66 공업화학 전망, 제11권 제4호, 2008
세계 최초로 실리콘 기판상에 그라핀 박막 제작
도호쿠(東北) 대학의 스에미츠 마키(末光眞希) 교수 등은 세계 최초로 실리콘 기판 위에 그라 핀 박막을 제작하는데 성공했다.
그라핀은 탄소원자가 벌집과 같은 그물망 모양으로 배열된 2차원 시트이다. 그 속에서는 전자 가 무게가 없는 입자와 같이 행동하기 때문에 트랜지스터나 초대규모 집적 회로를 구성하는 반 도체 디바이스 재료의 주류격인 실리콘 결정보다 한 자리 이상 높은 전자수송 특성을 보인다. 그 라핀이 갖는 이러한 뛰어난 특성은 이전(2004년)부터 알려졌지만 지금까지는 실리콘 기판 위에 그라핀 박막을 형성하는 방법 없어 그라파이트(흑연) 결정으로부터 그라핀 박막을 점착테이프로 1장씩 떼어 실리콘 기판 위에 전사(轉寫)하는 원시적인 방법밖에 없었다. 금번 실제 반도체 집적 가공 프로세스에 이용할 수 있는 결정 성장 기술로 그라핀 형성을 실리콘 기판 상에서 성공한 것은 꿈의 그라핀 재료를 대규모 집적 회로에 적용하는 길을 열었다는 의미에서 획기 적인 성과다.
본 연구는 JST의 ‘전략적 창조연구 추진사업(CREST)’의 연구 성과이며, 2008년 6월 30일에 더블린에서 개최되는 제14회 고체박막표면 국제회의에서 발표되었다.
Figure 2. 그라핀의 구조
출처 : JST 2008.06.24 (http://www.js.go.jp) 소 대 섭 (KISTI)
