http://dx.doi.org/10.3938/NPSM.67.425
Origin of the Reduction in the Junction Electric Field of an InAs/GaAs Quantum-Dot Solar Cell
Im Sik Han · Jong Su Kim
∗Department of Physics, Yeungnam University, Gyeongsan 38541, Korea
Sam Kyu Noh · Sang Jun Lee
Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon 34113, Korea (Received 23 November 2016 : revised 26 December 2016 : accepted 27 December 2016)
We investigated the origin of the reduction in the junction electric field of an InAs/GaAs quantum- dot solar cell (QDSC) by using photoreflectance (PR) spectroscopy. From the PR results with various excitation intensities (Iex), the PR spectra clearly exhibited an oscillatory feature related to Franz- Keldysh oscillations (FKOs) due to the p-n junction electric field (Fpn). The strength of the Fpn
in the InAs/GaAs QDSC with various Iex was lower than that of the GaAs single-junction SC.
The difference in the Fpn(∆Fpn) between the GaAs single-junction solar cell and the InAs/GaAs QD solar cell with low Iex is about 34 kV/cm. This result can be explained by a decrease in the carrier concentration (Nd) in the n-GaAs absorption layer. To confirm the reduction of Nd in the QDSC, we calculated the variation in the maximum electric field (∆Fmax) in a p-n junction with various carrier concentration losses. When the carrier concentration loss in the QDSC was increased by 28%, the calculated ∆Fmax coincided exactly with measured ∆Fpn from the PR results. The decreased Ndin the InAs/GaAs QDSC is attributed to a decrease in the electric field strength due to the carrier trapping and re-capturing processes in the defect and QD states.
PACS numbers: 73.40.Kp, 78.55.Cr, 81.15.Hi
Keywords: InAs/GaAs quantum-dot solar cell, Junction electric field, Carrier trapping and capturing process
InAs/GaAs 양자점 태양전지의 접합 전기장의 감소에 대한 원인 규명
한임식 · 김종수
∗영남대학교 물리학과, 경산 38541, 대한민국
노삼규 · 이상준
한국표준과학연구원, 대전 34113, 대한민국
(2016년 11월 23일 받음, 2016년 12월 26일 수정본 받음, 2016년 12월 27일 게재 확정)
본 연구에서는 InAs/GaAs 양자점 태양전지의 접합 전기장의 감소에 대한 원인을 규명하기 위해 광반 사변조분광학 (photoreflectance spectroscopy, PR)을 이용하여 연구하였다. 여기광 세기에 따른 태양전 지의 PR 신호를 상온에서 측정한 결과로부터, 시료 내부의 p-n 접합 전기장 (Fpn)에 의한 Franz-Keldysh
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I. 서 론
화합물 반도체를 기반으로 한 태양전지 (solar cell, SC) 의 개발과 효율 향상에 대해 많은 연구자들의 관심이 집 중 되고 있다 [1]. 최근 단일 접합 태양전지에 중간 밴드 (intermediate band)를 접목하여 추가적인 광-생성 운반자 (photo-generated carrier)의 증가로 인한 효율 향상에 대 한 가능성이 보고되어 많은 연구자들의 이목이 집중 되고 있다 [2]. 이러한 중간 밴드를 구현하기 위해 양자점 태양 전지 (quantum dot solar cell, QDSC)를 개발하여 활발한 연구가 진행 되고 있다 [3]. 그 중 III-V족 화합물 반도체에 서 GaAs 단일 접합 태양전지 (single-junction solar cell) 의 활성층 영역에 In(Ga)As/GaAs(Sb) 양자점을 삽입하여 전체 태양광 스펙트럼의 40%를 차지 하는 근적외선 영역을 흡수하여 태양전지의 효율 향상을 예상 하는 많은 연구들 이 진행 되고 있다 [4,5]. 격자 부정합을 이용하여 자발- 형성된 InAs/GaAs 양자점에서 발생 되는 결함 (defect) 또는 어긋나기 (dislocation)로 인한 운반자 트랩 (carrier trap) 과정으로 누설 전류를 유발 시키고 있다 [6]. 또한, 양자점 안에 존재하는 양자화된 준위로 인한 운반자 포획 (carrier capture) 과정으로 태양전지의 효율을 저하 시키고 있다 [6]. 이러한 손실을 정확하게 파악하여 고효율 태양전 지로 거듭나기 위해 전류-전압 (current-voltage), 용량-전 압 (capacitance-voltage) 실험 등 다양한 측정 방법을 이 용하여 태양전지의 특성을 평가하고 있다. 최근에는 반사 변조 분광학 (photoreflectance spectroscopy, PR)을 이용 하여 InAs 양자점의 국소 전기장 (localized electric field) 분포에 관한 연구가 진행되고 있다 [7,8]. 또한 다중접합 (multi-junction) 또는 단일 접합 태양전지의 PR 신호로 부터 관측 되는 Franz-Keldysh oscillation (FKO)를 통해 시료 내부의 전기장에 대한 연구가 이루어 지고 있다 [9, 10]. FKO 신호의 주기는 시료 내부 전기장의 세기와 관련 되어있으며, 광-생성 운반자의 밀도에 의한 전기장 가리기
∗E-mail:[email protected]
효과 (electric field screening effect)에도 영향을 받으므로 이에 대한 분석은 태양전지의 특성을 평가 할 수 있는 연 구로 주목 받고 있다. 본 연구에서는 InAs/GaAs 양자점 태양전지의 접합 전기장의 감소에 대한 원인을 규명하고자 여기광 세기 (excitation intensity, Iex)에 따른 PR 실험을 상온에서 측정하였으며, PR 신호로부터 추출된 FKO 신 호를 고속 푸리에 변환 (fast Fourier Transform, FFT)을 이용하여 시료의 내부 전기장을 분석하였다.
II. 실험 방법
본 연구에 사용된 태양전지는 InAs/GaAs QDSC와 GaAs 단일 접합 태양전지로 총 2개의 시료를 분자선 켜쌓 기 (molecular beam epitaxy, MBE)를 이용하여 성장하였 다. Fig. 1(a)와 (b)는 각각 GaAs 단일 접합과 InAs/GaAs 양자점 태양전지의 구조를 나타내었다. GaAs 단일 접합 태 양전지의 구조는 기본적인 GaAs p+-n-n+ 구조로 이루어 져 있으며, n+-GaAs (100) 기판 위에 300 nm의 n+-GaAs 완충층 (buffer layer, 2×1018 cm−3)을 성장한 후, 1.5 µm 의 n-GaAs 흡수층 (absorption layer, 2 × 1017 cm−3), 600 nm의 p+-GaAs, 50 nm의 p+-Al0.9Ga0.1As, 10 nm 의 p+-GaAs 접촉층 (contact layer, 2 × 1018 cm−3)을 순 차적으로 성장하였다. 이때 n-n+ 계면에 InAs 2.0 ML 양 자점을 8주기 삽입하였다 [11]. 일반적으로 InAs 양자점의 성장 온도 (∼470◦C)가 GaAs 에피층의 최적화된 성장 온 도 (∼580 ◦C)보다 상대적으로 낮기 때문에 GaAs덥개층 (capping layer)의 성장 온도 또한 양자점의 성장 온도에 맞춰서 제작하고 있다. 이때 저온 (low temperature, LT) 에서 성장된 GaAs 에피층에서 Ga 빈자리 (vacancy) 또는 As-antisite로 야기되는 결함 준위 (defect state)로 인해 운 반자 수송 과정 중에서 트랩 현상이 발생 할 수 있다 [12].
이러한 LT-GaAs 덥개층에서 발생되는 운반자 트랩 과정을 제외하고 InAs 양자점에서 발생되는 운반자 수송 현상에
Fig. 1. (Color online) Schematic diagram of the (a) GaAs single-junction and (b) InAs/GaAs QD solar cell struc- ture.
대해 비교하기 위해 본 연구에서는 GaAs 단일 접합 태양 전지의 구조에 330 nm의 LT-GaAs 에피층을 n-n+ 계면에 삽입하였다.
본 연구에서는 양자점 태양전지의 광학적 특성을 알아 보기 위해 여기광 세기에 따른 PR 실험을 상온에서 측 정하였다. 여기 광원으로 He-Ne (633 nm) 레이저를 800 Hz의 주파수를 가진 자르개 (chopper)로 변조시키고 시료 표면에 입사시켰다. 시료의 반사율 변화를 측정하기 위한 조사 광원으로는 250 W의 텅스텐-할로겐 램프를 단색기 (monochromator)를 통하여 단색화하여 시료에 조사하였 고, 시료의 변조에 따른 반사광의 세기 변화 (∆R)를 Si-검 출기 (600 nm ∼ 1100 nm)와 lock-in 증폭기를 이용하여 규격화된 반사율 (∆R/R)을 파장의 함수로 기록하였다. 이 때, 여기광 세기는 중성 농도 필터 (neutral density filter) 를 이용하여 2.8 ∼ 140 mW/cm2로 변화시켜 규격화된 반 사율을 측정하였다.
III. 실험 결과 및 논의
Fig. 2(a)는 상온에서 측정한 GaAs 단일 접합 태양전지 (실선)와 InAs/GaAs QDSC (점선)의 PR 신호를 나타낸 것이다. 각각의 시료에 대한 PR 신호에는 GaAs의 띠틈 에너지 (Eg = 1.42 eV), 스핀-궤도 분리 에너지(Eg+∆0
= 1.76 eV) 의 전이 신호를 포함하고 있다. 또한, GaAs 띠틈 에너지 이상에서 시료 내부 전기장의 영향으로 나타 나는 FKO 신호가 관측 되었으며, InAs 양자점 유무에 따라 FKO 주기의 변화도 관측되었다. 일반적으로 반도체의 내 부전기장이 존재할 때 띠틈 에너지 이상에서 FKO 신호가 나타난다 [13]. 이때 고전기장 영역에서의 PR 신호는 코사 인 함수로 근사 할 수 있으며, 이를 통해 각 FKO 신호의 주파수 (eV−3/2) 성분을 FFT 방법을 이용하여 검출 해낼 수 있다. 고전기장 영역에서의 PR 신호 근사로부터 주파수
Fig. 2. (Color online) (a) Room-temperature photore- flectance (PR) and (b) fast Fourier transform (FFT) results of PR spectra for GaAs single-junction and InAs/GaAs QD solar cell. The PR spectra have three main features from GaAs band gap (Eg= 1.42 eV), spin- orbital split (Eg+∆0 = 1.76 eV) transitions and Franz- Keldysh oscillations (FKOs).
f 와 내부 전기장의 세기F 는 다음과 같은 식으로 나타낼 수 있다 [13].
f = 2 3π
p2µ
1 e~F
(1) 여기서 µ는 전자와 정공의 환산 유효질량, ~ = h/2π 이고 h는 플랑크 상수이다. 그리고 e는 기본 전하량이다. 주파수 f 는 시료에서 전자-무거운 정공(e − hh) 전이와 전자-가벼 운 정공 (e − lh) 전이에 의해 결정될 수 있고, 시료의 F 에 반비례하여 나타난다. 두 가지 전이 과정에 따라 두 개의 FKO 주파수를 FFT의 결과에서 얻을 수 있으며, 각 주파수 의 비는 hh과 lh의 환산유효질량 비의 제곱근에 비례한다.
각각의 환산 유효질량은 전도대의 전자의 유효질량 (me= 0.067 m0)과 가전자대의 무거운 정공의 유효질량 (mhh= 0.62 m0)을 사용하였다 [14]. 여기서 m0는 전자의 정지질 량이다. 또한 e–hh 전이에서 나타나는 FKO 주파수의 신호 강도가 e–lh 전이의 신호 강도 보다 더 크기 때문에 e–hh
Fig. 3. (Color online) Excitation intensity dependence of Franz-Keldysh oscillations (FKOs) for (a) GaAs single- junction and (b) InAs/GaAs QD solar cell. Contour plot of normalized FFT spectra of (c) GaAs single-junction and (d) InAs/GaAs QD solar cell.
전이에 해당하는 FKO의 신호가 더 우세하다. Fig. 2(b)는 PR 신호의 띠틈 에너지 이상에서 나타나는 FKO 신호에 대한 FFT 결과를 나타내었다. 각각의 시료에서 전기장의 세기가 다른 두 개의 주파수를 관측하였다. 두 개의 주파수 의 비를 계산하였을 때, e–hh 전이에서 나타나는 서로 다른 전기장의 세기로 판단 되었다. GaAs 단일 접합 태양전지 의 FFT 결과로 얻은 주파수를 식 (1)로부터 내부 전기장을 구하면, 395 kV/cm와 134 kV/cm으로 계산되었다. 이와 같은 구조에서 발생될 수 있는 전기장의 근원을 조사하여 395 kV/cm의 전기장은 시료 표면에서 발생 되는 전기장 (Fs−hh)이며, 134 kV/cm의 전기장은 p-n 계면 접합 전기 장 (Fpn−hh)임을 알 수 있었다 [15]. QDSC의 Fpn−hh는 111 kV/cm으로 GaAs 단일 접합 태양전지 보다 상대적 으로 작은 세기의 전기장이 관측 되었다. 이는 InAs 양자 점으로부터 흡수된 추가적인 광-생성 전하의 증가로 인한 전기장 가리기에 대한 영향이 증가한 것으로 사료된다. 일 반적으로 전기장 가리기 영향은 반도체 표면에 여기광이
조사되었을 때 발생 하는 현상이며, 태양전지에 광이 조사 되면 p-n 접합의 활성층 영역에서 전자-정공 쌍이 생성되고 전기장에 의해 분리되어 전류에 기여하게 된다. 이 때 형 성된 과잉 운반자가 활성층 양쪽으로 분리된 전하에 의한 p-n 접합 전기장의 반대 방향으로 내부 전기장이 형성되며 이는 p-n 접합 전기장의 세기를 감쇠시키게 된다. 따라서, 과잉 운반자의 수가 증가할수록 p-n 접합 전기장의 세기를 더욱 감쇠시켜 전기장 가리기 현상은 증가 하게 된다 [16].
구체적인 p-n접합 전기장 세기의 감쇠 현상을 연구하기 위해 여기광 세기에 따른 PR 실험을 수행하여 Fpn의 변 화를 분석하였다. Fig. 3(a)와 (b)는 여기광 세기에 따른 GaAs 단일 접합 태양전지와 InAs/GaAs QDSC의 PR 신 호를 (E − Eg)3/2축에서 보여주고 있다. 띠틈 에너지는 온 도 의존성을 가지기 때문에 여기광 세기에 따라 GaAs띠틈 에너지는 변하지 않음을 관측 하였다. 두 시료 모두 여기 광 세기에 따라 FKO 신호의 주기가 점진적으로 변하는
Fig. 4. (Color online) The p-n junction electric fields (Fpn) of GaAs single-junction and InAs/GaAs QD so- lar cell as a function of excitation intensity (Iex). The dot lines are extrapolated from the Fpnand the slope on a ln(Iex) scale. The green dot line (without data points) results from Ref. 15.
것을 알 수 있었다. 이는 여기광 세기가 감소할수록 광-생 성 운반자의 수가 감소하여 전기장 가리기 현상에 기여하 는 FKO 신호의 변화 때문으로 사료된다 [17]. Fig. 3(c) 와 (d)는 여기광 세기에 따른 GaAs 단일 접합 태양전지 와 InAs/GaAs QDSC의 FKO신호로부터 FFT한 결과를 등고선 도표로 나타내었다. 전기장 가리기 현상이 여기광 세기에 지수적으로 비례하기 때문에 등고선 도표의 x축을 자연 로그 (ln[Iex])로 나타내었으며, 여기광 세기가 증가할 수록 우세적인 주파수의 진폭도 증가하여 등고선 도표에서 주파수의 변화를 관측하기에 다소 어려움이 있으므로 등고 선 도표의 z축을 규격화 (normalization) 하여 나타내었다 [15]. 두 시료 모두 여기광 세기에 감소할수록 Fpn에 해당 하는 주파수는 감소함을 알 수 있었다. GaAs 단일 접합 태양전지의 주파수는 여기광 세기에 감소함에 따라 19.989 eV−3/2에서 17.490 eV−3/2로 감소하였으며, InAs/GaAs QDSC의 주파수는 24.055 eV−3/2에서 21.048 eV−3/2로 감소하였다.
Fig. 4는 FFT를 통하여 구한 FKO 주파수를 식 (1)을 이용하여 여기광 세기에 따른 각 시료들의 Fpn을 나타내었 다. LT-GaAs 에피층이 없는 GaAs 단일 접합 태양전지의 Fpn은 Ref. 15에서 추출된 결과이며, 점선 (dotted lines) 들은 여기광 세기에 따른 Fpn의 기울기를 이용하여 근사한 결과이다. 여기광의 세기가 감소함에 따라 각각의 태양전 지의 Fpn은 근사한 결과와 마찬가지로 증가하였다. 동일한 여기광의 세기에 따라 QDSC의 Fpn은 GaAs 단일 접합 태양전지의 Fpn보다 전기장의 세기가 상대적으로 약하다 는 것을 알 수 있었다. 또한, GaAs 단일 접합 태양전지 의 여기광 세기에 따른 측정된 Fpn의 변화 (19 kV/cm)
Fig. 5. (Color online) The variation of calculated maxi- mum electric field (∆Fmax) in the p-n junction as a func- tion of carrier concentration loss due to the LT-GaAs (Nd, LT −GaAs) and InAs QD layer (Nd, InAs QD).
가 InAs/GaAs QDSC에 대한 Fpn의 변화 (16 kV/cm)보 다 상대적으로 적다는 것을 알 수 있었다. 일반적으로 PR 실험으로 추출된 시료 내부 전기장의 세기는 여기광 세기 가 감소함에 따라 선형적으로 감소하며, 여기광의 세기가 약 10−4 mW/cm2일 때 이론적으로 계산된 전기장의 세 기에 도달하게 되고 그 이하의 여기광 세기일 때의 시료 내부의 전기장은 일정한 값을 유지한다 [13]. 여기광 세기 가 약 10−4 mW/cm2에 도달하였을 때 GaAs 단일 접합 태양전지의 Fpn은 약 195 kV/cm이며, 양자점 태양전지 의 Fpn은 161 kV/cm이다. 이 두 시료에 대한 Fpn의 변 화 (∆Fpn,InAsQD)는 약 34 kV/cm이며, LT-GaAs 에피 층의 유무에 따른 Fpn의 변화 (∆Fpn,LT −GaAs)는 약 66 kV/cm로 계산 되었다. 이는 GaAs 단일 접합 태양전지에 LT-GaAs 에피층이 삽입됨으로써 발생되는 결함 준위으 로 인해 운반자 트랩 과정이 일어나서 n-GaAs 흡수층의 운반자 농도 (carrier concentration, Nd)가 감소된 것으로 예상된다. InAs/GaAs양자점 태양전지는 LT-GaAs 에피 층에서 발생되는 운반자 트랩 과정뿐만 아니라 InAs 와 GaAs 계면층의 응력에 의해 발생된 결함 준위에 따라서 발생된 운반자들의 트랩 과정과 InAs 양자점 안에 존재 하는 양자화된 준위 (quantized state)에 의해 운반자들의 포획 (capture) 또는 재-포획 (re-capture) 과정이 발생하여 Nd가 GaAs 단일 접합 태양전지 보다 상대적으로 감소된 것으로 예상된다. 이러한 태양전지의 접합 전기장의 감소 에 대한 원인을 정확하게 규명하기 위해 Nd에 따른 전기장 세기의 변화를 계산하였다.
= Nd, GaAs–Nd, LT −GaAs (2) Nd, InAs/GaAs QDSC
= Nd, GaAs singis–junction SC− Nd, InAs Qd (3) 여기서 Nd, GaAs는 Si으로 도핑된 n-GaAs의 운반자 농 도이며, Nd, LT −GaAs와 Nd, InAs QD는 LT-GaAs 에피 층과 InAs 양자점에서 발생되는 운반자 농도 손실이다.
GaAs 단일 접합 태양전지의 ∆Fmax는 일반적으로 계 산된 p+-n 접합 전기장과 Nd, LT −GaAs를 변화시켜 계 산된 전기장의 세기 차이며, InAs/GaAs 양자점 태양전 지의 ∆Fmax는 GaAs 단일 접합 태양전지의 전기장과
Nd, InAs QD를 변화시켜 계산된 전기장의 세기 차이다.
Nd, GaAs를 2 × 1017cm−3으로 고정시키고 Nd, LT −GaAs
에 따른 ∆Fmax를 나타낸 결과, Nd, LT −GaAs가 약 8.2
× 1016 cm−3일 때 ∆Fmax가 약 66 kV/cm로 계산되 었다. 이는 PR을 이용한 LT-GaAs 에피층 유무에 따른
∆Fpn,LT −GaAs결과값과 일치한다. 즉, 2 × 1017 cm−3의 도핑 농도로 이루어져 있던 n-GaAs 흡수층이 LT-GaAs 에서 발생된 결함으로 인해 운반자 트랩 과정이 일어나서 Nd, GaAs single−junction SC가 1.18 × 1017 cm−3으로 약 41% 정도 운반자 농도가 감소되었으며 이로 인해 ∆Fpn 이 약 66 kV/cm로 접합 전기장의 세기가 감소하였다는 결 론이다. Nd, GaAs single−junction SC가 1.18 × 1017 cm−3 으로 고정시키고 Nd, LT −GaAs에 따른 ∆Fmax를 나타낸 결 과, Nd, InAs QD가 약 3.35 × 1016cm−3일 때 ∆Fmax가 약 34 kV/cm로 계산되었다. 이는 PR을 이용한 InAs 양자점 유무에 따른 ∆Fpn, InAs QD 결과값과 일치한다. 즉, LT- GaAs에서 발생된 운반자 트랩 과정으로 1.18 × 1017cm−3 으로 감소된 Nd, GaAs single−junction SC가 InAs 와GaAs 계면층의 응력에 의해 발생된 결함 준위에 따라서 발생된 운반자들의 트랩 과정과 InAs 양자점 안에 존재하는 양자 화된 준위에 의해 운반자들의 포획 또는 재-포획 과정이 일 어나서 Nd, InAs/GaAs QDSC가 8.45 × 1016 cm−3으로 약 28% 정도 운반자 농도가 감소되었으며 이로 인해 ∆Fpn이 약 34 kV/cm로 접합 전기장의 세기가 감소하였다는 결론 이다. 추후 InAs 양자점이 삽입됨에 의해 발생되는 운반자 트랩 또는 포획 과정 등을 개선 하여 고효율 태양전지로 거듭될 수 있을 것으로 사료된다.
지의 Fpn의 세기보다 상대적으로 약하다는 것을 확인하였 다. 운반자 밀도 손실에 따른 양자점 태양전지의 ∆Fmax
를 계산한 결과, 양자점 태양전지의 운반자 밀도 손실이 약 28% 증가하였을 때, PR 실험을 측정된 ∆Fpn의 결과가 일 치함을 나타내었다. 이는 InAs 양자점 성장에서 발생되는 결함으로 인한 운반자 트랩과 양자화된 준위에서 발생되는 운반자 포획 또는 재-포획 과정으로 인해 운반자 밀도가 손실되어 전기장의 세기가 감소된 것으로 사료된다.
ACKNOWLEDGEMENTS
This work was supported by the Korea Institute of Energy Technology Evaluation and Planning (KETEP) and the Ministry of Trade, Industry & Energy (MOTIE) of the Republic of Korea (No. 20163030013380).
REFERENCES
[1] M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta and E. D. Dunlop, Prog. Photovoltaics Res. Appl.
23, 1 (2015).
[2] Y. Okada, N. J. Ekins-Daukes, T. Kita, R. Tamaki and M. Yoshida et al., Appl. Phys. Rev. 2, 021302 (2015).
[3] E. L´opez, A. Datas, I. Ramiro, P .G. Linares and E.
Antol´ın et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 149, 15 (2016).
[4] Y. Cheng, M. Fukuda, V. R. Whiteside, M. C. Deb- nath and P. J. Vallely et al., Sol. Energy Mater. Sol.
Cells. 147, 94 (2016).
[5] Y. Kim, K.-Y. Ban, C. Zhang, J. O. Kim and S. J.
Lee, Appl. Phys. Lett. 108, 103104 (2016).
[6] S. M. Willis, J. A. R. Dimmock, F. Tutu, H. Y. Liu and M.G . Peinado et al., Sol. Energy Mater. Sol.
Cells 102, 142 (2012).
[7] I. S. Han, H. J. Jo, S. J. Lee, C. W. Sohn and R. P.
Smith et al., New Phys.: Sae Mulli 62, 227 (2012).
[8] J. S. Kim, Curr. Appl. Phys. 17, 31 (2016).
[9] E. C´anovas, D. Fuertes Marr´on, A. Mart´ı, A. Luque and A. W. Bett et al., Appl. Phys. Lett. 97, 203504 (2010).
[10] I. S. Han, J. S. Kim, J. O. Kim, S. K. Noh and S. J.
Lee, Curr. Appl. Phys. 16, 587 (2016).
[11] I. S. Han, R. P. Smith, J. S. Kim, S. K. Noh and S.
J. Lee et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells 155, 70 (2016).
[12] F. K. Tutu, I. R. Sellers, M. G. Peinado, C. E. Pa- store and S. M. Willis et al., J. Appl. Phys. 111, 046101 (2012).
[13] D. P. Wang and C. T. Chen, Appl. Phys. Lett. 67, 2069 (1995).
[14] S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).
[15] C. W. Sohn, I. S. Han, R. P. Smith, J. S. Kim and S. K. Noh et al., J. Korean. Phys. Soc. 64, 1031 (2014).
[16] H. Shen and M. Dutta, J. Appl. Phys. 78, 2151 (1995).
[17] D. P. Wang, C. C. Chen, T. L. Shen, T. M. Hsu and W. C. Lee, J. Appl. Phys. 80, 6980 (1996).
