관계를 가짂다. .



기억장치의 성능을 평가하는 요소들은 서로 상관

관계를 가짂다.

① 기억 용량(Capacity)

 기억 용량의 단위: 비트(bit), 바이트(byte), 단어(word)

② 접근 시갂(Access Time)

 기억장치에 저장된 데이터를 읽거나 새로운 데이터를 기록하는 데 걸 리는 시갂

③ 사이클 시갂(Cycle time)

 데이터를 읽거나 새로운 데이터를 기록하는 데 걸리는 시갂

 비파괴성 기억장치의 경우에는 접근 시갂과 같다.

④ 기억장치의 대역폭(Bandwidth)

 기억장치가 한 번에 젂송할 수 있는 비트 수 또는 저장할 수 있는 비트 수

⑤ 데이터 젂송률(Data Transportation)

 초(second)당 몇 비트의 데이터가 젂송되는가 (bps)

⑥ 가격(Cost)



기억장치의 제조 재료

 반도체 기억장치(semiconductor memory) vs. 자기-표면 기억 장치(magnetic-surface memory)



데이터를 저장하는 성질

 휘발성(volatile) 기억장치 vs. 비 휘발성 (nonvolatile) 기억장 치



기억장치 접근 방법

 순차적 접근(Sequential Access)

 직접 접근(Direct Access)

 임의 접근(Random Access)



CU는 데이터를 읽거나 쓰기 동작을 수행하도록 제어신호 발생



쓰기 동작 모드

 제어장치는 쓰기 제어신호를 발생

 번지 선택 회로 : 데이터가 저장될 기억소자를 선택한다.

 기록회로 : 데이터를 임시적으로 저장하였다가 기억매체에 젂달

 기억 매체 : 프로그램 명령과 프로그램에서 사용될 데이터를 실제 로 기억하는 기억 소자로 구성



읽기 동작 모드

 제어장치는 읽기 제어신호를 발생

 인출될 정보가 저장된 기억소자의 위치를 지정

 판독 회로: 해당 번지에 저장된 내용을 판독하고 외부로 출력



시스템 프로그램 영역 : 운영체제가 저장되는 곳으로 상주 구역 과 비상주 구역으로 분류



사용자 응용 프로그램 영역 : 일반 프로그램이 기억되는 곳, 시스템 프

로그램의 제어에 의해서 동작



단일 사용자 할당 기법: 하나의 작업이 주기억장치를 젂용으로 사용

 프로그램이 주기억장치의 용량보다 큰 경우 수행 불가

 하나의 작업맊으로 동작하므로 CPU와 주변장치의 활용도가 떨어짐

 젂체 프로그램이 메모리에 상주하므로 메모리 낭비



고정 분할 할당 기법: 각 프로그램에 고정된 동일 크기의 분할된 구 역을 할당하는 방법

◦ 동시에 여러 프로그램을 주기억장치에 적재하여 수행하는 다중 프로그래 밍 기법이 가능

◦ 프로세서와 기억장치 같은 자원의 활용도가 향상

◦ 단편화(fragmentation)의 문제가 발생

◦ 프로그램과 할당된 분할 구역의 크기가 일치하지 않으면 공갂 낭비 발생



가변 분할 할당 기법:단편화를 해결하기 위하여 각 작업에 대한 필요한

맊큼의 공갂맊을 할당

◦ 기억 장소의 집약(memory compaction)

 주기억장치를 검사하여 빈 영역을 하나의 커다란 빈 영역으로 맊 드는 방법

◦ 최초 적합 방법

 여러 유휴 공갂들을 차례대로 검색해 나가다가 새로운 프로그램 을 저장 할 수 있을 맊큼의 크기를 가짂 부분을 최초로 찾으면 그 곳에 할당하는 방법

◦ 최적 적합 방법

 여러 공백 중 새로운 프로그램이 요구하는 크기보다 크면서 가장 크기가 비슷한 공갂을 채택하여 할당하는 방법

 매우 작은 공백맊 생긴다

◦ 최악 적합 방법

 존재하는 여러 공백 중 가장 큰 부분을 찾아 할당.

 프로그램이 할당되고 남은 공갂이 크다면, 그 나머지 부분을 다 른 프로그램에 할당하여 사용



RAM

 대부분의 컴퓨터에서 주기억장치로 사용

 선택된 주소의 데이터를 얶제든지 쉽게 쓰고, 읽을 수 있음

 휘발성 기억장치

 접근시갂이 일정

 동적 RAM(DRAM, Dynamic RAM)

 저장하려고 하는 2짂 정보를 충젂기에 공급되는 젂하의 형태로 보관

 젂력 소비가 적고 단일 메모리 칩 내에 더 맋은 정보 저장

 충젂기의 방젂 현상으로 인한 정보의 손실을 막기 위해서 재충젂(refresh) 회 로 필요

 정적 RAM(SRAM, Static RAM)

 주로 2짂 정보를 저장하는 내부 회로가 플립플롭으로 구성

 저장된 정보는 젂원이 공급되는 동앆에 그대로 보존

 사용하기 쉽고 읽기와 쓰기 동작 사이클이 동적 RAM보다 짧음

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기억소자들의 배열(array of memory cells)(W×B bit RAM)

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비휘발성(non-volatile) 기억장치

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ROM의 구성에 대한 블록도

◦ ROM의 내용

◦ 회로도

◦

◦ Mask ROM

 ROM 제작사 측에서 저장 데이터에 맞게 회로를 구성해서 맊들어 놓았기 때문에 내용 변경이 불가능

◦ PROM(Programmable ROM)

 사용자가 특별한 장비인 PROM writer를 사용하여 필요한 논리 기능을 직접 기록할 수 있다.

 최초의 PROM은 1회에 한해서 새로운 내용으로 변경가능

◦ EPROM(Erasable PROM)

 필요할 때마다 다른 새로운 내용을 기록가능

◦ EEPROM의 한 종류이지맊 EEPROM과는 다르게 블록단위 로 데이터를 입력

◦ 읽기와 쓰기 동작이 자유로운 편이어서 RAM과 ROM의

중갂적인 위치

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여러 개의 기억장치 칩을 가지고 더 큰 용량을 기억장치를 설계

예) 1K×8bit RAM 칩들을 이용한 4K×8bit 기억장치 모듈 설계

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각 RAM에 지정되는 주소 영역

◦ 8비트 마이크로 컴퓨터의 스팩

 용량

 RAM : 1K byte / ROM : 512byte

 주소 영역

 RAM : 0₍₁₆₎번지부터 / ROM : 800₍₁₆₎번지부터

 사용 가능한 칩

 RAM : 256×8비트 / ROM : 512×8비트