그림 2.31
일반적인 셀 상부 표면의 그리드 접 촉은 얇고,
전도성이 있도록 길게 뻗어서 셀의 표면
모든 부분에 걸쳐 펴져 있다.
그림 2.32
실리콘 (a)에서 수평방향의 전자 이동은 그리드 접촉이 선호되는 금속 그리드의 쭉 벋은 부분에 도달할 수 있도록 충분하다. 비정질실리콘 (b)는 수평방향으로 전도성이 아주 나쁘기 때문에 전체표면에 걸쳐 투명전도산화물 층을 사용하여 잇점을 얻는다.
V
Maximum power rectangle
I
scV
ocV
maxI
maxFill Factor (FF)
/ I
scV
ocV
Maximum power rectangle
I
scV
ocV
maxI
maxFill Factor (FF)
/ I
scV
oc그림 2.33
태양전지의 전기적 특성을 나타내는 I-V 곡선