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공업화학 전망, 제13권 제1호, 2010 Figure 1. 혈관을 향해 나아가는 암 세포.
을 거의 받지 않도록 촬영법을 개량했다.
연구진은 쥐의 허리에 이식한 사람의 유방암 세포의 표면을 형광입 자로 착색하여 전위 과정을 관찰하였다. 일부 암 세포가 원래의 덩어 리로부터 빠져 나간 후, 가까운 혈관으로 들어가 내벽에 달라붙을 때 까지의 과정을 포착했다. 곤다는 “항암제나 세포 중의 단백질의 움직 임도 촬영할 수 있다.”고 말한다.
출처 : YOMIURI(http://osaka.yomiuri.co.jp/university/research/20100119- OYO8T00554.htm)
작성 : 이준우 (한국과학기술정보연구원)
후지쯔, 세계 최초로 대기판 전면에 그래핀 트랜지스터를 저온으로 직접 형성하는 기술 개발
(주)후지쯔(富士通)연구소는 차세대 트랜지스터 재료로 기대되는 나노 크기의 탄소재료(나노 카본) 중 하나인 그래핀을 일반적인 반도체 제조 프로세스인 화학기상성장법(化学氣相成長法, CVD법)을 이용하여 절연 기판상에 저온으로 직접 형성하는 기술을 개발하고, 대기판의 전면에 트랜지스터를 형성하는 데 세 계 최초로 성공했다. 또한, 종래의 그래핀의 형성 온도가 800∼1,000 ℃인데 비해, 형성 온도를 650 ℃ 로 대폭 하강함에 따라 다양한 절연 기판상에 직접 그래핀 트랜지스터를 형성할 수 있게 되었다.
그래핀은 높은 전자·홀 이동도를 가지며, 저전압·저소비 전력으로 동작하는 차세대 트랜지스터 재료 로 기대되고 있으며, 본 기술 개발은 그래핀 트랜지스터 실용화를 위해 크게 기여할 것으로 기대된다. 그 래핀은 두께가 수 나노미터정도 이하일 경우 빛을 잘 통과시키기 때문에, 디스플레이 등에 사용할 수 있 는 박막 트랜지스터의 채널 재료 및 전극재료로서도 기대된다.
본 기술에서의 그래핀 합성 온도는 650 ℃ 정도로, 많이 사용되고 있는 일반적인 유리 위에서 직접 합 성 가능한 온도(550 ℃ 정도)에 가까워, 가까운 장래에 큰 유리 기판 위에서 직접 그래핀 트랜지스터를 형성하는 것도 가능할 것으로 보인다.
Figure 1. 그래핀 트랜지스터를 형성한 직경 75 mm의 산화막 부착 Si기판.
Figure 2.다양한 두께로 합성된 그래핀.
