[신기술 소개] 대기하에서 안정성이 뛰어난 전자 수송형 고분자 트랜지스터 개발에 성공

KIC News, Volume 22, No. 5, 2019

KIC News, Volume 22, No. 5, 2019 69

대기하에서 안정성이 뛰어난 전자 수송형 고분자 트랜지스터 개발에 성공

도쿄공업대학 물질공학원 재료계의 王洋 박사 연구원(현재 이화학 연구소), 그리고 道信剛志准 교수는 환경부하가 낮은 직접 아릴화중축합법을 이용하여 전자수용체성방향족 고리구조로만 이루어진 전자수송형 (n형)의 유기반도체고분자의 합성에 성공하였다.

기존의 n형 유기반도체 고분자를 이용하여 제조한 트랜지스터 등은 낮은 안정성이 문제였다. 그러나 이 번 연구성과인 유기반도체 고분자는 최저 빈 궤도준위가 깊고 물과의 부반응이 일어나기 어렵기 때문에 대 기 하에서 장기보존이 가능한 n형 고분자 트랜지스터를 제작할 수 있었다. 이 고분자 트랜지스터를 실온 에서 1개월 보관해도 충분한 전자 이동도를 유지하고 있는 것으로 확인되었다. 또한 인가전압에 대해서도 뛰어난 안정성을 보였다. 이번 연구결과로 합성된 유기 반도체 고분자는 유기전자연구의 새로운 표준물질 로 이용될 것으로 기대된다.

이 성과는 6월18일 발행된 “Angewandte Chemie International Edition” 온라인 판에 게재되었다.

Figure. (A) 기존의 전자 수송 형 고분자와 본 연구에서 개발 한 수용체 골격만으로 이루어진 고분자의 비교, (B) P1과 P2의 흡수 스펙트럼, (C) P1과 P2의 박막 X 선 회절 이미지

출처: 2019.08.08. https://www.titech.ac.jp/news/2019/044985.html 작성: 김 선 회 (상지대학교)