http://dx.doi.org/10.3938/NPSM.67.326
Growth of an Epilayer by Using a Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy Method
Hunsoo Jeon
Compound Semiconductor Fabrication Technology Center, Korea Maritime and Ocean University, Busan 49112, Korea
Injun Jeon · Hyung Soo Ahn
∗Department of Electronic Material Engineering, Korea Maritime and Ocean University, Busan 49112, Korea
Keesam Shin
School of Nano & Advanced Materials Engineering, Changwon National University, Changwon 51140, Korea
Sang Chil Lee
Faculty of Science Education, Jeju National University, Jeju 63243, Korea
Suck-Whan Kim
†Department of Physics, Andong National University, Andong 36729, Korea (Received 20 November 2016 : revised 21 December 2016 : accepted 4 January 2017)
The growth of epitaxial layers for manufacturing vertical-type light-emitting diodes (LEDs) based on AlxGa1−xN compound semiconductors is executed by using a mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method. All of the epitaxial layers consisting of a bare-chip are grown directly on substrates consecutively in the growth zone by using a multi-sliding boat system filled with the mixed-source materials in sequence and by using a RF heating coil to control the temperature at the source zone for temperatures of T > 660◦C, which are higher than these normally used (T <
660◦C) in HVPE installations. From our measurements of the threating dislocation densities in the epitaxial layers grown consecutively in the growth zone, the mixed-source HVPE method seems to be an appropriate technique for growing high-quality epilayers on substrates.
PACS numbers: 81.05.Ea, 81.10.-h, 81.10.Bk
Keywords: HVPE, Mixed-source, GaN, Multi-sliding boat system, RF heating-coil
혼합소스 수소화학기상법 (HVPE) 을 이용한 에피층의 성장
전헌수
한국해양대학교 화합물반도체공정기술센터, 부산 49112, 대한민국
전인준 · 안형수
∗한국해양대학교 대학원 전자소재공학과, 부산 49112, 대한민국
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에피층들은 수소화학기상법 장치내에 기존의 소스 온도 T < 660◦C보다 더 높은 온도인 T > 660◦C의 온도를 조절하기 위한 RF (radio frequency) 가열 코일에 의해 순서대로 혼합물질로 채워진 다중 슬라이딩 보트 계를 사용하여 성장 존에서 연속적으로 기판 위에 직접 성장되었다. 성장 존에서 연속적으로 성장된 에피층들 내의 치명적인 어긋나기-밀도 (dislocation density) 의 측정으로부터, 혼합소스 (mixed-source) 수소화학기상법은 기판에 양질의 에피층을 직접 성장 가능한 방법 중의 하나로 여겨진다.
PACS numbers: 81.05.Ea, 81.10.-h, 81.10.Bk
Keywords: 수소화학기상법, 혼합소스, 갈륨나이트라이드, 다중 슬라이딩 보트 계, RF 가열-코일
I. 서 론
백열등보다 더 적은 소비전력량, 더 작은 크기 및 더 짧 은 스위칭 시간과 같은 장점 때문에 디지털 디스플레이의 광원으로서 인기 있는 발광다이오드 (light emitting diode, LED) 는 주로 가시광선 스펙트럼 영역에서 광을 도출하는 반도체 소자이다 [1–4]. 청색과 자외계열의 발광다이오드는 GaN나 AlN와 같은 넓은 에너지 갭을 가진 직접 천이형 III족 질화물 반도체 구조에 전자들의 양자 구속으로 인하 여 발광하는 광 소자이며, 수소화학기상법 (hydride vapor phase epitaxy, HVPE), 유기화학증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 혹은 분자선에피탁 시 (molecular beam epitaxy, MBE) 방법 등의 성장기술로 사파이어, SiC, GaN 혹은 GaAs등의 기판 위에 고품질의 에피층 (epilayer) 이 성장된다 [5–9]. 상대적으로 낮은 성 장속도를 가진 MOCVD 방법에 비해 수소화학기상법은 다양한 후막의 두께를 가진 여러 종류의 고품종의 에피층을 성장시키는데 널리 사용되고 있다. 사파이어나 SiC 기판 위에 분당 수 마이크론의 GaN, AlGaN 혹은 InGaN 층들을 성장시킬 수 있으며, 결정의 질을 저하시키는 것 없이 낮은 밀도의 결함 (defect) 과 높은 Al 조성비를 가진 AlGaN 층 도 성장시킬 수 있다 [10,11]. 분자선에피탁시 방법은 나노 와이어를 핵심 기술로 가지는 나노 트랜지스트나 나노레이
∗E-mail: [email protected]
†E-mail: [email protected]
저, 메모리와 같이 성장 속도는 느리더라도 균일한 품질을 가지며 특히 광학적 특성의 소자제작에 필요한 방법이다 [12].
최근 발전된 수소화학기상법 기술은 발광다이오드 칩의 제작과정에서 발광 효율을 증가하는 다중양자우물(multiple quantum well) 형태의 활성 층을 포함 하는 이종접합구조 (heterostructure) 의 성장을 가능하게 하였다 [13].
일반적으로 사파이어나 SiC의 절연 기판 위에 성장된 발 광다이오드는 한 면에 p전극과 n전극을 측면으로(laterally) 가지는 큰 칩이다. 이들 측면 형 칩은 내부 전반사로 인한 빛의 부분적 흡수, 낮은 반사율 때문에 플립-칩 (flip-chip) 형태의 발광다이오드로 발광효율을 증가시키는 기술이 발전하였다. 측면 형 발광다이오드는 잘 연마 (polish) 된 기판을 통해 통과하는 낮은 광 추출 (extraction) 효율, 한쪽 면에 전극형성으로 인한 구조적 단점들을 가진다 [14]. 또 다른 III족 질화물 발광다이오드의 구조는 수직 형 (vertical type) 으로 제작된 것으로 단일 칩의 위아래 양면에 각각 한 개의 전극을 가지며, 칩 제작과정에서 GaN나 GaAs의 기판 위에 에피 층들을 성장시켜 레이저 분리방법 (lift-off) 혹은 화학적 분리방법을 사용하여 제작 될 수 있다 [15–18]. 이들 수직 형 발광다이오드는 수직 방향으로 흐르는 전류로 인해 절연 형 사파이어 기판에 기인한 정전기적 방전이 제거되어 일정한 빛을 방출할 수 있고, 높은 열전도성으로 열을 쉽게 방출 시킬 수 있으며, 낮은 직렬저항으로 작동 전압이 낮은 점들 때문에 측면 형의 발광다이오드와 비교하여 약 30%
Fig. 1. (Color online) Schematic drawing of the reactor including an RF heating-coil and three furnaces used for growing epilayers by the mixed-source HVPE method. (a) Three-dimensional schematic drawing of the reactor. (b) The reactor set sliding-boat system filled with mixed-source
의 효율이 증가된다고 알려져있다 [19]. 분자선에피탁시 방법이나 수소화학기상법, 그리고 유기화학증착법 등으로 에피층을 성장시켜 만든 측면 형이나 수직 형 발광다이오 드 제작에 있어서, 고품질의 에피층을 얻기 위해서는 기판 과 성장하고자 하는 물질의 격자 상수 (lattice constant) 와 열팽창계수 (coefficient of thermal expansion) 의 차이를 줄이는 것과 격자 부정합으로 인한 변형과 쿨링 (cooling) 에 의한 에피 층의 분리와 고밀도 배경 (background) 도핑 (doping) 에 의한 결함 (defects) 을 줄이는 것이 중요한 요 소이다 [20,21]. 현재 상용화된 발광다이오드는 측면 형이 많이 유통되고 있으며, 최근에는 공정단계가 복잡한 측면 형 발광다이오드를 대체할 수직 형 발광다이오드가 개발 및 상용화되고 있지만, 공정이 복잡하여 발광다이오드 제작 비용의 증가 및 제작기술의 발전 등의 문제점이 남아있다.
본 논문에서는 기존의 수소화학기상법 장치의 소스영역 (source zone) 에 RF 가열-코일 (radio frequency heating- coil) 을 장치하여 온도를 조절하고, 소스영역 내부에 다중보 트 (multi-boat) [22–24]를 포함하는 슬라이딩 보트 시스템 (sliding-boat system) 을 사용하였으며, 수직 형 발광다이 오드를 제작을 위한 원시 칩을 구성하는 에피 층들을 기판 위에 직접 연속적으로 성장시키는 방법을 사용하였다. 소 스영역은 RF 가열코일에 의해 온도가 660 ◦C 이상에서 실험이 가능하도록 설계되었고, 내부는 다중-보트에 성장 시키고자 하는 에피 층의 혼합소스 (mixed-source) 를 순서 대로 채워져 있다. 다중 슬라이딩 보트 각각의 우물 (well) 들은 칸막이에 의해 분리 되어 있고, 각 보트에는 적절한 비율로 성장하고자 하는 혼합물질로 채워져 있으며, 그 양은 성장시키고자 하는 에피층의 두께에 따라 달라진다.
II. 실험 방법
혼합소스 수소화학기상법을 질화물 반도체 물질의 에피층 성장에 적용하였다. Fig. 1은 혼합소스 수소화학기상법에 의해 에피층들의 성장을 위해 소스영역에 RF가열 코일과 다중 슬라이딩 보트계가 고안된 반응로 (reactor) 를 나타낸 다 [22–24]. Fig. 1(a) 는 반응로에 대한 구조를 3차원적으로 묘사한 것이다. Fig. 1(b) 는 다중 슬라이딩 보트계의 각 우물내에 들어있는 혼합 물질위로 흘려 보내진 HCl에 의해 화학적 혼합물 (chemical compounds) 의 반응물 (reactant) 이 형성되고 이들 반은물은 다시 성장영역에서 V족 가스 (source gas) NH3%와 합성 (synthesis) 의 메커니즘에의해 에피층들이 성장된다.
Fig. 1(b) 에서 다중 슬라이딩 보트 계 내의 우물들은 성 장시키고자 하는 에피층 순서대로 혼합 물질이 채워지는데, 첫 번째 우물에는 피라미드와 n-형 GaN 평면 층을 위한 Ga 과 Si 혼합물질을, 두 번째 우물에는 n-형 GaN 평면 층을 위한 Ga 과 Si 혼합물질을 양과 혼합비율이 다르게 채운다.
세 번째 우물에는 n-형 AlGaN층 (클래딩 층) 을 위한 Ga, Al과 Si 혼합물질을, 네 번째 우물에는 활성 층을 위한 Ga 혹은 Al과 Ga 혼합물질을 채운다. 다섯 번째 우물에는 p-형 AlGaN층 (클래딩 층) 을 위한 Ga, Al 과 Mg 혼합물질을, 여섯 번째 우물에는 p-형 GaN층 (클래딩 층) 을 위한 Ga 과 Mg 의 혼합물질을 채운다. 다중 슬라이딩 보트 계는 다중 슬라이딩 보트들과 구멍이 있는 보트 뚜껑 및 HCl을 분사하는 석영 튜브 (quartz tube) 로 구성되어 있으며, 보 트 뚜껑의 구멍은 성장시키고자 하는 에피층의 혼합물질이 들어있는 우물위로 순서대로 이동할 수 있다.
Fig. 2. (Color online) SEM image and its morphology of growth process for the bare chip. (a), (i), SEM image and its drawing of n-type GaN islands grown in SiO2holes for selective growth using the mask on a sapphire substrate. Scale bar is 1 µm. (b), (j), SEM image and its drawing of n-type GaN pyramids grown in each SiO2. Scale bar is 10 µm.
(c), (f), (g), SEM image and its drawing for epilayer connected by the trapezoidal pillars due to [1 1 -2 2] directional growth of the arms originated at one third position from the top of n-type GaN pyramids with increasing the growth time. Scale bars is 2 µm. (k), SEM image of epilayer by the [1 -1 0 1] directional growth of the additional arms originated at these trapezoidal pillars. Scale bar is 50 µm. (d), (l), SEM image and its drawing of flat and thick bare chip by the c-axis [0 0 0 1] directional growth up to the about 180 µm thickness after the [1 -1 0 1] directional growth.
Scale bar is 200 µm. (e), (m), SEM image and its drawing for upset image of single bare chip of the truncated-pyramid shape with the traces separated spontaneously from the sapphire substrate by the cooling. Scale bar is 5 µm. (h), Cross-sectional SEM image of the n-type GaN pyramids grown in SiO2 holes. Scale is 2 µm.
혼합소스 수소화학기상법으로 원시 칩 제작에 있어서 에피 층의 성장 단계는 Fig. 2의 (a) 에서 (m) 까지에 나타낸 바와 같다. 사파이어 기판 위에 포토 공정 단계를 거친 기판 위에 (Fig. 2의 (a)) 다중 슬라이딩 보트 계의 첫 번째 우물내 의 Ga과 Si의 혼합물질을 사용하여 Fig. 2(b) 와 같이 피리 미드를 성장한다. 연속하여 성장을 하게 되면 Fig. 2(c) 처럼 [11–22] 축의 성장 방향으로 피라미드가 연결되며, 동시에 [1–10] 방향으로도 측면성장 (epitaxial lateral overgrowth, ELO) 이루어져 Fig. 2(d) 와 같이 평탄면을 얻을 수 있다.
Fig. 2(f) 에서 Fig. 2(m) 까지는 주사전자 현미경 (scanning electron microscope, SEM) 을 나타낸다. 지름 2인치의 제 작된 마스크는 내부에 1 mm× 1 mm 크기의 사각형 구획 영역을 가지며, 그 구획영역내부에는 x 와 y 방향으로 각각 4 µm 주기로 직경이 2 µm인 구멍을 가진다 (Fig. 2(i)).
마스크내의 사각 구획영역들은 x 와 y 방향으로 각각 40 µm 의 공간을 주기적으로 가진다. Fig. 2(c) 와 Fig. 2(f) 에서 보여준 바와 같이 n-형 GaN:Si 층의 성장과정에서 사파이어 기판 위에 선택적으로 성장된 n-형 GaN:Si 층 피라미드의 꼭대기로부터 3분의 1 지점으로부터 기원된 [11–22] 방향 성장은 Fig. 2(g) 와 같이 서로서로 사각기둥으로 연결되고,
시간이 경과함에 따라 사각기둥으로부터 기원된 또 다른 [1–10] 방향의 팔에 의해 성장되어 Fig. 2(k) 와 같이 평면 을 형성하고, c축 방향의 성장이 계속 되면서 Fig. 2(d) 와 Fig. 2(l) 과 같이 두꺼운 평면층이 성장된다. 다중-슬라이딩 보트 계의 첫 번째 우물내의 Ga과 Si의 혼합물질을 사용하 여 피라미드 (Fig. 2(h)) 와 두꺼운 n-형 GaN:Si층이 성장 되며 성장온도와 성장속도는 각각 1090◦C와 0.7 µm/min 이다. 두껍게 성장된 n-형 GaN:Si 층은 모든 층이 성장된 후 냉각과정에서 기존 사파이어 기판으로부터 자발적으 로 분리됨에 따라 Fig. 2(e) 와 (m) 과 같이 새로운 기판의 역할을 하게된다. 다중-슬라이딩 보트 계의 두 번째 우물 내의 Ga과 Si의 혼합물질을 사용하여 두껍게 성장된 n-형 GaN:Si 층 위에 약 2 µm의 n-형 GaN:Si층을 성장시키는 데 이층은 앞의 빠르게 성장시킨 두꺼운 층의 거친 표면을 매끄럽게 하는 역할과 새로운 기판의 버퍼 (buffer) 층의 역 할도 하게된다. 이층의 성장온도와 성장속도는 각각 1090
◦C와 0.3 µm/min이다. 다중-슬라이딩 보트 계의 세 번째 우물내의 Ga, Al과 Si의 다른 비율의 혼합물질을 사용하여, n-형 GaN:Si층 위에 클래딩 (cladding) 층 역할을 하는 약 1.7 µm 두께의 n-형 AlGaN:Si층을 각각 1090◦C 온도와
Fig. 3. (Color online) TEM observation of bare LED chip. (a), Cross-sectional SEM image including the dotted lines indicating the plan-view specimens location (1)-(3) in bare chip. Scale bar is 50 µm. (b), Morphology of epilayer batch. (c), TEM images of for the plan-view specimens location (1) in bare chip with marked red arrows indicating the TD. Scale bar is 400 nm. (d), High-resolution TEM image of the atomic layer structure including TD at the specimen location (1) in (a). Scale bar is 2 nm. (e), Electron diffraction pattern for the specimen of thin foil. Scale bar is 5 1/nm. (f), TD densities in the plan-view specimen (4 µm × 4 µm) of the location (1)-(3) in (a).
약 0.1 µm/min의 속도로 성장된다. 다중 슬라이딩 보트 계의 네번째 우물내의 혼합물질은 발광색깔에 따라 Ga+N 나 In+Ga+N 혹은 Al+Ga+N 의 혼합물질을 사용하여, 약 50∼100 nm 두께의 활성층을 1090◦C와 0.01 µm/min 의 조건에서 성장시킨다. 다섯 번째와 여섯 번째 우물내의 Ga + Al + Mg의 혼합물질을 각각 다른 비율로 사용하여 클래딩층 역할을 하는 p-형 AlGaN:Mg 층을 각각 1090◦C 와 약 0.1 µm의 속도로 성장시켰다. 일곱 번째 우물내의 Ga + Mg 혼합물질을 사용하여 약 8 µm의 금속접합 (contact) 층인 p-형 GaN:Mg층을 1090◦C와 0.1 µm/min의 성장속 도에서 형성시킨다. 이러한 모든 성장과정은 연속적으로 이루어지며 모든 발광다이오드의 구조의 형성을 마치게 되면 쿨링시키게 된다. 사파이어 기판을 이용하여 광 리소 그라피 단계에서 제작된 선택성장을 위한 SiO2 구멍 위에 다중 슬라이딩 보트 계를 사용하여 성장된 n-형 GaN:Si층 피라미드 위의 칩은 성장영역의 온도가 200◦C로 감소되면 사파이어 기판으로부터 자발적으로 분리된 사각모양의 단 일 원시 칩으로 나누어진다.
III. 실험 결과 및 논의
혼합소스 수소화학기상법으로 다중 슬라이드 보트 계 를 사용하여 성장된 원시 칩을 구성하는 에피층의 질을
평가하기 위해서 투과전자현미경 (transmission electron microscopy, TEM) 을 사용하였다. Fig. 3(a) 는 사파이어 기판 위 마스크 위에 성장된 n-형 GaN:Si 피라미드로부터 쿨 링 과정에 의해 사파이어 기판으로부터 자발적으로 분리된 역피라미드 모양의 뒤집힌 상태의 원시칩에 대한 SEM 사진 을 나타낸다. Fig. 3(a) 에서 p-형 GaN:Mg과 n-형 GaN:Si 에피층들내에 얇은 두께를 가진 (1)-(3) 로 표시된 점선들은 성장된 원시 칩내의 에피층의 질을 조사하기 위한 시료채 취를 위한 위치를 나타낸다. Fig. 3(a) 의 p-형 GaN:Mg 에 피층과 n-형 GaN:Si 에피층 사이에 표시된 고체 선은 n-형 크레딩층, 활성층 및 p-형 크래딩층으로 구성된 묶음 층을 나타낸다. Fig. 3(d) 는 Fig. 3(a) 에 표시된 위치 (1) 에서 의 평면도 표본 (4 µm × 4 µm)(plan-view specimens) 내 붉은 화살표에 의해 표시된 위협적인 어긋나기 (threading dislocation, TD) 같은 결함들을 포함하는 다수의 TEM 이미지를 나타낸다. Fig. 3(d) 의 한 장의 투과전자현미경 이미지의 크기는 1 µm× 1 µm이다. Fig. 3(e)는 Fig. 3(d) 내의 점선 원형 내에 표시된 어긋나기를 포함하는 투과전자 현미경 이미지 중의 하나에 대한 퓨리어 변환 (FFT) 이미 지를 보여준다. 초점화된 이온 비임 (focused ion beam) 을 사용하여 제작된 얇은 박막의 표본내의 어긋나기 측정이나 관찰을 위해 200 kV 의 투과전자현미경 (JEOL JEM-ARM
영역에 RF가열-코일과 다중-슬라이딩 보트계를 사용하면 좋은 질의 결정으로 성장 가능하다는 결과를 보여준다.
이렇게 성장된 칩들은 발광효율을 증가 시키기 위한 요 소로 다음과 같은 특징을 가진다. (1) 새로운 기판역할을 하며 두꺼운 크래딩층에 기인하는 큰 빛 축출 면적을 가진 다. (2) 사파이어 기판 위에 성장된 n-형 GaN:Si층 피라미 드의 꼭대기와 n-형 GaN:Si층의 두껍고 평평한 층 사이에 쿨링에 의해 자발적으로 분리된 경계자국에 기인한 광 추출 콘의 거친 표면을 가진다. (3) 단일 칩을 위해 양 방향으로 주기적으로 40 µm의 공간을 포함한 마스크 위에 성장된 절단된 역 피리미드형 (truncated-inverted-pyramid) 원시 칩의 형태를 가진다.
IV. 결 론
본 논문에서는 기존의 에피층을 성장시키는 수소화학 기상법, 유기화학증착방법 혹은 분자선에피탁시 방법이 아닌, 혼합소스 수소화학기상증착법을 이용하여 에피층을 성장하였다. 혼합소스 수소화학기상증착법은 성장하고자 하는 물질을 혼합소스로 채운 후, 다중 보트내의 혼합물질이 고갈될 때 까지만 성장시킬 수 있으며, 혼합소스를 사용하기 때문에 별도로 도핑과장을 거칠 필요가 없으며, 또한 혼합 소스 양을 조절하여 성장시키고자 하는 에피층의 두께를 조절할 수 있고, 다중 보트를 사용함으로써 연속 성장할 수 있는 장점을 가진다.
혼합소스 수소화학기상법을 사용하여 기판 위에 직접 연속성장으로 수직형 발광다이오드를 제작 위한 원시 칩을 성장하였다. 원시 칩을 구성하는 에피층들의 성장을 위해 소스영역에 RF가열-코일과 연속성장과정에는 성장시키 고자 하는 에피층들의 구성물질들이 적절한 비율로 혼합 근원 물질들로 순서대로 채워진 다중 슬라이딩 보트계를 사용했으며, 혼합 근원 물질들의 양도 성장시키고자 하는
REFERENCES
[1] H. K. Yang, H. Y. Choi, B. K. Moon, B. C. Choi and J. H. Jeong et al., Solid State Sci. 12, 1445 (2010).
[2] H. S. Jeon, A. R. Lee, K. S. Lee, J. E. Ok and D. W.
Cho et al., New Phys.: Sae Mulli 60, 444 (2010).
[3] R. Haitz and J. Y. Tsao, Phys. Status Solidi A 208, 17 (2011).
[4] T. K. Park, H. C. Ahn and S. I. Mho, J. Korean Phys. Soc. 52, 431 (2008).
[5] H. M. Kim, J. S. Choi, J. E. Oh and T. K. Yoo, J.
Korean Phys. Soc. 37, 956 (2000).
[6] S. L. Hwang, K. H. Kim, H. S. Jeon, C. H. Lee and S.H. Hong et al., J. Soc. Inf. Disp. 16, 541 (2008).
[7] H. Jeon, G. S. Lee, S. G. Jung, S. M. Bae and M. J.
Shin et al., Jpn. J. Appl. Phys. 51, 01AG01 (2012).
[8] J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, V. Krishnamoorthy and S. Bharatan et al., Appl.
Phys. Lett. 67, 253 (1995).
[9] K. Xu, N. Yano, A. W. Jia, A. Yoshikawa and K. Takahashi, J. Cryst. Growth 237–239, 1003 (2002).
[10] S. G. Jung, H. S. Jeon, G. S. Lee, S. M. Bae and W.
I. Yun et al., J. Korean Cryst. Growth Technol. 22, 11 (2012).
[11] K. H. Kim, K. S. Jang, S. L. Hwang, H. S. Jeon and W. J. Choi et al., Phys. Status Solidi C 4, 29 (2007).
[12] J. J. Wierer Jr, A. David and M. M. Megans, Nat.
Photon. 3, 163 (2009).
[13] A. Syrkin, V. Ivantsov, O. Kovalenkov, A. Usikov and V. Dmitriev et al., Phys. Status Solidi C 5, 2244 (2008).
[14] J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J.
J. O’ Shea and M. J. Ludowise et al., Appl. Phys.
Lett. 78, 3379 (1999).
[15] W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl and D. P. Bour et al., Appl. Phys. Lett. 75, 1360 (1999).
[16] W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl and D. P. Bour et al., Appl. Phys. Lett. 77, 2822 (2000).
[17] Y. S. Wu, J. H. Cheng, W. C. Peng and H. Ouyang, Appl. Phys. Lett. 90, 251110 (2007).
[18] J. S. Ha, S. W. Lee, H.-J. Lee, S. H. Lee and H.
Goto et al., IEEE Photon. Technol. Lett. 20, 175 (2008).
[19] J. S. Yun, S. M. Hwang, J. I. Shim, Proc. SPIE 6841, 68410L (2008).
[20] K. Horibuchi, N. Kuwano, H. Miyake and K. Hira- matsu, J. Cryst. Growth 237-239, 1070 (2002).
[21] D. Tsvetkov, Y. Melnik, A. Davydov, A. Shapiro and O. Kovalenkov et al., Phys. Status Solidi A 188, 429 (2001).
[22] G. S. Lee, C. Lee, H. Jeon, C. Lee and S. G. Bae et al., Jpn. J. Appl. Phys. 55, 05FC02 (2016).
[23] G. S. Lee, H. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang and S. N.
Yi et al., Jpn. J. Appl. Phys. 56, 01AD03 (2017).
[24] H. Jeon, I. J. Jeon, G. S. Lee, S. G. Bae and H. S.
Ahn et al., Jpn. J. Appl. Phys. 56, 01AD07 (2017).
