ModuleLabelCode FF1200R17IP5

FF1200R17IP5

PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC

V

= 1700V

I

= 1200A / I

= 2400A

PotentielleAnwendungen PotentialApplications

• Hochleistungsumrichter • Highpowerconverters

• Motorantriebe • Motordrives

• Traktionsumrichter • Tractiondrives

• Windgeneratoren • Windturbines

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures

• ErweiterteSperrschichttemperaturT

• ExtendedoperatingtemperatureT

• HoheStromdichte • Highcurrentdensity

• NiedrigeSchaltverluste • Lowswitchinglosses

• NiedrigesV

• LowV

• T

=175°C • T

=175°C

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures

• GehäusemitCTI>400 • PackagewithCTI>400

• GroßeLuft-undKriechstrecken • Highcreepageandclearancedistances

• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • Highpowerandthermalcyclingcapability

• HoheLeistungsdichte • Highpowerdensity

ModuleLabelCode

BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit

FF1200R17IP5

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 85°C, Tvj max = 175°C ICDC  1200  A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  2400  A

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage VGES  +/-20  V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage IC = 1200 A

VGE = 15 V VCE sat

1,75 2,15 2,35

2,30 2,75 3,00

V V V Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage IC = 43,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,35 5,80 6,25 V Gateladung

Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 900 V QG 6,00 µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,2 Ω

Eingangskapazität

Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 68,0 nF Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V Tvj = 125°C ICES 10 mA Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,56 Ω

td on 0,27

0,28 0,29

µs µs µs Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,56 Ω

tr 0,15

0,17 0,17

µs µs µs Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,0 Ω

td off 0,64

0,71 0,76

µs µs µs Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,0 Ω

tf 0,15

0,20 0,21

µs µs µs Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 900 V, Lσ = 45 nH di/dt = 6450 A/µs (Tvj = 175°C)

VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,56 Ω Eon

265 400 485

mJ mJ mJ Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 900 V, Lσ = 45 nH du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C)

VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,0 Ω Eoff

295 400 470

mJ mJ mJ Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C Kurzschlußverhalten

SCdata VGE≤ 15 V, VCC = 1000 V

VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP≤ 10 µs, Tvj = 175°C ISC 4200 A

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 24,3 K/kW

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT

λ^Paste=1W/(m·K)/λ^grease=1W/(m·K) RthCH 19,6 K/kW

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C

FF1200R17IP5

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

PeriodischeSpitzensperrspannung

Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1700  V

Dauergleichstrom

ContinuousDCforwardcurrent IF  1200  A

PeriodischerSpitzenstrom

Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM  2400  A

Grenzlastintegral

I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C I²t  340

275  kA²skA²s Spitzenverlustleistung

Maximumpowerdissipation Tvj = 175°C PRQM  1200  kW

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

Durchlassspannung

Forwardvoltage IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V

VF

1,80 1,75 1,75

2,20 2,15 2,15

V V V Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze

Peakreverserecoverycurrent IF = 1200 A, - diF/dt = 6450 A/µs (Tvj=175°C) VR = 900 V

VGE = -15 V

IRM

945 1100 1200

A A A Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C Sperrverzögerungsladung

Recoveredcharge IF = 1200 A, - diF/dt = 6450 A/µs (Tvj=175°C) VR = 900 V

VGE = -15 V

Qr

230 410 540

µC µC µC Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltenergieproPuls

Reverserecoveryenergy IF = 1200 A, - diF/dt = 6450 A/µs (Tvj=175°C) VR = 900 V

VGE = -15 V

Erec

130 245 325

mJ mJ mJ Tvj = 25°C

Tvj = 125°C Tvj = 175°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse

Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 43,9 K/kW

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper

Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode

λ^Paste=1W/(m·K)/λ^grease=1W/(m·K) RthCH 22,9 K/kW

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

Nennwiderstand

Ratedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100

DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

Verlustleistung

Powerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW

B-Wert

B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K

B-Wert

B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K

B-Wert

B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.

Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

FF1200R17IP5

Modul/Module

Isolations-Prüfspannung

Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV

MaterialModulgrundplatte

Materialofmodulebaseplate  Cu 

Kriechstrecke

Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  33,0

33,0  mm

Luftstrecke

Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink

Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,0

19,0  mm

VergleichszahlderKriechwegbildung

Comperativetrackingindex CTI  > 400 

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayinductancemodule LsCE 18 nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip

Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'

RAA'+CC'

0,30

0,22 mΩ

Lagertemperatur

Storagetemperature Tstg -40 150 °C

Höchstzulässige

Bodenplattenbetriebstemperatur

Maximumbaseplateoperationtemperature TBPmax 150 °C

Anzugsdrehmomentf.Modulmontage

Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift

ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 6,00 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse

Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

M 1,8 8,0

- -

2,1 10

Nm Nm Gewicht

Weight G 825 g

FF1200R17IP5

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE)

VGE=15V

VCE [V]

IC [A]

0,2 0,6 1,0 1,4 1,8 2,2 2,6 3,0 3,4 3,8 0

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)

IC=f(VCE) Tvj=175°C

VCE [V]

IC [A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 0

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400

VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)

IC=f(VGE) VCE=20V

IC [A]

600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)

VGE=±15V,RGon=0.56Ω,RGoff=1Ω,VCE=900V

E [mJ]

400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700

Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C

FF1200R17IP5

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG)

VGE=±15V,IC=1200A,VCE=900V

RG [Ω]

E [mJ]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 0

100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500

Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter

transientthermalimpedanceIGBT,Inverter

ZthJC=f(t)

t [s]

ZthJC [K/kW]

0,001 0,01 0,1 1 10

1 10 100

ZthJC : IGBT

i:

ri[K/kW]:

τi[s]:

1 1,56 0,00058

2 2,27 0,0105

3 18,6 0,0488

4 1,91 0,648

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA)

reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE)

VGE=±15V,RGoff=1Ω,Tvj=175°C

VCE [V]

IC [A]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0

500 1000 1500 2000 2500

IC, Modul IC, Chip

GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)

VGE=f(QG)

IC=1200A,Tvj=25°C

QG [µC]

VGE [V]

0 1 2 3 4 5 6 7

-15 -12 -9 -6 -3 0 3 6 9 12 15

VCC = 900V

FF1200R17IP5

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF)

VF [V]

IF [A]

0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF)

RGon=0.56Ω,VCE=900V

IF [A]

E [mJ]

0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 0

50 100 150 200 250 300 350 400

Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG)

IF=1200A,VCE=900V

E [mJ]

150 200 250 300 350 400 450 500

Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter

transientthermalimpedanceDiode,Inverter

ZthJC=f(t)

ZthJC [K/kW] 10

100

ZthJC : Diode

FF1200R17IP5

SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)

IR=f(VR) Tvj=175°C

VR [V]

IR [A]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0

300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 2700

IR, Modul

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T)

TNTC [°C]

R[Ω]

0 25 50 75 100 125 150 175

10 100 1000 10000 100000

Rtyp

FF1200R17IP5

Schaltplan/Circuitdiagram

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

58 76

113 150

103 92

5,5 - 0,1+0

1 MAX

37,7 0,25 25,9 0,25

recommeded design height lower side PCB to baseplate

recommeded design height lower side bus bar to baseplate

39

78 117

156

890,5 12,30,3 4,3

4 0,6 A B C M

(7X)

64 14

25 45,5 0,5

screwing depth max. 16 (4x) screwing depth

max. 8 (7x)

0,25 A B C (10x) 0,4 A

(7x)

172 0,5 A

39

8

M 0,6 A B C

24,50,5 (4x) 10

10

8 0,1 (7x)

210,3

36 0,2 18 0,2 (2x)

36,50,3

22-00,6+ 30,1

17 0,1 28 0,1

200,1 21,50,35,5

5,5 C B

73

Trademarks

Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.







Edition2020-06-25 Publishedby

InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany

©2020InfineonTechnologiesAG.

AllRightsReserved.

Doyouhaveaquestionaboutthisdocument?

Email:erratum@infineon.com





WICHTIGERHINWEIS

DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist.

DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden.

DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden.

SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com).

WARNHINWEIS

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung.

SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen

vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.







IMPORTANTNOTICE

Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics

(“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty.

Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications.

Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication.

Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com).

WARNINGS

Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice.

ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof