• 검색 결과가 없습니다.

Briquetting of Waste Silicon Carbide Obtained from Silicon Wafer Sludges

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "Briquetting of Waste Silicon Carbide Obtained from Silicon Wafer Sludges"

Copied!
6
0
0

로드 중.... (전체 텍스트 보기)

전체 글

(1)

실리콘 wafer sludge로부터 얻어진 SiC의 단광화 기술

구성모·윤수종·김혜성*

부산대학교 나노과학기술대학 나노융합기술학과

Briquetting of Waste Silicon Carbide Obtained from Silicon Wafer Sludges

Seong Mo Koo, Su Jong Yoon, and Hye Sung Kim*

Department of Nano fusion Technology, Pusan National University, Cheonghak-ri, Samangjin, Miryang, Gyeongnam 627-706, Korea

(Received December 31, 2015; Revised February 2, 2016; Accepted February 5, 2016)

···

Abstract Waste SiC powders obtained from silicon wafer sludge have very low density and a narrow particle size distribution of 10-20 µm. A scarce yield of C and Si is expected when SiC powders are incorporated into the Fe melt without briquetting. Here, the briquetting variables of the SiC powders are studied as a function of the sintering tem- perature, pressure, and type and contents of the binders to improve the yield. It is experimentally confirmed that Si and C from the sintered briquette can be incorporated effectively into the Fe melt when the waste SiC powders milled for 30 min with 20 wt.% Fe binder are sintered at 1100

o

C upon compaction using a pressure of 250 MPa. XRF-WDS anal- ysis shows that an yield of about 90% is obtained when the SiC briquette is kept in the Fe melt at 1650

o

C for more than 1 h.

Keywords: Casting, Mechanical alloy (Milling), Spark plasma sintering, Briquetting, Silicon wafer sludge

···

1. 서 론

태양광 에너지산업 및 반도체산업이 성장하면서 Si wafer의 가공공정으로부터 상당량의 SiC와 실리콘 입자, 그리고 절삭유 등이 함유되어 있는 슬러지가 발생되고 있 으며, 몇 년 전 까지만 해도 이 슬러지들은 폐기물 처리업 체에 의해 전량 매립 처리되어 왔다[1-3]. 연마재와 절삭 유가 혼합되어 있는 가공 슬러리가 차지하고 있는 비중은 약 68.1% 수준으로, 실리콘 슬러지 중에 함유되어 있는 평균입경 20 µm 정도의 SiC와 절삭유를 분리, 회수하여 재활용하기 위한 여러 공정기술들이 최근 개발되고 있으 나[4-7], 잔류물 형태로 배출되는 폐 슬러지가 2010년 기 준으로 년 간 대략 21,000톤 이상 된다. 앞으로 태양광 실 리콘 웨이퍼 산업의 급격한 성장을 감안한다면, 폐 슬러지 의 발생량은 더욱 증가할 것으로 판단된다.

실리콘 슬러지의 주성분인 SiC는 매우 다양한 특성을

가지고 있어 아래 기술한 여러 분야에 널리 응용될 수 있 는 매력적인 자원이다[8]. SiC는 고온강도, 내마모성, 내부 식성 및 높은 열 충격 특성을 지니고 있어 매우 중요한 구 조용 재료로 인식되고 있으며, SiC를 함유한 복합 세라믹 은 고온에서의 독특한 특성으로 산업 소재와 환경용 필터 로서 유용한 재료이다. 제강 공장 등의 탈산제, 규소 및 탄 소의 공급원 혹은 전로의 에너지원으로 사용될 수 있을 뿐 아니라, 주철 주물에는 탄소와 규소 성분을 높이는 주 물용 첨가제로써 사용되고 있다. 실리콘 슬러지의 재활용 기술은 크게 분리 회수기술과 제조기술로 나눌 수 있다.

기 보고된 연구결과에 따르면[4-7], 분리 회수기술이 전체 67.8%의 점유율을 보이며, 나머지 32.2%가 제조 기술에 활용되기 때문에 폐 슬러지의 활용이 필요하다.

그러므로 본 연구에서는 폐 SiC를 단광화하여 주물 첨 가제로써의 가능성을 타진하고자 한다. 폐 SiC 슬러지를 이용한 단광화 기술의 연구는 현재까지 수행된 적이 없다.

*Corresponding Author: Hye Sung Kim, TEL: +82-55-350-5278, FAX: +82-55-350-5299, E-mail: [email protected]

(2)

국내의 업계에서 주물용 첨가제로 사용되고 있는 SiC 분 말들은 수입에 전적으로 의존하고 있는 실정이다. 따라서 실리콘 공정 폐기물 SiC 분말을 주물용 첨가제로 재활용 하기 위한 단광화 방안을 설계하고자 한다. 폐 SiC는 초 미세 분말형태로 건조되어 회수되는데 이러한 as-received 상태로는 주물 내에서의 미세 SiC 분말의 부유현상 때문 에 혼입이 불가능하다. 이런 문제점을 해결하기 위해 적당 한 밀도 및 강도를 가진 SiC 단광체의 제조가 필수적이다.

수거된 폐 SiC 분말의 결합력을 향상시켜 원하는 단광체 의 강도를 얻기 위해서 일반적으로 유기결합제가 사용되 나, 결합제의 종류 및 첨가 분율에 따라 최종 주물의 특성 차이가 발생할 수 있기 때문에 본 연구에서는 이런 점을 고려하여 주물특성에 거의 영향이 없는 결합제의 선정 및 적정 조성을 선택하여 단광화의 가능성을 타진하고, 단광 체 형성 및 강도유지를 위한 성형 및 소결 조건을 도출하 고자 한다.

2. 실험 방법

2.1. SiC 분말 시편 제작

하소를 통해 절삭유를 제거하여 수거된 SiC 슬러지 내 의 불순물의 종류 및 함량은 최종 주물의 특성에 영향을 미치기 때문에 본 연구에서는 혼합분말 제조 전 수거된 폐 슬러지의 불순물 농도를 측정하여 표 1에 나타내었다.

표 1에 의하면 수거된 슬러지 내의 불순물의 종류 및 농 도는 주물 제조 후 주물의 물성에 거의 영향을 미치지 않 는 수준임을 확인할 수 있었다. 따라서 주물용 단광체를 얻기 위해 수거된 평균 20 µm 크기의 폐 SiC 미립분말에 PVA(polyvinyl alchol) 와 금속 바인더(Fe)를 각 각 첨가하 여 SPEX 8000 shaker Mixer/Mill에서 볼과 분말 무게비를 5:1 로 하여 0.25-10시간 동안 기계적 밀링하여 혼합분말을 제조하였다. PVA의 경우 2 wt%의 조성비로 혼합하였으며 , Fe 의 경우는 2, 5, 10, 20 wt%의 혼합분말을 각 각 제조 하였다.

2.2. SiC 단광 시료의 제작

밀링 혼합 분말의 단광화를 위해 다음과 같은 3가지 조 건의 성형 및 소결을 행하였다. 1) 일반 프레스 성형에서 는 얻을 수 없는 1-3 GPa 수준의 높은 압력을 SiC 분말시 료에 가압할 수 있는 마그네틱 펄스 냉간 가압성형 (Magnetic Pulse Compaction, MPC, ㈜ 나노기술), 2) 일반

가압 성형, 3) 가압과 소결을 동시에 할 수 있는 방전 플 라즈마 소결(Spark plasma sintering, SPS). 위의 3가지 단 광화 작업 중 단순 가압 성형만으로 제조된 시료의 경우 취급 과정에서 시료의 파괴가 일어날 정도로의 낮은 강도 때문에 추가적으로 1000~1300

o

C 의 온도에서 소결 공정을 추가하여야만 했다.

2.3. 미세구조 관찰 및 기계적 특성

각 제조 시료들은 연마 후 광학현미경(Optical microscope, Nikon-ECLIPSE LV150) 으로 미세구조를 관찰하였다. 여 기서, 단광 시편의 결합강도는 시료 제조 후 압력을 가했 을 때 파괴강도를 의미한다.

2.4. 주조 시험 및 성분 분석

SiC 단광체가 용융 Fe 내에서 혼입되기까지의 반응시간 을 고찰하기 위해 용탕 내 SiC 단광체의 유지시간에 따른 수율을 측정하였다. 먼저, 용해 시 투하 된 단광 SiC가 용 탕 표면으로 부유가 일어나는지를 각 단광화 조건에 따라 확인하였다. 단광화 조건은 앞절에서 언급한 유압프레스 에 의한 단순가압, MPC에 의한 단광, 단순 단광 후 소결 공정을 추가한 경우와 방전 플라즈마 소결에 따른다. 일반 적으로 주물용 단광체의 크기는 직경 15 mm, 두께 1 mm 정도일 경우 용탕 투하 시 부유현상이 거의 일어나지 않 는다는 연구결과에 의하여 단광시료를 제작하였다[9]. 단 광체의 직경이 크고, 두께가 얇은 것이 용탕 내에서의 접 촉 표면적이 넓기 때문에 주물 내로 원하는 첨가원소, 실 리콘 및 탄소가 확산하는데 유리할 것으로 판단된다. 주물 의 온도와 SiC의 정치시간은 SiC 단광체가 용융체 내에서 확산에 의하여 혼입 될 때 고 수율을 얻기 위한 매우 중 요한 변수이다. 본 연구에서는 진공 주조로를 이용하여 단 광 SiC의 용탕 내의 첨가 수율 실험을 행하였으며, 1600

o

C 온도에서 시간 (30-120분)을 변수로 하여 첨가 수 율을 측정한 후 SEM-EDAX(S-5500) 및 XRF(WDS type) 통해 성분 분석을 수행하였다.

3. 결과 및 고찰

3.1. Fe 결합제 첨가에 따른 밀링(milling) 조건 선정 SiC 분말의 부유를 막고, 결합력을 향상시키기 위한 대 안으로서 고 융점 (2700

o

C)의 SiC 분말을 용융시키는 방 법은 높은 에너지, 시간과 비용측면에서 효율적인 대안이 아니다. SiC 분말의 결합력을 향상시키면서도 주물(Fe의 융점 : 약 1595

o

C) 내로의 효율적인 혼입이 가능하기 위해 서는 용탕 작업이 가능한 단광화 강도가 요구되며, 용탕 내에서 확산이 용이하도록 미세화가 요구된다[3-4]. SiC Table 1. Chemical composition of SiC sludge powders unit: ppm

Elements Na K Ca Fe Al Cu

Contents 30 35 48 72 39 13

(3)

분말들이 완전한 소결력을 가질 정도로 결합력이 크면 주 조 용탕 내에서 확산이 오히려 용이하지 않게 되기 때문 에 적절한 결합제 선택을 통하여 용탕 작업 시 주물 내로 의 SiC의 확산 할 수 있는 수준의 결합력을 얻도록 하는 것이 무엇보다도 중요하다. 유기물 계열 결합제의 경우 열 분해 온도(약 270

o

C) 가 낮기 때문에 주조 시 충분한 결합 력을 유지하기 어렵고, 세라믹 계열의 결합제의 경우 열분 해 온도가 너무 높고, 충분한 결합력을 갖기 어렵기 때문 에 결합제로써 적당치 않다. 따라서 본 연구에서는 작업 용탕과 동일 소재인 Fe를 결합제로 사용함으로써 SiC 단 광체의 낮은 비중을 향상시킬 뿐 아니라 SiC 분말 간에 적절한 결합력을 부여함으로써 용탕 작업 시 용탕 표면으 로 부유하지 않고 확산할 수 있는 결합력을 갖는 조건을 도출하고자 하였다.

단광체의 결합력은 결합제의 종류뿐만 아니라 결합제의 양이 주요한 변수이다. 이는 앞 절에서 언급한 바와 같이 결합제의 양이 충분하지 않으면 원하는 SiC 수율을 얻기 어렵고, 부유방지를 위한 비중이 적당치 않을 수 있다

표 2는 MPC 공정을 이용해 1 GPa의 고압력으로 성형

한 2 wt%의 함량의 비닐계 (PVA) 및 철계 결합제가 첨가 된 단광체의 밀도를 비교한 것이다. 실험 결과에 의하면 두 경우 매우 낮은 성형밀도가 얻어졌다. 이는 PVA의 밀 도가 낮으며 높은 가압력에도 단광체의 내부에 기공율이 높기 때문이며, 철계의 경우 비중이 7.8 g/cm

3

로써 PVA에 비해 높지만 혼합 양적 비가 적음으로 인해 고밀도화 어 렵기 때문이다. 따라서 충분한 성형밀도, 결합력, 비중 및 결합력을 얻기 위한 Fe 결합제의 양의 고려와 밀링 시 Fe 결합제 첨가에 따른 SiC 분말의 균일분산이 요구된다.

본 연구에서는 고에너지 볼밀(high energy ball milling) 공정을 이용해 SiC-Fe 분말 제조 시 적정 결합제의 양과 분말 밀링 조건을 도출해 보았다. 단광화 시료에 Fe의 첨 가량을 각 각 2, 5, 10, 20 wt%로 하여 0.5시간 밀링 후 2000 Kgf 의 하중으로, 10분 동안 유압프레스 성형 후 전기 Table 2. The density change of SiC briquettes with binders used

SiC+2 wt%PVA SiC+2 wt%Fe MPC(1 GPa) 2.02 g/cm

3

2.35 g/cm

3

Fig. 1. Optical micrographs of SiC – x wt%Fe SiC briquettes with Fe contents: (a) 20 wt%, (b) 10 wt%, (c) 5 wt%, (d) 2 wt%

Fig. 2. Optical micrographs showing distribution change of Fe element with milling time in SiC – 20 wt%Fe SiC powders: (a) 0.25 h,

(b) 0.5 h, (c) 1 h, (d) 2 h, (e) 5 h, (f) 10 h.

(4)

로에서 소결한 소결체의 광학 미세구조를 아래 그림 1에 나타내었다. 일반적으로 밀링 시 금속과 같은 연성 금속 분말은 강구 사이에서 소성변형을 겪어 길쭉하게 판상화 단계를 거쳐 압접이 일어나면서 aspect ratio가 큰 층상구 조(lamellar structure)로 변화되며 계속적인 강구의 운동으로 인해 층상구조는 더욱 간격이 줄어들게 된다. 본 실험에서는 20 wt% 이상의 Fe 합금 조성에서 밀링 초기(0.16 h)부터 aspect ratio가 큰 층상구조 형태의 Fe 분말이 용이하게 형 성되면서 압접 변형된 층상 구조의 Fe 내에 소성변형이 거의 없는 SiC 분말이 용이하게 박히게 되고, 0.5 h 밀링 후에는 강구 볼의 계속된 운동으로 SiC particle이 박혀있 는 Fe 층상구조의 간격이 현저하게 줄어든 형상이 관찰 된다. 이는 용탕 투하 및 용융 손실을 막을 수 있는 미세 구조로 판단되며 위 결과로부터 최소 Fe 결합제의 함량은 20 wt% 이상으로 결정하였다.

그림 2는 밀링 시간에 따라 제조된 SiC-Fe 20 wt%분말

을 단순 가압 후 광학 현미경 미세구조이다. 밀링시간이 1 시간 일 때 소량 첨가된 Fe와 SiC 분말이 균일한 혼합체 를 이루는 것이 확인되었으며, 5시간 이상의 장시간 밀링 을 진행할 경우 오히려 Fe 분말의 응집이 발생하여 불균 일한 분포의 분말이 얻어졌다. 즉 5 h 이상 밀링이 진행되 면 성형 및 소결 능의 저하가 불가피하다. 따라서 SiC 분 말의 미세화가 최소화되면서 분말 간 결합력을 가질 수 있는 미세구조적 측면을 고려하면 1 시간의 짧은 밀링 시 간이 균일한 혼합체를 갖는 가장 적합한 밀링 시간 조건 으로 판단하였다.

3.2. 소결공정 조건에 따른 미세구조 및 기계적 특성 고찰 그림 3은 Fe 결합제의 첨가량을 20 wt%로 하고 단순 가 압 (pressing)에 의하여 성형한 후 소결온도를 각 각 1000, 1100, 1200, 1300

o

C 로 하여 1시간동안 전기로에서 소결 한 후 광학 미세구조 및 그의 기계적 특성을 조사 한 것

Fig. 3. Optical micrographs of SiC–20 wt%Fe SiC powders with various sintering temperatures: (a) 1300°C, (b) 1200°C, (c) 1100°C.

Fig. 4. The variation of mechanical properties of SiC–20 wt%Fe SiC briquettes with various sintering temperatures and Fe

contents.

(5)

이다. 조사한 소결온도 범위 (1000~1300

o

C)에서 광학 미 세구조는 대체로 양호하지만 광학 미세구조만으로는 소결 체의 특성을 제대로 이해하는데 한계가 있었다. 따라서 소 결체의 파괴강도를 측정하여 그림 4에 나타내었다.

1000

o

C 에서 소결 한 시료의 경우 취급과정에서 파쇄가 될 정도로 낮은 강도를 나타내었다. 일반적으로 사람의 평균 악력이 6 MPa임을 감안할 때, 1000

o

C의 소결 온도 및 2 wt% Fe 의 결합제를 첨가한 경우의 파괴강도는 6.9 MPa 로 낮은 값을 보여주어서 이는 용탕 내로 SiC 단광체를 첨가하는 취급과정에서 적합 치 않은 것으로 확인되었다.

1100

o

C 이상의 온도에서 소결한 시료들은 모두 용탕에 투 입 시 깨지지 않을 수준의 파괴강도를 보여주었다. 파괴강 도는 소결온도가 높아질수록 향상되었으며, 20 wt% Fe 결 합제를 첨가한 시료의 경우 1100

o

C 에서 소결한 단광화 시 료는 1000

o

C 에서 소결한 시료보다 3배 가량의 파괴강도 향상되었다. 위의 결과로부터 용탕 투하 및 용해를 위한 적절한 단광화 강도를 가지기 위해서는 1100

o

C 이상의 소 결온도 및 최소 20 wt%의 Fe 결합제 함량이 요구됨을 관 찰하였다.

소결 공정은 제품의 가격 경쟁력 측면에서 매우 큰 비 중을 차지하기 때문에 적절한 공정의 응용이 요구된다. 표 3은 Fe 함량 및 소결방법에 따른 소결체의 기계적 강도를 비교한 것이다. 앞 절에서 1100

o

C 이상의 소결온도에서 결합제의 양이 20 wt%일 경우 용탕 투하를 위한 이동과 정 중에서 파괴 없이 용탕작업이 가능함을 보고하였다. 표 3의 파괴강도 데이터에서 알 수 있듯이 1100

o

C 온도에서 SiC-20wt%Fe 시료의 제조공정 간 파괴강도 차이는 거의 없 는 것으로 확인되었다. 위의 결과로부터 취급의 용이성과 가 격 경쟁력 측면에서 전기로 소결법의 응용이 추천된다.

3.3. 주조 처리 후 성분 분석

일반적으로 깁스 자유에너지의 계산에 의하면 SiC 생성 에 요구되는 에너지 값이 Fe

3

C 생성에 요구되는 에너지 값보다 주조온도 (1650

o

C) 이상에서도 낮기 때문에 열역 학적(thermodynamic) 관점에서는 SiC가 용탕 내에 분해되어 혼입될 수 없다. 따라서, 밀링(milling)에 의해 평균 5 µm 이 하로 미세화된 SiC 분말을 제조하고, 이를 Fe-SiC 단광체 를 제조하여 주조 온도에 노출함으로써 미세화 된 SiC의 표면으로부터의 확산에 의하여 Fe 용탕 내로 혼입될 수 있도록 해야 한다. 밀링에 의해 초 미세화된 SiC 분말 형 성과 더불어 적절한 파괴 강도를 갖도록 가압 성형 후 소 결에 의한 결합력 향상은 매우 주요한 변수이다.

Fe 바인더의 함량이 20 wt% 첨가된 시료를 1650

o

C의 용해온도에서 0.25 h 유지 후 용탕 표면으로 SiC 단광체 가 부상하는 지 육안 관찰하였다. 위의 실험으로부터 단순 가압에 의한 단광화 시료의 경우는 용탕 표면 위로 SiC 분말이 부상하는 것이 관찰되었지만, 유압 프레스에 의해 성형 후 1100

o

C에서 소결한 시료 및 방전 플라즈마에 의 한 소결 시료는 용탕 표면으로 SiC 분말이 부유되지 않고 용융 작업이 가능함을 확인하였다. 위의 실험 결과로부터 SiC 분말을 단광화하여 주물 첨가용으로 응용하기 위해서 는 단순 가압 방법에 의해서는 SiC 단광체의 부유현상을 억제할 수 없기 때문에 SiC 분말의 가압 성형 후 반드시 소결 공정을 거쳐야 하며, 파괴강도가 용탕 취급 및 부유 현상을 억제할 수 있는 19 Mpa 이상의 파괴 강도가 요구 됨을 확인하였다. SiC 단광체가 Fe 용체 내에서 확산에 의 하여 혼입 될 수 있는 주물의 온도와 SiC의 정치시간은 SiC 단광체의 융체 내 고 수율을 얻기 위한 매우 중요한 변 수이다. 표 4와 그림 5는 각 각 철 용탕 내에 SiC- 20 wt%Fe 단광체를 투입 후 0-2 시간동안 정치 한후 얻은 주괴의 XRF-WDS에 의한 성분 분석 및 탄소 (C)와 실리 콘 (Si)의 수율 측정 결과이다. 탄소의 수율은 유지시간 1 시간 경과 후 90% 이상의 높은 수율을 보였으며, 유지 시 간이 증가할수록 증가하였다. 탄소와 실리콘의 수율은 XRF-WDS 측정 결과로부터 첨가된 SiC의 양 대비 주물 내 탄소 및 실리콘 실 수율을 계산한 결과이다. 수율 계산 결과 탄소 및 실리콘은 주물 내 최대 90% 이상 혼입된 것 Table 3. The change of mechanical properties of sintered SiC-20

wt% briquettes with various sintering processing and Fe con- tents

Sample Sintering temperature

Rupture strength (MPa) Sintered

by SPS

Sintered by electrical furnace

SiC-20 wt%Fe 1100

o

C 19.6 19.1

Table 4. The result of XRF-WDS analysis with briquetting processing (BP) BP/time

(min.)

(a) Fe (b) Pressing (c) MPC (d) SPS (e)Pressing +Sintering

Fe C Si Fe C Si Fe C Si Fe C Si Fe C Si

30

96.84 3.13 0.03

96.8 3.15 0.05 96.82 3.14 0.04 96.54 3.19 0.27 96.49 3.2 0.31

60 96.8 3.15 0.05 96.78 3.15 0.07 95.1 3.92 0.98 95.02 3.96 1.02

90 96.77 3.16 0.07 96.78 3.15 0.07 94.96 3.95 1.02 94.92 4.03 1.05

120 96.74 3.17 0.09 96.73 3.19 0.08 94.91 3.98 1.06 94.86 4.04 1.1

(6)

으로 확인되었다. 위의 결과는 일반적으로 널리 사용되는 PVA, PMMA, PEG, PAN 과 같은 고분자 바인더 대신 용 탕 내 불순물의 혼입이 전혀 없는 값싼 Fe 바인더를 이용 한 SiC 단광체로 부터 용탕 내 탄소 및 실리콘의 수율을 90% 이상 높일 수 있을 뿐 아니라 현재까지 폐기되어 온 실리콘 웨이퍼 슬러지 분말들을 주물용 C와 Si의 첨가 원 으로 활용할 수 있는 가능성을 확인했다는 점에서 그 의 의가 높다고 할 수 있다.

4. 결 론

실리콘 웨이퍼 절단 및 연마 공정에서 발생하는 폐 SiC 슬러지 분말의 단광화 연구를 통하여 다음과 같은 결과를 도출하였다.

1. 철 (Fe) 바인더를 활용하여 용탕 작업이 가능한 수준 의 Fe-20 wt%SiC 단광체 밀도 및 파괴강도 (19 MPa 이 상)를 얻었다. Fe 바인더는 주물 원료로써 타 결합제 (유 기 및 세라믹 결합제)를 사용할 때 발생할 수 있는 주물의 오염을 최소화하는데도 기여할 수 있다.

2. Fe 바인더 사용 시 30분 동안 밀링 후 SiC 분말이 균 일 분산된 구조의 단광체가 얻어졌으며, 밀링 시간이 더욱 증가하면 오히려 Fe에 의한 응집현상 때문에 불 균일한 단광체가 형성됨을 관찰하였다.

3. 250 MPa 의 가 압력으로 성형 후 1100

o

C의 온도에서 소결한 SiC-20 wt%Fe 단광체의 경우 1650

o

C에서 1시간 동안 정치 후 90% 이상의 첨가 수율이 얻어졌다.

3. 폐 실리콘 웨이퍼 슬러지 분말들의 단광화 실험을 통

해 주물 내 90% 이상의 첨가 수율을 얻을 수 있는 바인 더, 바인더의 조성 및 가압·소결 공정변수를 확립하였으 며, 이는 전량 수입하여 사용하는 SiC 주물용 첨가제보다 30% 이상의 수율이 향상되는 결과이다.

감사의 글

본 과제(결과물)는 교육부의 재원으로 지원을 받아 수행 된 산학협력 선도대학(LINC) 육성사업의 연구결과입니다.

References

[1] D. Sarti and R. Einhaus: Sol. Energ. Mat. Sol. C., 72 (2002) 27.

[2] Y. S. Tsuo, J. M. Gee, P. Menna, D. S. Strebkov, A. Pinov and V. Zadde: Proc. 2nd World Conf. Exhibition on Pho- tovoltaic Solar Energy Conversion (1998).

[3] A. Muller and P. M. Nasch: Proc. Photovoltaic Programme, Swiss Federal Office of Energy (2004).

[4] A. Mühlbauer, V. Diers and A. Walther: J. Cryst. Growth, 108 (1991) 41.

[5] S. Nishijima, Y. Izumi, S. I. Takeda, H. Suemoto, A. Nakahira and S. I. Horie: Trans. Appl. Supercond., 13 (2003) 1596.

[6] J. Shibata, N. Murayama, K. Nagae and K. Ronbunshu: Key Engine. Mater., 32 (2006) 93.

[7] L. Zhang and A. Ciftja: Sol. Energy Mater. Sol. C., 92 (2008) 1450.

[8] J. J. Brennan and K. M. Prewo: J. Mater. Sci., 17 (1982) 2371.

[9] D. K. Kim, Z. S. Ahn, I. J. Kim and H. B. Lee: J. Korean Ceram. Soc., 32 (1995) 865 (Korean).

Fig. 5. The diagram showing the yield change of carbon and silicon element with briquetting processing.

수치

Fig. 2. Optical micrographs showing distribution change of Fe element with milling time in SiC – 20 wt%Fe SiC powders: (a) 0.25 h, (b) 0.5 h, (c) 1 h, (d) 2 h, (e) 5 h, (f) 10 h.
Fig. 3. Optical micrographs of SiC–20 wt%Fe SiC powders with various sintering temperatures: (a) 1300°C, (b) 1200°C, (c) 1100°C.
Table 4. The result of XRF-WDS analysis with briquetting processing (BP)  BP/time
Fig. 5. The diagram showing the yield change of carbon and silicon element with briquetting processing.

참조

관련 문서

Canham, "Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon ", Nature, vol. Herino, "Exchange mechanism responsible for

The pulses generate an electrochemical reaction, inducing nanoscale silicon oxide deposits on the wafer surface.. This research focused on variations in

In teeth which have lateral foramen, major foramen deviated from the main axis of root, radiographic appearance of working length determined by electronic apex locator

Detection of Organic Vapors and Nerve Agent Simulant Vapors Based on Photoluminescent Bragg-Reflective Porous Silicon Interferometer.. Preparation of

그 결과 Silicon의 반도체 물성으로 광대역 RF 설계에 많은 어려움이 있는 Silicon Wafer 중에 Low Resistivity Silicon Wafer와 High Resistivity Silicon

“YouTube - The Secret History of Silicon Val- ley” ü < “Selling Silicon Valley: Frederick Terman’s Model

Hot embossing is a technique of imprinting nanostructures on a substrate (polymer) using a master mold (silicon tool).. Master/mold

(c) the same mask pattern can result in a substantial degree of undercutting using substantial degree of undercutting using an etchant with a fast convex undercut rate such