2017년 1학기 공학논문작성법
Title and abstract (version 04)
성명: 노예호 날짜 2017년 5 월 4 일
학과(부) 전자공학부 지도교수 박홍식 교수님
과정명 석사과정 1년차 (예, 박사과정 2년차)
Full or part
time? Full time ( O ) Part time ( ) 세부전공
(해당 학과 내 세부전 공)
반도체 및 디스플레이
(전자공학부 학생은 7개 전공 중 한 개 기입. 예, 반도체, 정보통신, 디스플레이, 유체역학, …) 연구분야
(본인의 연구분야)
Si-GaAs bonding by Sol-gel and Layer transfer by controlled spalling
(아직 본인 연구 분야가 정해져 있지 않으면 연구실 연구분야 기입)
Title (제목) 현재 진행 중인 (혹은 계획하고 있는 가상 의) 연구의 결과물로 정식 논문을 작성한다 고 가정했을 때 사용 가능한 title
(국문)
두께가 조절이 가능한 TEOS를 이용한 CMOS 회로 기판에 Ⅲ-V 화합물반도체 광원소자 의 본딩.
(영문)
Bonding of Ⅲ-V light source on the CMOS substrate using the thickness controlled TEOS
요약문 (Abstract) 현재 진행 중인 (혹은 계획하고 있는 가상 의) 연구의 결과물로 정식 논문을 작성한다 고 가정했을 때 사용 가능한 abstract
(국문)
[1-1] 접합에 대해 분석하고 이용한 연구는 많이 있었다. 접합 기술은 현재 Ⅲ-V 화
합물을 Silicon 기판에 직접적으로 성장시키지 못하므로 전사 기술을 이용하여 접합할 경우 사용하는 기술이다.
(The performance of optimized bonding technologies has been studying. Bonding technology is very well known technology when we use the bonding after transfer three-five compound and silicon because three-five compound on the silicon direct growth is difficult)
[1-2]접합을 하는 기술은 굉장히 많은 종류가 있다. 그 중에서도 TEOS를 이용한 접 합에 대한 연구들도 많이 진행되어 왔다. TEOS를 이용한 접합을 할 경우 TEOS라 는 중간 층을 가져서 열팽창계수와 intrinsic stress에 의한 영향을 적게 받아 안정 적으로 접합이 가능하다
There are a lot of Bonding technologies. Most of all, one of the bonding technologies is the TEOS bonding. TEOS layer is middle layer. Therefore, TEOS layer is less sensitive to thermal expansion and intrinsic stress. TEOS bonding technology is highly stable. We can easily bonding
[2]. TEOS의 접합 정도에 관한 연구와 TEOS의 두께와 관련 없는 절연특성에 관한 연구는 많이 보고 되어 있다. 하지만 TEOS의 두께를 조절하여 두께 별 절연 특성은 보고가 없다.
TEOS bonding related to Surface or insulator property of TEOS unrelated thickness come out. However, we control the TEOS thickness and insulator property of TEOS thickness fluctuation
2017년 1학기 공학논문작성법
[3-1] 이 논문에서, TEOS의 두께 별 절연특성과 TEOS를 이용한 접합을 할 경우 Ⅲ- V 화합물과, CMOS substrate가 각각 정상 작동하고 CMOS와 Ⅲ-V화합물이 동시에 정상 작 동하는지에 관하여 보고한다.
Here in this work, First, we show the insulator property of TEOS thickness fluctuation. also, Normal operation of three-five compound and CMOS substrate if we use the TEOS bonding, lastly, Normal operation of simultaneously COMS and three-five compound.
[3-2] TEOS의 두께측정, TEOS의 접합 층의 quality 두께별 Leakage current 측정, I-V,
Ⅲ-V 화합물의 작동(..), CMOS substrate의 작동(..), CMOS & Ⅲ-V의 작동(..) 들을 체계적으로 분석하였다.
A lot of properties are showed in this picture. In this picture we show that controlled - TEOS thickness measurement, TEOS bonding layer`s adhesion force, as thickness change TEOS leakage current, Current vs Voltage, three-five compound general operation, and CMOS substrate general operation. These results lead TEOS bonding technology is good for bonding.
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