LCD 제조공정의 방사선 피폭특성에 관한 연구. LCD 제조공정 중 이온화 장비에서 발생하는 전리방사선에 대한 국부적인 노출량은 직독장비를 이용하여 소자 표면이나 소자 차폐면에서 측정하였다.
서 론
- 연구배경
- 연구목적
- 연구의의
- 논문구성
따라서 LCD 제조 공정 장비에서 발생하는 방사선 피폭 특성을 파악하고 작업자의 건강을 보호할 필요가 있다. 이를 위해 국내 2개 LCD 제조공장의 생산과정에서 발생하는 전리방사선과 비전리방사선에 대한 노출수준을 파악하고자 하였다.
문헌고찰
방사선의 특성
비이온화 방사선은 극저주파, 극저주파, 전파, 마이크로파, 적외선, 가시광선으로 분류되지만 모두 전자파(장)의 공통 특성을 공유합니다. 또한, 비이온화 방사선이 물질과 충돌할 때 전리 방사선에 비해 주파수가 낮기 때문에 전달되는 에너지가 작아 원자핵의 이온화를 일으키지 않고 열이 발생한다.
방사선의 유해성
전자기장은 공간을 통해 직선으로 이동하고 굴절될 수 있으며, 방출되는 에너지는 주파수에 비례하지만 파장에 반비례합니다(Cember, 1983). 한편, 높은 수준의 극저주파 자기장 노출과 뇌암 등의 암 발생 사이에는 연관성이 없다는 연구 결과도 보고되었습니다.
방사선 기준
대부분의 국가는 국제방사선방호위원회(ICRP) 방사선 방호 표준을 따릅니다. 한국의 비전리 방사선 시 극저주파 자기장의 강도 기준은 과학기술정보통신부에서 정합니다.
연구대상 및 방법
연구 대상
- 연구대상 사업장 및 공정
- LCD 공정 개요
- 연구대상 유해인자
TFT 공정은 세정 공정을 통해 유리 위의 이물질을 제거하고, 물리적인 방법(스퍼터링 공정)과 화학적 방법(화학기상증착, CVD 공정)을 이용해 유리 기판에 박막을 형성하는 증착 공정을 거친다. CF 공정은 TFT 공정과 유사하게 세정, 증착, 포토 공정으로 구성된다. 모듈 공정은 LC 공정에 액정을 주입해 접합한 뒤, 절단된 패널에 편광판을 부착하고, 인쇄회로기판과 백라이트유닛(BLU)을 연결해 부품을 하나의 LCD 모듈로 만드는 공정이다. 만든 후의 과정(김기웅 외, 2016).
라인 주요 공정 세부 공정 이온화 장치 장비에 설치된 장비 수.
연구 방법
- 측정 방법
- 데이터 처리 및 평가 방법
본 연구에서는 방사선 지역적 피폭 특성과 더불어 방사선 발생 위치를 특정하기 위해 작업자 개인의 피폭 수준도 평가하였다. 비전리방사선의 경우 개인노출과 지역노출을 측정하여 작업장별, 생산라인별, 작업공정별, 직무별 극저주파 자기장 노출 정도를 파악하였다. 고용노동부 고시(화학물질 및 물리적 요인에 대한 노출기준)에도 비전리방사선에 대한 노출기준이 명시되어 있지 않아 ACGIH 노출기준(TLV)을 이용하여 측정결과와 비교하였다.
Emdex lite를 이용하여 근로자의 근무시간 동안 누적 측정한 개인노출량 측정 결과를 다운로드 받아 전용 프로그램을 이용하여 분석하였다.
연구 결과
전리방사선 노출수준 평가 결과
- 전리방사선 개인노출수준
- 전리방사선 지역노출특성
작업장별 전리 방사선에 대한 지역적 노출 특성. 작업장(가공라인)별 전리방사선에 대한 지역적 노출 특성. 산업별 전리 방사선에 대한 지역적 노출 특성.
생산라인별 전리방사선 노출의 지역적 특성.
비전리방사선(극저주파자기장) 노출수준 평가 결과
- 극저주파자기장 개인 최대노출수준
- 극저주파자기장 개인 평균노출수준
- 극저주파자기장 지역노출특성
작업장에서 극저주파 자기장에 대한 개인의 최대 노출 수준입니다. 극히 낮은 주파수 자기장에 대한 평균 개인 노출 수준입니다. 작업장별 극저주파 자기장에 대한 개인의 평균 노출 수준입니다.
공정별 극저주파 자기장에 대한 개인의 평균 노출 수준입니다. 사업장 위치별 극저주파 자기장에 대한 지역적 노출 특성. 공정별 극저주파 자기장에 대한 국부적인 노출 특성.
고찰
전리방사선 노출특성에 대한 고찰
그러나 동일한 장비를 사용하더라도 업종별로 연간 방사선량에는 상당한 차이가 있었습니다. 본 연구에서는 전리장치 개수에 따른 전리방사선 노출과의 상관관계를 분석하였다. 그러나 본 연구에서는 이온화 장치의 개수와 방사선량 사이에 통계적으로 유의미한 상관관계가 나타나지 않았다.
기존 연구의 경우 통제된 실험환경에서 측정이 이루어졌으나, 본 연구에서는 이온화 장치가 설치된 장비의 차폐물 외부에서 방사선 피폭을 측정하여 이러한 결과를 얻은 것으로 판단된다.
극저주파자기장 노출특성에 대한 고찰
본 연구의 대상이 된 LCD 제조공정의 방사선량을 기존의 반도체 제조공정 연구 결과와 비교한 결과, 방사선 피폭량은 유사한 것으로 나타났다. 그러나 차폐되지 않은 천장 레일에 의해 생성된 극저주파 자기장에 대한 높은 노출은 차폐 효과가 아닌 거리 때문인 것으로 판단되었습니다. 반면, LCD 제조 공정 장비에서 발생하는 극저주파 자기장에 대한 노출량은 생산 라인과 공정별로 통계적으로 차이가 있었습니다.
먼저, 본 연구에서는 두 LCD 제조업체를 대상으로 정전기 제거기에서 발생하는 방사선과 다양한 전자기장 발생 장치에서 발생하는 극저주파 자기장을 측정하고 분석했습니다.
결 론
전자 산업 생산 시설에서 극저주파 자기장에 노출되는 특성. LCD 제조 공정 작업자의 극저주파 자기장 노출 특성에 관한 연구. 일부 용접공의 극히 낮은 자기장에 대한 노출 평가.
반도체 제조 작업자의 극저주파 자기장 노출 평가.
