A Study on the Decomposition of ZnS Films for Use in CIGS Solar Cells

A Study on the Decomposition of ZnS Films for Use in CIGS Solar Cells

J. H. Lee ^∗

Department of Semiconductors, Kyungil University, Kyungsan 712-701, Korea (Received 8 November 2013 : revised 14 November 2013 : accepted 11 December 2013)

Of film-type solar cells, CIGS solar cells have the highest solar cell conversion efficiency. Because of the large differences between the constants and the energy band gaps, of p-type CuInSe and n-type ZnO films, a CdS film is used as a buffer layer. However the process for doing that is wet, toxic and harmful. In this study, we upgraded an RF magnetron sputtering system for ZnS film decomposition in the case of CIGS solar cell manufacture and were able to fabricate a ZnS film with minimum plasma damage. The characteristics of the ZnS films were measured for various film thicknesses by using scanning electron microscopy (SEM), and atom force microscopy (AFM). We could obtained the optimum decomposition conditions for achieving a film uniformity of 1.65% of less by using feedback. We observed the surface grain morphology of the ZnS films by using SEM and AFM. We could fabricate a denser, more uniform ZnS film by using the upgraded sputtering system without the Cds buffer film than we could using the old sputtering system with the Cds buffer film that was fabricated using a wet, chemical process. Thus, we demonstrated that CIGS solar cells can be manufactured by using only a dry process.

PACS numbers: 81.15.Cd

Keywords: CIGS solar cells, ZnS film, RF magnetron sputtering system, Buffer layer

CIGS ? 0W ë s ¹ ÅU “ Ó Þ ZnS U c lT c l ” Ö «Y c l; c å ¾ ˔ X ¢ Ž ì ŏ Œ

T

< r ) ^∗

 â

{ 9 @ /† < Ɠ §  ƒ  > \ P   Ö  ¦„  / B N † < Æõ ,  â í ß – 712-701

(2013¸   11 Z 4 8{ 9  ~ à Î6 £ §, 2013¸   11 Z 4 14{ 9  à º& ñ ‘ : r ~ à Î6 £ §, 2013¸   12 Z 4 11{ 9  > F  S X ‰& ñ )

CIGS I € ª œ„  t   H ~ à Ì} Œ •+ þ A I € ª œ„  t  ×  æ \ " f B Ä º Z  }“ É r F  g„     ¨ 8 Š ´ òÖ  ¦`  ¦ ”   . p8 £ x“   CuInSe

2

~ Ã Ì }

Œ

•õ  n8 £ x“   ZnO ~ à Ì} Œ • s _      © œÃ ºü < \  -t   ½ ™× ¼ Ì “ s_   H s  M :ë  H \  ! Q( 8 £ x Ü ¼– Ð CdS ~ à Ì} Œ •s 

€ 9

à º& h Ü ¼– Ð  6   x ÷ &# Q4 R M ® o Ü ¼
 CdS ~ à Ì} Œ • ] j› ¸/ B N& ñ s  _ þ vd ” / B N& ñ s  9 Ä »1 l q # Œ ¨ 8 Š â \  K \  v “ ¦ ] j# Q$ í , F

‰ & ³$ í , ’  ø @$ í › ' a& h \ " f inline process & h { © œ t  · ú § “ ¦ · ú ˜ 94 R e ”  . ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f  H CIGS I € ª œ

„

 t _  ] j› ¸\  e ” # Q, CdS ~ à Ì} Œ •`  ¦ @ /^ ‰½ + É Ã º e ”   H ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ 7 £ x ‚ à ̽ + É Ã º e ” • ¸2 Ÿ ¤ plasma damage\  ¦ þ j

™

è– Ð   H RF  Õ ªW 1à ԏ : r Û ¼( ' a A  © œq \  ¦ > h‚   % i “ ¦, ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ • # Œ Û ¼Ó ü t ô  Ç/ B M _  0 Au _  ¿ º a

\  ¦ 8 £ ¤& ñ  9 ~ à Ì} Œ • ¿ ºa _  ç  H{ 9 • ¸\  ¦ › ¸  % i  . SEM, AFM 1 p x`  ¦ : Ÿ x # Œ ZnS ~ à Ì} Œ •_  ³ ð€   grain morphology\  ¦ › ' a ¹ 1 Ï % i  . ¢ ¸ô  Ç ~ à Ì} Œ •_  ç  H{ 9 • ¸ 1.65% s ? / ÷ &  H þ j& h  7 £ x ‚ Ã Ì › ¸| `  ¦ • ¸Ø  ¦ % i  .

s

   õ – РÒ'   o† < Æ& h  _ þ vd ” / B N& ñ Ü ¼– Ð ] j Œ •ô  Ç CdS ~ à Ì} Œ •˜ Ð  › ¸f ” s  u x 9  “ ¦  8¹ ¡ ¤ ç  H{ 9 ô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ •

` 

¦ Û ¼( ' a A ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð ] j Œ •½ + É Ã º e ” % 3 Ü ¼ 9 · ú ¡Ü ¼– Ð _ þ vd ” / B N& ñ \ O s  | d ” / B N& ñ Ü ¼– Ðë ß – “ ¦´ òÖ  ¦ CIGS I € ª œ

„

 t  ] j› ¸ 0 p x † < Ê`  ¦ S X ‰ “   % i  .

1333

This is an Open Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License

(http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any

medium, provided the original work is properly cited.

PACS numbers: 81.15.Cd

Keywords: CIGS I € ª œ„  t , ZnS ~ à Ì} Œ •, RF  Õ ªW 1à ԏ : r Û ¼( ' a A  © œq , ! Q( 8 £ x

I. " e  ] Ø

I

€ ª œ F  g \  -t \  ¦ „  l \  -t – Ð   ¨ 8 Š r v   H I € ª œ„  t 



 H  o$ 3 ƒ  « Ñ  6   x \  _ ô  Ç s í ß – oò ø ͙ è C Ø  ¦ M :ë  H \  µ 1 ÏÒ q t

  H “ : rz  ´´ òõ _  % i  9 \ O   H • 2 ;¨ 8 Š â & h “   כ ¹“  , Á º“  • ¸

 ü @ö ø Í / B M \ " f• ¸ [ O u  0 p x ô  Ç & h , Á ºô  Ç / B N/ å L 0 p x ô  Ç \ 



-t    H & h õ  Á º™ è6 £ § 1 p x _   © œ& h Ü ¼– Ð “   # Œ ´ ú §“ É r ’  F  Ò q

t \  -t  l Õ ü t x 9  0 l qÒ  oí ß –\ O s  @ /¿ º÷ &  H î  r X < : £ ¤ y  I 

€

ª œ F  g í ß –\ O “ É r y Œ •² D G & ñ  Ò_  t " é ¶& ñ Õ þ ˜õ  † < Êa  / å L   >  S X ‰ @ /

÷

&“ ¦ e ”  . I € ª œ F  g í ß –\ O “ É r I € ª œ„  t , I € ª œ„  t  — ¸Ñ ý t, „  l 



 ¨ 8 Š  © œu – Ð ½ ¨ì  r ½ + É Ã º e ”  . I € ª œ„  t  — ¸Ñ ý t“ É r ü @ Ò\ " f

—

¸Ñ ý t Ê ê€  Ü ¼– Ð [ þ t # Qš ¸  H _ þ v l \  ¦ ~ ½ Ót    H Ä »o  ¢ ¸  H F K 5

Å

q _  back sheet, I € ª œ„  t \  ¦ ˜ Р ñ   H Ê ê€   Ø  æ”  F , I 

€

ª œ„  t  ! s q, „  €   Ø  æ”  F , „  €   ˜ Р ñÄ »o  l ó ø ÍÜ ¼– Ð ½ ¨$ í ÷ &

#

Q e ”   [1]. I € ª œ“ ¦• ¸ ± ú  | 9  M : y Œ ™™ è÷ &  H I € ª œ F  g _  È Ò õ

Ö  ¦`  ¦ 7 £ x r v l  0 A # Œ ˜ Р ñÄ »o  l ó ø Í`  ¦ כ ¹^ o =½ ¨› ¸– Ð ]

j Œ • # Œ I € ª œ„  t  — ¸Ñ ý t _    ¨ 8 Š ´ òÖ  ¦`  ¦ 7 £ x r v “ ¦ e ”   [2]. ‰ & ³F  I € ª œ„  t l Õ ü t“ É r z  ´o – B H I € ª œ„  t ,  o½ + ËÓ ü t ì ø ͕ ¸

^

‰ I € ª œ„  t , Ä »l ~ à Ì} Œ •+ þ A I € ª œ„  t – Ð
¾ º# Q”   . Ä »l 

~ Ã

Ì} Œ •+ þ A I € ª œ„  t   H @ /€  & h  o,  â | ¾ Ó o, $ q 6   x,  € ª œô  Ç


”

¸™ èF ü <_  ] X 3 l q s  0 p x ô  Ç  © œ& h  1 p x`  ¦ t “ ¦ e ” Ü ¼Ù ¼– Ð

‰

&

³F  ´ ú §“ É r ƒ  ½ ¨ ”  ' Ÿ ÷ &“ ¦ e ”   [3–6]. þ j   H  t  I € ª œ„   t

_  F  g„    ¨ 8 Š ´ òÖ  ¦ _  / B Nd ” & h  þ j“ ¦l 2 Ÿ ¤“ É r GaAs >   Œ ™×  æ ] X

½ + Ë I € ª œ„  t _   â Ä º | 9 F  g › ¸| \ " f 40.7% s  9, s  : r& h 

“

  ô  Ç> u   H 63.1% s   [7]. GaAs>  ì ø ͕ ¸^ ‰  H  © œ“ : r \ " f 1.42 eV _   ½ ™× ¼ Ì “ s`  ¦ t   H f ” ] X …  ;s + þ A ì ø ͕ ¸^ ‰– Ð ç ß –] X  …

 ;s + þ A“   Si>  ì ø ͕ ¸^ ‰˜ Ð  F  g„    ¨ 8 Š ´ òÖ  ¦ s  Z  } “ ¦ s 7 á x] X 

½

+ Ës  0 p x # Œ tandem+ þ A I € ª œ„  t  ] j› ¸ 0 p x ô  Ç  © œ& h 

`

 ¦ t “ ¦ e ”  . é ß –{ 9 F  g   (single photon)  à º " l or — : r Ò q

t$ í (multi-exciton generation, MEG)`  ¦ ô  Ç   H ] jî ß –õ 

×

 æ ç ß – ½ ™× ¼\  › ' a ô  Ç ƒ  ½ ¨ [8] x 9  € ª œ & h  (quantum dot, QD) _

  Òï  r 0 A MEG\  & h ½ + Ëô  Ç ×  æ ç ß – ½ ™× ¼  ) a    H ƒ  ½ ¨ [9–

11]   Ö ¸ µ 1 Ïy  s À Ò# Qt “ ¦ e ”  . é ß –  & ñ z  ´o – B H I € ª œ„  t  _

  â Ä º kW{ © œ µ 1 τ  é ß –  H $ 3 Ä »
 " é ¶  § 4 \  q  # Œ Z  }  

 â

] j$ í s  b  # Qt l  M :ë  H \  „  ^ ‰ \  -t " é ¶ \ " f t    H q

×  æ s  ± ú t ë ß – “ ¦´ òÖ  ¦ é ß –  & ñ z  ´o – B H I € ª œ„  t ü < $ 

_

    & ñ z  ´o – B H I € ª œ„  t • ¸ ´ ú §s  ƒ  ½ ¨÷ &“ ¦ e ”  . é ß –  

&

ñ õ     & ñ I € ª œ„  t  ? / Җ Ð y n Cs  þ j@ /ô  Ç f  ¨ à º÷ &• ¸2 Ÿ ¤ _

þ vd ” d ” y Œ • ~ ½ Ód ” s 
 reactive ion etching (RIE)° ú  “ É r | d ”  d ”

y Œ • ~ ½ Ód ” Ü ¼– Ð „  €  \  texturing / B N& ñ `  ¦  9 ¢ ¸, ì ø Í ~ ½ Ó

∗

E-mail: [email protected]

t

} Œ • (Anti-reflection coating)`  ¦  6   x # Œ F  g„    ¨ 8 Š ´ òÖ  ¦

`

 ¦ 7 £ x r v   H ƒ  ½ ¨   õ • ¸ ˜ Г ¦÷ &“ ¦ e ”   [12, 13]. à º

™

è o  ) a q & ñ | 9  z  ´o – B H (hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H) I € ª œ„  t   H é ß –  & ñ ,    & ñ z  ´o – B H I € ª œ„  t ˜ Ð



 F  g„    ¨ 8 Š ´ òÖ  ¦“ É r ± ú Ü ¼
 ] j› ¸/ B N& ñ é ß – & h “ ¦, $ “ : r /

B N& ñ s  0 p x “ ¦, @ /+ þ A o 0 p x “ ¦, e  ¦ o  Q l ó ø Í`  ¦   6

 

x # Œ e  ¦ 7 ˜r ^  ¦ ô  Ç I € ª œ„  t  ] j› ¸ 0 p x ô  Ç & h  1 p x _   © œ

&

h s  ´ ú § .

CIGS I € ª œ„  t   H Cu, In, Ga, Se _  y Œ • " é ¶ ™ è\  ¦ 1 l x r \ 

”

 / B N 7 £ x µ 1 Ïr v €  " f › ¸$ í `  ¦ ] j# Q   H co-evaporation ~ ½ Ó Z O

Ü ¼– Ð z  ´+ « >z  ´\ " f ë ß –Ž  H ~ à Ì} Œ •+ þ A I € ª œ„  t  ×  æ \ " f  © œ Z

 }“ É r ´ òÖ  ¦ (20.3%)`  ¦ l 2 Ÿ ¤ “ ¦ e ” # Q [14], “ ¦´ òÖ  ¦, $ q 6   x _

  © œ& h Ü ¼– Ð z  ´o – B H I € ª œ„  t \  ¦ @ /’  ½ + É Ã º e ”   H ~ à Ì} Œ •+ þ A I

€ ª œ„  t – Ð Å Ò3 l q ~ à Γ ¦ e ”  . Al-doped zinc oxide (AZO)

~ Ã

Ì} Œ •s  ITO ~ à Ì} Œ •`  ¦ @ /’   # Œ È Ò" î „  • ¸$ í „  F G Ü ¼– Ð ´ ú §s 



6   x ÷ &“ ¦ e ”   [15]. @ /³ ð& h “   CIGS I € ª œ„  t _  ½ ¨› ¸  H Mo Ê ê€   „  F G, CIGS f  ¨ à º8 £ x, CdS ! Q( 8 £ x, ZnO „  €   „   F

G Ü ¼– Ð s À Ò# Q”   . 900 cm ² _  @ /€  & h  CIGS I € ª œ„  t 

—

¸Ñ ý t \ " f 15.5%_  F  g„    ¨ 8 Š ´ òÖ  ¦ s  ˜ Г ¦÷ &% 3   [16]. @ /

€

 & h  CIGS I € ª œ„  t  ] j Œ •`  ¦ 0 Aô  Ç ‚  + þ A7 £ x µ 1 Ï" é ¶ > hµ 1 σ  ½ ¨

•

¸ ² D G ? /\ " f ”  ' Ÿ ÷ &“ ¦ e ”   [17]. CIGS I € ª œ„  t   H p+ þ A ì

ø ͕ ¸^ ‰“   CuInSe ₂ ~ à Ì} Œ •õ  n+ þ A ì ø ͕ ¸^ ‰“   window8 £ x Ü ¼– Ð



6   x ÷ &  H ZnO ~ à Ì} Œ •s  pn] X ½ + Ë`  ¦ + þ A$ í ô  Ç . t ë ß – ¿ º Ó ü t

| 9

“ É r     © œÃ ºü < \  -t   ½ ™× ¼ Ì “ s_  s  ß ¼l  M :ë  H \  ] X

½ + Ë`  ¦ + þ A$ í l  0 AK " f  H  ½ ™× ¼ Ì “ ss  ¿ º Ó ü t| 9 _  ×  æ ç ß –\  0

Au    H ! Q( 8 £ x Ü ¼– Ð CdS ~ à Ì} Œ •`  ¦ ´ ú §s   6   x ô  Ç  [18–

21]. CdS ~ à Ì} Œ •“ É r ± ú “ É r  ½ ™× ¼ Ì “ s (2.4 eV)Ü ¼– Ð CIGS8 £ x \ " f _

 F  gf  ¨ à ºÖ  ¦`  ¦ y Œ ™™ èr v “ ¦   É r ~ à Ì} Œ •õ   H ² ú ˜o  chemical bath deposition (CBD) s    H _ þ vd ”  / B N& ñ `  ¦  6   x # Œ ] j



Œ

•   H X < purified-water\  ¦ ´ ú §s   6   x “ ¦ Ä »1 l q ô  Ç æ ¼Y Ul 

\

 ¦ C Ø  ¦  9 ] j# Q$ í , F ‰ & ³$ í , ’  ø @$ í › ' a& h \ " f inline pro- cess  & h { © œ t  · ú § “ ¦ · ú ˜ 94 R e ”  . s \  ¦ K    l  0 A

# Œ Cd s  ' ‘ ÷ &t  · ú §  H Ó ü t| 9 s €  " f ”  / B N 7 £ x ‚ à ÌZ O s   0

p

x ô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦  6   x   H / B N& ñ l Õ ü t > hµ 1 Ïs  B Ä º ×  æ כ ¹ 



. ‰ & ³F  Cd s  \ O   H ! Q( 8 £ x 7 £ x ‚ à Ìl Õ ü t – Ð atomic layer de- position (ALD) ü < spray-ion layer gas reaction (ILGAR)

~

½ ÓZ O 1 p x s  > hµ 1 Ï÷ &“ ¦ e ”   [22,23]. ALD-ZnO/Zn(O,S) s 

×

 æ ! Q( 8 £ x`  ¦  6   x ô  Ç CIGS I € ª œ„  t _  ´ òÖ  ¦“ É r 18.5% s 

%

3   [22]. þ j   H ALD-Zn(O,S) ! Q( 8 £ x õ  MOCVD-ZnO:B window8 £ x`  ¦ › ¸½ + Ëô  Ç CIGS I € ª œ„  t \  › ' a ô  Ç ƒ  ½ ¨• ¸ ˜ Г ¦

÷

&% 3   [24]. Cd-free ! Q( 8 £ x Ü ¼– Ð  6   x ÷ &  H F « і Ð ZnS,

ZnSe, Zn(OH,S), Zn(OH,Se) In(OH,S) 1 p x s  ƒ  ½ ¨÷ &“ ¦ e ” 

Table 1. Experimental conditions for the ZnS films de- composition.

Parameters Value

S ubstrate soda lime glass Target size 4 inches in diameter Ar gas flow 20 sccm

Base pressure 8 × 10

⁻⁶

torr Working pressure 5 × 10

⁻²

torr Substrate temperature 20

^◦

C, 500

^◦

C, 600

^◦

C Sputter gun power 200 W

Distance sample to target 100 mm, 150 mm



. : £ ¤ y  carbon nanotube (CNT)   H& h ü @‚  % ò % i  (800 - 1800 nm) \ " f F  gf  ¨ à º a % ~ “ ¦ Z  }“ É r carrier mobility M : ë

 H \  þ j   H ƒ  ½ ¨ ”  ' Ÿ ÷ &“ ¦ e ”   [25,26]. Cd-free ! Q( 8 £ x

`

 ¦ ] j Œ •   H 1 l x î ß – plasma damage– Ð “  ô  Ç CIGS8 £ x _  ³ ð

€

  ’ < H  © œ 1 p x _  " é ¶ “   M :ë  H \  CIGS I € ª œ„  t _  ´ òÖ  ¦ s  2 ∼ 3% y Œ ™™ è÷ &  H  כ Ü ¼– Ð ˜ Г ¦÷ &“ ¦ e ”  . s  Qô  Ç ´ òÖ  ¦ ’ < Hz  ´`  ¦

~

½ Ót  l 0 A # Œ  H ³ ð€   ’ < H  © œ`  ¦ þ j™ è o   H ZnS ~ à Ì} Œ •] j

›

¸ / B N& ñ l Õ ü t s  € 9 כ ¹  . CIGS 8 £ x _  ³ ð€  \  " é ¶   H ¿ º a

\  ¦ t  9 ç  H{ 9 ô  Ç Cd-free ! Q( 8 £ x`  ¦ + þ A$ í   H  כ “ É r B  Ä

º # Q§ >  “ ¦ · ú ˜ 94 R e ”  .

‘

: r ƒ  ½ ¨\ " f  H CIGS I € ª œ„  t _  ! Q( 8 £ x Ü ¼– Ð  6   x  0

p

x ô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ 7 £ x ‚ Ã Ì   H 1 l x î ß – e  ¦  Ý ¼  Û ¼– Ð “  ô  Ç

³

ð€  ’ < H  © œ`  ¦ þ j™ è o½ + É Ã º e ” • ¸2 Ÿ ¤ Û ¼( ' a A  © œq \  ¦ > h‚   

“

¦, > h‚   ) a Û ¼( ' a A  © œq \  ¦  6   x # Œ ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ • ô

 Ç . ~ à Ì} Œ • : £ ¤$ í _  q “ §\  ¦ 0 A # Œ CBD ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Е ¸ CdS

~ Ã

Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ • % i  . ] j Œ •ô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ •_  ½ ¨› ¸& h  : £ ¤$ í `  ¦ ì

 r$ 3  # Œ  o† < Æ& h  _ þ vd ” / B N& ñ Ü ¼– Ð ] j Œ •ô  Ç CdS ~ à Ì} Œ •˜ Ð  › ¸ f ”

s  u x 9  “ ¦  8¹ ¡ ¤ ç  H{ 9 ô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ • “ ¦  ô  Ç



.

II. ÷ m Ç] M ö U ê s0 n É

Û

¼( ' a A`  ¦   H 1 l x î ß – e  ¦  Ý ¼  Û ¼– Ð “  ô  Ç 7 £ x ‚ à Ì÷ &



 H ZnS ~ à Ì} Œ •_  ³ ð€   damage\  ¦ þ j™ è– Ð l  0 A # Œ l ” > r _

 Û ¼( '  | õ   Ø Ô>  [ O >  x 9  ] j Œ •`  ¦ # Œ > h‚   ) a RF



Õ ªW 1à ԏ : r Û ¼( ' a A r Û ¼% 7 ›`  ¦ ] j Œ • % i  . ZnS ~ à Ì} Œ •“ É r

>

h‚   ) a RF  Õ ªW 1à ԏ : r Û ¼( ' a A r Û ¼% 7 ›`  ¦ s 6   x # Œ ™ è



 e ”  Ä »o l ó ø Í0 A\  7 £ x ‚ Ã Ì % i  . Ä »o  l ó ø Í_  ß ¼l   H 12.5 cm × 12.5 cm s  . Ä »o  l ó ø Í_  ³ ð€   Ô  ¦í  HÓ ü t`  ¦ ] j



 l  0 A # Œ  [ j— : r, B jò ø Í`  ¦, x 9  deionized water\  ¦   6

 

x # Œ œ í6 £ §   [ j& ñ Ü ¼– Ð „  % ƒo  õ & ñ `  ¦ % i  . ZnS ~ Ã Ì }

Œ

•_  7 £ x ‚ à ̛ ¸| _  { 9 ì ø Í& h “     à º  H l ó ø Í_  “ : r • ¸, sputter gun power, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –, l ó ø Í_   r„   # ŒÂ Ò x 9   r„  5 Å q • ¸, l 

Fig. 1. A drawing of sputter gun for ZnS films decom- position.

ó

ø Íõ    ¿ _   o 1 p x s  . – Ð' o  * 3 á Ôü < ' ˜ Ð ì  r   * 3 á Ô (turbo molecular pump)\  ¦  6   x # Œ Õ þ ›! Q? / œ íl  ”  / B N

•

¸ (base pressure)\  ¦ 8 × 10 ⁻⁶ torr s  – Ð · ú š§ 4 `  ¦ þ j™ è



o # Œ ü @ Ò_  š ¸% i 0 p x$ í `  ¦ ×  ¦% i  . Carrier gas – Ð Ar

Û ¼\  ¦  6   x % i Ü ¼ 9, Õ þ ›! Q ? /– Ð Å Ò{ 9  # Œ / B N& ñ · ú š§ 4 “ É r 5 × 10 ⁻² torr – Ð Ä »t  % i “ ¦, Ä »5 Å q“ É r 20 sccm Ü ¼– Ð : Ÿ x{ 9 

% i  .   ¿ “ É r f ”  â 4 inch, í  H • ¸ 99.99%_  ZnS\  ¦  6   x

% i  . ZnS ~ à Ì} Œ •_  7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 30ì  r Ü ¼– Ð 1 l x{ 9  % i  .

Table 1 \  ZnS ~ à Ì} Œ •_  7 £ x ‚ Ã Ì / B N& ñ › ¸| \  @ /K  & ñ o  % i 



. 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a ZnS ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa  uniformity\  ¦ · ú ˜ ˜ Ðl  0 A 

#

Œ ¿ ºa  8 £ ¤& ñ (K-Mac, ST2000-DLXN Reflectometer)`  ¦ ô

 Ç 0 Au \  ¦ 25 mm × 25 mm ß ¼l – Ð 8 ú x 21/ B M Ü ¼– Ð
¾ º# Q

"

f à º' Ÿ  % i  . SEM`  ¦  6   x # Œ ~ à Ì} Œ •_    & ñ { 9  _  + þ A I

ü < ß ¼l , $ í  © œ+ þ AI \  ¦ S X ‰ “   % i “ ¦, AFM (Atomic Force Microscope)\  ¦  6   x # Œ ~ à Ì} Œ • ³ ð€  _  morphology\  ¦ › ' a

¹

1 Ï % i  . @ /³ ð& h “   CBD~ ½ ÓZ O `  ¦  6   x # Œ CdS ~ à Ì} Œ •• ¸ 7

£

x ‚ Ã Ì % i  . CdS ~ à Ì} Œ • ] j Œ •r  7 £ x ‚ à ̛ ¸| “ É r 7 £ x ‚ à Ìr _  “ : r

•

¸  H 60 ∼ 80 ^◦ C s  9, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 5 ∼ 10 ì  r & ñ • ¸s  .

6

  xÓ  o“ É r  l d ”  spinner– Ð ƒ  5 Å q  r„  `  ¦ % i  . SEM`  ¦   6

 

x # Œ CdS ~ à Ì} Œ •_    & ñ { 9  _  + þ AI ü < ß ¼l , $ í  © œ+ þ AI 

\

 ¦ S X ‰ “   % i  .

III. ÷ m Ç] M ö+ s ÇÊ Ý õ m Í w Š²  o

Figure 1 õ  Fig. 2  H Û ¼( ' a A`  ¦   H 1 l x î ß – e  ¦  Ý ¼ 

Û ¼– Ð “  ô  Ç 7 £ x ‚ à Ì÷ &  H ZnS ~ à Ì} Œ •_  ³ ð€   damage\  ¦ þ j

™

è– Ð l  0 A # Œ l ” > r _  Û ¼( '  | õ   Ø Ô>  [ O > ô  Ç • ¸

€

  x 9  ] j Œ •¾ ¡ §  ”  s  . ~ à Ì} Œ • 7 £ x ‚ Ã Ì   H 1 l x î ß –_  sputtering damage  H interface defects\  ¦ ë ß –[ þ t 9 open-circuit voltage (V oc ) ü < fill factor (FF)\  ¦ y Œ ™™ èr †   .   ¿ _  „  €  \  anode% i ½ + É`  ¦   H ½ ¨› ¸Ó ü t s   © œ‚ à Ì÷ &# Q e  ¦  Ý ¼  Û ¼

l

ó ø Í\  Šҍ  H % ò † ¾ Ó`  ¦ ×  ¦ # ŒÅ ғ ¦, 7 £ x ‚ à Ì÷ &  H ZnS ~ à Ì} Œ •s  ˜ Ð



  8 ç  H{ 9  >   ïh A| ¨ c à º e ” • ¸2 Ÿ ¤ [ O >  % i  . Fig. 2ü <

° ú

 “ É r Û ¼( '  | `  ¦ ] j Œ •  6   x # Œ | 9  a % ~“ É r ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ 7 £ x

Fig. 2. (Color online) A photograph of sputter gun for ZnS films decomposition.

Fig. 3. (Color online) Thickness uniformity of the ZnS films with decomposition conditions T s = 20 ^◦ C, power

= 200 W, t = 30 min., substrate rotation, d ts = 150 mm.

‚ Ã

̽ + É Ã º e ”   H „  6   x RF  Õ ªW 1à ԏ : r Û ¼( ' a A  © œq \ " f ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ 7 £ x ‚ Ã Ì % i  . ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a ZnS ~ à Ì} Œ •

`

 ¦  6   x ô  Ç CIGS I € ª œ„  t _  V oc ü < FF  H y Œ ™™ è \ O `  ¦

 כ

Ü ¼– Ð \ V © œ  ) a  .

Figure 3“ É r l ó ø ͓ : r • ¸  © œ“ : r, sputter gun power  H 200 W, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 30ì  r, l ó ø Í_   r„   5 Å q • ¸  H 10RPM, l  ó

ø Íõ    ¿ _   o  150 mm – Ð 7 £ x ‚ à Ìô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa 

Fig. 4. (Color online) Thickness uniformity of the ZnS films with decomposition conditions power = 200 W, t

= 30 min., substrate rotation, d ts = 100 mm. (a) T s = 500 ^◦ C, (b) T s = 600 ^◦ C.

\

 ¦ 0 Au \     8 £ ¤& ñ ô  Ç   õ s  . Õ ªa Ë >õ  ° ú  s  21/ B M _ 

¿

ºa \  ¦ ST2000-DLXN Reflectometer\  ¦  6   x # Œ 8 £ ¤& ñ

“ ¦ ¿ ºa  uniformity\  ¦ > í ß – % i  .  © œ ¿ º î  r / B M“ É r 544 nm,  © œ · û ª“ É r / B M“ É r 468 nm, ¨ î ç  H“ É r 493 nm s % 3  .

uniformity\  ¦ > í ß –   H d ” “ É r  6 £ § õ  ° ú   .

uniformity = {(max-min)/(avg×2)}×100 7

£

x ‚ Ã Ì  ) a ZnS ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa  uniformity  H ±7.72% Ü ¼– Ð  ™ è

 H ¼ # s  . Fig. 4(a)  H l ó ø ͓ : r • ¸ 500 ^◦ C, sputter gun power  H 200 W, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 30ì  r, l ó ø Í_   r„   5 Å q • ¸  H 10RPM, l ó ø Íõ    ¿ _   o  100 mm– Ð 7 £ x ‚ à Ìô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ • _

 ¿ ºa \  ¦ 0 Au \     8 £ ¤& ñ ô  Ç   õ s  .  © œ ¿ º î  r / B M

“

É r 524nm Ü ¼– Ð Fig. 3\  q  # Œ 20 nm · û ª & ’  .,  © œ · û ª

“ É

r / B M“ É r 468 nm – Ð Fig. 3ü < ° ú  € Œ ¤ . ¿ ºa  ¨ î ç  H“ É r 483 nm s

% 3  . 7 £ x ‚ Ã Ì  ) a ZnS ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa  uniformity  H ±5.78%

Ü

¼– Ð l ó ø ͓ : r • ¸  © œ“ : r{ 9  M :˜ Ð  €  •ç ß –  8 ç  H{ 9 ô  Ç ~ à Ì} Œ •`  ¦ ]

j Œ •½ + É Ã º e ” % 3  . Fig. 4(b)  H l ó ø ͓ : r • ¸ 600 ^◦ C, sput- ter gun power  H 200 W, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 30ì  r, l ó ø Í_   r„   5

Å

q • ¸  H 10RPM, l ó ø Íõ    ¿ _   o  100 mm– Ð 7 £ x ‚ à Ìô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ • uniformity\  ¦ 0 Au \     8 £ ¤& ñ ô  Ç   õ s  . 



© œ ¿ º î  r / B M“ É r 509 nm,  © œ · û ª“ É r / B M“ É r 492 nm, ¨ î ç  H

“

É r 503 nm s % 3  . ZnS ~ à Ì} Œ •_  uniformity  H ±1.65% – Ð

 © œ ç  H{ 9 ô  Ç ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ •½ + É Ã º e ” % 3  . · ú ¡Ü ¼– Ð @ /€  & h  CIGS I € ª œ„  t  — ¸Ñ ý t ] j Œ •r \ • ¸  Ö ¸6   x s  0 p x ½ + É  כ s  .

Figure 5  H l ó ø ͓ : r • ¸ 600 ^◦ C, sputter gun power 200 W, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 30ì  r, l ó ø Í_   r„   5 Å q • ¸  H 10RPM, l ó ø Í õ

   ¿ _   o  100mm“   7 £ x ‚ à ̛ ¸| Ü ¼– Ð ë ß –Ž  H ZnS ~ à Ì} Œ • _

 SEM  ”  s  .   & ñ _  ß ¼l  B Ä º { 9 & ñ “ ¦ › ¸f ” s 

Fig. 5. (Color online) SEM of the ZnS films with the same deposition conditions of Fig. 5. (a) cross section, (b) surface.

Fig. 6. (Color online) AFM of the ZnS films with the same deposition conditions of Fig. 5.

u

x 9 † < Ê`  ¦ › ' a ¹ 1 Ͻ + É Ã º e ”  . s  & ñ • ¸_  ~ à Ì} Œ •s €   ZnS ~ Ã Ì }

Œ

•7 £ x ‚ à Ìõ & ñ 1 l x î ß –\  e  ¦  Ý ¼ – Ð “  ô  Ç ³ ð€  ’ < H  © œs  þ j™ è o

÷

&# Q F  g„    ¨ 8 Š ´ òÖ  ¦ _  y Œ ™™ è \ O   H CIGS I € ª œ„  t _  ! Q (

8 £ x Ü ¼– Ð  6   x 0 p x ô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j› ¸ô  Ç  כ s   ½ + É Ã º e ”

 . Fig. 6“ É r l ó ø ͓ : r • ¸ 600 ^◦ C, sputter gun power  H 200 W, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 30ì  r, l ó ø Í_   r„   5 Å q • ¸  H 10RPM, l

ó ø Íõ    ¿ _   o  100 mm“   7 £ x ‚ à ̛ ¸| Ü ¼– Ð ë ß –Ž  H ZnS

~ Ã

Ì} Œ •_  ³ ð€    © œI \  ¦ › ' a ¹ 1 Ïô  Ç AFM  ”  s  . 12.5 µm × 12.5 µm ß ¼l _  ³ ð€  \ " f ³ ð€    } 9 l _  rms ° ú כs  5.4 nm – Ð B Ä º ³ ð€  s  ¨ î ò ø ͆ < Ê`  ¦ · ú ˜ à º e ”  . T. Minemoto 1 p x

“

É r CIGS I € ª œ„  t _  ! Q( 8 £ x Ü ¼– Ð ZnO 1−x S x ~ à Ì} Œ •`  ¦ ZnO ü

< ZnS   ¿ `  ¦  6   x # Œ co-sputteering ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð ] j Œ • 

“

¦ S_  € ª œ`  ¦    or v  9 conduction band offset (CBO)

Fig. 7. (Color online) The diagram of CBD (Chemical Bath Deposition) method. Deposition conditions; tem- perature (60 ^◦ C ∼ 80 ^◦ C), time (5 ∼ 10 min).

Fig. 8. SEM of the CdS films with the CBD (Chemical Bath Deposition) method (a) cross section, (b) surface.

`

 ¦ › ¸] X  % i  . x = 0.18 { 9  M : CdS\  ¦  6   x ô  Ç I € ª œ„  t 

´

òÖ  ¦ _  90% s  © œ`  ¦ ² ú ˜$ í ½ + É Ã º e ” % 3   [27]. M. Nieü <

K. Ellmer  H dc reactive magnetron co-sputtering ~ ½ ÓZ O  Ü

¼– Ð CIGS ~ à Ì} Œ •`  ¦ 7 £ x ‚ Ã Ì €  " f X-ray diffraction (XRD), SEM, AFM`  ¦ › ' a ¹ 1 Ï % i   [28]. 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –s  t 
€  " f / B N

—

¸€ ª œ_  ³ ð€   grain morphology
 
 9 grain size

7

£

x ÷ &% 3  . Fig. 5ü < Fig. 6`  ¦ ˜ Ѐ   · ú ¡_   7 Hë  H õ  Ä » ô  Ç

³

ð€   grain morphology\  ¦ ^  ¦ à º e ”  .

Figure 7“ É r { 9 ì ø Í& h “   CBD (Chemical Bath Deposi- tion) ~ ½ ÓZ O `  ¦
  · p Õ ªa Ë >s  . ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f  6   x ô  Ç CdS

~ Ã

Ì} Œ •_  7 £ x ‚ à ̛ ¸| “ É r 7 £ x ‚ à Ìr _  “ : r • ¸  H 60 ^◦ C ∼ 80 ^◦ C s 

9, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 5 ∼ 10ì  r & ñ • ¸s  . 6   xÓ  o“ É r  l d ”  spin-

ner – Ð ƒ  5 Å q  r„  `  ¦ % i  . Fig. 8“ É r CBD ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð 7 £ x ‚ à Ì

 )

a CdS ~ à Ì} Œ •_  SEM  ”  s  . s    õ   H   É r Õ ªÒ  ¨ \ 

"

f ˜ Г ¦  ) a   õ ü < B Ä º q 5 p w  . CdS ~ à Ì} Œ •? /   & ñ _  ß ¼ l

 Fig. 5ü < q “ § # Œ  © œ{ © œy  ß ¼>  $ í  © œ  9, ³ ð€  \ 

"

f_  › ¸f ” • ¸ % í $ í † < Ê`  ¦ › ' a ¹ 1 Ͻ + É Ã º e ”  . @ / Òì  r _  ƒ  ½ ¨ Õ

ªÒ  ¨ \ " f CIGS I € ª œ„  t  ] j› ¸r  ! Q( 8 £ x Ü ¼– Ð  6   x×  æ“   CdS8 £ x“ É r _ þ vd ” / B N& ñ `  ¦ : Ÿ x # Œ ] j Œ • # Œ M ® o  . ‘ : r ƒ  ½ ¨\ 

"

f  H CIGS I € ª œ„  t \ " f CdS8 £ x`  ¦ @ /’  ½ + É Ã ºe ”   H Ó ü t| 9 

–

Ð ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ | d ” / B N& ñ “   rf  Õ ªW 1à ԏ : r Û ¼( ' a A  © œq 

\

 ¦  6   x # Œ ] j Œ • % i  . Cd-frees €  " f CIGS I € ª œ„  t 

\

 ¦ ] j Œ •   H „  ^ ‰ ] j Œ •õ & ñ `  ¦ | d ” / B N& ñ `  ¦ : Ÿ x # Œ “ ¦´ ò Ö

 ¦ CIGS I € ª œ„  t \  ¦ ] j Œ •½ + É Ã º e ” `  ¦  כ s  .

IV. + s Ç Â ] Ø

‰

&

³F  CIGS I € ª œ„  t \ " f ! Q( 8 £ x Ü ¼– Ð  6   x ÷ &“ ¦ e ”   H CdS ~ à Ì} Œ •`  ¦ @ /^ ‰½ + É Ã º e ”   H ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j› ¸½ + É Ã º e ” 

•

¸2 Ÿ ¤ Û ¼( '  | `  ¦ D h\  v >  ] j Œ • # Œ rf  Õ ªW 1à ԏ : r Û ¼(  '

a A  © œq \  ¦ > h‚   % i  . Ä »o  l ó ø Í0 A\  > h‚   ) a rf  Õ ª W

1à ԏ : r Û ¼( ' a A  © œq \  ¦  6   x # Œ ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ 7 £ x ‚ Ã Ì # Œ ZnS ~ à Ì} Œ •_  ½ ¨› ¸& h , F « Ñ& h  : £ ¤$ í `  ¦ x × ¼Ñ þ ˜  9 ƒ  ½ ¨ 

%

i  . D h– Ð [ O >   ) a Û ¼( '  | õ  l ó ø Í  r„  `  ¦ : Ÿ x # Œ e  ¦   Ý

¼  damage\  ¦ þ j™ è– Ð   H ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ Û ¼( ' a A ~ ½ ÓZ O  Ü

¼– Ð 7 £ x ‚ à ̽ + É Ã º e ” % 3 Ü ¼ 9 ZnS~ à Ì} Œ •_  | 9 õ  ç  H{ 9 • ¸\  ¦ † ¾ Ó © œ r

†   þ j& h  7 £ x ‚ à ̛ ¸| `  ¦ • ¸Ø  ¦ % i  . l ó ø ͓ : r • ¸ 600 ^◦ C, sputter gun power  H 200 W, 7 £ x ‚ à Ìr ç ß –“ É r 30ì  r, l ó ø Í_   r

„

  5 Å q • ¸  H 10RPM, l ó ø Íõ    ¿ _   o  100 mm– Ð 7 £ x ‚ Ã Ì ô

 Ç ZnS ~ à Ì} Œ •_  uniformity ±1.65%– Ð B Ä º ç  H{ 9 ô  Ç ZnS

~ Ã

Ì} Œ •`  ¦ ] j Œ •½ + É Ã º e ” % 3  . SEMõ  AFM`  ¦ : Ÿ x # Œ / B N — ¸

€

ª œ_  ³ ð€   grain morphology\  ¦ › ' a ¹ 1 Ͻ + É Ã º e ” % 3  . ~ à Ì} Œ • :

£ ¤$ í _  q “ §\  ¦ 0 A # Œ CBD ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Е ¸ CdS ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j



Œ

• # Œ SEMÜ ¼– Ð ½ ¨› ¸& h  : £ ¤$ í `  ¦ ì  r$ 3  % i  . _ þ vd ” / B N& ñ

“

  CBD ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð ] j Œ •ô  Ç CdS ~ à Ì} Œ •˜ Ð  | d ” / B N& ñ `  ¦ : Ÿ x

# Œ CIGS ~ à Ì} Œ •+ þ A I € ª œ„  t _  ! Q( 8 £ x Ü ¼– Ð  6   x ÷ &  H, › ¸ f ”

s  u x 9  “ ¦  8¹ ¡ ¤ ç  H{ 9 ô  Ç ZnS ~ à Ì} Œ •`  ¦ % 3 `  ¦ à º e ” % 3  .

_

þ vd ” / B N& ñ \ O s  | d ” / B N& ñ Ü ¼– Ðë ß – “ ¦´ òÖ  ¦ CIGS ~ à Ì} Œ •+ þ A I 

€

ª œ„  t  ] j› ¸ 0 p x † < Ê`  ¦ S X ‰ “   % i “ ¦, ³ ð€   Ï ã J/ B G s  e ”   H e

 ¦ o  Q– Ð  ) a l ó ø Í\  ’ < H  © œ`  ¦ þ j™ è o   H CIGS ~ à Ì} Œ •+ þ A I 

€

ª œ„  t  ] j Œ •• ¸ 0 p x ½ + É  כ Ü ¼– Ð l @ /  ) a  .

P

c p 8 ý ò k >

‘

: r ƒ  ½ ¨  H í ß –† < Æ / B N1 l x l Õ ü t > hµ 1 Ï t " é ¶  \ O  x 9  2013¸    â { 9

@ /† < Ɠ § ƒ  ½ ¨q \  _  # Œ à º' Ÿ ÷ &% 3 Ü ¼ 9, ´ ú §“ É r • ¸¹ ¡ §`  ¦ Å

Ғ   (Å Ò)· ú ˜ e  ¦  QÛ ¼ S ! • ¸" é ¶   © œ_ ” a • ¸ y Œ ™ × ¼w n m  .

REFERENCES

[1] J. Yi, J. Korean Vac. Soc. 16, 161 (2007).

[2] D. Y. Kong, D. H. Kim, S. H. Yun, Y. H. Bae and I. S. Yu et al., J. Korean Vac. Soc. 20, 233 (2011).

[3] Y. M. Nam, J. Huh and W. H. Jo, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 94, 1118 (2010).

[4] H. Ohkita and S. Ito, Polymer 52, 4397 (2011).

[5] J. Yang, W. Chen, B. Yu and H. Wang, Organ. Elec- tron. 13, 1018 (2012).

[6] I. J. No, S. Lee and P. K. Shin, J. Kor. Vac. Soc.

22, 211 (2013).

[7] A. Luque and A. Marti, Phys. Rev. Lett. 78, 5014 (1997).

[8] A. Luque and A. Marti, Phys. Adv. Mater. 22, 160 (2010).

[9] T. Gu, M. A. El-Emawy, K. Yang, A. Stintz and L.

F. Lester, Appl. Phys. Lett. 95, 261106 (2009).

[10] D. Guimard, R. Morihara, D. Bordel, K. Tanabe and Y. Wakayama et al., Appl. Phys. Lett. 96, 203507 (2010).

[11] C. G. Bailey, D. V. Forbes, R. P. Raffaelle and S.

M. Hubbard, Appl. Phys. Lett. 98, 163105 (2011).

[12] T. Oh, J. Kor. Vac. Soc. 20, 189 (2011).

[13] K. M. Park, J. H. Jung, S. I. Bae, S. Y. Choi and M. B. Lee, J. Kor. Vac. Soc. 20, 225 (2011).

[14] P. Jackson, D. Hariskos, E. Lotter, S. Paetel and R.

Wuerz et al., Prog. Photovolt: Res. Appl. 19, 894 (2011).

[15] Z. H. Li and S. J. Kwon, Appl. Surf. Sci. 284, 379 (2013).

[16] F. Karg, Energy Procedia 15, 275 (2012).

[17] J. H. Seo, S. W. Jung, W. S. Lee, Y. S. Choi and M. W. Choi et al., J. Kor. Vac. Soc. 22, 1 (2013).

[18] S. Aksu, J. Wang and B. M. Basol, Electrochem.

Solid-State Lett. 12, D33 (2009).

[19] C. Y. Su, W. H. Ho, H. C. Lin, C. Yo. Neih and S.

C. Liang, Sol. Energy Mater. Sol. C. 95, 261 (2011).

[20] M. Acciarri, S. Binetti, A. Le Donne, B. Lorenzi and L. Caccamo et al., Cryst. Res. Technol. 46, 871 (2011).

[21] S. H. Choi, J. J Park, J. O. Yun, Y. H. Hong and I.

S. Kim, J. Korean Vac. Soc. 21, 142 (2012).

[22] A. Hultqvist, C. Platzer-Bjorkman, E. Coronel and

M, Edoff, Solar Energy Mater. Sol. Cells 95, 497

(2011).

[23] C. H. Fischer, N. A. Allsop, S. E. Gledhill, T. K.

Ohler and M. Kruger et al., Solar Energy Mater.

Sol. Cells 95, 1518 (2011).

[24] T. Kobayashi, T. Kumazawa, Z. J. Kao and T.

Nakada, Solar Energy Mater. Sol. Cells 119, 129 (2013).

[25] J. Jia, S. P. Ju, D. Shi and K. F. Lin, J. Appl. Phys.

111, 013704 (2012).

[26] N. E. Gorji and M. Houshmand, Physica E 50, 122 (2013).

[27] T. Minemoto, A. T Okamoto and H. Takakura, Thin Solid Films 519, 7568 (2011).

[28] M. Nie and K. Ellmer, Thin Solid Films 536, 172

(2013).