0.5 vol% TiO
2나노분말을 분산시킨 n형 Bi
2(Te
0.9Se
0.1)
3가압소결체의 열전특성
박동현·오태성† 홍익대학교 신소재공학과
Thermoelectric Properties of the n-type Bi
2(Te
0.9Se
0.1)
3Processed by Hot Pressing with Dispersion of 0.5 vol% TiO
2Nanopowders
D. H. Park and T. S. Oh†
Department of Materials Science and Engineering, Hongik University 72-1 Sangsu-dong, Mapo-gu, Seoul 121-791, Korea (2013년 3월 21일 접수: 2013년 3월 26일 수정: 2013년 3월 28일 게재확정)
초 록: 용해/분쇄법으로 제조한 n형 Bi2(Te0.9Se0.1)3분말에 0.5 vol% TiO2나노분말을 분산시켜 가압소결 후, TiO2
나노분말의 분산이 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 열전특성에 미치는 영향을 분석하였다. Bi2(Te0.9Se0.1)3가압소결체는 2.93×10-3 /K의 최대 성능지수 및 1.02의 최대 무차원 성능지수의 우수한 열전특성을 나타내었다. 0.5 vol% TiO2나노분 말의 첨가에 의해 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 최대 성능지수가 2.09×10-3 /K로 감소하였으며, 최대 무차원 성능지수는 0.68로 저하하였다.
Abstract: The n-type Bi2(Te0.9Se0.1)3 powders, which were fabricated by melting/grinding method and dispersed with 0.5 vol% TiO2 nanopowders, were hot-pressed in order to investigate the effects of TiO2 dispersion on the thermoelectric properties of the hot-pressed Bi2(Te0.9Se0.1)3. Excellent thermoelectric properties such as a maximum figure-of-merit of 2.93×10-3 /K and a maximum dimensionless figure-of-merit of 1.02 were obtained for the hot-pressed Bi2(Te0.9Se0.1)3. With dispersion of 0.5 vol% TiO2 nanopowders, the maximum figure-of-merit and the maximum dimensionless figure-of-merit decreased to 2.09×10-3 /K and 0.68, respectively.
Keywords: Thermoelectric properties, hot pressing, bismuth telluride, nanodispersion, figure-of-merit, dimensionless figure-of-merit
1. 서 론
기후 온난화를 방지하기 위해 이산화탄소의 방출을 억 제하며 또한 석유자원의 고갈에 대한 대비책으로서 최근 전세계적으로 환경친화적 에너지 개발과 더불어 에너지 재활용에 대한 관심이 급증하고 있다. 열전재료는 에너 지 재활용이 가능한 대표적인 재료로서, 열에너지와 전 기에너지 사이의 Seebeck 효과를 이용한 열전발전과 Peltier 효과를 이용한 열전냉각에 응용되고 있다.1-6)
열전발전은 소형 독립전원, 무보수, 고신뢰성 등의 장 점을 가지고 있어 마이크로 발전에서 중형 발전까지 다 양한 발전용량에 적용이 가능하다.1,7) 우리나라의 에너지 소비구조는 선진국 대비 산업분야 에너지 소비비중이 높 고, 에너지 원단위가 OECD 평균 에너지 원단위에 비해
매우 높은 형태이다. 또한 국내 총생산량에 비례하여 일 차에너지 소비량이 거의 동일하게 증가하는 구조를 지니 고 있어, 향후 에너지 소비량이 계속 증가할 전망이다.1,8,9) 따라서 열전발전을 이용한 폐배열 에너지 재활용 기술의 개발은 에너지소비 감소 및 CO2 총량 저감을 효과적으로 달성하기 위한 적절한 대응수단이 될 수 있다.1)
열전냉각의 경우에는 기존의 가스압축식 냉각방식에 비하여 열응답 감도가 좋고 선택적 냉각이 가능하며, 무 소음, 무진동으로 구조가 간단하여 유지 및 관리가 용이 하다는 장점이 있다. 또한 프레온 가스를 사용하지 않는 친환경적 냉각기술로 전자냉각 분야에 응용하기 위하여 많은 연구가 진행되어 왔다.1,2,7,10) 열전재료를 이용한 전 자냉각소자는 컴퓨터의 IC 칩, CCD 촬상소자, 레이저 diode, 적외선 검출소자 등과 같은 전자부품의 국부냉각
†Corresponding author E-mail: [email protected]
© 2013, The Korean Microelectronics and Packaging Society
This is an Open-Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License(http://creativecommons.org/
licenses/by-nc/3.0) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.
뿐만 아니라 자동차용 냉온장고, 가정용 냉정수기 등에 다양하게 실용화되고 있다.1,2,7)
Bi2Te3계 열전재료는 좁은 에너지 갭을 가지고 있으므 로 고온에서의 사용이 부적당하며 상온에서 가장 우수한 성능지수를 나타낸다. 상온 열전발전소자용 및 전자냉각 소자용 p형 열전재료로는 Bi2Te3에 ~75%의 Sb2Te3를 고 용시킨 (Bi,Sb)2Te3합금이 사용되고 있으며, n형으로는 Bi2Te3에 5~25% Bi2Se3를 고용시킨 Bi2(Te,Se)3 합금이 사 용되고 있다.1,2,7) 이와 같은 p형 및 n형 Bi2Te3계 열전소 자, 특히 전자냉각소자는 에너지 변환효율을 증가시키기 위하여 얇은 판상으로 제조되므로 소자가공시 열전재료 의 기계적 강도가 요구된다. 그러나 육방정계 구조의 Bi2Te3계 단결정은 성능지수는 우수하나, c축에 수직한 벽개면을 따라 균열이 쉽게 전파되는 기계적 취약성 때 문에 소자가공시 수율 저하가 가장 큰 문제점으로 지적 되고 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 단결정에 비해 기계적 강도가 우수한 다결정 열전재료로서 Bi2Te3 계 가압소결체에 대한 연구가 이루어지고 있다.1,2,11-13) 이 와 더불어 대용량 에너지 변환시스템에 적용이 가능한 벌 크 열전소자에서 나노스케일 열전재료의 특성을 구현하 기 위해 나노결정으로 이루어지거나 나노 미립자를 첨가 한 나노구조 벌크 열전재료에 대한 연구가 집중적으로 이 루어지고 있다.1-3,15-19)나노구조 벌크 열전재료 내에 포논 산란센터로 작용할 나노 미립자를 첨가하는 방법 중의 하 나로 열전재료 분말과 나노분말을 함께 기계적 밀링한 후 가압소결하는 방법이 사용되고 있다.1,2,15-18)
본 연구에서는 포논산란센터로서 0.5 vol% TiO2 나노 분말을 분산시킨 n형 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체를 형성하 여, TiO2 첨가가 열전특성에 미치는 영향을 분석하였다.
2. 실험 방법
크기가 3.6 mm 이하이며 순도가 99.99% 이상인 Bi, Te 와 Se granule들을 아세톤, 증류수에서 차례로 초음파 세 척하고 Bi는 10% 질산수용액, Te와 Se는 10% 염산수용 액에서 각각 초음파 세척하여 표면 산화층을 제거한 후, 진공 오븐에서 건조하였다. 건조된 원료 granule들을 Bi2(Te0.9Se0.1)3 조성에 맞게 칭량한 후, 카본으로 내면을 코팅한 석영관에 장입하고 산소-아세틸렌 토치를 이용하 여 진공 봉입하였다. Bi, Te 및 Se granule들이 진공봉입 된 quartz tube를 rocking furnace에 장입하고 700oC에서 2 시간 동안 유지하여 균질용해 후, 상온으로 급냉하여 Bi2(Te0.9Se0.1)3 합금 잉곳을 형성하였다.1)
Bi2(Te0.9Se0.1)3 합금 잉곳을 알루미나 유발에서 분쇄 후, 38~90µm 크기로 sieving 하여 가압소결용 합금분말을 형 성하였다. 용해/분쇄법으로 형성한 Bi2(Te0.9Se0.1)3 합금분 말을 볼과 분말의 무게비 10 : 1로 강구 (steel ball)와 함께 공구강 vial에 장입하였다. 이때 vial 내의 분위기는 기계 적 밀링 공정중 합금분말의 산화를 방지하기 위하여 Ar
분위기로 유지하였으며, Spex mixer/mill을 사용하여 3시 간 동안 바이브로 밀링하였다. 기계적 밀링처리를 한 Bi2(Te,Se)3 분말을 상온에서 325 MPa의 압력으로 cold press 후, graphite 몰드에 장입하고 진공 중에서 60 MPa 의 가압소결압력을 인가하면서 550oC의 온도로 30분간 유지하여 가압소결하였다.1)
TiO2첨가가 n형 Bi2(Te0.9Se0.1)3가압소결체의 열전특성 에 미치는 영향을 분석하기 위해 용해/분쇄법으로 제조 한 Bi2(Te0.9Se0.1)3 분말에 0.5 vol% TiO2 나노 분말을 첨가 한 후 Spex mixer/mill을 사용하여 1시간 동안 바이브로 밀링하여 Bi2(Te0.9Se0.1)3 분말 내에 0.5 vol% TiO2 분말을 분산시켰다. 0.5 vol% TiO2 나노 분말이 분산된 Bi2
(Te0.9Se0.1)3 분말을 상온에서 325 MPa의 압력으로 5분간 cold press 한 후, graphite 몰드에 장입하고 진공 중에서 60 MPa의 압력을 가하면서 550oC에서 30분간 유지하여 가압소결하였다.
Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 결정상을 X-선 회절분석 하였으며, 주사전자현미경을 사용하여 가압소결체 파단 면의 미세구조를 관찰하였다. Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체 및 0.5 vol% TiO2가 분산된 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 Seebeck 계수와 전기비저항을 상온에서 측정하였으며, laser flash법을 사용하여 열전도도를 분석하였다. Seebeck 계수, 전기비저항 및 열전도도의 측정값으로부터 Z = α2/ (ρ · k)의 관계식을 이용하여 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체 및 0.5 vol% TiO2를 첨가한 Bi2(Te0.9Se0.1)3가압소결체의 성 능지수 Z를 분석하고, 각 온도 T에서의 Z 값에 온도 T를 곱하여 무차원 성능지수 ZT를 산출하였다.
3. 결과 및 고찰
Fig. 1에 Bi2(Te0.9Se0.1)3잉곳을 38~90 µm 크기로 분쇄
Fig. 1. X-ray diffraction patterns of (a) the vacuum-melted and crushed Bi2(Te0.9Se0.1)3 powders of 38~90µm size, (b) the mechanically milled Bi2(Te0.9Se0.1)3 powders, and (c) the hot-pressed Bi2(Te0.9Se0.1)3.
한 Bi2(Te0.9Se0.1)3 합금분말, 이를 3시간 기계적 밀링한 Bi2(Te0.9Se0.1)3 합금분말 및 기계적 밀링한 합금분말을 550oC에서 30분간 가압소결한 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체 의 X-선 회절분석 패턴들을 나타내었다. 용해/분쇄법으 로 형성한 합금분말에서와 마찬가지로 합금분말을 기계 적 밀링한 분말 및 가압소결체에서도 Bi2(Te,Se)3 결정상 의 회절피크들만이 관찰되었으며, 이로부터 3시간의 기 계적 밀링공정 및 550oC에서의 가압소결 공정에 의한 결 정상의 변화는 없는 것을 확인하였다.
Bi2(Te0.9Se0.1)3 분말 내에 분산시킨 TiO2 나노분말의 주 사전자현미경 사진을 Fig. 2에 나타내었다. TiO2나노분 말은 직경 20~100 nm 크기의 구 형상을 이루고 있었다.
Bi2(Te0.9Se0.1)3가압소결체 및 0.5 vol% TiO2나노분말 을 분산시킨 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 Seebeck 계수, 전기비저항, 열전도도의 온도의존성을 각기 Fig. 3에서 Fig. 5까지 비교하여 나타내었다. 또한 Fig. 6과 Fig. 7에는 이들 열전특성의 측정값으로부터 분석한 Bi2(Te0.9Se0.1)3
가압소결체 및 0.5 vol% TiO2 나노분말을 분산시킨 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 성능지수 Z와 무차원 성능지 수 ZT 값을 각기 비교하여 나타내었다.
Fig. 3에서 Fig. 7의 결과에서와 같이 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압 소결체는 상온에서 184 µV/K의 Seebeck 계수, 1.21 mΩ- cm의 전기비저항, 0.91 W/m-K의 열전도도, 2.84×10-3 /K의 성능지수와 0.85의 무차원 성능지수를 나타내었다. 본 연 구에서 얻은 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 성능지수인 2.84×10-3 /K는 0.05 wt% CdI2를 도핑한 Bi2(Te0.9Se0.1)3 단 결정에서 보고된 상온 성능지수인 3.2×10-3 /K 보다는 낮 으나, 0.1 wt% SbI3를 도핑한 Bi2(Te0.85Se0.15)3 단결정의 2.0×10-3 /K, 0.03 wt% CuBr을 도핑한 Bi2(Te0.85Se0.15)3 단 결정의 2.2×10-3 /K 및 기계적 합금화 공정으로 제조한 Bi2(Te0.85Se0.15)3가압소결체의 1.92×10-3 /K에 비해 상당 히 우수한 값이었다.20-23)
Fig. 3에서와 같이 상온에서 100oC까지 측정온도가 증 가함에 따라 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 Seebeck 계수가 증가하였으나 온도를 그 이상으로 증가시 Seebeck 계수 가 감소하는 거동으로부터 100oC에서 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압 소결체의 외인성-내인성 천이(extrinsic-intrinsic transition) 가 발생하는 것을 알 수 있다. 반면에 나노개재물로 0.5 vol% TiO2 나노분말을 첨가한 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체는 75oC에서 Seebeck 계수의 최대값을 나타내어, 외인성-내인 성 천이온도가 75oC 이하로 저하하였음을 알 수 있다.
Fig. 4에서와 같이 0.5 vol% TiO2나노개재물의 첨가에 의해 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 전기비저항이 크게 증 가하였으며, 이는 Bi2(Te0.9Se0.1)3와 TiO2 나노개재물 계면 에서의 전하산란에 기인한다. 0.5 vol% TiO2 나노분말을 첨가한 Bi2(Te,Se)3 가압소결체가 더 높은 전기비저항을 가지고 있음에도 불구하고 열전도도는 Fig. 5와 같이 TiO2를 첨가하지 않은 가압소결체와 유사한 열전도도를 Fig. 2. Scanning electron micrograph of the TiO2 nanopowders.
Fig. 3. Temperature dependence of Seebeck coefficient of the Bi2(Te0.9Se0.1)3 hot-pressed without and with 0.5 vol% TiO2 dispersion.
Fig. 4. Temperature dependence of electrical resistivity of the Bi2(Te0.9Se0.1)3 hot-pressed without and with 0.5 vol% TiO2 dispersion.
나타내었으며, 이는 0.5 vol% TiO2첨가에 의한 외인성- 내인성 천이온도의 감소에 기인하는 것으로 판단된다. 외 인성 열전재료의 열전도도는 온도 증가에 따라 감소하다 내인성으로 전이됨에 따라 ambipolar 효과에 의해 다시 증가하게 된다. Bi2Te3계 열전재료에서 고온에서 관찰되 는 열전도도의 증가는 주로 ambipolar 효과에 기인한다.
0.5 vol% TiO2 첨가에 의해 Seebeck 계수가 증가하나 전기비저항이 크게 증가하며 또한 ambipolar 효과에 의해 열전도도가 증가하기 때문에, Fig. 6에서와 같이 0.5 vol%
TiO2나노분말의 첨가에 의해 Bi2(Te0.9Se0.1)3가압소결체 의 성능지수가 감소하였다. Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체는 상온에서 2.84×10-3 /K의 성능지수를 나타내며 50oC에서
2.93×10-3 /K의 최대성능지수를 나타내는 반면에, 0.5 vol% TiO2를 첨가한 가압소결체는 상온에서 2.09×10-3 /K 의 성능지수를 나타내나 온도가 증가함에 따라 성능지수 가 감소하였다.
Fig. 7에서와 같이 0.5 vol% TiO2 첨가에 의해 Bi2
(Te0.9Se0.1)3가압소결체의 무차원 성능지수 ZT의 최대값 이 1.02에서 0.68로 저하하였으며, 최대 성능지수를 나타 내는 온도도 100oC에서 75oC로 저하하였다. 나노개재물 을 첨가한 나노벌크 열전재료에서는 열전재료 matrix와 나노개재물 사이의 에너지 장벽의 높이가 높을수록 전기 비저항과 Seebeck 계수의 증가 정도가 커지므로, power factor의 최대값을 얻을 수 있는 나노개재물의 최적 함량 이 감소하여 성능지수 Z 또는 무차원 성능지수 ZT를 얻 을 수 있는 나노개재물의 최적 함량이 감소하게 된다.
Figs. 3~7에 나타낸 0.5 vol% TiO2를 첨가한 가압소결체 의 열전특성으로부터 Bi2(Te0.9Se0.1)3 가압소결체의 무차 원 성능지수 ZT의 향상을 이룰 수 있는 TiO2 나노개재물 의 최적 함량은 0.5 vol% 미만으로 판단할 수 있다.
4. 결 론
용해/분쇄법으로 제조하여 3시간 기계적 밀링한 Bi2
(Te0.9Se0.1)3 합금분말을 550oC에서 가압소결한 Bi2(Te0.9 Se0.1)3 가압소결체는 상온에서 2.84×10-3 /K의 성능지수와 50oC에서 2.93×10-3 /K의 최대 성능지수 및 상온에서 0.85 의 무차원 성능지수와 100oC에서 1.02의 최대 무차원 성 능지수의 우수한 열전특성을 나타내었다. 0.5 vol% TiO2
나노분말의 첨가에 의해 Bi2(Te0.9Se0.1)3가압소결체의 최 대 성능지수가 2.09×10-3 /K로 감소하였으며, 무차원 성 능지수 ZT는 0.68로 저하하였다. Bi2(Te0.9Se0.1)3가압소결 Fig. 5. Temperature dependence of thermal conductivity of the
Bi2(Te0.9Se0.1)3 hot-pressed without and with 0.5 vol% TiO2 dispersion.
Fig. 6. Temperature dependence of figure-of-merit of the Bi2 (Te0.9Se0.1)3 hot-pressed without and with 0.5 vol% TiO2 dispersion.
Fig. 7. Temperature dependence of dimensionless figure-of-merit of the Bi2(Te0.9Se0.1)3 hot-pressed without and with 0.5 vol%
TiO2 dispersion.
체의 무차원 성능지수 ZT의 향상을 이룰 수 있는 TiO2 나 노개재물의 최적 함량은 0.5 vol% 미만으로 판단된다.
감사의 글
본 연구는 지식경제부의 에너지자원기술개발사업의 지원에 의해 이루어졌습니다.
참고문헌
1. D. H. Park, M. R. Roh, M. Y. Kim and T. S. Oh, “Thermo- electric Properties of the n-type Bi2(Te,Se)3 Processed by Hot Pressing”, J. Microelectron. Packag. Soc., 17(2), 49 (2010).
2. M. R. Roh, J. Y. Choi and T. S. Oh, “Thermoelectric Prop- erties of the Hot-pressed Bi2(Te0.9Se0.1)3 with Dispersion of Tungsten Powders”, J. Microelectron. Packag. Soc., 18(4), 55 (2011).
3. B. Poudel, Q. Hao, Y. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Wang, A. Muto, D. Vashaee, X. Chen, J. Liu, M. S.
Dresselhaus, G. Chen and Z. Ren, “High-Thermoelectric Per- formance of Nanostructured Bismuth Antimony Telluride Bulk Alloys”, Science, 320, 634 (2008).
4. W. Kim, J. Zide, A. Gossard, D. Klenov, S. Stemmer, A. Sha- kouki and A. Majumdar, “Thermal Conductivity Reduction and Thermoelectric Figure of Merit Increase by Embedded Nanoparticles in Crystalline Semiconductors”, Phys. Review Lett., 96, 045901 (2006).
5. M. Y. Kim and T. S. Oh, “Effects of Annealing in Reduction Ambient on Thermoelectric Properties of the (Bi,Sb)2Te3 Thin Films Processed by Vacuum Evaporation”, J. Microelectron.
Packag. Soc., 15(3), 1 (2008).
6. K. Y. Lee and T. S. Oh, “Thermoelectric Characteristics of the Electroplated Bi-Te Films and Photoresist Process for Fabri- cation of Micro Thermoelectric Devices”, J. Microelectron.
Packag. Soc., 14(2), 9 (2007).
7. D. R. Rowe, “CRC Handbook of Thermoelectrics”, CRC Press, Boca Raton (1995).
8. “산업부문 에너지 효율의 국제비교와 요인분해 및 시사점”,
e-KIET 산업경제정보, 제 437호 (2009).
9. 이성근, “IEA 산업부문 에너지 통계 및 효율지표 작성과 시 사점”, KEEI Issue Paper, 1, 1 (2007).
10. W. M. Yim and F. D. Rosi, “Compound Telluride and Their Alloys for Peltier Cooling-A Review”, J. Solid State Elec- tronics, 15, 1121 (1972).
11. H. J. Kim, T. S. Oh and D. B. Hyun, “Thermoelectric Prop-
erties of the Hot-Pressed Bi2(Te1-xSex)3 Alloys with the Bi2Se3 Content”, Korean J. Mater. Res., 8, 408 (1998).
12. H. J. Kim, J. S. Choi, D. B. Hyun and T. S. Oh, “Microstruc- ture and Thermoelectric Properties of n-Type Bi2(Te0.9Se0.1)3 Fabricated by Mechanical Alloying and Hot Pressing Meth- ods”, Korean J. Mater. Res., 7, 40 (1997).
13. H. J. Kim, J. S. Choi, D. B. Hyun and T. S. Oh, “Powder Characteristics and Thermoelectric Properties of n-Type Bi2 (Te0.95Se0.05)3 Fabricated by Mechanical Process”, J. Korean Inst. Met. Mater., 35, 223 (1997).
14. M. S. Dresselhaus, G. Chen, M. Y. Tang, R. Yang, H. Lee, D. Wang, Z. Ren, J-P. Fleurial and P. Gogna, “New Directions for Low-Dimensional Thermoelectric Materials”, Adv.
Mater., 19, 1 (2007).
15. X. B. Zhao, X. H. Ji, Y. H. Zhang, T. J. Zhu, J. P. Tu and X. B. Zhang, “Bismuth Telluride Nanotubes and the Effects on the Thermoelectric Properties of Nanotube-containing Nanocomposites”, Appl. Phys. Lett., 86, 062111 (2005).
16. X. B. Zhao, S. H. Yang, Y. Q. Cao, J. L. Mi, Q. Zhang and T. J. Zhu, “Synthesis of Nanocomposites with Improved Ther- moelectric Properties”, J. Electron. Mater., 38, 1017 (2009).
17. J-F. Li and J. Liu, “Effect of Nano-SiC Dispersion on Ther- moelectric Properties of Bi2Te3 Polycrystals”, Phys. Stat. Sol., 203, 3768 (2006).
18. H. L. Ni, X. B. Zhao, T. J. Zhu, X. H. Ji and J. P. Tu, “Syn- thesis and Thermoelectric Properties of Bi2Te3 Based Nano- composites”, J. Alloys & Compounds, 397, 317 (2005).
19. M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, X. Sun, Z. Zhang, S. B.
Cronin, T. Koga, J. Y. Ming and G. Chen, “The Promise of Low-Dimensional Thermoelectric Materials”, Microscale Thermophysical Engineering, 3, 89 (1999).
20. H. P. Ha, D. B. Hyun, J. S. Hwang and T. S. Oh, “Band-gap Energy and Thermoelectric Properties of 90% Bi2Te3-10%
Bi2Se3 Single Crystals”, Korean J. Mater. Res., 9(4), 349 (1999).
21. T. S. Oh, D. B. Hyun and N. V. Kolomoets, “Thermoelectric Properties of Hot-pressed (Bi,Sb)2(Te,Se)3 Alloys”, Scripta Mater., 42, 849 (2000).
22. J. S. Hwang, D. B. Hyun, T. S. Oh, E. H. Lee and D. H. Lee,
“Thermoelectric Properties of CuBr-doped n-type 85%
Bi2Te3-15% Bi2Se3 Thermoelectric Materials”, J Korean Inst.
Met. Mater., 36(3), 454 (1998).
23. D. B. Hyun, J. S. Hwang, T. S. Oh, B. C. Yoo and C. W.
Hwang, “Electrical and Thermoelectric Properties of SbI3- doped 85% Bi2Te3-15% Bi2Se3 Thermoelectric Semiconduc- tors”, Korean J. Mater. Res., 8(5), 413 (1998).
