Growth and Optical Properties of ZnTe Thin Films Formed by Using Pulsed Laser Deposition

Growth and Optical Properties of ZnTe Thin Films Formed by Using Pulsed Laser Deposition

Chang-Sun Yoon ^∗ · Seung-Jae Nam

Department of Physics, Kunsan National University, Kunsan 573-701, Korea (Received 17 April 2014 : revised 30 April 2014 : accepted 30 April 2014)

ZnTe thin films were grown on glass substrates at various substrate temperatures ranging from 26

^◦

C to 300

^◦

C by using pulsed laser deposition. The effects of the substrate temperature on the structural and optical properties and on the surface morphology of the ZnTe thin films were investigated. X-ray diffraction and scanning electron microscope analysis showed that the ZnTe films grown at substrate temperatures above 260

^◦

C revealed good crystalline quality that was characterized by a preferred (111) orientation with polycrystalline behavior. The optical energy gap of the ZnTe films, measured at room temperature, increased with increasing substrate temperature from 26

^◦

C to 300

^◦

C and approached the bulk value of 2.26 eV. The photoluminescence spectra of the ZnTe films exhibited a sharp band-edge emission near the absorption edge without a deep- level emission peak. Particularly, the Raman spectra showed the four multiphonon modes of the longitudinal optical (LO) phonon at room temperature, which indicates good crystalline quality.

PACS numbers: 78.20.Ci, 78.66.Hf, 78.30.Fs

Keywords: ZnTe thin films, Pulsed laser deposition, X-ray diffraction, Optical absorption, Raman scattering

3 n

Ç­ Ž7 _T $ [ ” Ö «Y c l; c 8 ý” X ¢ ZnTe U c lT c l8 ý V R ËX ê sÊ Ý ° Ë Ñ] K ¡X ì Ä — ¤V R Ë

*

× <‡ ç ¡` 9 ^∗ ·  ‘ žŠ û B< 

ç 

H í ß –@ /† < Ɠ § Ó ü t o † < Æõ , ç  H í ß – 573-701

(2014¸   4 Z 4 17{ 9  ~ à Î6 £ §, 2014¸   4 Z 4 30{ 9  à º& ñ ‘ : r ~ à Î6 £ §, 2014¸   4 Z 4 30{ 9  > F  S X ‰& ñ )

` O

Û ¼Y Us $  7 £ x ‚ Ã Ì (pulsed laser deposition)Z O \  _ K   © œ“ : r \ " f 300

^◦

C  t  l ó ø ͓ : r • ¸\  ¦    or v 

€

 " f Ä »o l ó ø Í\  ZnTe ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr (   . l ó ø ͓ : r • ¸_     o\    É r ZnTe ~ à Ì} Œ •_  ½ ¨› ¸& h , F  g † < Æ& h  : £ ¤

$ í

õ  ³ ð€  + þ AI \  p u   H % ò † ¾ Ó`  ¦ ^ ‰> & h Ü ¼– Ð › ¸  % i  . X-‚   r] X õ  Å Ò „   ‰ & ³p  â ì  r$ 3 `  ¦ : Ÿ x # Œ 260

^◦

C s  © œ_  l ó ø ͓ : r • ¸\ " f $ í  © œ  ) a ZnTe ~ à Ì} Œ •s  (111)~ ½ ӆ ¾ ÓÜ ¼– Ð Ä º‚  C † ¾ Ó`  ¦   H € ª œ| 9 _     & ñ ½ ¨

›

¸\  ¦ t “ ¦ e ”   H  כ `  ¦ ˜ Ð# ŒÅ Ò% 3  .  © œ“ : r \ " f 8 £ ¤& ñ ô  Ç ZnTe ~ à Ì} Œ •_  \  -t ç ß –   (energy gap)“ É r 26

^◦

C

\

" f 300

^◦

C  t  l ó ø ͓ : r • ¸   † < Ê\     7 £ x  % i Ü ¼ 9 ZnTe   & ñ _  \  -t ç ß –   (2.26 eV) \    H] X  ô

 Ç ° ú כ`  ¦
 Í Ç x . ZnTe ~ à Ì} Œ •_  µ 1 Ï F  g Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 “ É r   † < Ê\  _ ô  Ç µ 1 Ï F  g  ½ ™× ¼  H › ' a8 £ ¤ ÷ &t  · ú §€ Œ ¤“ ¦ y Œ • r « Ñ _

 \  -t ç ß –  \   © œ{ © œ   H  ½ ™× ¼= å Q µ 1 Ï F  g (band-edge emission) ë ß – Ì º§  s 
 Í Ç x . : £ ¤ y   © œ“ : r \ " f 8 £ ¤

&

ñ ô  Ç ZnTe ~ à Ì} Œ •_  Raman Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 “ É r € ª œ| 9 _    & ñ ~ à Ì} Œ •\ " f
 
  H LO Ÿ í 7 H (longitudinal optical phonon) \  @ /ô  Ç 4> h_   ×  æ Ÿ í 7 H (multiphonon) — ¸× ¼\  ¦ ˜ Ð# ŒÅ Ò% 3  .

PACS numbers: 78.20.Ci, 78.66.Hf, 78.30.Fs

Keywords: ZnTe ~ à Ì} Œ •, ` O Û ¼Y Us $ 7 £ x ‚ à Ì, X-‚    r] X , F  gf  ¨ à º,  ë ß –í ß –ê ø Í

∗

E-mail: [email protected] 512

This is an Open Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License

(http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any

medium, provided the original work is properly cited.

Growth and Optical Properties of ZnTe Thin Films Formed by· · · – Chang-Sun Yoon

^∗

et al. 513

I. " e  ] Ø

II-VI  o½ + ËÓ ü t \  5 Å q ô  Ç ZnTe  H f ” ] X „  s + þ A ì ø ͕ ¸^ ‰s  9,



© œ“ : r \ " f 2.26 eV_  \  -t ç ß –   (energy gap)`  ¦ t “ ¦ e ”

l  M :ë  H \  œ í2 Ÿ ¤Ò  o LED (light emitting diode)\  6 £ x6   x ÷ &



 H Ä »6   x ô  Ç Ó ü t| 9 s   [1,2]. ¢ ¸ô  Ç ZnTe  H I € ª œ„  t ü < _ …  K

‰Ø ÔÞ Ô (terahertz)  Ž Ø  ¦ l \  6 £ x6   x| ¨ c à º e ” l  M :ë  H \  ´ ú §“ É r

ƒ

 ½ ¨ ”  ' Ÿ ÷ &“ ¦ e ”   [3–6]. F  g„  ™ è \  ´ òÖ  ¦& h Ü ¼– Ð 6 £ x 6

 

x ÷ &l  0 AK " f  H €  & h s  ß ¼“ ¦ ¿ ºa  · û ª“ É r ZnTe   & ñ s 

€ 9

כ ¹ô  ÇX < Õ ª Qô  Ç   & ñ `  ¦ % 3 l ê ø Í ~ 1 t  · ú § .   " f l ó ø Í 0

A\  f ” ] X  € ª œ| 9 _    & ñ $ í `  ¦ ”    H €  & h _  ZnTe ~ à Ì} Œ •`  ¦

$ í

 © œr v   H ƒ  ½ ¨ s À Ò# Qt “ ¦ e ”  . þ j   H \  ZnTe ~ à Ì} Œ •

`

 ¦ $ í  © œr v l  0 A # Œ Ä »l F K5 Å q l  © œ \ x „ à Ìr  (metalor- ganic vapour phase epitaxy; MOVPE) [7–9], ì  r  ‚   \ x 

„ Ã

Ìr  (molecular beam epitaxy; MBE) [10,11], hot-wall \  x

„ à Ìr  [12], ”  / B N7 £ x ‚ Ã Ì (vacuum evaporation deposition) [13–16], ` O Û ¼Y Us $  7 £ x ‚ Ã Ì (pulsed laser deposition; PLD) [17–19] 1 p x _  ~ ½ ÓZ O s   6   x ÷ &% 3  .

PLD Z O “ É r   É r ~ ½ ÓZ O \  q  # Œ  o½ + ËÓ ü t ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr  v

  H X < Y >  t  s & h `  ¦ t “ ¦ e ”  . PLD Z O “ É r ~ à Ì} Œ •_ 

$ í

ì  r`  ¦ › ¸] X  l  6   x s  “ ¦ # Œ Q > h_    ¿ (target) Ó ü t

| 9

`  ¦ ƒ  5 Å q& h Ü ¼– Ð 7 £ x µ 1 Ïr &  € ª œ| 9 _  s 7 á x] X ½ + Ë ~ à Ì} Œ •`  ¦ ] j



Œ

•½ + É Ã º e ” • ¸2 Ÿ ¤ K ï  r  . Õ ªo “ ¦ Y Us $  c ” \  _ K    ¿ Ü

¼– РÒ'  7 £ x µ 1 Ï  ) a Ó ü t| 9 _   Ö ¸ µ 1 Ïô  Ç $ í | 9 – Ð “   # Œ ± ú “ É r “ : r

•

¸\ " f l ó ø Í  © œ\  € ª œ| 9 _  ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr ~  ´ à º e ”   [20].

s

 Qô  Ç s Ä »– Ð II-VI7 á ¤  o½ + ËÓ ü t ì ø ͕ ¸^ ‰ ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr ~  ´ M

: PLD Z O `  ¦  6   x   H 1 l x“  s  ÷ &“ ¦ e ”  . þ j   H \  360 ^◦ C

\

" f 440 ^◦ C  s _  Z  }“ É r l ó ø ͓ : r • ¸\ " f MOVPE [7–9]ü <

MBE [10, 11] Z O  1 p x`  ¦ : Ÿ x # Œ $ í  © œ  ) a ZnTe   & ñ ~ à Ì} Œ •\ 

@

/ô  Ç ƒ  ½ ¨ s À Ò# Q”     e ”  . € ª œ| 9 _    & ñ $ í `  ¦ ”   ZnTe ~ à Ì} Œ •_  $ “ : r$ í  © œ“ É r # Œ Q F  g„  ™ è  ] j Œ •\  e ” # Q" f

×

 æ כ ¹ô  Ç כ ¹™ ès  . PLD Z O _  s & h `  ¦ s 6   x # Œ ± ú “ É r l ó ø Í

“

: r • ¸\ " f ZnTe ~ à Ì} Œ •$ í  © œõ  Õ ª : £ ¤$ í \  @ /ô  Ç ƒ  ½ ¨ s À Ò

#

Qt “ ¦ e ” Ü ¼
  f ”  p f  ¨ ô  Ç z  ´& ñ s  .

s

  7 Hë  H \ " f  H PLD ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð  © œ“ : r \ " f 300 ^◦ C  t  Ä

»o l ó ø Í\  ZnTe ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr v “ ¦, l ó ø ͓ : r • ¸_     o

\

   É r ZnTe ~ à Ì} Œ •_  X-‚    r] X , ³ ð€  + þ AI , F  gf  ¨ à º, F  g µ 1 Ï F 

g,  ë ß – : £ ¤$ í 1 p x`  ¦ ^ ‰> & h Ü ¼– Ð › ¸  % i  . Õ ªo “ ¦ s  [

þ

t 8 £ ¤& ñ   õ [ þ t – РÒ'  l ó ø ͓ : r • ¸    o\     ~ à Ì} Œ •_  ½ ¨

›

¸& h , F  g † < Æ& h  : £ ¤$ í õ  ³ ð€  ½ ¨› ¸\  ¦ ì  r$ 3  # Œ   & ñ $ í s  a % ~

“

É r ZnTe ~ à Ì} Œ •_  $ í  © œ› ¸| `  ¦ › ¸  % i  .

II. ÷ m Ç ] M ö

ZnTe ~ à Ì} Œ •`  ¦ KrF " l or  Q Y Us $  (excimer laser; λ = 248 nm)\  ¦  6   x # Œ PLD ~ ½ ÓZ O \  _ K  Ä »o l ó ø Í 0 A\  $ í



© œr (   . Ä »o l ó ø ͓ É r ß ¼2 Ÿ § í ß – 6   xÓ  o\  24r ç ß – { Œ ™ç  H Ê ê,   [

j— : r, B jò ø Í`  ¦ õ  \ ò ø Í`  ¦ í  H " f– Ð 60 ^◦ C \ " f y Œ •y Œ • 15ì  r ç ß – œ í 6

£

§   [ j' ‘ `  ¦ # Œ 7 £ x À Óà º– Ð '  ½ ¨# Q  6   x % i  . PLD 7 £ x

‚ Ã

Ì r Û ¼% 7 ›_  œ íl  ”  / B N • ¸  H ' ˜ Ð* 3 á Ô\  ¦ s 6   x # Œ ∼ 10 ⁻⁶ Torr\  ¦ Ä »t  % i  . “ ¦í  H • ¸ (99.995 %)_  ZnTe ì  r ´ ú ˜`  ¦ · ú š

‚ Ã

Ì # Œ ë ß –Ž  H " é ¶+ þ A : \ ša Å @ (pallet)`  ¦ ZnTe   ¿ (target)Ü ¼

–

Ð  6   x % i  . — ¸Ž  H z  ´+ « >\ " f ~ à Ì} Œ • $ í  © œ r  Y Us $ _  [

jl  (fluence)  H 1.5 J/cm ² – Ð › ¸] X  # Œ s 6   x % i  . 7 £ x

‚ Ã

ÌÖ  ¦`  ¦ › ¸] X  l 0 Aô  Ç repetition rate  H 10 Hz – Ð % i Ü ¼ 9 ~ à Ì} Œ •_  ¨ î ç  H 7 £ x ‚ à ÌÖ  ¦“ É r €  • 1 µm/hs % 3  . ZnTe   ¿ õ

 l ó ø Íf . Ë  8_   o   H 4.5 cm – Ð Ä »t  % i Ü ¼ 9,   ¿ `  ¦



r„   0 p x ô  Ç f . Ë  8\   ҂ Ã Ì # Œ   ¿ ³ ð€  s  ç  H{ 9  >  7 £ x µ

1 Ï÷ &• ¸2 Ÿ ¤ “ ¦ ¢ ¸ô  Ç Â Òì  r& h  õ \ P `  ¦ ~ ½ Ót  • ¸2 Ÿ ¤ % i  .



 ¿ f . Ë  8_   r„  5 Å q • ¸  H 6 rev/min – Ð % i  .   ¿ _  ³ ð

€

 “ É r Y Us $  c ” _  ~ ½ ӆ ¾ Ó\  45 ^◦ l Ö  ¦ # Q4 R e ”  . ZnTe ~ à Ì} Œ •

“ É

r  © œ“ : r \ " f 300 ^◦ C  t  l ó ø Í_  “ : r • ¸\  ¦    or v €  " f $ í



© œ÷ &% 3 Ü ¼ 9, : £ ¤$ í 8 £ ¤& ñ \   6   x ) a ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa   H €  • 450 nm s  .

l

ó ø Í_  \ P 6   x y '  (heater)_  „  " é ¶/ B N/ å L  © œu   H PID (Proportional Integral Derivative) ] j# Q l 0 p x`  ¦ ° ú   H & ñ x 9

ô  Ç “ : r • ¸] j# Ql  (temperature controller)\  ¦  6   x % i “ ¦,

&

ñ „  À Ó ] j# Q\  ¦ 0 AK  SCR (silicon-controlled rectifier) „  

§

4 ] j# Ql \  ¦  6   x % i  . Õ ªo “ ¦ “ §& ñ  ) a K-type \ P „  @ /

\

 ¦  6   x # Œ y ' _  “ : r • ¸\  ¦ ] j# Q % i  . y ' \ " f µ 1 ÏÒ q t

÷

&  H \ P ’ < Hz  ´`  ¦ þ j™ è o l  0 AK  y '   H [ j b ”  ] X ƒ  ^ ‰

\

 ¦  6   x % i “ ¦, \ P „  • ¸$ í s  a % ~“ É r “  ´ o u ` …s Û ¼à Ô\  ¦ s 6   x

# Œ l ó ø Í`  ¦ f ” ] X  y ' \   ҂ Ã Ì % i  . “ §& ñ  ) a & h ü @‚   “ : r

•

¸> \  ¦ s 6   x # Œ S X ‰ “  ô  Ç y ' _  “ : r • ¸ü < l ó ø Í_  “ : r • ¸ ¼ # 

  H €  • 3• ¸ p ë ß –s % 3 Ü ¼ 9, z  ´+ « >\ " f l ó ø Í_  “ : r • ¸  H s 

¼

#  \  ¦ “ ¦ 9 % i  .

#

Œ Q l ó ø ͓ : r • ¸\     $ í  © œ  ) a ~ à Ì} Œ •_  ½ ¨› ¸& h  : £ ¤$ í “ É r

“

¦ì  r K 0 p x X-‚    r] X  (high resolution x-ray diffraction;

HRXRD) \  _ K  ì  r$ 3 ÷ &% 3  . Õ ªo “ ¦ FESEM (field emission scanning electron microscope)`  ¦ : Ÿ x K  ~ à Ì} Œ •_  ³ ð

€

  : £ ¤$ í `  ¦ › ¸  % i  . ì  rF  g F  g • ¸>  (UV-VIS-NIR spec- trophotometer, Hitachi U-3501)\  ¦ s 6   x # Œ  © œ“ : r \ " f ~ Ã Ì }

Œ

•_  f  ¨ à ºÛ ¼& 7 ˜à Ô! 3 `  ¦ 400 ∼ 800 nm _    © œ% ò % i \ " f 8 £ ¤

&

ñ # Œ f  ¨ à º: £ ¤$ í `  ¦ › ¸  % i  . F  g µ 1 Ï F  g (photolumines- cence; PL) Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 “ É r Ar-ion Y Us $  (λ = 488 nm)\  ¦

#

Œl  F  g " é ¶ Ü ¼– Ð s 6   x # Œ  © œ“ : r \ " f 8 £ ¤& ñ % i  .  ë ß – Û ¼

&

7 ˜à Ô! 3  (Raman spectrum)“ É r  s ß ¼– Ð  ë ß –r Û ¼% 7 ›`  ¦ s 

Fig. 1. X-ray diffraction patterns of ZnTe films grown at various substrate temperatures: (a) 26, (b) 90, (c) 220, (d) 240, (e) 260, (f) 280 and (g) 300 ^◦ C.

6  

x # Œ  © œ“ : r \ " f 8 £ ¤& ñ % i  . # Œl  F  g " é ¶ Ü ¼– Ѝ  H r « Ñ_  \ 



-t ç ß –   ˜ Ð   H 2.33 eV (532 nm) _  “ ¦^ ‰ Y Us $  c ” `  ¦



6   x % i  .

III. + s ÇÊ Ý õ m Í À X Ø8 ý

l

ó ø Í_  “ : r • ¸\  ¦  © œ“ : r (26 ^◦ C) \ " f 300 ^◦ C  t     or  v

€  " f ZnTe ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr (   . Fig. 1“ É r l ó ø Í_  “ : r • ¸

 y Œ •y Œ • (a) 26, (b) 90, (c) 220, (d) 240, (e) 260, (f) 280, (g) 300 ^◦ C{ 9  M : XRD Á º] (s  . — ¸Ž  H ZnTe ~ à Ì} Œ •“ É r $ 3  

ƒ

 F  g (zincblend) ½ ¨› ¸\  ¦ t “ ¦ e ” Ü ¼ 9 ¨ î ç  H     © œÃ º_ 

° ú

כ“ É r a = 6.1040 ˚ A s  . s  ° ú כ“ É r ZnTe   & ñ _      © œÃ º

° ú

כõ   _  { 9 u ô  Ç .

Õ

ªa Ë >\ 
 è ß –  ü < ° ú  s  XRD Á º] (  H (111), (200), (220), (311)€  \   © œ{ © œ   H  r] X  x ß ¼\  ¦ ˜ Ð# ŒÅ ғ ¦ e ”  .

l

ó ø ͓ : r • ¸ 220 ^◦ C s  © œ{ 9  M : ZnTe ~ à Ì} Œ •“ É r 2Θ  25.25 ^◦

\

 0 Au ô  Ç (111) ~ ½ ӆ ¾ ÓÜ ¼– Ð Ì º§  >  Ä º‚  C † ¾ Ó (prefer- ential orientation)`  ¦ “ ¦ e ” “ ¦, l ó ø ͓ : r • ¸ 300 ^◦ C  t  (111)€  _   r] X [ jl   © œ@ /& h Ü ¼– Ð 7 £ x  “ ¦ e ”  . l ó ø Í

“

: r • ¸ €  • 100 ^◦ C s  © œ\ " f   & ñ ~ à Ì} Œ •`  ¦
 Í Ç x“ ¦, l ó ø Í

“

: r • ¸  © œ“ : r \ " f 90 ^◦ C  t  ~ à Ì} Œ •“ É r  r] X  x ß ¼_  ; Ÿ ¤ s 

Fig. 2. FESEM images of ZnTe films grown at different substrate temperatures: (a) 90, (b) 260 and (c) 300 ^◦ C.

V ,

“ É r q & ñ | 9  (amorphous) + þ AI \  ¦ ˜ Ð# ŒÅ Ò% 3  . (111)€   _

  r] X x ß ¼_  þ j@ /ì ø Í; Ÿ ¤ u  (full-width half maximum;

FWHM)  H l ó ø ͓ : r • ¸ 26 ^◦ C{ 9 M : 0.533 ^◦ – РÒ'  300 ^◦ C { 9

M : 0.213 ^◦ – Ð y Œ ™™ è % i  . : £ ¤ y  260 ^◦ C ü < 300 ^◦ C  s  _

 FWHM“ É r ¨ î ç  H 0.21 ^◦ – Ð" f \ Vo ô  Ç  r] X x ß ¼\  ¦ ˜ Ð# ŒÅ Ò

%

3  . s  Qô  Ç : £ ¤$ í “ É r l ó ø ͓ : r • ¸ 7 £ x  €  " f ~ à Ì} Œ • ? /_ 

 

   † < Ês  y Œ ™™ è “ ¦   & ñ w n _  ß ¼l  7 £ x  l  M :ë  H“  

 כ

Ü ¼– Ð ^  ¦ à º e ”  . s ü < ° ú  s  l ó ø ͓ : r • ¸   & ñ ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í



© œ r v   H X <  H % ò † ¾ Ó`  ¦ z • 2 ;   H  כ `  ¦ · ú ˜ à º e ”  . þ j   H

\

 MOVPE [7–9]ü < MBE [10, 11]Z O Ü ¼– Ð $ í  © œr †   € ª œ| 9  _

   & ñ $ í `  ¦ ”   ZnTe   & ñ ~ à Ì} Œ •\  @ /ô  Ç ƒ  ½ ¨ s À Ò# Q

&

’  . Õ ª Q
 s  ~ ½ ÓZ O \  _ ô  Ç ~ à Ì} Œ • $ í  © œ“ : r • ¸  H y Œ •y Œ • 320

∼ 440 ^◦ C ü < 360 ∼ 420 ^◦ C – Ð" f Z  }“ É r “ : r • ¸\ " f s À Ò# Q& ’ 



.   " f PLDZ O s  s [ þ t ~ ½ ÓZ O ˜ Ð   8 ± ú “ É r l ó ø ͓ : r • ¸\ 

"

f ZnTe   & ñ ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr ~  ´ à º e ”    H  כ `  ¦ S X ‰ “  ½ + É Ã º e ”

 .

Growth and Optical Properties of ZnTe Thin Films Formed by· · · – Chang-Sun Yoon

^∗

et al. 515

Fig. 3. Plots of (αhν) ² versus photon energy (eV) of ZnTe films grown at various substrate temperatures: (a) 26, (b) 220, (c) 260 and (d) 300 ^◦ C .

l

ó ø Í_  “ : r • ¸   o\    É r ZnTe ~ à Ì} Œ •_  ³ ð€  + þ AI \  ¦ FE- SEM % ò  © œ`  ¦ : Ÿ x K  › ¸  % i  . Fig. 2  H l ó ø ͓ : r • ¸ y Œ •y Œ • (a) 90 ^◦ C, (b) 260 ^◦ C, (c) 300 ^◦ C “   ~ à Ì} Œ •_  SEM % ò  © œs 



. l ó ø ͓ : r • ¸ 90 ^◦ C \ " f + þ A$ í  ) a ZnTe ~ à Ì} Œ •“ É r ç  H| 9 ô  Ç

³

ð€  `  ¦ ˜ Ð# ŒÅ ғ ¦ e ” Ü ¼ 9, 90 ^◦ C s  _  l ó ø ͓ : r • ¸\ " f $ í



© œr †   ~ à Ì} Œ •_  ³ ð€  • ¸ q 5 p w ô  Ç : £ ¤$ í `  ¦
 Í Ç x . l ó ø ͓ : r

•

¸ 260 ^◦ C{ 9  M : ³ ð€  + þ AI   H ¨ î ç  H 30 nm \ " f 60 nm_  ß

¼l _  · ú ˜Ì q ts  (grain)\  ¦ Ÿ í† < Ê   H ½ ¨› ¸\  ¦ ˜ Ð# ŒÅ ғ ¦ e ”  Ü

¼ 9,  Òì  r& h Ü ¼– Ð 100 nm˜ Ð   8  H · ú ˜Ì q ts • ¸ Ÿ í† < Ê “ ¦ e ”

 . l ó ø ͓ : r • ¸ 300 ^◦ C“   ~ à Ì} Œ •_  ³ ð€  “ É r l ó ø ͓ : r • ¸

260 ^◦ C“   ³ ð€  õ  q 5 p w 
  Òì  r& h Ü ¼– Ð · ú ˜Ì q ts [ þ t s  €  •ç ß –

™

è   ) a + þ AI \  ¦ ˜ Ð# ŒÅ ғ ¦ e ”  . X-‚    r] X \ " f 260 ^◦ C \ 

"

f 300 ^◦ C  t _  l ó ø ͓ : r • ¸% ò % i \ " f $ í  © œ  ) a ZnTe ~ à Ì} Œ • s

  © œ a % ~“ É r   & ñ $ í `  ¦ ˜ Ð# ŒÅ Ò% 3   H X < SEM % ò  © œ`  ¦ : Ÿ x K 

"

f• ¸ s ü < ° ú  “ É r ‰ & ³ © œ`  ¦ S X ‰ “  K  Šғ ¦ e ”  .

F 

gf  ¨ à º Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 `  ¦ 400 ∼ 800 nm _    © œ% ò % i \ " f 8 £ ¤

&

ñ # Œ f  ¨ à º: £ ¤$ í `  ¦ › ¸  % i  . f ” ] X „  s + þ A ì ø ͕ ¸^ ‰\ " f F 

g  \  -t  (photon energy; hν)\  @ /ô  Ç f  ¨ à º> à º (α)_ 

› '

a > d ” “ É r  6 £ § õ  ° ú    [21].

(αhν) ² = A(hν − E g ) (1)

Table 1. Energy gap (E _g ), PL peak and nLO phonon modes at different substrate temperatures (T _s ).

T

s

E

g

PL peak nLO phonon modes (cm

⁻¹

) (

^◦

C) (eV) (nm) 1LO 2LO 3LO 4LO

220 2.20 565 207 415 622 826 260 2.22 560 205 411 614 820 300 2.23 557 205 411 615 821

#

Œl " f A  H : £ ¤$ í B > h  à ºs  9, E g   H \  -t ç ß –  s  .

Fig. 3“ É r l ó ø ͓ : r • ¸ (a) 26 ^◦ C, (b) 220 ^◦ C, (c) 260 ^◦ C, (d) 300 ^◦ C{ 9  M : ZnTe~ à Ì} Œ •_  F  g  \  -t  (hν)\  @ /ô  Ç (αhν) ² _  › ' a > \  ¦
  · p  כ s  . Õ ªa Ë >\ 
  · p  ü <

° ú

 s  ü @¶ ú šZ O \  _ K  ½ ¨ô  Ç \  -t ç ß –  “ É r y Œ •y Œ • 2.09 eV, 2.20 eV, 2.22 eV, 2.23 eV – Ð Å Ò# Q& ’ Ü ¼ 9, l ó ø ͓ : r • ¸ 7 £ x

† < Ê\     \  -t ç ß –  s  › ¸F Km ”  7 £ x  “ ¦ e ”    H  כ

`

 ¦ · ú ˜ à º e ”  . s  Qô  Ç  ⠆ ¾ ӓ É r l ó ø ͓ : r • ¸ 7 £ x † < Ê\   



 ~ à Ì} Œ •_    & ñ w n  ß ¼l  7 £ x  “ ¦ ~ à Ì} Œ •_    & ñ | 9 s  † ¾ Ó



© œ÷ &% 3 l  M :ë  H“    כ Ü ¼– Ð Ò q ty Œ •  ) a  . l ó ø ͓ : r • ¸ 220 ^◦ C, 260 ^◦ C, 300 ^◦ C{ 9  M : \  -t ç ß –  `  ¦ Table 1 \  ³ ðr  % i 



. Fig. 2\ 
  · p  ü < ° ú  s  260 ^◦ C ü < 300 ^◦ C _  l ó ø ͓ : r

•

¸\ " f · ú ˜Ì q ts   © œ ß ¼>  + þ A$ í ÷ &# Q e ” Ü ¼ 9, s  l ó ø ͓ : r

•

¸ % ò % i \ " f \  -t ç ß –  “ É r  © œ“ : r \ " f ZnTe é ß –  & ñ _  \ 



-t ç ß –   2,26 eVü < q “ § % i `  ¦ M : B Ä º   H] X ô  Ç ° ú כ`  ¦  t

“ ¦ e ”  . { 9 ì ø Í& h Ü ¼– Ð ì ø ͕ ¸^ ‰ ~ à Ì} Œ •_  \  -t ç ß –  “ É r $ í



© œ~ ½ ÓZ O , l ó ø ͓ : r • ¸, ~ à Ì} Œ •_  ¿ ºa  1 p x \  _ K   Ø Ô>  Å Ò# Q”  



. þ j   H \  µ 1 ϳ ð  ) a PLD Z O Ü ¼– Ð Ä »o l ó ø Í\  $ í  © œ  ) a ZnTe

~ Ã

Ì} Œ •_  \  -t ç ß –  “ É r ZnTe é ß –  & ñ _  \  -t ç ß –   (2,26 eV) \  q  # Œ  © œ{ © œô  Ç s \  ¦ ˜ Ð# ŒÅ ғ ¦ e ”  . Ghosh 1 p x [19]“ É r l ó ø ͓ : r • ¸ 27 ^◦ C ü < 500 ^◦ C{ 9  M : \  -t ç ß –  s  y

Œ

•y Œ • 2.32 eVü < 2.38 eVe ” `  ¦ ˜ Г ¦ô  Ç   e ”  .

PL Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 “ É r — ¸¿ º  © œ“ : r \ " f 500 ∼ 800 nm   © œ

% ò

% i \ " f 8 £ ¤& ñ ÷ &% 3  . Fig. 4  H l ó ø ͓ : r • ¸ (a) 220 ^◦ C, (b) 240 ^◦ C, (c) 260 ^◦ C, (d) 280 ^◦ C, (e) 300 ^◦ C{ 9  M :

$ í

 © œr †   ZnTe ~ à Ì} Œ •\  @ /ô  Ç PL Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 s  . PL 8 £ ¤

&

ñ õ & ñ \ " f ZnTe ~ à Ì} Œ •“ É r — ¸¿ º œ í2 Ÿ ¤Ò  o µ 1 Ï F  g`  ¦
 Í Ç x .

Fig. 4 \ " f ˜ Ð# Œï  r  ü < ° ú  s  l ó ø ͓ : r • ¸\     ZnTe ~ Ã Ì }

Œ

•_  PL x ß ¼  H y Œ •y Œ • 565 nm, 562 nm, 560 nm, 559 nm, 557 nm _  0 Au \ " f
 z Œ ¤Ü ¼ 9, s [ þ t PL x ß ¼  H y Œ • r « Ñ _

 f  ¨ à º= å Q (absorption edge) Â Ò   H _   ½ ™× ¼= å Q µ 1 Ï F  g (band- edge emission) \  l “   ) a  כ Ü ¼– Ð ^  ¦ à º e ”  . f  ¨ à ºÛ ¼& 7 ˜ à

Ô! 3 \ " f
  · p  כ õ  ° ú  s  l ó ø ͓ : r • ¸ 7 £ x † < Ê\     ZnTe ~ à Ì} Œ •_  \  -t ç ß –  s  €  •ç ß –m ”  7 £ x    H  כ % ƒ! 3  f  ¨ Ã

º= å Q Â Ò   H \ " f ˜ Ð# Œï  r PL x ß ¼• ¸ l ó ø ͓ : r • ¸ 7 £ x † < Ê\ 



  €  •ç ß –m ”  é ß –  © œ A á ¤ Ü ¼– Ð s 1 l x “ ¦ e ”   H  כ `  ¦ · ú ˜ à º e ” 



. Õ ªo “ ¦ l ó ø ͓ : r • ¸ 7 £ x † < Ê\     µ 1 Ï F  g [ jl • ¸ 7 £ x 

Fig. 4. PL spectra of ZnTe films grown at different sub- strate temperatures: (a) 220, (b) 240, (c) 260, (d) 280 and (e) 300 ^◦ C.

“ ¦ e ” Ü ¼ 9 l ó ø ͓ : r • ¸ 260 ^◦ C ü < 300 ^◦ C  s _  PL x  ß

¼_  µ 1 Ï F  g [ jl   H 220 ^◦ C ˜ Ð  €  • 4C  s  © œ ß ¼>  Å Ò# Q& ’ 



. l ó ø ͓ : r • ¸ 220 ^◦ C, 260 ^◦ C, 300 ^◦ C“   PL x ß ¼ ° ú כ[ þ t

`

 ¦ Table 1 \  ³ ðr  % i  .

Ghosh 1 p x [19] s  ˜ Г ¦ô  Ç Ä »o l ó ø Í\  $ í  © œ  ) a ZnTe ~ Ã Ì }

Œ

•_  PL Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 \ " f DA „  s  (donor-acceptor transi- tion) \  l “   ) a 701 nm (1.77 eV) _  PL x ß ¼  H ‘ : r ƒ  ½ ¨

\

" f  H
 
t  · ú §€ Œ ¤ . Õ ªo “ ¦ Guo 1 p x [8] s  ˜ Г ¦ô  Ç [ j 

s # Q (sapphire) l ó ø Í\  $ í  © œr †   ZnTe ~ à Ì} Œ •_  PL Û ¼

&

7 ˜à Ô! 3 \ " f f  ¨ à º= å Q Â Ò   H _  550 nm_  µ 1 Ï F  g“ É r Fig. 4 \ 
 

 · p  ½ ™× ¼= å Q µ 1 Ï F  g õ  { 9 u  
, 680 nm\  0 Au ô  Ç U  ·“ É r ï  r 0

A_  µ 1 Ï F  g“ É r ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f  H › ' a8 £ ¤ ÷ &t  · ú §€ Œ ¤ . s  כ “ É r ‘ : r

ƒ

 ½ ¨\ " f $ í  © œ  ) a ZnTe ~ à Ì} Œ •s    † < Ês  & h “ É r ~ à Ì} Œ •e ” `  ¦ _  p

ô  Ç .



ë ß – Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 “ É r r « Ñ_  \  -t ç ß –   ˜ Ð   H 2.33 eV (532 nm) _  # Œl  F  g " é ¶`  ¦ s 6   x # Œ  © œ“ : r \ " f 8 £ ¤& ñ % i  .

Fig. 5  H l ó ø ͓ : r • ¸ (a) 220 ^◦ C, (b) 260 ^◦ C, (c) 300 ^◦ C“   ZnTe ~ à Ì} Œ •_   ë ß – Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 s  . ˜ Ð: Ÿ x { 9 ~ ½ Ó½ ¨› ¸\  ¦ t 

“

¦ e ”   H   & ñ _  1  Raman í ß –ê ø Í (first-order Raman scat- tering)“ É r zone center \ " f LO Ÿ í 7 H — ¸× ¼(longitudinal op- tical phonon mode) ü < TO Ÿ í 7 H — ¸× ¼(transverse optical phonon mode) \   © œ{ © œ   H Raman x ß ¼\  ¦ ˜ Ð# Œï  r  . ‘ : r

ƒ

 ½ ¨\ " f PLD– Ð $ í  © œr †   ZnTe ~ à Ì} Œ •_  Raman Û ¼& 7 ˜à Ô

!

3 \ " f  H LO Ÿ í 7 H — ¸× ¼\  @ /ô  Ç  ×  æ Ÿ í 7 H (multiphonon)

Fig. 5. Raman spectra of ZnTe films grown at different substrate temperatures: (a) 220, (b) 260 and (c) 300 ^◦ C.

í

ß –ê ø Íë ß –s  › ' a8 £ ¤ ÷ &% 3  . Raman Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 \ 
 è ß – 3r « Ñ

\

 @ /ô  Ç Ÿ í 7 H — ¸× ¼_  ”  1 l x à º\  ¦ Table 1 \  ³ ðr  % i  . y Œ • r

« Ñ\ " f 4 > h_   ×  æ Ÿ í 7 H — ¸× ¼  H 1LO _  C à º– Ð
  z

Œ

¤ . l ó ø ͓ : r • ¸ 260 ^◦ C“   r « Ñ\ " f LOŸ í 7 H _  ”  1 l x à º



 H ω LO = 205 cm ⁻¹ s  9, 4LO  ×  æ Ÿ í 7 H ”  1 l x à º  H ω 4LO

= 820 cm ⁻¹ – Ð" f & ñ S X ‰ y  ' Í   P : Raman x ß ¼ ω ^LO _  4 C à ºs  . l ó ø ͓ : r • ¸ 260 ^◦ C ü < 300 ^◦ C“   ¿ º ZnTe ~ Ã Ì }

Œ

•_  Raman Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 `  ¦ q “ §K  ˜ Ѐ   LO Ÿ í 7 H — ¸× ¼

205 cm ⁻¹ – Ð ° ú  “ É r ”  1 l x à º\  ¦ t “ ¦ e ” Ü ¼ 9,   É r  ×  æ Ÿ í



7 H — ¸× ¼• ¸  _  ° ú  “ É r ”  1 l x à º\  ¦ t “ ¦ e ”  . Õ ª Q
 l  ó

ø ͓ : r • ¸ 220 ^◦ C“   ~ à Ì} Œ •_  LO Ÿ í 7 H — ¸× ¼_  ”  1 l x à º  H €  • ç

ß – Z  }“ É r 207 cm ⁻¹ – Ð Å Ò# Q& ’ “ ¦,   " f   É r Ÿ í 7 H C 6 £ § _

 0 Au • ¸ €  •ç ß – Z  }“ É r ”  1 l x à º A á ¤ Ü ¼– Ð s 1 l x ÷ &# Q
 z Œ ¤ .

‘

: r ƒ  ½ ¨\ " f PLD Z O Ü ¼– Ð $ í  © œr †   ZnTe ~ à Ì} Œ •\ 
 

è ß – LO Ÿ í 7 H — ¸× ¼  H ZnTe é ß –  & ñ \ " f › ' a8 £ ¤ ) a Ÿ í 7 H — ¸

×

¼_  ”  1 l x à º ° ú כõ   _  { 9 u ô  Ç  [22–24]. Guo 1 p x [8]“ É r MOVPE Z O Ü ¼– Ð [ j s # Q l ó ø Í\  $ í  © œr †   ZnTe ¢ - aØ  æ 8

£ x (buffer layer) õ  \ x 8 £ x (epilayer) _    & ñ ~ à Ì} Œ • $ í  © œ › ¸

|

`  ¦ › ¸  % i  . $ í  © œ“ : r • ¸ 440 ^◦ C“   s  \ x 8 £ x _  Ra- man Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 \ " f  H LO (206 cm ⁻¹ ) ü < 2LO (411 cm ⁻¹ )

Ÿ

í 7 H — ¸× ¼ ë ß –`  ¦ ˜ Ð# ŒÅ Ò% 3  . Balu 1 p x [15]“ É r „   c ” Ü ¼– Ð 300 <sup>◦</sup> C \ " f Ä »o l ó ø Í\  ¿ ºa  320 nm“   ZnTe ~ à Ì} Œ •`  ¦

$ í

 © œr (   . Õ ªo “ ¦ Raman Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 \ " f  H 2 > h_  LO (206.8 cm ⁻¹ ) ü < 2LO (411.1 cm ⁻¹ ) Ÿ í 7 H — ¸× ¼\  ¦ ˜ Ð# ŒÅ Ò% 3 



. s [ þ t LO Ÿ í 7 H — ¸× ¼  H ‘ : r ƒ  ½ ¨\ " f l ó ø ͓ : r • ¸ 260 ^◦ C

Growth and Optical Properties of ZnTe Thin Films Formed by· · · – Chang-Sun Yoon

^∗

et al. 517

“

  ~ à Ì} Œ •\ " f › ' a8 £ ¤ ) a LO (205 cm ⁻¹ ) ü < 2LO (411 cm ⁻¹ ) Ÿ í



7 H — ¸× ¼ü <  _  { 9 u  “ ¦ e ”  .



ë ß – x ß ¼_  [ jl ü < LO Ÿ í 7 H — ¸× ¼_  à º  H r « Ñ_  Ô  ¦ í

 HÓ ü t õ    † < Ê\  _ ” > r l  M :ë  H \   ë ß – Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 “ É r r « Ñ _

   & ñ | 9 `  ¦ ¨ î    H X <  6   x| ¨ c à º e ”  . Table 1\  ˜ Ð

“

   ü < ° ú  s  PLD\  _  # Œ $ í  © œ  ) a ZnTe ~ à Ì} Œ •“ É r 4 > h_  LO Ÿ í 7 H — ¸× ¼\  ¦
 Í Ç x“ ¦, l ó ø ͓ : r • ¸ 260 ^◦ C ü < 300 ^◦ C

“

  ZnTe ~ à Ì} Œ •_  1LO  ë ß – x ß ¼_  [ jl   H l ó ø ͓ : r • ¸

220 ^◦ C “   r « Ñ ˜ Ð  3C  s  © œ  8 ß ¼>  Å Ò# Q& ’  .   

"

f PLD ~ ½ ÓZ O Ü ¼– Ð 260 ^◦ C s  © œ_  l ó ø ͓ : r • ¸\ " f a % ~“ É r   

&

ñ $ í `  ¦
 ? /  H ZnTe ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr ~  ´ à º e ”    H  כ `  ¦ S X

‰ “  ½ + É Ã º e ”  .

IV. + s Ç Â ] Ø

PLD Z O Ü ¼– Ð Ä »o l ó ø Í_  “ : r • ¸\  ¦  © œ“ : r \ " f 300 ^◦ C   t

    or v €  " f ZnTe ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œr v “ ¦, l ó ø ͓ : r • ¸

ZnTe ~ à Ì} Œ •_    & ñ ½ ¨› ¸, ³ ð€  + þ AI , F  gf  ¨ à º, F  g µ 1 Ï F  g, Rama :

£ ¤$ í \  p u   H % ò † ¾ Ó`  ¦ › ¸  % i  . 260 ^◦ C s  © œ_  l ó ø ͓ : r

•

¸\ " f PLDZ O Ü ¼– Ð $ í  © œr †   ZnTe ~ à Ì} Œ •“ É r (111)€  _  ~ ½ Ó

†

¾ ÓÜ ¼– Ð Ä º‚  C † ¾ Ó`  ¦ “ ¦ e ”   H € ª œ| 9 _  ~ à Ì} Œ •½ ¨› ¸\  ¦
  Í Ç

x .  © œ“ : r \ " f 8 £ ¤& ñ ô  Ç ZnTe ~ à Ì} Œ •_  \  -t ç ß –  “ É r 26 ^◦ C

\

" f 300 ^◦ C  t  l ó ø ͓ : r • ¸   † < Ê\     7 £ x  % i Ü ¼ 9 ZnTe   & ñ _  \  -t ç ß –   (2.26 eV) \    H] X ô  Ç ° ú כ`  ¦
  Í Ç

x . PL Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 \ " f  H Ô  ¦í  HÓ ü t \  _ ô  Ç µ 1 Ï F  g  ½ ™× ¼  H µ 1 Ï

|

÷ &t  · ú §“ ¦ y Œ • r « Ñ_  \  -t ç ß –  \   © œ{ © œ   H  ½ ™× ¼= å Q PL x ß ¼ë ß –s 
 z Œ ¤ . : £ ¤ y  Raman Û ¼& 7 ˜à Ô! 3 \ " f  H € ª œ

| 9

_    & ñ ~ à Ì} Œ •\ " f
 ± ú ˜ à º e ”   H 4 > h_  LO  ×  æ Ÿ í 7 H

—

¸× ¼\  ¦ › ' a8 £ ¤ % i  .   É r $ í  © œ~ ½ ÓZ O õ  q “ §K  ^  ¦ M : PLD Z O

`  ¦ s 6   x † < ÊÜ ¼– Ð" f  8 ± ú “ É r l ó ø ͓ : r • ¸\ " f € ª œ| 9 _  ZnTe

 

& ñ ~ à Ì} Œ •`  ¦ $ í  © œ r ~  ´ à º e ”    H  כ `  ¦ S X ‰ “   % i  .

P

c p 8 ý ò k >

‘

: r ƒ  ½ ¨  H 2012¸  • ¸ ç  H í ß –@ /† < Ɠ § ƒ  ½ ¨“ §Ã º † < ÆÕ ü tƒ  ½ ¨q  t

" é ¶ Ü ¼– Ð Ã º' Ÿ ÷ &% 3 _ þ v m  .

REFERENCES

[1] K. Sato, M. Hanafusa, A. Noda, A. Arakawa and M. Uchida et.al., J. Cryst. Growth 214/215, 1080 (2000).

[2] J. Chang and T. Yao, J. Korean Phys. Soc. 39, 415 (2001).

[3] B. Spath, J. Fritsche, F. Sauberlich, A. Klein and W. Jaegermann, Thin Solid Films 480, 204 (2005).

[4] D. Rioux, D. W. Niles and H. Hochst, J. Appl. Phys.

73, 8381 (1993).

[5] Q. Han and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 73, 3049 (1998).

[6] K. Liu, H. Kang, T. Kim and Z. C. Zhang, Appl.

Phys. Lett. 81, 4115 (2002).

[7] Y. Kume, Q. Guo, Y. Fukuhara, T. Tanaka and M.

Nishio et al., J. Cryst. Growth 298, 445 (2007).

[8] Q. Guo, M. Nada, Y. Ding, T. Tanaka and M.

Nishio, J. Appl. Phys. 107, 123525 (2010).

[9] Q. Guo, M. Nada, Y. Ding, K. Saito and T. Tanaka et al., Mater. Res. Bull. 46, 551 (2011).

[10] A. Barati, A. Klein and W. Jaegermann, Thin Solid Films 517, 2149 (2009).

[11] J. Zhao, Y. Zeng, C. Liu, L. Cui and Y. Li, Appl.

Surf. Sci. 256, 6881 (2010).

[12] S. Nam, Y. M. Yu, J. Rhee, B. O, Y. D. Choi et al., Mater. Chem. Phys. 69, 30 (2001).

[13] E. Bacaksiz, S. Aksu, N. Ozer, M. Tomakin and A.

Ozcelik, Appl. Surf. Sci. 256, 1566 (2009).

[14] E. R. Shaaban, I. Kansal, S. H. Mohamed and J. M.

F. Ferreira, Physica 404, 3571 (2009).

[15] A. R. Balu, V. S. Nagarethinam, A. Thayumanavan, K. R. Murali and C. Sanjeeviraja et al., J. Alloys Compd. 502, 434 (2010).

[16] W. Mahmood and N. A. Shah, Curr. Appl. Phys.

14, 282 (2014).

[17] A. Erlacher, M. Ambrico, G. Perna, L. Schiavulli and T. Ligonzo et al., Appl. Surf. Sci. 248, 402 (2005).

[18] A. Erlacher, A. R. Lukaszew, H. Jaeger and B. Ull- rich, Surf. Sci. 600, 3762 (2006).

[19] B. Ghosh, D. Gosho, S. Hussain, R. Bhar and A. K.

Pal, J. Alloys Compd. 541, 104 (2012).

[20] R. Eason, Pulsed Laser Deposition of Thin Films (John Wiley & Sons, Inc., New Jersey, 2007), pp.

3-9.

[21] J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York,1971), p. 34.

[22] C. S. Yoon, B. H. KIm, D. Cha, Y. S. Kim and S. J.

Chung et al., Solid State Commun. 106, 481 (1998).

[23] N. Vagelatos, D. Wehe and J. S. King, J. Chem.

Phys. 60, 3613 (1974).

[24] J. C. Irwin and J. LaCombe, J. Appl. Phys. 41, 1441

(1970).