-1

전기전자응용

2008년 1학기

정준익

(2)

Applied Electrics and Electronics Engineering 원광대학교원광대학교 기계자동차공학과기계자동차공학과 정준익정준익

1-1. 광센서의 개요 3-2

„

광의 종류

„

빛과 파장

‹

빛은 전자기파의 일종

‹

파장의 단위는 nm(100만분의 1m)를 사용

‹

눈으로 지각되는 색을 갖는 파장영역을 가시광선

‹

380∼780nm (1015 peta [Hz] 영역)

z 단색광인 경우 700∼610nm는 빨강,

z 610∼590nm는 주황, 590∼570nm는 노랑,

z 570∼500nm는 초록, 500∼450nm는 파랑,

z 450∼400nm는 보라

„

색과 파장

(3)

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1-2. 광 센서의 개요 3-3

„ 광 센서의 개요

‹ 일반적으로 외계(또는 발광부)에 의한 광 에너지를 전기적 신호로 변환하는 장치

‹ 광원

z 자연광이나 실내의 조명광을 사용하는 경우 (수동형 passive)

z 검출 대상에 빛을 비추기위해 다른 광원을 가지는 경우 (능동형 active)

» 투과형, 희귀 반사형, 확산 반사형

„ 광센서의 기본원리

‹ 투광부에서 발사된 펄스 변조광이 검출 물체가 검출영역에 들어감

‹ 수광소자에서 입사광이 증가(감소)하게 됨

‹ 증가(감소)한 입사광의 정류신호 레벨이 동작레벨에 도달하면 출력

„ 광-전기 변환원리에 따른 분류

‹ 광도전형 : CdS, PbS, Se

‹ 광기전력형 : 포토 다이오드, 태양전지, 포토 트랜지스터, CCD 이미지센서

‹ 초전효과형 : 초전형 적외선 센서

‹ 광전자방출형 : 광전관, 광전자 증배관

(4)

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1-3. 광전 효과 3-4

„

의미

‹

광 에너지와 물질 사이에는 물리적인 상호 작용이 있어 물질이 광 에너지(광자)를 흡수하고 그 결과 전자를 방출하는 현상

„

광기전력 효과

‹

PN 접합 다이오드의 접합부에 빛을 조사하면 전자-정공 쌍이 다수 발생하여 전극간에 기전력이 발생하고,

‹

이 기전력은 입사광의 강도에 따라 증가

‹

포토 다이오드, 포토 트랜지스터 등

„

광도전 효과

‹

물질에 빛이 조사되면 전기 저항이 변화하는 현상

‹

재료

z 가시광선 : 삼황화 안티몬(Sb2S3), 산화납(PbO)

z 적외선 : PbO- Sb2S3

z 자외선 : 셀렌(Se)계

‹

z 가시광용 : 황하 카드늄(CdS)

z 적외광용 : 황화납(PbS), 인듐 안티몬(InSb)

반사형 포토 센서 1

반사형 포토 센서 2

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1-3. 광전 효과 3-5

„ 광전자 방출 효과

‹ 어떤 종류의 금속 또는 반도체의 표면에 빛을 쪼이면, 표면 근처에 있는 전자가 광에너지를 흡수하여 표면으로 나오는 것(광전자 방출)

‹ 방출된 광전자의 수는 입사되는 빛의 강도, 즉 광자의 수에 비례하여 증가

‹ 하나의 광자로부터 하나의 전자가 방출되는 것은 아니고, 양자비율에 따라 다름

무접점 릴레이, 광전 스위치, 레벨 제어 전기적 절연, 아날로그

량에 의한 검출

•포토 커플러

•포토 인터럽 터

복합형 광 센서

의료 기기, 공해 분석 기기

소형, 전원 불필요 고감도

•자외광 감도

•포토 다이오 드

자외선 센 서

정밀 광 계측기기 초고속, 미약광 검출 미약광 검출, 펄스 카운

터 초고감도, 빠른 응답 속도

•광전관

•광전자 증배 관

광전자 방 출형

카메라 노출계, 포토 릴레이, 광 제어기 소형, 고감도, 저가

•광도전 셀 광도전형

조도계, 광통신 스트 로브, 광전 스위치, 광 릴레이, 조광시스템 소형, 저가, 전원 불필

대출력

대전류 제어

•포토 다이오 드

•포토 트랜지 스터

•포토 사이리 스터

광기전력 형

용도 특징

센서

분류

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1-4. 광 센서의 분류 3-6

(7)

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1-5. 광 센서의 선택 3-7

(8)

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2-1. 포토 다이오드 3-8

„

접합형 센서

„ p-n접합의전류-전압특성의광의존성을이용

‹

빛은 p+층을 통해 입사되며, n+층은 n형과 금속전극과의 옴성접촉(ohmiccontact)을 위한 것

‹

포토다이오드를 희망하는 파장대의 빛을 응답시키기 위해서는

에너지갭(금지대의에너지간격)을 고려해 반도체의 사용재료의 변화가 필요함(Si외GaAsP, Ge)

(9)

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2-2. 포토 다이오드 3-9

„

최대피크를 중심으로 장파장 또는 단파장 쪽으로 갈수록 감도는 감소

„

장파장측:

‹

감쇠는 파장이 길어질수록 빛이 반도체내에 흡수되지 못하고 투과되기 때문에 전자-정공쌍을 생성시키지 못 함

„

단파장측:

‹

감쇠는 파장이 짧아질수록 빛이 반도체 표면에서 흡수되어 생성된

캐리어들이 접합부의 공핍 영역까지 도달하지 못하고 재결합되므로 광 전류에 기여하지 못하기 때문

„

포토다이오드는 자외선-근적외선영역에서 주로 사용

„

분광감도 특성은 사용반도체 재료의 불순물 분포 및 구조에 따라 변화시킬 수 있음

„

응답시간은 빛에 의해 생성된 캐리어의 확산시간 및 공핍영역 통과시간,

접합용량 등에 의해 결정

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2-3. 포토 다이오드 3-10

„ 장점

‹ 입사광에 대한 선형성이 좋다

‹ 응답 특성이 좋다

‹ 파장 감도가 넓다

‹ 잡음이 적다

‹ 소형 경량이다

‹ 진동, 충격에 강하다

‹ 광통신의 수광소자, 리모콘, 노출계 등에 널리 이용

„ 단점

‹ 출력 전류가 작다

„ 포토 다이오드의 분광감도 특성

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2-4. 포토 다이오드 3-11

„

포토 다이오드의 종류와 용도

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3. 포토 트랜지스터 3-12

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4. 포토 사이리스터 3-13

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포토 다이오드의 무 바이어스 회로 실험 3-14

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포토 다이오드와 트랜지스터의 결합회로 실험 3-15

(16)

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포토 다이오드와 OP-Amp의 결합회로 실험 3-16

(17)

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5. CdS 광도전 셀 3-17

„

CdS 광도전 셀

‹

황화카드뮴을 주성분으로 한 광도전 소자

‹

조사광에 의해 내부 저항이 변화하는 일종의 광저항기

‹

단점

z 응답특성이 매우 느려 고속의 광스위칭에는 부적합

z 조도가 완만하게 변하는 센싱 환경

‹

장점

z 일반 저항처럼 회로에 사용

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6. 포토 인터럽터 3-18

„ 개요

‹ 빛을 On/Off 하는 것에 의해 비접촉적으로 물체의 유무를 검출

‹ 발광 부분과 수광 부분을 일체화한 일종의 포토 커플러

‹ 구조상 광투과식과 광반사식이 있음

‹ 장점

z 고신뢰성, 고속 응답성, 소형, 경량, 높은 정밀도, 칩화

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각 소자 기호 및 단자 설명 3-19

„

포토 다이오드

„

포토 트랜지스터

„

OP-Amp

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7. 포토 IC 3-20

„

포토 IC

‹

포토 다이오드와 OP AMP 를 일체화한 센서 모듈

z 포함회로 : 포토 다이오드, OPAMP, 슈미트 회로, 버퍼 앰프, 안정화 전원

참조

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