• 검색 결과가 없습니다.

MOS Memory

N/A
N/A
Info
다운로드
Protected

Academic year: 2022

Share "MOS Memory"

Copied!
6
0
0

로드 중.... (전체 텍스트 보기)

전체 글

(1)

MOS Memory

2018년 1학기 반도체소자특성

경북대 전자공학부

(2)

2

1 3 5 7 8.5

WL voltage for the selected cell (VDD) ON-cell (“0”) OFF-cell (“1”)

Threshold voltage distribution

?

Charged F-gate discharged F-gate

# of cells

Vt WL voltage for unselected cells (0 V)

Erase verify Program verify

Read

(3)

Program/ Erase

(4)

4

Terms in NAND Flash

Bit line (B/L)

Word line (W/L)

(5)

Disturbance during program operation

(6)

6

-4 -2 0 0.5 1.5

WL voltage for the selected cell (0 V)

ON-cell (“0”) OFF-cell (“1”) Threshold voltage distribution

?

discharged F-gate Charged F-gate

# of cells

Vt WL voltage for unselected cells (Vpass)

Erase verify Program verify Decide whether the

Vth of the selected cell is larger or smaller than Vtarget (= 0 V)

3.5

ON

Selected B/L: V

D

= positive

참조

지금 다운로드하기 ( PDF - 6 페이지 - 348.81 KB )

관련 문서

2013. 1학기 경영정보론 수업

1학기

DT-100A Tachometer Operation Manual

To recall a specific reading, press the memory switch until the desired reading shows up on the display along with its memory position.. To erase all data from the memory, press

MOS – Word 2007

리본 메 뉴의 명령 순서를 이동하지 않아도 빠르게 작업을 수행할 수 있다... 자동 고침 목록에 추가되면

정치욱

저자들은 2018년 인플루엔자 단체 예방접종 시행 후 인플루엔자 입원 환자 수의 변화를 통해 인플루엔자 백신의 효과(effectiveness) 에 대한 관찰 연구를 시행하였다. 다만

MOS – Word 2007

 암호가 설정된 문서를 열면 열기 암호와 쓰기 암호를 묻는 창이 나타난다...  다음과

MOS – Word 2007

[r]

주기억장치관리Main Memory Management주기억장치관리Main Memory Management

– 프로세스 크기가 크면 backing store 입출력에 따른 부담 크다. ● 메모리에 적재되어 있으나 현재 사용되지 않고 있는

Chapter 18. Non-ideal MOS

If we consider the effects of work function difference and the interface charges, the silicon band diagram may not be “flat”. even when no voltage is applied