Piezoelectric properties and microstructure of 0.01Pb(Mg_1/2W_1/2)O₃-0.41Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃-0.35PbTiO₃-0.23PbZrO₃thick film with particle size distribution

입자 크기 분포에 따른

0.01Pb(Mg 1/2 W 1/2 )O 3 -0.41Pb(Ni 1/3 Nb 2/3 )O 3 -0.35PbTiO 3 -0.23PbZrO 3

후막의 미세구조 및 압전특성

문희규·송현철·김상종·최지원·강종윤·윤석진 ^†

Piezoelectric properties and microstructure of

0.01Pb(Mg ^1/2 W ^1/2 )O ³ -0.41Pb(Ni ^1/3 Nb ^2/3 )O ³ -0.35PbTiO ³ -0.23PbZrO ³ thick film with particle size distribution

Hi-Gyu Moon, Hyun-Cheol Song, Sang-Jong Kim, Ji-Won Choi, Chong-Yun Kang, and Seok-Jin Yoon ^†

Abstract

The PZT based piezoelectric thick films prepared by screen printing method have been mainly used as a functional material for MEMS applications due to their compatibility of MEMS process. However the screen printed thick films generally reveal poor electrical and mechanical properties because of their porous microstructure. To improve microstructure we mixed attrition milled powder with ball milled powder of 0.01Pb(Mg

W

)O

-0.41Pb(Ni

Nb

)O

- 0.35PbTiO

-0.23PbZrO

+0.1 wt% Y

O

+1.5 wt% ZnO composition. By mixing 25 % of attrition milled powder and 75 % of ball milled powder, the broadest particle size distribution was obtained, leading to a dense thick film with crack-free microstructure and improved dielectric properties. The X-ray diffraction analysis revealed that the film was in well- crystallized perovskite phase. The remanent polarization was increased from 13.7 ^µ C/cm

to 23.3 ^µ C/cm

at the addition of 25 % attrition milled powder.

Key Words : piezoelectric, attrition milling, thick film, MEMS

1. 서 론

압전 및 전왜 재료는 낮은 구동전압에서 큰 힘을 낼 수 있으며 , 빠른 응답특성과 간단한 시스템 구조를 가 지기 때문에 MEMS(micro electro mechanical system)

를 이용한 액츄에이터 시스템의 기능성 재료 (func- tional material) 로써 많은 연구가 진행되고 있다 . 특히

PZT ^{는 대표적인 압전재료로서} , ^{우수한 압전 특성 및}

전기적 특성을 가지고 있어서 MEMS 액츄에이터에 많

이 응용되고 있으며 이에 대한 연구가 활발히 이루고 지고 있다 ^[1-6] .

MEMS 공정에 압전 재료를 접목하기 위해서는 압전

체를 박막 및 후막형태로 제작하여야 한다 . 압전체 박 막은 주로 PLD(pulsed laser deposition), 솔겔 (sol-

gel) ^[7-9] , 스퍼터링 (sputtering) 등의 방법을 이용해서 실

리콘 웨이퍼 위에 증착되어진다 . 그리고 이러한 압전체 박막은 미세한 패턴 형성이 가능하고 전기·기계적 특성 값이 우수하다는 장점을 가지고 있다 . 반면에 롤 코팅

(roll coating), 스크린 프린팅 (screen printing) ^[5,10,14] , 닥터 블래이드 , ^{가스젯 프린팅} (gas-jet) ^{[11] 등을 이용하여 제}

작되는 압전 후막의 경우 10 µ m 이상의 막을 쉽게 증 착시킬 수 있지만 , 가공성과 전기·기계적 특성 값이 박 막에 비해 떨어진다는 단점을 가지고 있다 ^[12] . ^그리고

스퍼터링 , 솔겔 방법 등의 박막 제조 방법 또한 많은 증착 시간과 복잡한 공정 과정이 필요하며 , 일정 두께 이상으로 증착되면 내부의 스트레스의 증가로 인해 균 열이 발생하는 등 , 두께 증가에 한계를 가지고 있다 .

한국과학기술연구원

(Korea Institute of Science and Technology)

†

Corresponding author: [email protected]

(Received : September 1, 2008, Accepted : October 22, 2008)

이러한 압전체의 두께를 증가시키기 어려운 단점으로 인해 큰 변형력을 요구하는 액츄에이터에서는 압전체 박막을 사용하는데 한계가 있다 ^[13] .

여러 가지 후막 제조 방법 중 스크린 프린팅법은 박 막이나 벌크형에 비하여 저가이며 대량 생산이 가능하 고 , 제작이 간단하며 패터닝 (patterning) 이 용이하다는

장점이 있으며 , MEMS 공정과의 접목성 또한 높아서

MEMS 공정에 많이 이용되고 있다 ^[1,2] . 그러나 스크린 프린팅법은 제조 공정상 높은 온도에서의 소결을 필요

로 하며 , ^{이로 인하여 압전 후막의} PbO ^{휘발과 기판과}

의 반응하는 문제가 있으며 , 특히 바인더 탈지 (burn-

out) 공정과 기판의 클램핑 (clamping) 효과로 인해 후막 의 치밀화 (densification) ^{가 이루어지지 못해서 압전체}

후막의 전기적 특성 및 기계적인 특성이 박막이나 벌 크에 비해 떨어지는 단점이 있다 ^[14] . 그래서 분말의 입 도 제어를 통하여 이것들의 문제를 해결하기 위해 본 연구에서는 스크린 프린팅으로 제작된 MEMS 액츄에 이터용 압전체 후막의 이러한 문제를 해결하기 위해서 압전특성이 좋으며 , ^{저온소성이 가능한} 0.01Pb (Mg 1/2

W 1/2 )O 3 -0.41Pb(Ni 1/3 Nb 2/3 )O 3 -0.35PbTiO 3 -0.23PbZrO 3

+0.1 wt% Y 2 O 3 +1.5 wt% ZnO 의 조성 ^[15,16] 을 선택하여 압전체 후막을 제조하였으며 , Attrition 분쇄 ^[17] 공정으 로 제작된 나노분말을 섞어서 소성온도를 낮추고 분말 의 충진밀도를 높이므로써 , ^{후막의 밀도를 증가시고 미}

세구조를 개선하여 압전후막의 전기·기계적 특성을 향 상시키고자 하였다 .

2. 실 험

압전 세라믹 조성은 높은 압전 상수를 가지며 , 900 ^o C

에서 저온 소결이 가능한 0.01Pb(Mg 1/2 W 1/2 )O 3 -0.41Pb (Ni 1/3 Nb 2/3 )O 3 -0.35PbTiO 3 -0.23PbZrO 3 +0.1 wt% Y 2 O 3

+1.5 wt% ZnO ^{의 조성을 사용하였고} , ^순도 99 % ^이상

의 산화물 원료 분말을 사용하여 일반적인 세라믹 공 정에 따라서 분말을 합성하였다 .

먼저 PbO, MgO, WO 3 , NiO, Nb 2 O 5 , ZrO 2 , TiO 2

(high purity chemicals, >99 %) 원료 분말을 전자저울 로 측량하여 , ^{날젠 병에 지르코니아 볼과 함께 넣고} 24

시간 동안 밀링을 한 후 건조하였다 . 건조된 분말을

850 ^o C 에서 2 시간 동안 하소한 후 Y 2 O 3 와 ZnO 을 각각

0.1 wt% ^와 1.5 wt% ^{씩 첨가하고 폴리프로필렌 용기에}

넣고 지르코니아 볼을 이용하여 24 시간 동안 볼밀링하 여 혼합 분쇄하였다 . 2 차 볼 밀링이 끝난 분말의 일부 를 1 ^{마이크로 이하} (<1 ^µ m) ^{의 크기로 분쇄하기 위해} attrition 밀링을 300 rpm 에서 24 시간 동안 하였고 , 입

자들의 크기 분포에 따른 특성을 알아보기 위해 볼 밀 링 된 분말과 attrition ^{밀링 된 분말} (g%) ^{을 혼합하여}

표 1 과 같이 100 %:0 %, 75 %:25 %, 50 %:50 %, 25 %:75 % 그리고 0 %:100 % 의 5 가지 비율의 분말을 만든 후 입도 분석기를 사용하여 레이저 회절법으로 입도 분포를 측정하였다 .

스크린 프린팅용 페이스트를 만들기 위해 볼 밀링된 분말과 바인더 (20 wt%, Ferro. BN-75001) 를 4:1 비율 섞어서 three roll miller 로 20 분간 혼합하였다 . 이 과정

에서 attrition ^{밀링된 분말을 첨가 할수록 입자의 비표}

면적이 넓어지므로 페이스트의 점도를 맞추기 위해서 표 1 과 같이 attrition 밀링된 분말의 비율이 높을수록 바인더 양을 증가시켜서 페이스트를 제조하였다 .

실리콘 기판 위에 Ag 전극 ( 제조사 :S-3110 1100 ^o C)

을 3 µ m 두께로 프린팅 하고 1100 ^o C 에서 15 분간 열 처리한 후 분말의 비율별로 만든 각각의 페이스트를

20 µ m 두께로 프린팅 하였고 , 건조가 끝난 기판은

400 ^o C 에서 40 분간 Burn-Out 을 하였다 . 열처리 효과를 극대화하고 실리콘 기판과 프린팅 된 막의 반응 및 기

판의 oxidation 을 억제하기 위해 RTA 를 이용하여

730 ^o C~890 ^o C ^{의 온도에서} 300 ^{초 동안 열처리하였다} .

지름이 0.25 mm 인 메탈 마스크를 사용하여 DC

Sputter 로 2500 Å 의 두께로 Pt 상부전극을 증착하고

Impedance Analyzer(Agilent 4294A) ^{로 유전율을 측정}

하였고 , RT-66A 를 이용하여 P-E Hysteresis Loop 를 표 1. 볼 밀링한 분말와 마찰 분쇄된 분말의 혼합비율 Table 1. Mixing Ratio of Ball milling and Attrition milling

Powder.

Ball milling Powder (%):

Attrition milling Powder(%) Powder (g) Binder (g)

100:0 36 9.00

75:25 36 9.25

50:50 36 9.56

25:75 36 9.97

0:100 36 10.61

표 2. 마찰분쇄된 분말의 다양한 비율에 다른 입자 크기 Table 2. Particle Size According to Various Portion of

Attrition milled Powder.

Powder Mean diameter ( ^µ m) Attrition mill (0%)=Ball mill 1.28

Attrition mill (25%) 0.97

Attrition mill (50%) 0.73

Attrition mill (75%) 0.55

Attrition mill (100%) 0.51

600~1200 V/cm 전계에서 측정하였다 . X-Ray Diffrac- tion(XRD; TTK 450 model) 과 Scanning Electron Mic- roscopy(SEM; XL-30 FEG-ESEM) ^{를 이용하여 실리콘}

기판 위해 형성된 후막의 결정상과 미세구조를 관찰하 였다 .

3. 결과 및 검토

Fig. 1 은 볼 밀링한 분말과 attrition 밀링한 분말의 조성비에 따른 분말의 크기의 분포를 보여주는 그래프 이다 . ^{볼 밀링한 분말 평균 입자 사이즈가} 1.28 ^µ m ^로

크고 입자 사이즈 분포가 넓은 반면에 , attrition 밀링한

분말의 크기는 0.51 µ m 로 작고 사이즈 분포가 좁게 나

타났다 . ^{그리고 표} 2 ^{에서 나타난 것처럼 볼 밀링한 분}

말에 attrition 밀링한 분말의 첨가량이 늘어날수록 평

균 입자의 크기가 줄어드는 것을 볼 수 있었다 . 특히

Fig. 1(b) ^의 attrition ^{밀링한 분말을} 25 % ^{첨가했을 때} ,

분말 사이즈 분포가 다른 조성비를 갖는 분말에 비해 비교적 넓게 분산되어 있는 것을 확인할 수 있었고 , 균 일한 크기의 입자로 최밀충전하는 경우보다 입도분포 가 넓게 분산되어 틈새를 채울 수 있는 작은 크기의 입 자가 동시에 존재하면 충전율이 크게 향상된다는 보고

로부터 ^[18,19] 유추해 볼 때 attrition 밀링한 분말을 25 %

첨가한 것이 충진밀도가 가장 높을 것이라고 예상할 수 있다 .

Fig. 2 ^는 attrition ^{밀링한 분말의 첨가 비율에 따른}

실리콘 웨이퍼 위에 형성된 PMW-PNN-PT-PZ 압전 후

막의 표면 SEM 사진을 보여주는 그림으로써 , (a) 는

100 % 의 볼 밀링한 분말로 만든 압전후막의 표면사진

이며 , (b) 는 75 %, (c) 는 50 %, (d) 는 25 %, (e) 는 0 %

의 attrition 밀링한 분말을 각각 볼 밀링한 분말에 혼합 하여 만든 압전후막의 표면사진을 보여주는 그림이다 .

그리고 (a)~(e) 는 각각 890 ^o C, 860 ^o C, 830 ^o C, 800 ^o C, 770 ^o C ^{의 온도에서} 300 ^{초 동안} RTA ^{를 이용하여 열처}

리를 하였다 . 표 2 에서와 같이 attrition 밀링 분말의 양 이 증가할수록 입자의 평균사이즈는 감소로 인하여 분 말의 비표면적이 증가하므로 , ^{더 낮은 온도에서 소결이}

이루어졌다 . 그 결과 Fig. 2(b) 의 attrition 밀링한 분말

의 양이 25 % 인 조건에서 가장 밀집된 후막을 나타내

었으며 , attrition ^{밀링한 분말의 양이} 50 % ^{이상인 후}

막에서는 crack 들이 많이 생성되었다 . 이는 RTA 를 이 용한 짧은 열처리 과정으로 인하여 생겨났기 때문에 ,

충진밀도가 가장 높은 attrition 밀링한 분말이 25 % 첨 가된 후막에서 가장 밀집된 미세구조를 나타내었으며 , attrition ^{밀링한 분말이} 50 % ^{이상인 후막에서는 높은}

비표면적으로 인한 과도한 수축과 실리콘 기판의 그림 1. 볼밀링한 파우더와 마찰 분쇄한 파우더를 혼합한 입자 크기 분포 , ^{마찰 분쇄된 파우더의 비율은} (a) 0%, (b) 25%,

(c) 50%, (d) 75% and (e) 100% ^임

Fig. 1. Particle size distribution of a mixture containing ball milled and attrition milled powders, The volume fraction of

attrition milled powder is (a) 0%, (b) 25%, (c) 50%, (d) 75% and (e) 100%.

clamping 효과로 바인더 (binder) 량이 상대적으로 많아 충전율이 낮았던 성형체가 X-Y 축 방향으로 수축이 일 어나면서 crack ^{이 발생했다고 볼 수 있다} .

Fig. 3(a) 은 실리콘 웨이퍼 위에 증착된 PMW-PNN- PT-PZ 압전후막의 attrition milling 된 분말의 비율에 따 른 P-E Hysteresis Loop 를 보여주는 그래프이다 . P-E

Hysteresis curve 는 600 V/cm 에서 1200 V/cm 까지 전계 를 가하면서 측정하였고 , 모든 막에서 강유전 특성을 나타내었으며 , ^특히 attrition ^{밀링한 분말이} 25 % ^일

때 가장 우수한 강유전 특성을 나타내었고 , Fig. 3(b)

에 나타난 attrition 밀링한 분말의 양에 따른 P r (Rema- nent Polarization) 값에서 볼 수 있듯이 attrition 밀링한 그림 2. PMW-PNN-PT-PZ 후막의 표면 SEM 사진

(a) 300 ^{초 동안} 890

C ^{에서 열처리한} 0 % ^{의 마찰 분쇄된 분말} , (b) 300 ^{초 동안} 860

C ^{에서 열처리한} 25 % ^{의 마}

찰 분쇄된 분말 , (c) 300 ^{초 동안} 830

C ^{에서 열처리한} 50 % ^{의 마찰 분쇄된 분말} , (d) 300 ^{초 동안} 800

C ^{에서 열}

처리한 75 % 의 마찰 분쇄된 분말 그리고 (e) 300 초 동안 770

C 에서 열처리한 100 % 의 마찰 분쇄된 분말 Fig. 2. Surface SEM image of PMW-PNN-PT-PZ thick films.

(a) 0 % attrition milled power annealing at 890

C for 300 sec, (b) 25 % attrition milled power annealing at 860

C for 300 sec, (c) 50 % attrition milled power annealing at 830

C for 300 sec, (d) 75 % attrition milled power anneal- ing at 800

C for 300 sec and, (e) 100 % attrition milled power annealing at 770

C for 300 sec.

그림 3. (a) ^{마찰 분쇄된 분말의 다양한 비율의} P-E ^{이력 곡선} , (b) ^{마찰 분쇄된 분말의 다양한 비율에 따른 잔류 분극 값}

Fig. 3. (a) P-E hysteresis loop of various portion of attrition milled power, (b) The Remanent Polarization according to

various portion of attrition milled powder.

분말이 25 % 일 때 가장 높은 P r 값을 나타내었다 . 그리 고 여기서의 P r 값은 Fig. 2 의 후막의 밀집도와 분말의 충진밀도에 밀접한 관련이 있음을 알 수 있다 . Fig. 2

에서 비교적 충진밀도가 높고 , 밀집된 미세구조를 가지 는 (a), (b) 에서는 높은 P r 값을 나타냈으며 , crack 이 있 거나 porous ^{한 미세구조를 가지는} (c), (d), (e) ^에서는

입자의 크기가 작아지면서 분극이 줄어 낮은 P r 값을 가졌다 . 그리고 위의 결과에서 알 수 있듯이 attrition

밀링한 분말의 비율과 볼 밀링 분말의 비율이 25 %:

75 % 일 때의 P r 값이 23.3 µ C/cm ² 으로 , 일반적으로 볼 밀링한 분말로 만든 후막의 P r 값 13.7 ^µ C/cm ^{2 에 비해}

약 10 µ C/cm ² 정도 증가했으며 , P r 값이 72 % 이상으

로 크게 향상된 것을 확인할 수 있었다 .

Fig. 4 ^{에 나타난} attrition ^{밀링 분말의 첨가 비율에}

따른 유전율 또한 Fig. 3(b) 의 P r 값과 유사한 경향을 나타내었다 . attrition 밀링 분말을 25 % 첨가한 후막에 서 가장 높은 유전율 315.6 pF 을 나타내었고 , attrition

밀링 분말을 더 첨가할수록 , 유전율은 더 급격하게 떨 어지는 것을 알 수 있다 . 이 또한 후막의 밀집도와 충 진밀도와 밀접하게 관련 있을 것을 알 수 있다 .

Fig. 5 은 볼 밀링 된 분말로 만들어진 압전 후막과

attrition ^{밀링 분말의 조성에 따라 만들어진 압전 후막}

의 XRD pattern 을 보여주는 그래프이다 . 볼 밀링한 분 말과 25~100 % 의 attrition 밀링된 분말이 혼합된 분말 로 제작된 후막들은 미세한 분말의 양이 증가할수록 소결온도가 낮아지므로 , attrition 밀링된 분말의 비율에 따라서 각각 890 ^o C, 860 ^o C, 830 ^o C, 800 ^o C, 770 ^o C 의 온 도에서 300 ^{초 동안} RTA ^{를 이용하여 열처리 하였다} .

모든 막은 페로브스카이트 구조의 PMW-PNN-PT-PZ

상과 일치하는 XRD pattern 을 나타내었으며 , attrition

밀링된 분말의 비율에 따른 구조변화는 관찰되지 않았 다 . 그러나 볼 밀링한 분말과 attrition 밀링된 분말이

25 % ^{인 후막에서는} 2 ^차상인 Pb(Mg 1/2 W 1/2 )O ^{의 상이}

관찰되었다 . 이는 볼 밀링한 분말과 attrition 밀링된 분 말이 25 % 인 후막의 열처리 온도가 890 ^o C 와 860 ^o C 의 비교적 높은 온도의 열처리 과정에서 PbO ^{의 휘발로}

인한 pyrochlore phase 가 형성되었기 때문이라고 생각 된다 .

4. 결 론

본 연구에서는 0.1 wt% ^의 Y 2 O 3 와 1.5 wt% ^의 ZnO ^가

각각 첨가된 PMW-PNN-PT-PZ 조성을 스크린 프린팅

을 이용하여 , Ag 전극이 프린팅된 실리콘 웨이퍼 위에

20 ^µ m ^{두께의 압전후막을 제조하였으며} , ^{볼밀링된 분}

말과 attrition 밀링된 분말을 비율별로 섞어서 , 분말의 사이즈 분포에 따른 압전후막의 특성 값을 살펴보았다 .

볼밀링된 분말 75 % 와 attrition 밀링된 분말 25 % 를 섞었을 때 가장 넓은 사이즈 분포와 높은 충전율을 보 임으로써 가장 밀집된 미세구조를 나타내었다 . ^{또한 이}

구성비의 분말로 제조한 후막의 P r 값이 23.3 µ C/cm ²

로 기존의 볼 밀링 분말로 만든 후막의 P r 값의

13.7 ^µ C/cm ^{2 보다 약} 10 ^µ C/cm ^{2 정도 향상된 특성 값을}

가졌으며 , 이때의 E c 값은 58.6 V/cm 을 나타내었다 . 그 리고 볼밀링된 분말과 attrition 밀링된 분말 25 % 후막 의 XRD ^{패턴을 확인해 본 결과} , 880 ^o C ^{이상의 열처}

리 온도에서 충분한 소결이 이루어지지 않아 2 차상이 그림 4. 마찰 분쇄된 분말의 다양한 비율에 따른 유전율

Fig. 4. The permittivity according to various portions of attrition milled powder.

그림 5. 마찰 분쇄된 분말의 다양한 비율을 가진 소결된 후막의 XRD 측정 결과

Fig. 5. X-ray diffraction results of sintered films with var-

ious portion of attrition milled powder.

형성된 것으로 생각된다 . 고상소결이 주로 이루어지는 스크린 프린팅된 압전후막에서 분말의 충진밀도를 향 상시킴으로써 , 후막의 소결밀도와 전기·기계적 특성값 을 향상시킬 수 있었으며 , 크랙이 없고 우수한 전기적 특성을 가지는 압전후막을 제조함으로써 , 액츄에이터 ,

센서 , 트랜스듀서 및 에너지 하베스팅 소자 등의

MEMS 용 기능재료로써 널리 이용될 수 있을 것으로 예상된다 .

감사의 글

본 연구는 한국과학기술연구원 강점심화연구과제 및 차세대소재성형기술개발사업의 일환으로 수행되었으 며 , 이에 감사드립니다 .

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문 희 규

• 2007 년 동국대학교 이과대학 물리학부

졸업 ( 이학사 )

• 2008 년 ~ 현재 한국과학기술연구원 박막 재료연구센타 학생연구원 및 연세대학교 공과대학 신소제공학과 석사과정

• 주관심분야 : 압전재료 , 에너지 하베스팅 ,

센서

김 상 종

• 1999 년 경원대학교 공과대학 전기공학과

졸업 ( 공학사 )

• 2001 년 경원대학교 대학원 공과대학 전

기공학과 졸업 ( 공학석사 )

• 2008 년 고려대학교 대학원 공과대학 전

기공학과 졸업 ( 공학박사 )

• 2008 년 ~ 현재 The University of Stanford, Post-doc.

최 지 원

• 1989 년 연세대학교 공과대학 요업공학과

졸업 ( 공학사 )

• 1995 년 연세대학교 대학원 공과대학 세

라믹공학과 졸업 ( 공학석사 )

• 2002 년 연세대학교 대학원 공과대학 세

라믹공학과 졸업 ( 공학박사 )

• 1994 년 ~ 현재 KIST 박막재료연구센터 선임연구원

• 2004 년 ~2005 년 미국 Cornell Univ., Visiting Scientist

• 주관심분야 : 압전 엑츄에이터 , 태양전지

송 현 철

• 2004 년 고려대학교 공과대학 재료금속공

학부 졸업 ( 공학사 )

• 2006 년 고려대학교 공과대학 대학원 재

료공학과 졸업 ( 공학석사 )

• 2006~ 현재 KIST 박막재료연구센터 연

• 구원 주관심분야 : 압전재료 , 에너지 하베스팅

강 종 윤

• 1993 년 연세대학교 공과대학 전기공학과

졸업 ( 공학사 )

• 1995 년 연세대학교 대학원 공과대학 전

기공학과 졸업 ( 공학석사 )

• 2000 년 연세대학교 대학원 공과대학 전

기컴퓨터공학과 졸업 ( 공학박사 )

• 2002 년 ~2004 년 The University of Bir- mingham, Post-doc.

• 2000 년 ~ 현재 KIST 박막재료연구센터 선임연구원

• 주관심분야 : 압전 엑츄에이터 , 마이크로 파 소자 , 마이크로파 강유전제

윤 석 진

• 1983 년 연세대학교 공과대학 전기공학과

졸업 ( 공학사 )

• 1985 년 연세대학교 공과대학 전기공학과

졸업 ( 공학석사 )

• 1992 년 연세대학교 공과대학 전기공학과

졸업 ( 공학박사 )

• 1992~ 현재 한국과학기술 연구원 박막재

료연구센타 센터장

• 2004 년 미국 Pennsylvania State Univ., Visiting Professor

• 주관심분야 : 엑츄에이터 , 고주파 유전체