FLASH MEMORY별 작업시간 비교:
용량 bus width page size Bin 크기 FP I FP II 개선 율
8 30Mbyte 56sec 19sec 295%
512Mbit
16 small block
30Mbyte 42sec 14sec 300%
8 100Mbyte 152sec 78sec 194%
16 small block
100Mbyte 128sec 56sec 229%
1Gbit
16 large block 100Mbyte 74sec 40sec 185%
8 small block 140MByte 192sec 100sec 192%
8 140MByte 160sec 79sec 203%
2Gbit
16 large block
140MByte 103sec 57sec 181%
NAND
4Gbit 16 large block 200MByte 246sec 107sec 230%
GBNAND 1.2GByte 8 300MByte 300sec 88sec 341%
MoviNAND 1.1GByte 320MByte 320sec 97sec 309%
M-DOC 2GByte 1.9Gbyte 74 분 74 분
FLASH MEMORY 사용 동향:
수출 향에는 주로 512Mbit나 1Gbit위주로 사용 되도 있으며 내수는 주로 1Gbit 이상 사용 하고 있습니다
GSM 경우는 MAIN CPU에서 NAND에 BOOT를 올려 사용할 수 있도록 지원되지 않아 주로 NOR나 NOR+NAND를 많이 사용 하였으나 요즘 새로 나오는 GSM CPU들은 NAND에 BOOT를 올려서 사용할 수 있도록 지원이 되므로 NAND 사용률은 더욱 증가 될 것으로 생각 됩니다.
근래에는 휴대폰에 다양한 기능을 적용하는 추세로 인해 NAND 용량 및 bin크기가 점점 증가하는 추세입니다.
이처럼 NAND의 사용률이 점점 증가하고 있고, 특히 NAND의 용량과 bin크기가 점점 증가함에 따라 NAND 프로그 래밍 시간이 생산에 영향을 주고 있습니다.
일례로 bin크기가 100MByte에서 140MByte로 증가할 경우 생산 캐파는 80%로 감소합니다!
업그레이드 제안:
이번에 새로이 출시된 FC II 코프로세서는 NAND FLASH와 SERIAL FLASH, FLASH MEDIA를 프로그래밍하는 데 소 요되는 총 프로그래밍 시간을 최대한으로 단축하였습니다.
자사 제품인 FC I과 비교해 보면 적게는 180%, 많게는 300% 이상 속도가 개선되는 것을 확인하실 수 있습니다.
용어 설명:
GB NAND: NAND(LB)+GBNAND(SDC+LB NAND)+SDRAM
도시바에서 생산되는 FLASH MEMORY이며 LG 뷰티폰과 뮤직폰에 주로 사용됨 개발모델 중 상당수가 사용함
MoviNAND: NAND(LB)+MoviNAND(MMC+LBNAND)+SDRAM
삼성에서 생산되는 FLASH MEMORY 이며 삼성 햅틱 기능의 모델에 사용
LB: LARGE BLOCK
SDC: SD CARD CONTROLLER MMC: MMC CARD CONTROLLER
