é
ß { 9 ¸× ¼ GaAs/AlGaAs ridge ¸ Ð 0 A © ¸l 2 " é ¶ Ä »ô Çכ ¹ è~ ½ ÓZ O (2D-FEM)` ¦ s 6 x # [ O
>
÷ &% 3 Ü ¼ 9, MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) $ í © l Z O õ o < Æ& h _ þ vd d y ~ ½ Ó Z O
` ¦ s 6 x # ] j ÷ &% 3 . P-p-n-N s × æ_ s 7 á x] X ½ + Ë(double heterostructure) 0 A © ¸l _ 0 A ©
¸ : £ ¤$ í É r % i s # QÛ ¼ · ú ` ¦ or v " f Mach-Zehnder ç ß [ O ~ ½ ÓZ O ` ¦ s 6 x # 1.31 µm © \ " f 8
£
¤& ñ ÷ &% 3 . TEü < TM ¼ # F g \ " f 8 £ ¤& ñ ) a 0 A © ¸ ´ òÖ ¦ É r y y 54.9
◦/V ·mmü < 39.4
◦/V ·mm Ð Z } >
%
3 # Q& . TE
0ü < TM
0 ¸× ¼ s _ 8 £ ¤& ñ ) a 0 A © o РÒ' LEO ´ òõ _ l F g < Æ > à º(γ
41) 1.45 × 10
−10cm/V Ð % 3 # Q& .
PACS numbers: 42
Keywords: ì ø Í ¸^ F g0 A © ¸l , 0 A © ¸ ´ òÖ ¦, l F g < Æ Ã º, Mach-Zehnder ç ß [ O >
I. " e  ] Ø
GaAs ü < InP\ ¦ l ì ø ÍÜ ¼ Ð H III-V7 á ¤ o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^
H LiNbO
3\ " f Ô ¦ 0 p xô Ç é ß { 9 | 9 & h (monolithic integra- tion) s 0 p x l M :ë H \ q 6 x s ] X y ÷ & ¦, ø @$ í s ¾ Ó
© | ¨ c à º e . ¢ ¸ô Ç LiNbO
3F g ¸l H ¸ Ð_ Ï ã J] X Ò
¦` ¦ or v l 0 AK l F g < Æ ´ òõ (pokel’s effect)ë ß ` ¦ s
6 x H ì ø Í \ , III-V o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ \ ¦ s 6 xô Ç F g ¸ l
H l F g < Æ ´ òõ ÷ rë ß m Ä » î rì ø Í ´ òõ \ ¦ 1 l x r
\ s 6 x½ + É Ã º e Ü ¼Ù ¼ Ð 8 H Ï ã J] X Ò ¦ o\ ¦ % 3 ` ¦ Ã º e
. õ & h Ü ¼ Ð ± ú É r · ú Ü ¼ Ð 8 H 0 A © o\ ¦ % 3 ` ¦ Ã
º e .
í ¦5 Å q F g è [ þ t É r F g \ ¦ : x s F g ñ % o ì r
\
" f ì ø Í5 Å x Å Ò Ã º(carrier frequency) Ð 6 x½ + É M :, F g: x
\ " f s 6 x½ + É Ã º e H V , É r Å Ò Ã º @ /% i ; ¤` ¦ 6 x H X
< e # Q" f 9 Ã º& h s . ¦5 Å q_ l ñ\ ¦ F g ñ Ð Ë
¨l 0 Aô Ç ì ø Í ¸^ Y Us $ _ f ] X ¸ ~ ½ Ód É r chirping \ _ K 5 Å xÒ ¦ s ] jô Ç÷ &l M :ë H \ [1] ¦5 Å q ü @Â Ò ¸l
f
] X ¸ ~ ½ Ód _ @ /î ß Ü ¼ Ð ´ ú § É r ' a d ` ¦ ~ Ã Î ¸ ¦ e [2,3].
III-V o½ + ËÓ ü t ì ø Í ¸^ _ Ï ã J] X Ò ¦ s ' H F g
_ 0 A © ¸ Ò q tl Ù ¼ Ð 0 A © ¸l ë ß [ þ t # Q .
Õ
ªo ¦ 0 A © ¸l Mach-Zehnder(MZ) ç ß [ O l ~ ½ Ó
¾ Ó$ í ½ + Ël ½ ¨ ¸ü < ½ + Ë÷ & ; ¤ ¸ F g Û ¼0 Ag As
∗
E-mail: [email protected]
%
3 # Q . " f F g ¸l [ þ t × æ \ " f 0 A © ¸l H ¦ 5
Å
q F g: x õ F g ñ % o r Û ¼% 7 ` ¦ % 3 l 0 Aô Ç × æ כ ¹ô Ç ü @ Â
Ò ¸l s .
þ j H \ # Q ½ ¨ [ þ t s GaAs/AlGaAs [4–7]ü < In- GaAs/InP [8] s 7 á x] X ½ + Ë ½ ¨ ¸[ þ t` ¦ s 6 xô Ç 0 A © ¸l [
þ
t` ¦ µ 1 ϳ ð % i . l © ´ òõ ü < Ä » î rì ø Í ´ òõ \ ¦ ¸
¿
º s 6 x½ + É Ã º e ¦, l > r_ P-n-N ½ ¨ ¸ Ð ¸ F g õ
) a l © _ g Ë >s 7 £ x H P-p-n-N GaAs/AlGaAs s
× æ s 7 á x] X ½ + Ë ½ ¨ ¸(double heterostructure : DH)\ ¦ ° ú
H 0 A © ¸l \ " f Ð ¦ ) a TE
0 ¸× ¼_ 0 A © ¸ ´ ò Ö
¦ É r 1.06 µm ü < 1.31 µm © \ " f y y 96
◦/V ·mmü <
48.9
◦/V ·mm Ð µ 1 ϳ ð÷ &% 3 [4, 6]. ¢ ¸ P-P-p-i-n-N-N GaAs/AlGaAs W-F g ¸ Ð 0 A © ¸l H 1.31 µm ©
\
" f 0 A © ¸ ´ òÖ ¦ õ < Hz ´s y y 34.6 /V·mm ü <
0.2-0.6 dB/cm Ð & ³F t © a % ~ É r : £ ¤$ í ` ¦ ? / ¦ e
[7].
Õ
ª Q 1 l x © s F g: x % ò % i \ e ` ¦ M : P-p-n-N GaAs/AlGaAs DH\ ¦ ° ú H 0 A © ¸l \ " f 0 A © o_
¼ #
F g _ > r$ í \ @ /ô Ç ½ ¨ õ H f t µ 1 ϳ ð÷ &t · ú §
¤ . Õ ª QÙ ¼ Ð : r ½ ¨\ " f H 1 l x © s 1.31 µm{ 9 M : P-p-n-N s 7 á x] X ½ + Ë ¸ Ð 0 A © ¸l _ 0 A © ¸ ´ òÖ ¦ s
MZ ç ß [ O ~ ½ ÓZ O ` ¦ s 6 x # % i s # QÛ ¼ · ú _ < ÊÃ º
Ð TE ¼ # F g õ TM ¼ # F g \ " f y y 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 . Õ ªo ¦ TE ü < TM ¼ # F g s _ 8 £ ¤& ñ ) a 0 A © o ÐÂ Ò' 1 l
F g < Æ(linear electro-optic: LEO) ´ òõ _ l F g < Æ > Ã
º(γ
41) % 3 # Q& .
-253-
Õ
ªa Ë > 1. P-p-n-N 0 A © ¸l _ \ x ~ à Ì} ½ ¨ ¸ü < Ï ã J] X Ò ¦ ì
r í.
II. T Â ] ØX ì Ä 9 0ß O Ë
0
A © ¸ ´ òÖ ¦ s H 0 A © ¸l \ ¦ ] j l 0 AK " f H ì
ø Í ¸^ ¸ Ð\ " f % 3 ` ¦ à º e H 0 A © ¸\ ¦ ¸¿ º s 6 x K
ô Ç . 0 A © ¸l \ " f ) a % i s # QÛ ¼ · ú É r /
B N 9 8 £ x(depletion layer)_ ; ¤ õ / B N 9 8 £ x \ " f l © [ jl
\
¦ õ H . Õ ªo ¦ ¸ Ð8 £ x \ " f Ä » î rì ø Í _ 0 l x ¸ü <
l © _ o H Ï ã J] X Ò ¦` ¦ > ¦, Ï ã J] X Ò ¦ o H
r 0 A © _ o\ ¦ 4 R : r . Õ ª QÙ ¼ Ð 0 A © ¸ ´ òÖ ¦ s
H 0 A © ¸l \ ¦ ] j l 0 AK " f H ì ø Í ¸^ ¸ Ð
\
" f Ï ã J] X Ò ¦ o\ ¦ { 9 Ü ¼v H # Q 7 á x À Ó_ Ó ü t o & h ´ ò õ
[ þ t s ¸¿ º s 6 x ÷ &# Q ô Ç [9].
0
A © ¸l \ " f Ï ã J] X Ò ¦_ 8 ú x o H l © ´ òõ (1 x 9
2 l F g < Æ ´ òõ )ü < Ä » î rì ø Í ´ òõ [ þ t(e ¦ Ý ¼
ü < { G ¹ ¡ § ´ òõ )_ ½ + Ës . 1 l F g < Æ ´ òõ (linear electrooptic effect: LEO) ü < 2 l F g < Æ ´ òõ (quadratic electrooptic effect: QEO) \ _ ô Ç Ï ã J] X Ò ¦ o H l © [
jl \ _ > r l M :ë H \ / B N 9 8 £ x_ ¿ ºa ` ¦ M : / B N 9 8
£
x \ " f l © _ [ jl & t Ù ¼ Ð H Ï ã J] X Ò ¦ o % 3
#
Q . ô Ǽ # e ¦ Ý ¼ ´ òõ (plasma effect: PL)ü < { G
¹
¡
§ ´ òõ (band filling effect: BF)\ _ ô Ç Ï ã J] X Ò ¦ o H
Ä » î rì ø Í 0 l x ¸\ q Y V Ù ¼ Ð 0 A © ¸l _ ¸ Ð8 £ x s
Z } > ¸i ç | ¨ c à º2 ¤ Ï ã J] X Ò ¦ o & . " f Ï ã J ] X
Ò ¦ o\ ¦ Å Ò H l © ´ òõ ü < Ä » î rì ø Í ´ òõ \ ¦ ¸
¿
º s 6 x½ + É Ã º e H 0 A © ¸l _ ½ ¨ ¸ H ¸ Ð8 £ x s ¸ i ç
÷ & ¦, ¸ ¸× ¼ü < ) a l © _ g Ë >s 7 £ x ¸ 2
¤ p-n ] X ½ + Ës ¸ Ð8 £ x × æç ß \ ë ß [ þ t # Q4 R ô Ç . 7 £ ¤ ¸
Ð 0 A © ¸l H P- ü < N-AlGaAs 9 þ t A ` ç 8 £ x[ þ t s \ p- ü < n-GaAs ¸ Ð8 £ x s ¶ ú { 9 ) a P-p-n-N ½ ¨ ¸\ ¦ 4 R ô
Ç .
Õ
ªa Ë > 2. P-p-n-N ridge ¸ Ð 0 A © ¸l _ é ß ½ ¨ ¸.
Õ
ªa Ë > 1 É r P-p-n-N GaAs/AlGaAs DH 0 A © ¸l _ \ x
~ à Ì} ½ ¨ ¸ü < Ï ã J] X Ò ¦ ì r ís . \ x ~ à Ì} 8 £ x[ þ t É r N
+- GaAs l ó ø Í 0 A\ 3.5 µm N-Al
0.4Ga
0.6As A A á ¤ 9 þ t A
` ç
8 £ x, 0.125 µm n-GaAs ¸ Ð 8 £ x, 0.125 µm p-GaAs
¸ Ð8 £ x, 1.5 µm P-Al
0.4Ga
0.6As 0 AA á ¤ 9 þ t A ` ç 8 £ x, Õ ªo
¦ 0.2 µm p
+-GaAs F G8 £ x(cap layer) Ü ¼ Ð ½ ¨$ í ) a .
Ridge ¸ Ð ½ ¨ ¸ H _ þ vd d y ~ ½ ÓZ O ` ¦ s 6 x # ] j
÷
&% 3 . # l " f ¸ Ð8 £ x É r l © ´ òõ ü < Ä » î rì ø Í
´
òõ \ ¦ ¸¿ º s 6 x l 0 AK p-n ç H| 9 ] X ½ + Ë(homogeneous junction) Ü ¼ Ð ë ß [ þ t # Q .
Õ
ªa Ë > 2 H P-p-n-N GaAs/AlGaAs DH ridge ¸ Ð 0 A
© ¸l _ 2 " é ¶ é ß ½ ¨ ¸s . à º¨ î ~ ½ Ó ¾ Ó_ F g ½ ¨5 Å q` ¦
%
3 l 0 AK " f d y ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð Ã º¨ î ~ ½ Ó ¾ Ó_ Ä »´ òÏ ã J] X Ò ¦
ë
ß [ þ t # Q . Õ ªo ¦ % i s # QÛ ¼ · ú s ´ òÖ ¦& h Ü ¼ Ð 2
"
é
¶ ¸ Ð % ò % i \ ë ß ÷ & ¸2 ¤ l 0 AK " f H d y U ·s
p-n ] X ½ + Ë Ð & Ù ¼ Ð ridge ¸ Ð ) a .
" f 2 " é ¶ ¸ Ð é ß É r ¸ Ð\ K { © ÷ & H ridge % ò
%
i õ ridge\ ] X ô Ç 9 þ t A ` ç % ò % i Ü ¼ Ð s À Ò# Q . s M : ridge \ ] X ô Ç % ò % i É r ¸ ¸× ¼[ þ t s ÷ &t · ú §l M : ë
H \ Ä »´ òÏ ã J] X Ò ¦ ~ ½ ÓZ O (effective index method: EIM) É r U
·> d y ) a ridge ¸ Ð ½ ¨ ¸\ & h 6 x| ¨ c à º \ O [10]. Õ ª
QÙ ¼ Ð é ß { 9 ¸× ¼ ¸ Ð ¸| É r EIM Ð 8 & ñ S X ô Ç 2
"
é
¶ Ä »ô Çכ ¹ è~ ½ ÓZ O (2-dimensional finite element method:
2D-FEM)` ¦ s 6 x # > í ß ÷ &% 3 [11].
Õ
ªa Ë > 3(a) H 2D-FEM Ü ¼ Ð 1.31 µm © \ " f > í ß ) a ¸
Ð ; ¤(w) o\ @ /ô Ç d y U ·s (h)\ ¦ Ð# ï r . / B G
A % ò % i s é ß { 9 ¸× ¼ % ò % i s ¦ / B G _ 0 A  Òì r É r × æ
¸× ¼_ % ò % i s . ¸ Ð ; ¤ s 1.5 µm{ 9 M : é ß { 9 ¸× ¼ ¸
Ð\ ¦ % 3 l 0 Aô Ç d y U ·s 1.7 µm s s Ù ¼ Ð ridge
¸ Ð_ ] j s Ô ¦ 0 p x . " f d y U ·s 1.7 µm
Ð 8 7 £ x | ¨ c M : ¸× ¼ à º_ o ¸ ÷ &% 3 . Õ ªa Ë >
3(b) H d y U ·s _ < Êà º Ð > í ß ) a ¸ ¸× ¼_ à º\ ¦ Ð#
0 A 8 7 £ x ô Ç . " f ¸ Ð ; ¤ s 2.0 µm{ 9 M : h ≤ 1.55 µm \ " f é ß { 9 ¸× ¼ë ß > r F ¦, 1.55 µm < h ≤ 2.05 µm{ 9 M : ¿ º > h_ ¸× ¼ > r F ô Ç . Õ ªa Ë > 1 РÒ' h = 2.05 µm H ï# Qü < A A á ¤ 9 þ t A ` ç â > \ " f A A á ¤ Ü ¼
Ð 1 µm 8 d y ) a © I s . d y U ·s 1.95 µm Ð ß
¼ d y s N-AlGaAs A A á ¤ 9 þ t A ` ç t s À Ò# Qt Ù ¼
Ð ¸ Ð s _ l & h ¦w n s ¢ - a# 4 > % 3 # Q | 9 Ã º e
. ô Ǽ # ¸ Ð ; ¤ s 1.4 µm s \ " f H ¸ H d y U · s
\ @ /K " f é ß { 9 ¸× ¼ : £ ¤$ í ë ß ` ¦ Ð# ï r . Õ ª QÙ ¼ Ð ¸
Õ
ªa Ë > 3. 2D-FEM` ¦ s 6 x # Õ ªa Ë > 1_ \ x ~ Ã Ì}
½
¨ ¸\ " f (a) ¸ Ð ; ¤ õ d y U ·s _ < ÊÃ º Ð > í ß ) a é
ß { 9 ¸× ¼ ¸ ¸| õ (b) 1.5 µm ≤ w ≤ 1.8 µm{ 9 M : d
y U ·s _ < Êà º Ð > í ß ) a ¸ ¸× ¼ à º.
ó
ø Í 0 A\ MOCVD(metal organic chemical vapor deposi- tion) l Z O Ü ¼ Ð $ í © ÷ &% 3 . TE
0 ¸× ¼\ @ /K [01¯1] ~ ½ Ó
¾ Ó\ " f LEO ´ òõ H Ä » î rì ø Í ´ òõ \ 8K t l M :ë H
\
F g ¸ Ð H í Ðo èÕ ª x ü < _ þ vd d y ~ ½ ÓZ O ` ¦ s 6 x
# [01¯1] ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð ] j ÷ &% 3 . d y Û ¼ß ¼ H í ÐY U t
Û ¼à Ô(AZ1450J) J Ü ¼ Ð ë ß [ þ t # Q & Ü ¼ 9, d y É r 30ì r 1
l
xî ß ¸ ú B$ 3 ) a H
3PO
4: H
2O
2: H
2O(19 %: 6 %: 75 %) 6
xÓ os 6 x ÷ &% 3 [6,7]. d y U ·s 1.9 µm ridge ¸
Ð\ " f 0 AA á ¤ ; ¤ õ A A á ¤_ ; ¤ É r y y 0.8 µmü < 3.6 µm ÷ &% 3 .
6 £ § é ß > H d y ) a ¸ Ð ½ ¨ ¸ 0 A\ e ¦ o p
×
¼(polyimide) Û ¼ 2 ; ïh A\ _ K ¿ º, > ¸ í ) a Ê ê, r
«
Ñ H : r ¸ 400
◦C t ¸] X ÷ & H l ¸ É r` ¦ s 6 x
#
| 9 è ì r0 Al \ " f â o÷ &% 3 . Õ ªo ¦ ridge % ò % i ë ß ¸ Ø
¦ ÷ & ¸2 ¤ r « Ñ 0 A\ W = e ¦ o p × ¼ H RIE(reactive ion etching) © q \ ¦ s 6 x # í ß è e ¦ Ý ¼ Ð d y ÷ &% 3 .
e
¦ o p × ¼ H U ·> d y ) a ridge ¸ Ð ½ ¨ ¸ 0 A\ F G s
ë ß [ þ t # Q| 9 M : ¨ î ò ø Í o(planarization)ü < F G \ _ ô Ç l Ò q
t l 6 x| ¾ Ó(parasitic capacitance)` ¦ × ¦ s l 0 AK " f 6
x ÷ &% 3 .
P-type ohmic F G` ¦ ë ß [ þ t l 0 AK " f e-beam 7 £ x à Ìl \ ¦ s
6 x # p
+-GaAs ü < e ¦ o p × ¼ 0 A\ Au:Zn/Au 7 £ x à Ì
÷
&% 3 . ô Ǽ # 0 A © ¸l _ ª A á ¤ = å Q` ¦ ] X é ß ½ + É M : Ö ¦
` ¦ ~ 1 > % 3 l 0 AK " f r « Ñ_ ¿ ºa 120 µm ÷ & ¸ 2
¤ N
+-GaAs l ó ø Í_ A A á ¤ s ÷ &% 3 . 6 £ § É r N- type Ohmic F G` ¦ 0 AK ) a n
+-GaAs l ó ø Í 0 A\ Au:Ge/Ni/Au 7 £ x à Ì÷ &% 3 . t } Ü ¼ Ð Ohmic F G` ¦
¢ -
a$ í l 0 AK r « Ñ H RTA(rapid thermal annealing) © q
\ ¦ s 6 x # 410
◦C \ " f 30 í 1 l xî ß \ P % o ÷ &% 3 . Õ ª o
¦ 0 A © ¸l H U ´s 2 mm ÷ & ¸2 ¤ ] X é ß ) a Ê ê Au
¸F K ) a î r à Ô 0 A\ silver paste Ð ¦& ñ ÷ &% 3 .
2. üV ê s ì Å º Ç ù o Ú ¤X N Ë
0
A © ¸l _ 0 A © ¸ ´ òÖ ¦ É r Mach-Zehnder(MZ) ç
ß [ O l Fabry-Perot(FP) ç ß [ O l \ ¦ s 6 x # 8 £ ¤& ñ | ¨ c
Õ
ªa Ë > 4. % i s # QÛ ¼ · ú _ < ÊÃ º Ð 0 A © o\ ¦ 8
£
¤& ñ l 0 Aô Ç Mach-Zehnder ç ß [ O l _ z ´+ « > © u ¸.
Ã
º e . FP / B N" î ~ ½ ÓZ O [7] É r ¸ Ð_ : r ¸ o, · ú
o, ¢ ¸ H © o\ _ K Ä »´ ò Ï ã J] X Ö ¦ s ½ + É M : ¸
Ð / B N l _ F g < ÆU ´s (optical length) Ù ¼ Ð FP ç ß [ O
Á º] ( % 3 # Q . s ~ ½ ÓZ O É r ç ß é ß ½ + É ÷ rë ß m 0 A ©
¸l é ß _ ì ø Í Ö ¦` ¦ · ú 0 A © ¸ ´ òÖ ¦ õ F g < Hz ´
`
¦ ô Ç _ z ´+ « >\ " f 8 £ ¤& ñ ½ + É Ã º e H © & h s e . ì ø Í
\
F g < Hz ´s H ¸ Ð\ " f H FP ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð F g < Hz ´ 8 £ ¤
&
ñ s # Q 9Ö ¦ ÷ rë ß m , 0 A © ¸l \ " f Û ¼0 Ag A · ú _
8 £ ¤& ñ É r 0 p x t ë ß ) a · ú \ @ /6 £ x ÷ & H 0 A ©
o\ ¦ 8 £ ¤& ñ ½ + É Ã º \ O H é ß & h s e . Õ ª QÙ ¼ Ð : r 7 Hë H \ " f
H y y _ ) a % i s # QÛ ¼ · ú \ " f 0 A © o(phase shift)` ¦ 8 £ ¤& ñ l 0 AK MZ ç ß [ O ~ ½ ÓZ O s × þ ÷ &% 3 .
Õ
ªa Ë > 4 H 0 A © ¸ ´ òÖ ¦` ¦ 8 £ ¤& ñ l 0 Aô Ç MZ ç ß [ O ~ ½ Ó Z O
_ 8 £ ¤& ñ © u ¸ s . MZ ç ß [ O l _ ô ÇA á ¤ (arm)\ Z
~ # 0 A © ¸l \ " f » ¡ ¤& h ) a 0 A © o 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3
. ç ß [ O Á º] ( 8 £ ¤& ñ ÷ & H 1 l xî ß \ 0 A © s ; ;s H
כ
s ' a8 £ ¤ ÷ &l M :ë H \ s \ ¦ ] j l 0 AK " f F g _ s ^ ¦ 0 A\ e H ^ z ´+ « > © u [ þ t É r ß ¼w n = © 5 Å q \ Z ~ #
&
. 1.31 µm DFB Y Us $ _ Ø ¦§ 4 F g É r NA 0.45_ @ / Ó
ü tE $ Ý ¼\ _ K ¸ Ð_ { 9 \ end-fire coupling ÷ &
¦, 0 A © ¸l _ Ø ¦§ 4 F g É r ° ú É r C Ö ¦_ E $ Ý ¼ Ð S X @ /÷ &
%
3 . { 9 F g_ ¼ # F g © I H ' Í P : F gì r o l · ú ¡\ Z ~
#
¼ # F g l \ _ K ¸] X ÷ &% 3 . ç ß [ O Á º] ( ¸ ª É r l ï
r (reference arm)õ 0 A © ¸l Z ~ # ¸ Ð
(waveguide arm)` ¦ H ¿ º > h_ c [ þ t_ 0 Au
{ 9
u | ¨ c M : z ¤ . ç ß [ O Á º] ([ þ t É r Hamamatsu C1000
B j \ _ K Ø ¦ ÷ &# Q TV ¸m ' \ © s è ß . " f
Ð É r ` ¦ : x õ H c [ þ t_ F g â Ð (optical pass dif- ference) ü < F g [ jl ¸] X ÷ & a % ~ É r y © ¸ @ /q (intensity contrast)\ ¦ ° ú H ç ß [ O Á º] ( % 3 # Q .
$ ] j ) a 0 A © ¸l é ß { 9 ¸× ¼ë ß ¸ r v H כ
`
¦ ¸ l 0 AK near-field ì r í ¸ ÷ &% 3 . s \ ¦ 0 A Õ
ªa Ë > 5. % i s # QÛ ¼ · ú s ÷ &t · ú § ¤` ¦ M : Mach- Zehnder ç ß [ O l _ Ø ¦§ 4 F g Ü ¼ РÒ' % 3 É r ç ß [ O Á º] (.
Õ
ªa Ë > 6. 0 V\ " f −5 V t % i s # QÛ ¼ · ú _ < ÊÃ º Ð 8
£
¤& ñ ) a TE
0 ¸× ¼_ ç ß [ O Á º] ( s 1 l x.
K
Õ ªa Ë > 4\ " f A A á ¤ l ï r ` ¦ : x õ H F g É r é ß ÷ &
%
3 . Õ ªo ¦ 0 A © ¸l Z ~ # ¸ Ð ` ¦ : x õ
H F g` ¦ s 6 x # ' a8 £ ¤ ) a near-field J Ü ¼ ÐÂ Ò' ¸
Ð\ { 9 ) a F g_ ¦ ¸× ¼[ þ t s # l ÷ &t · ú § H כ s S X
÷ &% 3 . " f ] j ) a 0 A © ¸l é ß { 9 ¸× ¼ë ß ¸
r v H כ ` ¦ z ´+ « >& h Ü ¼ Ð S X % i .
Õ
ªa Ë > 5 H % i s # QÛ ¼ · ú s ÷ &t · ú § É r © I \ " f 8
£
¤& ñ ) a ç ß [ O Á º] (_ ô Ç \ V\ ¦ Ð# ï r . 8 £ ¤& ñ © u ¸\ e
H 0 A © ¸l H ô Ç > h_ ¸ Ð\ " f l : r ¸× ¼(TE
0)
#
l ÷ & ¸2 ¤ & ñ \ P (alignment)÷ &% 3 Ü ¼ 9 # Q > h_ Ã ºf ~ ½ Ó
¾ Ó_ ç ß [ O Á º] ( q n ¸ B j \ ) a TV ¸m ' ©
\
è ß . s ç ß [ O Á º] (\ ¦ ë ß [ þ t l 0 AK " f H í& h s ´ ú t
· ú § É r near-field J õ l ï r c _ ¿ º s ° ú É r / B G Ò
¦` ¦ | 9 M : t q n ¸ È ÓÚ Ô © \ " f ç ß [ O r & ô Ç .
[ O
Á º] ( ç ß s V , > ë ß [ þ t # Q & .
ç
ß [ O Á º] (_ s 1 l x É r 0 A © ¸l \ ) a % i s # QÛ ¼
· ú _ < ÊÃ º Ð 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 . Õ ªa Ë > 6 É r U ´s 2 mm 0 A
© ¸l \ " f % i s # QÛ ¼ · ú s 0 V\ " f −5 V t
−1.0 V_ ç ß Ü ¼ Ð 8 £ ¤& ñ ) a TE
0 ¸× ¼_ ç ß [ O Á º] ( s 1 l x
`
¦ Ð# ï r . Õ ªa Ë >Ü ¼ ÐÂ Ò' Ã ºf ` ¦ l ï r Ü ¼ Ð ^ ¦ M : % i
s # QÛ ¼ · ú s 7 £ x < Ê\ ç ß [ O Á º] (_ 0 A © s
H כ s ~ 1 > ' a¹ 1 Ï ) a . 7 £ ¤ ç ß [ O Á º] ( Ä º8 £ ¤ \ " f Ò' ý
a8 £ ¤ Ü ¼ Ð s 1 l xô Ç . ô Ǽ # TM ¼ # F g ) a Y Us $ F g s MZ ç
ß [ O l \ ¦ : x õ ½ + É M : ë ß [ þ t # Q ç ß [ O Á º] (_ s 1 l x ¸ TE ¼ # F
g õ 1 l x{ 9 ô Ç ~ ½ ÓZ O Ü ¼ Ð 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 .
Õ
ªa Ë > 6 ÐÂ Ò' y y _ · ú \ " f 0 A © _ o| ¾ Ós 8
£
¤& ñ ) a Ê ê % i s # QÛ ¼ · ú _ < ÊÃ º Ð 0 A © o % 3 # Q
&
. Õ ªa Ë > 7 É r TE ü < TM ¼ # F g \ " f % i s # QÛ ¼ · ú _
< ÊÃ º Ð 8 £ ¤& ñ ) a 0 A © os . 0 A © s 180
◦ë ß p u ½ + É M
: 9 כ ¹ô Ç · ú s Û ¼0 Ag A · ú (V
π) s . x h A / B G Ü
¼ ÐÂ Ò' TE
0 ¸× ¼ü < TM
0 ¸× ¼_ Û ¼0 Ag A · ú É r y y
−1.6 Vü < −2.28 Vs . " f V
πü < L` ¦ · ú 1 mm ¸
Ð\ 1 V_ · ú s | ¨ c M :_ 0 A © o Ð & ñ _ ÷ & H 0
A © ¸ ´ òÖ ¦(
◦/V ·mm)s & ñ ) a . Õ ª õ TE
0 ¸× ¼ ü
< TM
0 ¸× ¼\ " f 8 £ ¤& ñ ) a ¸l _ 0 A © ¸ ´ òÖ ¦ É r y y
54.9
◦/V ·mmü < 39.4
◦/V ·mm ÷ &% 3 .
Õ
ªa Ë > 7. % i s # QÛ ¼ · ú _ < ÊÃ º Ð 8 £ ¤& ñ ) a TE
0ü < TM
0
¸× ¼_ 0 A © o.
Õ
ªa Ë > 8. % i s # QÛ ¼ · ú _ < ÊÃ º Ð 8 £ ¤& ñ ) a LEO ´ òõ \ _
ô Ç 0 A © o.
ô
Ǽ # TEü < TM ¼ # F g \ " f % i s # QÛ ¼ · ú _ < Êà º
Ð 8 £ ¤& ñ ) a 0 A © o_ s H 1 l F g < Æ(LEO) ´ òõ
ÐÂ Ò' Ò q t| . 7 £ ¤ \ x ~ Ã Ì} s [001] ~ ½ Ó ¾ ÓÜ ¼ Ð $ í © ÷ & ¦
) a · ú _ ~ ½ Ó ¾ Ós [001] s l M :ë H \ TM ¼ # F g \ " f LEO ´ òõ t · ú § H . Õ ª QÙ ¼ Ð 8 £ ¤& ñ ) a 0 A ©
o_ s ÐÂ Ò' LEO ´ òõ _ l F g < Æ > Ã º(LEO > Ã º;
γ
41) & ñ | ¨ c à º e . Õ ªa Ë > 8 É r % i s # QÛ ¼ · ú _ < Ê Ã
º Ð 8 £ ¤& ñ ) a LEO ´ òõ \ _ ô Ç 0 A © os . ¸ Ð_
~
½ Ó ¾ Ós [01¯1]{ 9 M : LEO ´ òõ \ _ ô Ç 0 A © o H
∆Φ = πn
3Lγ
41ξ
dλ V
B(1) s
[12]. # l " f nõ λ H Ï ã J] X Ò ¦ õ © s ¦, Lõ d H
F G U ´s ü < / B N 9 8 £ x ¿ ºa s ¦, γ
41õ V
B H LEO > à ºü <
s # QÛ ¼ · ú s ¦, ξ H ¸× ¼ © õ ) a l © _ g Ë >
&
h ì r(overlap integral) s . ξ H 6 £ § õ ° ú s Å Ò# Q
Õ
ªa Ë > 9. © o\ @ /ô Ç LEO > Ã º_ o.
[12].
ξ = d V
BZ Z
E
dc|E
opt|
2dA (2)
#
l " f E
dc H / B N 9 8 £ x \ ) a l © s ¦, E
opt H / B N 9 8
£
x \ " f_ ¸× ¼ © s . d (1)õ d (2)\ ¦ s 6 x Õ ªa Ë >
8_ l Ö ¦ l РÒ' LEO > à º & ñ | ¨ c à º e .
λ = 1.31 µm \ " f GaAs_ â Ä º n = 3.411 [9]s ¦ L = 2 mm s . d H 0 V ü < −5 V\ " f y y 0.113 µmü < 0.247 µm [9] s ¦ Õ ªa Ë > 1\ " f ï# Q8 £ x_ ¿ ºa 0.25 µms Ù ¼
Ð −5 V_ % i s # QÛ ¼ · ú s ÷ & ï# Q8 £ x s ¢ - a
y / B N 9 ) a . ô Ǽ # d y U ·s 1.9 µm{ 9 M : 2D-FEM
`
¦ s 6 x # > í ß ) a l : r ¸× ¼_ F g ½ ¨5 Å q 49.4 %s
. Õ ªo ¦ d (2) ÐÂ Ò' · ú s −5 V{ 9 M : g Ë > & h ì
r(ξ) É r 0.49 ) a . Õ ª QÙ ¼ Ð 0 Vü < −5 V{ 9 M :_ 0 A ©
o| ¾ ÓÜ ¼ ÐÂ Ò' % 3 # Q LEO > Ã º(γ
41) H 1.45 × 10
−10cm/V s . s ° ú כ É r à Р¦ë H ³ [12]_ 1.43 × 10
−10cm/V õ
q 5 p wô Ç ì ø Í \ à Р¦ë H ³ [5]\ " f Ð ¦ ) a 1.6 × 10
−10cm/V õ H s \ ¦ Ð .
1.30 µm © % ò % i \ " f LEO > Ã º_ s \ ¦ s K l
0 AK t F K t Ð ¦ ) a LEO > Ã º_ 8 £ ¤& ñ ° ú כ[ þ t s ¸
÷ &% 3 . Õ ªa Ë > 9 H © _ < ÊÃ º Ð ¸r o ) a LEO > Ã º s
. J. Faist 1.09 µmü < 1.15 µm © \ " f Ð ¦ô Ç LEO > Ã º [13] H y © \ " f ì r í÷ &# Q e l M :ë H \ ¨ î ç
H s 2 [K & . Õ ªo ¦ 1.06 µm © _ LEO > à ºü < 1.09 µm x 9 1.15 µm © _ ¨ î ç H X <s ' ° ú כ` ¦ t ¦ ü @¶ ú Z O
(extrapolation method)` ¦ s 6 x # 1.06 ∼ 1.35 µm
% ò
% i \ " f f s % 3 # Q& . 1.15 µm © \ " f M. Sugia [14] Ð ¦ô Ç LEO > Ã º H J. Faist Ð ¦ô Ç ° ú כõ H
s \ ¦ Ðs l M :ë H \ ü @¶ ú Z O \ " f ] jü @÷ &% 3 . © s 1.30 ∼ 1.31 µm{ 9 M : à Р¦ë H ³ [12]ü < : r 7 Hë H \ " f 8 £ ¤
&
ñ ) a LEO > à º H f \ H] X K e H ì ø Í \ à Р¦ë H ³ [5] \ " f Ð ¦ ) a ° ú כ É r f \ " f ´ ú §s # Á # Q e . Õ ª Q
&
³F 1.30 µm © % ò % i \ " f s 6 x½ + É Ã º e H LEO > Ã º _ X <s ' Â Ò7 á ¤ l M :ë H \ © \ É r LEO > Ã º
o\ ¦ & ñ S X > s K l 0 AK " f H 1.50 µm © % ò % i \
"
f LEO > Ã º 8 £ ¤& ñ ÷ &# Q ô Ç .
IV. + s Ç Â ] Ø
2D-FEM` ¦ s 6 x # 38 £ x_ @ /g A+ þ A GaAs/AlGaAs DH ridge ¸ Ð 0 A © ¸l _ é ß { 9 ¸× ¼ ¸| s ¸ Ð ; ¤ õ
d y U ·s _ < Êà º Ð ½ ¨÷ &% 3 . Õ ªo ¦ P-p-n-N ridge
¸ Ð 0 A © ¸l H MOCVD $ í © l Z O õ _ þ vd d y ~ ½ Ó Z O
Ü ¼ Ð ] j ÷ &% 3 Ü ¼ 9, F g_ ¸ : £ ¤$ í [ þ t s 1.31 µm ©
\
" f 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 . Ridge 0 AA á ¤_ ; ¤ s 0.8 µm 0 A © ¸ l
H near-field 8 £ ¤& ñ Ü ¼ РÒ' é ß { 9 ¸× ¼ë ß # l ÷ & H כ s S X
÷ &% 3 Ü ¼ 9, s כ É r 2D-FEM ` ¦ s 6 x # > í ß ) a õ
ÐÂ Ò' \ V8 £ ¤ ) a כ õ ° ú . 0 A © ¸ : £ ¤$ í É r % i s # Q Û
¼ · ú ` ¦ " f MZ ç ß [ O ~ ½ ÓZ O ` ¦ s 6 x # TEü <
TM ¼ # F g \ @ /K 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 . TE
0 ¸× ¼ü < TM
0 ¸× ¼_ 0
A © ¸ ´ òÖ ¦ É r y y 54.9
◦/V ·mmü < 39.4
◦/V ·mm Ð Z }
>
8 £ ¤& ñ ÷ &% 3 .
ô
Ǽ # TE
0ü < TM
0 ¸× ¼ s _ % i s # QÛ ¼ · ú \ @ / ô
Ç 0 A © o| ¾ Ó_ s ÐÂ Ò' LEO ´ òõ \ _ ô Ç 0 A ©
o ¸Ø ¦ ÷ &% 3 . Õ ªo ¦ % i s # QÛ ¼ · ú _ < Êà º Ð 8 £ ¤
&
ñ ) a LEO ´ òõ \ _ ô Ç 0 A © o_ l Ö ¦ l ÐÂ Ò' LEO
>
à º(γ
41) % 3 # Q& . : r 7 Hë H \ " f % 3 É r γ
41 É r 1.45 × 10
−10cm/V s . s ° ú כ É r à Р¦ë H ³ [12]_ 1.43 × 10
−10cm/V õ q 5 p wô Ç ì ø Í \ à Р¦ë H ³ [5]\ " f Ð ¦ ) a 1.6 × 10
−10cm/V õ H s \ ¦ Ð .
l F g < Æ > Ã º_ s \ ¦ s K l 0 AK t F K t Ð
¦ ) a γ
41s © _ < ÊÃ º Ð ¸r ) a Ê ê, 1.06 ∼ 1.15 µm
© % ò % i _ γ
41` ¦ s 6 x # ü @¶ ú Z O Ü ¼ Ð 1.06 ∼ 1.35 µm
% ò
% i \ " f γ
41 © _ < Êà º Ð % 3 # Q& . © s 1.30 ∼ 1.31 µm{ 9 M : à Р¦ë H ³ [12]ü < : r 7 Hë H \ " f 8 £ ¤& ñ ) a LEO
>
à º H ü @¶ ú Z O Ü ¼ Ð % 3 É r f \ H] X K e H ì ø Í \ à Ð
¦ë H ³ [5]\ " f Ð ¦ ) a ° ú כ É r f \ " f ´ ú §s # Á # Q e .
Õ
ª Q & ³F 1.30 µm © % ò % i \ " f s 6 x½ + É Ã º e H LEO
>
à º_ X <s '  Ò7 á ¤ l M :ë H \ © \ É r LEO > Ã
º o\ ¦ & ñ S X > s K l 0 AK " f H 1.50 µm © % ò
%
i \ " f LEO > Ã º 8 £ ¤& ñ ÷ &# Q ô Ç .
Y c
p w à U Ø ô
[1] K. Kishino, S. Aoki and Y. Suematsui, IEEE J.
Quantum Electron. QE-18, 343 (1982).
[2] T. P. Lee, C. A. Bureaus, G. Einstein, W. B. Sessa and P. Besomi, Electron. Lett. 20, 625 (1984).
[3] A. H. Gnauck, S. K. Korotky, B. L. Kasper, J. C.
Campbell, J. R. Talman, J. J. Veselha and A. R. Mc- Cormic, 9th Conf. OFC, Atlanta, GA, 1986, paper WE1, pp. 86-88.
[4] G. Mendoza-Alvarez, L. A. Coldren, A. Alping, R.
H. Yan, T. Hausken, K. Lee and K. Pedrotti, IEEE J. Lightwave Technol. LT-6, 793 (1988).
[5] S. S. Lee, R. V. Ramaswamy and V. S. Sundaram,
IEEE J. Quantum Electron. 27, 726 (1991).
[9] Young Tae Byun, “Studies on the Fabrication and Characteristics of Low-Loss GaAs/AlGaAs Optical Waveguides and Those of Highly-Efficient PPpinNN Phase Modulator with a W-shaped Refractive In- dex Profile”, Ph.D thesis, Korea University, Korea (1996).
[14] M. Sigie and K. Tada, Jpn. J. Appl. Phys. 15, 421 (1976).
Polarization Dependence of a GaAs/AlGaAs Ridge Waveguide Phase Modulator at 1.31 µm
Young Tae Byun,
∗Young Min Jhon and Sun Ho Kim
Photonics Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 130-650 (Received 20 August 2003)
A single mode GaAs/AlGaAs ridge waveguide phase modulator was designed using a two- dimensional finite-element method and fabricated using a metalorganic chemical vapor technique and chemical wet etching method. The phase modulation of the P-p-n-N double heterostructure waveguide phase modulator was measured as a function of the reversed bias voltages at a 1.31- µm wavelength by using a Mach-Zehnder interference method. The measured phase modulation effi- ciencies were as high as 54.9
◦/V·mm and 39.4
◦/V·mm for TE and TM polarizations, respectively.
The electro-optic coefficient (γ
41) of the linear electro–optic(LEO) effect was 1.45 × 10
−10cm/V from the measured phase shift difference between the TE
0and the TM
0modes.
PACS numbers: 42
Keywords: Semiconductor optical phase modulator, Phase modulation efficiency, Linear electooptic coeffi- cient, Mach-Zehnder interferometer
∗