• 검색 결과가 없습니다.

[신기술 소개] JST, 순도 99%의 반도체성 단층 탄소나노튜브를 선택적으로 분리하는 ‘탈착형 가용화제’ 개발 - 역동적 초거대 분자 배위 화학에 기초하여 개발한 ‘분해-탈착형’ 고효율 반도체성 나노 튜브 분리제 -

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "[신기술 소개] JST, 순도 99%의 반도체성 단층 탄소나노튜브를 선택적으로 분리하는 ‘탈착형 가용화제’ 개발 - 역동적 초거대 분자 배위 화학에 기초하여 개발한 ‘분해-탈착형’ 고효율 반도체성 나노 튜브 분리제 -"

Copied!
1
0
0

로드 중.... (전체 텍스트 보기)

전체 글

(1)

http://www.ksiec.or.kr

52

공업화학 전망, 제17권 제6호, 2014

JST, 순도 99%의 반도체성 단층 탄소나노튜브를 선택적으로 분리하는

‘탈착형 가용화제’ 개발

- 역동적 초거대 분자 배위 화학에 기초하여 개발한 ‘분해-탈착형’ 고효율 반도체성 나노 튜브 분리제 -

일본 JST 전략적 창조연구추진사업의 일환으로 큐슈대학(九州大学) 대학원 공학연구원/카본뉴트럴에너 지국제연구소(I

2

CNER)의 나카시마 나오토시(中嶋直敏) 교수, 토시미츠 후미유키(利光史行) 조교 등의 연구 그룹은 반도체성 탄소나노튜브(CNT)를 선택적으로 고농도로 분리한 후, 나노 튜브로부터 깨끗이 분리되는 가용화제를 개발했다. CNT는 반도체성 CNT와 금속성 CNT의 혼합물로 합성되는데, 이들의 효율적인 분 리는 CNT가 다양한 분야(전자 에너지, 나노 재료, 환경 등)로 응용되기 위한 기반 기술이다.

차세대 전자 디바이스의 재료로서 주목되는 반도체성 CNT의 분리 방법으로는 대량의 계면 활성제를 이 용하는 밀도구배분리법이나 전기영동법 등이 보고되고 있는데 일반적으로 가용화제의 완전한 제거는 간단 하지 않다.

연구진은 가역적으로 ‘형성-분해’가 가능하며 반도체성 CNT에 대해 선택 분리 능력을 갖는 ‘초거대 분 자 금속 착체형 가용화제’를 분자 설계, 합성하여 이들 분자가 반도체성 CNT를 99% 순도, 고농도로 분리 하였고, 설계대로 수용성 분자를 간편하고 완벽하게 제거하는 데 성공했다. 이 가용화 분자는 ‘재생’이 가능 하며 반복하여 분리 정제에 제공될 수 있다.

본 가용화제 분자는 단층 CNT 상에서 순차적으로 초거대 분자 폴리머를 형성하는 방법 때문에 큰 스케 일에서의 고순도 분리 정제로 전개될 것으로 기대된다.

본 연구 성과는 2014년 10월 3일 영국 과학지 Nature Communications의 온라인판에 공개되었다(※ 발 표논문 참조).

※ 발표논문 참조 : Fumiyuki Toshimitsu, & Naotoshi Nakashima, “Semiconducting Single-walled Carbon Nanotubes Sorting with a Removable Solubilizer Based on Dynamic Supramolecular Coordination Chemistry”, Nature Communications, 03 October 2014.

DOI : 10.1038/ncomms6041

Figure. 가역적으로 형성된 초거대 분자 가용화제를 이용한 반도체성 단층 CNT의 선택적 추출과 재생가능한 프로세스 사이클.

출처 : 2014.10.03. JST(http://www.jst.go.jp/pr/announce/20141003/index.html)

작성 : 소 대 섭(한국과학기술정보연구원)

참조

관련 문서

중화는 배위 공유 결합(coordinate covalent bond)의 형성으로 정의... 자동이온화

널리 알려진 방법으로는 thermodynamic integration 방법, FEP(free energy perturbation) 방법, slow growth 방법 등이 있다.. Particle insertion 방법이나

고성능 에너지 흡수체 개발 고효율 베타전지 모듈. 고밴드갭 SiC 흡수체 상용화 고집적화

자연상태의 원소는 원자의 형태가 아닌 분자나 이온화합물 상태로 존재합니다. 그 이 유는 원자 상태에서는 18족 원소를 제외한 대부분의 원자가 가장 바깥쪽에 전자를

수축 응력을 측정하는 방법으로는 유한요소분석법, 광탄성법, 스트레인 게이지법 등이 존재한다 18-22). 이 중 본 연구에서는 스트레인 게이지법을 사용하였는데 이

박막 태양전지에는 CIS, 비정질 실리콘, CdTe, 염료감응 태양전지 등이 있는데, 이 중 특히 염료 감응 태양전지는 값싼 유기 염료와 나노 기술을 이용하여

고분자의 계면 활성화를 위해 저온 플라즈마를 사용하는 것은 이미 1968년 Beauchamp와 Buttri l l 에 의해 제시되었다.고분자끼리 혹은 다른 물질과의 접

The Korean Voluntary Effort to Increase Their Airpower During the Korean War - With Special Reference to the National Fundraising Movement for Aircraft in