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공업화학 전망, 제15권 제5호, 2012
앞서 부식성이 있는 분자를 혼합한 PEDOT계 전도성고분자에 있어 매우 높은 열전변환 성능이 보고된 바 있다. 본 연구에서는 희소원소 및 독성원소를 포함하지 않고 비교적 안전한 시판 재료인 전도성고분자 PEDOT:PSS를 사용했다. 구체적으로 에틸렌글리콜(ethylene glycol)을 첨가한 PEDOT:PSS 용액을 적하 하고 기판 위에 나노결정 입자를 정렬시킴으로써 전기 전도도가 대폭으로 향상되어 세계 최고 수준의 열전 변환 성능을 달성했다. 향후 유연성을 가진, 실온에서 이용 가능한 열전변환 소자 및 에너지 하베스팅 (energy harvesting) 등으로의 응용이 기대된다.
에틸렌글리콜이 증발하는 과정에 있어 PEDOT:PSS의 나노 결정이 질서있게 배열됨에 따라 전도성과 열 전변환 성능이 향상되는 것으로 보인다.
출 처 : 2012.08.31. AIST (http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120831/pr20120831.html) 작 성 : 소 대 섭(한국과학기술정보연구원)
일본 NIMS, 유전자를 안전하면서 고효율로 세포에 도입할 수 있는 나노시트 개발 - 혈우병, 당뇨병 등의 유전성 질환 및 난치성 질환의 세포치료에 응용 -
일본 물질·재료연구기구(NIMS) 국제나노아키텍토닉스연구거점(MANA) 초분자유닛 Ji Qing-min(吉慶 敏) 연구원과 생체재료유닛 생명기능제어그룹 야마자키 토모히코(山崎智彦) 연구원 등은 동물세포에 특정 한 유전자를 안전하면서도 고효율로 도입할 수 있는 나노 구조의 시트를 개발, 그 성과를 실증했다.
유전자를 세포에 도입하는 방법으로는 액체 중에서 하는 방법과 고체의 표면에 DNA를 고정하고 그곳에 세포를 접착시켜 DNA를 도입하는 방법이 있다.
이번 연구 성과는 고체를 이용한 ‘고상 트랜스펙션(solid-phase transfection)법’ 중의 하나로 액상 트랜 스펙션에 비해 적은 양의 DNA로도 높은 효율로 세포에 유전자를 도입할 수 있는 기술로서 주목받고 있다.
또 고체 표면에 여러 종류의 DNA를 정렬하여 세포에 도입할 수 있어 유전자 효과의 계통적 해석, 프로파 일링에 효과적이다.
그러나 지금까지 고상 트랜스펙션에서는 유전자 도입 촉진제로서, 동물 유래 단백질인 ‘피브로넥틴 (fibronectin)’이라는 세포 외 매트릭스(matrix) 등을 이용해 왔다. 때문에, 유전자 도입된 세포를 체내로 되 돌리는 등의 임상응용 분야에서는 안전성 등으로 인해 문제가 지적됐다.
이번 연구에서는 동물 유래 촉진제가 아닌 무기물 실리카만을 사용하여 표면에서 나노 크기의 ‘벽’이 무 수히 밀집된 나노시트를 개발했다. 이 나노 구조 실리카에 유전자를 고착시켜 세포를 접촉시키면 세포 내 에 유전자가 매우 효율적으로 도입되는 것으로 밝혀졌다. 본 방법은 동물 유래의 유전자 도입 촉진제가 필 요 없으면서 안전하고도 간편한 고상 트랜스펙션법이다.
본 연구 결과는 획기적인 유전자 도입 방법으로서 세포치료에 응용할 수 있다. 선천성 대사 이상, 혈우병 등의 유전성 질환, 당뇨병 등의 난치성 질환의 세포 치료에 크게 공헌할 것으로 기대된다.
본 연구 성과는 7월 30일 「Chemical Communications」 온라인판에 공개되었다(※ 발표논문 참고).
※ 발표논문: Qingmin Ji, Tomohiko Yamazaki, Nobutaka Hanagata, Michael V. Lee, Jonathan P. Hill
and Katsuhiko Ariga, “Silica-based gene reverse transfection: an upright nanosheet network for
KIC News, Volume 15, No. 5, 2012
KIC News, Volume 15, No. 5, 2012 35
promoted DNA delivery to cells”, Chemical Communications, First published on the web 06 Jul 2012. DOI: 10.1039/C2CC34289H
Figure 1. ‘실리카 배열 판’을 통한 유전자 도입.
출 처 : 2012.08.20. NIMS(http://www.nims.go.jp/news/press/2012/08/p201208020.html) 작 성 : 소 대 섭(한국과학기술정보연구원)
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