Volume 60, Number 7, 2010¸ 7 Z 4, pp. 763∼766
New Physics: Sae Mulli (The Korean Physical Society), DOI: 10.3938/NPSM.60.763
High-κ m× D ö n ÚT ø m É) nà Ã Å ÷ m ÇP É b Ø M m ü; c" e § 7 0ä Ã Å8 ý ° Ë Ñ] K ¡X ì Ä Å k Ä0 Ç Ö «V R Ë
{
¡é s ÷ 7 B
[
j7 á x @ / < Æ § Ó ü t o < Æõ x 9 Õ ªA 2 ; ½ ¨ è, " fÖ ¦ 143-747
(2010¸ 4 Z 4 15{ 9 ~ Ã Î6 £ §, 2010¸ 6 Z 4 3{ 9 Ã º& ñ : r ~ Ã Î6 £ §, 2010¸ 7 Z 4 13{ 9 > F S X & ñ )
z
´o B H l ó ø Í 0 A\ high-κ í ß oÓ ü t ~ Ã Ì} s { 9 ) â Ä º Õ ª 0 A\ " f Õ ªA 2 ;` ¦ F g < Æ & ³p â ` ¦ : x K d Z >
½
+ É Ã º e H 0 p x$ í \ @ /K > í ß % i . 8 £ x _ ~ Ã Ì} ½ ¨ ¸\ " f y n C_ ì ø Í Ö ¦` ¦ > í ß # , @ /³ ð& h high-κ Ó
ü t| 9 HfO
2~ Ã Ì} _ â Ä º 60 nm \ " f 90 nm s _ ¿ ºa { 9 M :, ZrO
2~ Ã Ì} _ â Ä º 50 nm\ " f 75 nm
¿
ºa { 9 M : Õ ªA 2 ;` ¦ d Z > ½ + É Ã º e 6 £ §` ¦ µ 1 ß+ À I . TiO
2_ â Ä º H V , É r # 3 0 A_ ¿ ºa \ " f F g < Æ& h @ /q
Ø
æì r y ß ¼t · ú § d Z > l # Q 9Ö ¦ כ Ü ¼ Ð \ V © ÷ &% 3 .
Ù þ
d # Q: Õ ªA 2 ;, High-κ í ß oÓ ü t, F g < Æ& h @ /q
Optical Visibility of Graphene on a Silicon Substrate Covered with a High-κ Oxide Thin Film
Hwayong Noh ∗
Department of Physics and Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul 143-747 (Received 15 April, 2010 : revised 3 June, 2010 : accepted 13 July, 2010)
We calculated the optical contrast and the visibility of graphene on a silicon substrate covered with a high-κ oxide thin film. Calculating the reflectance of light in the multi-layered structure, we found the graphene on HfO
2of 60 nm to 90 nm in thickness and on ZrO
2of 50 nm to 75 nm in thickness to be visible. The optical contrast on TiO
2, on the other hand, remained so low for a wide range of thicknesses that it would be very difficult to find the graphene.
PACS numbers: 78.67.-n,78.40.-q
Keywords: Graphene, High-κ oxides, Optical contrast
I. " e  ] Ø
þ
j H 5, 6¸ ç ß Õ ªA 2 ;\ ' a ô Ç ½ ¨ ; ¤ µ 1 Ï& h Ü ¼ Ð 7 £ x
% i Ü ¼ 9, ª ô Ç Ó ü t o & h : £ ¤$ í õ Õ ª 6 £ x6 x \ ' a ô Ç õ
Ð ¦÷ & ¦ e [1]. Õ ªA 2 ;_ l & h : £ ¤$ í \ ' a ô Ç ½ ¨ H
íl  Ò' & ³F t > 5 Å q s # Qt ¦ e Ü ¼ 9, 1 l q: £ ¤ ô Ç F g < Æ
&
h
: £ ¤$ í \ ' a ô Ç ½ ¨ ¸ s À Ò# Qt ¦ e [2]. Õ ªA 2 ;` ¦
6 x ô Ç z ´+ « > ½ ¨ 0 p x > ) a Å Ò ) a > l H Õ ªA 2 ;` ¦ :
£ ¤& ñ ô Ç ¿ ºa _ í ß oz ´o B H(SiO 2 ) s { 9 ) z ´o B H l ó ø Í
∗
E-mail: [email protected]
0
A\ " f F g < Æ & ³p â ` ¦ : x K ~ 1 > d Z > K è q à º e % 3 l M : ë
H s [3]. z ´o B H É r > s à Ô Ð 6 x ÷ & 9, SiO 2 H > s à
Ôü < Õ ªA 2 ;õ _ ] X ` ¦ 0 AK 6 x ÷ &# Q . SiO 2 _ ¿ º a
300 nm â Ä º\ H d Z > s ÷ &t ë ß , 200 nm â Ä º
\
H d Z > s ÷ &t · ú § H כ Ü ¼ Ð · ú 94 R e . s H 8 £ x _
~ Ã Ì} ½ ¨ ¸\ " f y n C_ ì ø Í Ö ¦ s ç ß [ O & ³ © \ _ K ~ Ã Ì} _
¿ ºa x 9 Ï ã J] X Ö ¦ 1 p x \ y > ² ú t l M :ë H s
. " f t F K t _ Õ ªA 2 ; ½ ¨ H _ @ /Â Òì r s ü <
° ú
s 300 nm_ SiO 2 { 9 ) z ´o B H l ó ø Í 0 A\ " f s À Ò
# Q& .
-763-
-764- ô Dz D GÓ ü t o < Æ rt “D hÓ ü t o ”, Volume 60, Number 7, 2010¸ 7 Z 4
ô
Ǽ # , Õ ªA 2 ;` ¦ É r 7 á x À Ó_ l ó ø Í 0 A\ " f ½ ¨ H כ
¸ l ó ø Í_ 7 á x À Ó\ ² ú | 9 Ã º e H : £ ¤$ í o` ¦ Ã ÐÒ o
H 8 £ ¤ \ " f × æ כ ¹ . Õ ªA 2 ;_ s 1 l x ¸\ % ò ¾ Ó
`
¦ p u H © Å Ò ) a כ ¹ É r l ó ø Í\ > r F H s : r o ) a Ô
¦í HÓ ü t \ _ ô Ç í ß ê ø Í´ òõ ¦ · ú 94 R e [4,5]. Æ ÒØ ¦ ô Ç Õ
ªA 2 ; A A á ¤ _ SiO 2 \ ¦ d y r & ] j K ï r â Ä º, s
1 l x ¸ 200,000 cm 2 /Vs t Z } ½ ¨ õ H l ó ø Í _
% ò ¾ Ó` ¦ é ß & h Ü ¼ Ð Ð# Å Ò H \ V ¦ x [6]. Õ ª Q , s
ü < ° ú É r ~ ½ ÓZ O ` ¦ & h 6 x H â Ä º Õ ªA 2 ;s / B N× æ \ * e
H © I \ e 6 £ § Ü ¼ Ð K ~ 1 > < H| ¨ c à º e . Õ ªA 2 ;_
s 1 l x ¸\ ¦ Z } # × ¦ Ã º e H ¢ ¸ É r ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð" f l ó ø Í
\
" f_ s : r o ) a Ô ¦í HÓ ü t \ _ ô Ç í ß ê ø Í` ¦ × ¦ # Å Ò H ~ ½ ÓZ O ` ¦ Ò q
ty ½ + É Ã º e H X <, s : r o ) a Ô ¦í HÓ ü t \ _ ô Ç í ß ê ø Í É r Ù ü t2 §
© ñ 6 x \ _ ô Ç כ Ü ¼ Ð" f Ä » © Ã º(κ) H Ó ü t| 9 _ â Ä
º Õ ª y © ¸ o÷ &> ) a . " f, Ä » © Ã º H Ó ü t
| 9
` ¦ ] X } Ü ¼ Ð 6 x H â Ä º, Õ ªA 2 ;_ s 1 l x ¸\ ¦ B
Ä º Z } # × ¦ 0 p x$ í s e . SiO 2 _ â Ä º κ = 3.9 ì ø Í
, high-κ í ß oÓ ü t Ð" f @ /³ ð& h HfO 2 , ZrO 2 , TiO 2 _ Ä »
© Ã º H y y κ = 25, 25, 80 & ñ ¸ Ð" f B Ä º ß ¼ . High- κ ] X } ` ¦ 6 x ½ + É M :_ ¢ ¸ É r © & h É r > s à Ô · ú ` ¦ SiO 2 _ â Ä º Ð > ½ + É Ã º e H כ s . Ã ºz V_
>
s à Ô · ú @ / Ã º V & ñ ¸\ ¦ # ¸ l > r _ ½ ¨
\
" f 6 x ô Ç x 9 ¸\ ¦ % 3 ` ¦ Ã º e > ) a .
: r ½ ¨\ " f H s ü < ° ú É r high-κ í ß oÓ ü t` ¦ ] X } Ü ¼
Ð 6 x H â Ä º Õ ªA 2 ;` ¦ F g < Æ & ³p â ` ¦ : x K d Z > K è
q à º e H 0 p x$ í \ @ /K ¸ % i . ] X } _ ¿ ºa \
Õ ªA 2 ;_ F g < Æ& h @ /q (contrast) # Qb G> ² ú t
H t \ ¦ > í ß ¦, Õ ªA 2 ;_ d Z > s 0 p x ô Ç ] X } _ ¿ º a
\ ¦ ¹ 1 Ô ? /% 3 .
II. 4 mU ê s0 n É õ m Í + s ÇÊ Ý
8 £ x _ ~ Ã Ì} ½ ¨ ¸\ " f y n C_ ì ø Í Ö ¦ õ È Òõ Ö ¦ É r y y _ Ó
ü t| 9 _ ¿ ºa x 9 Ï ã J] X Ö ¦ \ y > ì ø Í6 £ x ô Ç . â > \
"
f_ l _ â > ¸| ` ¦ & h 6 x # ì ø Í Ö ¦ õ È Òõ Ö ¦
`
¦ > í ß ½ + É Ã º e H X <, s H ² D G transfer matrix ~ ½ ÓZ O Ü ¼
Ð { 9 ì ø Í o÷ &# Q y y _ Ó ü t| 9 _ transfer matrix\ ¦ Y L ô Ç
^
transfer matrix\ ¦ > í ß H כ Ü ¼ Ð ) ) a [7]. ì ø Í
> à ºü < È Òõ > à º\ ¦ y y rõ t ¦ ½ + ÉM :,
1 n 0
! + 1
−n 0
!
r = M 1 n T
!
t (1)
ü
< ° ú É r ' § > =d Ü ¼ РÒ' rõ t\ ¦ ½ ¨½ + É Ã º e . # l " f n 0 É r y n Cs ~ à Ì} ½ ¨ ¸\ { 9 l ' H B | 9 (/ B N l )
Table 1. Refractive index of materials used in the calcu- lation for select wavelengths.
Si SiO
2HfO
2ZrO
2TiO
2λ (nm) n k n n n n
400 5.5700 0.3870 1.4701 1.9830 2.2741 3.2861 450 4.6738 0.1451 1.4656 1.9597 2.2388 3.1405 500 4.2975 0.0728 1.4624 1.9423 2.2247 3.0300 550 4.0844 0.0406 1.4600 1.9291 2.2193 2.9544 600 3.9473 0.0257 1.4581 1.9189 2.2131 2.9000 650 3.8512 0.0164 1.4566 1.9108 2.2046 2.8600 700 3.7831 0.0126 1.4554 1.9043 2.1959 2.8300 750 3.7333 0.0090 1.4543 1.8990 2.1883 2.8100
_
Ï ã J] X Ö ¦ s ¦, n T H ~ Ã Ì} ½ ¨ ¸\ ¦ : x õ ô Ç Ê ê þ j7 á x& h Ü ¼ Ð È
Òõ ÷ & H B | 9 (z ´o B H) _ Ï ã J] X Ö ¦ s . M É r ^ ½ ¨ ¸ _
transfer matrix Ð" f, y y _ ~ Ã Ì} Ó ü t| 9 _ transfer ma- trix\ ¦ Y V Ð Y L ô Ç כ õ ° ú . 7 £ ¤, M = M 1 M 2 ...M N s 9,
M α = cosk α l α − n i
α