마이크로 칩 전기영동에 응용하기 위한 다결정 실리콘 층이 형성된 마이크로 채널의 MEMS 가공 제작
김태하·김다영*·전명석†·이상순*
한국과학기술연구원환경·공정연구부복잡유체연구실
136-791 서울시성북구하월곡동 39-1
*동덕여자대학교응용화학과 136-714 서울시성북구월곡동 23-1 (2006년 5월 25일접수, 2006년 7월 26일채택)
MEMS Fabrication of Microchannel with Poly-Si Layer for Application to Microchip Electrophoresis
Tae-Ha Kim, Da-Young Kim*, Myung-Suk Chun† and Sang-Soon Lee*Complex Fluids Research Lab., Environment and Process Div., Korea Institute of Science and Technology(KIST), 39-1, Hawolgok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-791, Korea
*Dept. of Applied Chemistry, Dongduk Woman’s Univ., 23-1, Wolgok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-714, Korea (Received 25 May, 2006; accepted 26 July, 2006)
요 약
본연구에서는유리(glass)와석영(quartz)을재질로사용하여 MEMS(micro-electro mechanical systems) 공정을통해 전기영동(electrophoresis)을위한 microchip을제작하였다. UV 광이실리콘(silicon)을투과하지못하는점에착안하여,
다결정실리콘(polycrystalline Si, poly-Si) 층을채널이외의부분에증착시킨광차단판(optical slit)에의해채널에만 집중된 UV 광의신호/잡음비(signal-to-noise ratio: S/N ratio)를크게향상시켰다. Glass chip에서는증착된 poly-Si 층 이식각마스크(etch mask)의역할을하는동시에접합표면을적절히형성하여양극접합(anodic bonding)을가능케하
였다. Quartz 웨이퍼에비해불순물을많이포함하는 glass 웨이퍼에서는표면이거친채널내부를형성하게되어시
료용액의미세한흐름에영향을미치게된다. 이에따라, HF와 NH4F 용액에의한혼합식각액(etchant)을도입하여표 면거칠기를감소시켰다. 두종류의재질로제작된채널의형태와크기를관찰하였고, microchip electrophoresis에적 용한결과, quartz과 glass chip의전기삼투흐름속도(electroosmotic flow velocity)가 0.5와 0.36 mm/s로측정되었다. Poly-Si 층에의한광차단판의존재에의해, peak의 S/N ratio는 quartz chip이약 2배수준, glass chip이약 3배수준 으로향상되었고, UV 최대흡광감도는각각약 1.6배및 1.7배정도증가하였다.
Abstract − We developed two kinds of the microchip for application to electrophoresis based on both glass and quartz employing the MEMS fabrications. The poly-Si layer deposited onto the bonding interface apart from channel regions can play a role as the optical slit cutting off the stray light in order to concentrate the UV ray, from which it is possible to improve the signal-to-noise (S/N) ratio of the detection on a chip. In the glass chip, the deposited poly-Si layer had an important function of the etch mask and provided the bonding surface properly enabling the anodic bonding. The glass wafer including more impurities than quartz one results in the higher surface roughness of the channel wall, which affects subsequently on the microflow behavior of the sample solutions. In order to solve this problem, we prepared here the mixed etchant consisting HF and NH4F solutions, by which the surface roughness was reduced. Both the shape and the dimension of each channel were observed, and the electroosmotic flow velocities were measured as 0.5 mm/s for quartz and 0.36 mm/
s for glass channel by implementing the microchip electrophoresis. Applying the optical slit with poly-Si layer provides that the S/N ratio of the peak is increased as ca. 2 times for quartz chip and ca. 3 times for glass chip. The maximum UV absor- bance is also enhanced with ca. 1.6 and 1.7 times, respectively.
Key words: MEMS Fabrication, Microchip Electrophoresis, Quartz, Glass, Poly-Silicon, Etching
†To whom correspondence should be addressed.
E-mail: [email protected]
1.
서 론최근의나노기술및바이오기술의발달에따라미세종합분석시스 템(micro total analysis system: µTAS)에대한연구가매우활발하 여 bio-MEMS 기술의핵심적기반이되고있다. µTAS에서높은비
중을차지하고있는 microchip electrophoresis는극미량시료의처 리, 빠른분석시간, 비교적간편한조작그리고 buffer 용액소모의 최소화등의장점으로새로운분석기술로크게주목받고있다[1-4].
전기영동은하전된입자들이분산되어있는현탁액에가해진전기 장에의한입자운동원리가기본인데, microchip electrophoresis에
의한분석대상물질로는단백질, DNA, 아미노산, 세포입자등다양
하다. 더욱이 single-channel microchip의연구는물론이고, capillary array electrophoresis와같이부가적인기능들을가지고있는집적회
로역시활발히시도되고있다[5].
Microchip electrophoresis에서 chip의채널소재로 glass나 quartz
를사용하면 UV 검출기를도입할수있다. UV 검출기는형광검출
기등과같은다른방식에비해상대적으로비용은저렴하면서조 작은비교적간편한장점이있다. 그런데 UV 검출기를채택한 microchip electrophoresis에서는 UV 광이채널이외의부분에서는 차단되도록하고오로지채널부분에만집중되게하여그결과 peak
의검출세기를높이는기능을갖도록 chip을제작하는연구가필수 적이다. 여기서 peak의검출세기는 UV 광의신호/잡음비(signal-to- noise ratio: S/N ratio)에해당된다. 이와관련하여현재상업적으로 제공되는경우는, 채널기판(channel plate)과 reservoir 기판(reservoir plate) 사이에 Si/SiO2층이형성되어일종의광차단판(optical slit)
역할을할수있는 chip이 quartz 재질에만국한하여개발되어있다
[6, 7]. 이에따라광차단판의제작에관한심화연구와보다다양
한재질의 chip에대한응용확장에관한연구가요구되고있다.
본연구에서는식각마스크(etch mask) 역할이가능한다결정실 리콘(poly-Si)을선택하여광차단판을형성시킨 glass와 quartz 재
질의두종류 chip을성공적으로제작하는 MEMS 공정을확립하였
다. On-chip 방식의소자제작에있어사용되는대표적인재질인
glass와 quartz를비교해보면, UV-VIS-IR 투과도범위가 quartz는
170~3500 nm로서 glass의 300~2200 nm보다넓다. 이러한 quartz의
광학적특성은불순물이적어서 UV 검출이용이함은물론이고, 보 다다양한종류의분석시료를적용할수있다[8]. 반면에 chip 제작
과정에서접합이쉽지않은측면이있다. Glass는불순물인 Na2O, CaO, MgO, Al2O3,Na, Li등을다량포함하기때문에 UV 검출능 력은 quartz에비해떨어진다. 한편, chip 제작과정에서 quartz에비 해식각속도는빠르지만, 상대적으로표면이거친채널벽면을형 성하여분석하고자하는시료용액의미세한흐름에영향을미친다.
이에따라본연구에서는식각액(etchant) 조성에대한최적조건을 도입하여표면거칠기를크게감소시켰다.
본연구에서시도한 poly-Si 층을 glass 기판에도입한 chip의제 작은이분야에서는아직보고되지않은연구이다. 특히, glass에서
채널기판에증착된 poly-Si 층은 HF에의한습식식각(wet etching)
과정에서식각마스크의역할을하는동시에채널기판과 reservoir
기판사이에접합표면을효과적으로형성하여양극접합(anodic bonding)을가능하게함을규명하였다.
2.
마이크로 채널 제작(microchannel fabrication)
전기영동검출과정에서발생되는여러종류의미세한교란을제
거하기위해불순물이최소이고양면이잘연마된 borosilicate 계열
의 glass 웨이퍼(Pyrex 7740, Corning), quartz 웨이퍼(Semi Materials Co., 성남시) 그리고실리콘웨이퍼(LG-Siltron Inc., P-100)를구입 하였다. 이들웨이퍼의지름은 4 inch이고, 두께는채널기판용도에 서는 0.5 mm, reservoir 기판용도에서는 1 mm이다.
Fig. 1(a)는채널제작에필요한마스크설계도로서, 채널폭은 10 µm
이고 1개 chip의크기는가로와세로가 3.5 cm와 1.25 cm이다. Fig. 1(b)
는 reservoir 제작에필요한마스크설계도로서, 1개의 chip에는지름
2.23 mm인 4개의 reservoir와아울러지름 1.0 mm인 2개의정렬마
크(align mark)가위치한다. Pt 전극증착을위한도면은 Fig. 1(c)에 나타내었다. 모든설계도는 AutoCAD 2006을이용하였고, 채널설계 도와 reservoir 설계도는포토리소그래피(photo lithography)에사용하 기위해필름마스크를제작하였다. 채널및마이크로칩의전체제
작과정을종합하여 Fig. 2에나타냈고, 각단계별과정은다음과
같다.
2-1. Poly-Si층의증착(deposition)
실리콘증착에앞서웨이퍼를 Piranha 용액(H2SO4:H2O = 1:3)에
10분담가놓은후탈이온수에서 N2기포를이용하여세척한다. 이
Fig. 1. Layout designs for fabricating (a) microchannel, (b) reservoir and align key, and (c) electrode.
어서 spin dryer에 10분건조시킨웨이퍼위에 LPCVD(low pressure chemical vapor deposition, APEX Co., 충북청원)로 poly-Si를증
착시킨다. 형성된희생층은산소플라즈마식각에의해서만제거되 고, 나중의습식식각과정에서 HF에의한영향은받지않는다[9,10].
일반적으로 poly-Si은 25~150 Pa의낮은압력과약 600 oC 조건에 서화학기상증착이되는데, 그과정은 <I> 원료기체의반응기내
부로의도입과기상에서의균일분해반응, <II> 대류와확산에의 한화학종들의기판표면으로의물질전달, <III> 필름전구체(film precursor)들의기판표면에의흡착, <IV> 흡착된필름전구체의기 판에서의표면확산및탈착, <V> 불균일표면반응에의한박막형
성및휘발성반응생성물의형성, <VI> 휘발성반응생성물의탈 착및기상으로의이동에의해반응이진행된다[10].
본연구에서는 540 oC 와 250 mTorr (33 Pa)에서 silane (SiH4)
기체를 50 sccm로흘리는조건으로, glass 웨이퍼는 150분간진행
하여 poly-Si를 5000 Å 두께로, quartz 웨이퍼는 80분간진행하여
2,100~2,400 Å 두께로증착시켰다. Silane 기체의열분해반응(즉, SiH4 → Si + 2H2)에의해, Si는기판표면에흡착되고수소기체는
탈착되어날아가고결국웨이퍼위에는 poly-Si가형성된다.
2-2. 포토리소그래피(photo lithography)에의한 채널패턴닝 다음공정은웨이퍼위에원하는모양의채널패턴을형성하는 단계이다. 감광제(photo resist, PR)의특성을이용하여, 원하는패턴 의마스크를사용하여빛을선택적으로 PR에조사함으로써마스크
와동일한패턴을형성하는포토리소그래피를도입하였다. Positive
PR의경우는종종실리콘웨이퍼위에접착이어려운데, 이는웨이
퍼위에수분이존재하는경우에더욱심하므로 spin 코팅이전에
수분을제거한다. 또한웨이퍼표면은친수화될수록 PR의흡착력이
좋아지므로 hexamethyldisilazane(HMDS)를도포해준다. Si는공기
중에서항상 20~50 Å 두께의얇은 native oxide로덮여있어 HMDS
의 Si-NH-Si 기와반응하여표면에서강한접합을형성한다[11].
이어서, positive PR(AZ4620, Clariant Corp., Somerville, NJ)을
2,000 rpm으로 35초동안코팅시켜 10 µm 두께로쌓은후, hot plate로
110 oC에서 2분 30초동안 soft bake 한다. Fig. 1(a)의필름마스크와 mask aligner(MA6, Karl Süss, Germany)를이용하여 34 mW/cm2의 에너지로 40초씩 3번노광시킨다. 현상액(developer)인 MIF 400 K
로현상시키고탈이온수로세척하면, 채널부분이식각되어원하는 패턴이형성된웨이퍼를얻는다. 현미경과 profilometer(Alpha Step 200, Tencor Instruments)를이용하여채널폭과깊이를측정하여설 정된값이얻어졌으면, 130 oC에서 3분간 hard bake한다. 이때설 정된채널폭은약 10 µm이고깊이는약 10 µm이다.
2-3.채널의식각(etching)
2-3-1. 건식식각(dry etching)
Poly-Si의건식식각을하기전에웨이퍼뒷면에 PVC UV 필름을
부착시키는데, 이는 RIE(reactive ion etching, 790 Series, Plasma- Therm Corp., Switzerland)에의한건식식각과정에서진공이완벽
하지못함에따른웨이퍼가장자리부분에서의불필요한식각을방
지하기위함이다. 만약웨이퍼뒷면의 poly-Si가건식식각되면후속
공정인 HF 습식식각에노출되어불량한접합을가져오게된다. RIE 공정에서는진공분위기에서생성된이온및라디칼의계속
적인충돌과전기적인력에의한가속으로재료표면에충돌하고 분자결합을파괴하여수천 Å~수 µm 두께를깎아낸다[12, 13]. Fig. 3
에플라즈마에의한 RIE 건식식각공정을나타내었다. 100 mTorr
에서 SF6와 O2 기체를각각 20 sccm과 5 sccm으로흘리면서 120 W
를 10분동안가해주었다. RIE의경우는물리적식각과화학적식
각이동시에일어나므로채널은완전히비등방성(anisotropy) 형태 가아니다. 좀더비등방성형태를원한다면낮은압력과높은에너 지에서공정을해야하는데, 이같은조건에서는반응하는분자들의
평균자유경로(mean free path)가식각된깊이보다점점커져활성화 된비하전입자들이바닥표면과활발히충돌하여결국채널의벽
면보다더많이식각되기때문이다. Poly-Si의건식식각이끝나면
탈이온수로세척한다. Fig. 2. Fabrication process for the microchip with poly-Si layer.
Fig. 3. Schematic of plasma etching process [10].
2-3-2. 습식식각(wet etching)
Glass와 quartz는 silica(SiO2)로구성되어있다. Si는 HF이나 NH4F
수용액에의하여잘녹는데, 이는 F성분에의해 Si가용해되기때 문이다. 습식식각은 4HF(l) + SiO2(s) → SiF4(g) + 2H2O(l)의반응 에의한다. Quartz는 HF 수용액(49 wt％)으로, glass는불순물로인
한표면거칠어짐을보완하기위해 HF (49 wt％)와 NH4F (40 wt％)
수용액을 1:1의비율로섞은혼합식각액으로습식식각하였다[9].
Profilometer로측정한식각속도는 glass와 quartz가각각 0.2 µm/min와
1 µm/min로서, 일반적으로알려져있는거동과달리 glass 경우가
더느렸는데, 이는도입된혼합식각액의조성때문이다. 현미경으 로식각된채널깊이를확인하면서원하는수치가나왔으면아세톤 에 10분간담가 PR을제거하고, 4분간초음파세척하여식각후에
채널상층부입구에일부남아있는 poly-Si를절단한다. PVC UV
필름은 mask aligner를이용하여 300 mJ/cm2의에너지를조사하여 제거한다. Channel 부분에는 UV 광이투과되어 peak를검출해야하
므로뒷면의 poly-Si도이같은방법으로완전히제거해준다.
3.
마이크로 칩 제작(microchip fabrication)
Fig. 2의전체공정에따라서앞서완성시킨 poly-Si 증착층과채
널부분이형성된채널기판을 reservoir 기판과접합하여 microchip
을제작한다. Dry film resist(DFR)로코팅한후에패턴닝과정을거
친 reservoir 기판에는 sand blast 기법으로 1개의 chip에대해서 4
개의 reservoir와 2개의정렬마크구멍을형성하였다[14].
3-1. Glass웨이퍼의양극접합(anodic bonding)
Glass와 Si(poly-Si)의양극접합기법의기본은 glass 웨이퍼에함 유된 Na 및 Li 이온(Pyrex는대략 3~5％의 Na 포함)들의이동으로 서, 온도를높여주면 glass는전도성있는고체전해질이되어 Na가 음극방향으로이동하면서접합된다. Na의이동결과 glass와실리
콘의경계면에공간전하가형성되고, 대부분의전압강하는이공간
전하지역에걸쳐발생한다. Glass와실리콘사이의높은전기장은
정전기적힘을일으키고, 온도상승으로 glass 표면과실리콘사이
에공유결합을형성한다[15, 16]. Wafer bonder를이용하여 hot plate
를 360 oC로가열하고실리콘과 glass에양극과음극을각각연결 하여직류 power supply로 800 V 조건에서 30분간 3 kgf/cm2압력
을가하여실리콘표면에존재하는결합이끊긴이온(+)이 glass의
산소이온(−)과결합하게하였다. 실험결과불완전한접합으로생성
되는 pin-hole 현상이거의없는양호한특성을나타내었다.
3-2. Quartz 웨이퍼의 HF접합
Quartz 웨이퍼의 경우는, PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition, 790 Series, Plasma-Therm Corp., Switzerland)를이 용하여채널기판에 2분 30초간 SiH4와 N2O 기체를흘려 SiO2를
1,000 Å두께로증착시켜접합표면을형성한다. 채널기판과 reservoir
기판사이에 HF 용액(0.5 wt％)을주입하고, 정렬한후에 wafer bonder(TPS-100A-AF-A, BNP Science, 경기도)를이용하여 110 oC
에서 4 kgf/cm2의압력으로 30분간접합한다[7, 17, 18].
3-3.전극 증착(electrode deposition)
Pt 전극을스퍼터링(sputtering)하기전에전극이증착될부분을
실리콘웨이퍼상에서 Nd:YAG 레이저로뚫은 shadow mask를 Fig. 4
와같이제작하였다. 직류스퍼터링에의한전극증착은기체를진 공 chamber 안으로주입하여목표물질(target)인 Pt/Ti와충돌시켜 플라즈마를생성시킨후이를기판에코팅시키는방법이다. 직류스 퍼터링은전류량과박막층의두께가거의비례하므로조절이쉽고 박막층이매우균일하고높은에너지공정으로서증착강도가높다 는장점이있다[10].
본연구에서는 Fig. 5와같이목표물질을음극으로기판을양극 으로하였고불활성기체인 Ar을사용하였다. 직류전원을인가하면
주입된 Ar 기체는음극쪽에서방출된전자와충돌하여이온화된다.
이때 Ar이전자를방출하면서에너지가방출되고, glow discharge
가발생하여이온과전자가공존하는보랏빛의플라스마를보인다.
플라스마내의 Ar+ 이온은큰전위차에의해음극방향으로가속되
어목표물질의표면과충돌하면, 중성의원자들이튀어나와기판에 박막층을형성한다. 실험방법은세척한웨이퍼기판을장착하고
chamber 내부가 7 mTorr에서 Ar 기체를주입한후 100 W의전원 을인가한다. Pt의증착성을높이기위해먼저 Ti을 20 nm 두께로
증착시킨후 Pt를 500 nm 두께로증착시킨다. 증착속도는 10 nm/min
이고상온에서진행하였다.
4.
결과 및 고찰Fig. 6은혼합식각액에의해완성된웨이퍼를 Nd:YAG 레이저로
Fig. 4. Photograph of the shadow mask.
Fig. 5. Schematic of DC sputtering of electrodes.
절단하여제작한 microchip이다. Microchip의채널구조는시료에
대한전기영동성능에영향을끼치는중요한요인이다. FE-SEM
(field emission scanning electron microscope, S-4700, Hitachi) 관측 으로완성된 microchip의채널형태와크기를 Fig. 7과같이비교하 였다. 여기서는, glass chip과 quartz chip 모두 HF 용액으로습식식 각하였기때문에기본적으로채널의단면형태는등방성(isotropy)
인데, quartz chip이좀더비등방성인사다리꼴을나타내었다. 이는
HF 용액에의한습식식각에서채널의깊이방향대폭방향의식각
속도비율이 glass에서는 1.09:1이고, quartz에서는 0.83:1인측정결 과로예측되는사실이다. 한편, 채널의바닥표면은불순물을많이
포함한 glass의경우가좀더거친상태임을볼수있다. 채널크기
는 quartz chip은상부채널폭이 135 µm이고깊이는 50 µm이었다. Glass chip에서는 HF 용액만으로식각한경우는채널폭 146 µm, 깊 이 61 µm이고, HF와 NH4F의혼합수용액으로식각한경우는채 널폭 117 µm, 깊이 49 µm이었다.
일반적으로 glass의경우는포함된불순물때문에식각과정중에
발생하는 pin-hole과같은현상으로후속공정인접합과정에서표면
이거친채널내부를형성하여시료및 buffer 용액의미세한흐름
에영향을미치게된다. 이를개선하기위한 HF(49 wt％)와 NH4F (40 wt％)의혼합식각액에서, HF는 oxide 식각에직접관여를하며 NH4F는식각속도를조정하여균일성을좋게하는완충용액의역할 을한다. 즉, HF → H+ + F− 에서낮아진 pH를 NH4F → NH4+ + F−의 과정에서보충함은물론, HF에약한 PR을습식식각이끝날때까지 온전하게보호해준다. Fig. 8에서기존의 HF 용액과혼합식각액으
로새로이시도한마이크로채널내부의표면상태를 SEM 관측으
로비교하였다. 후자의경우에식각속도는 0.2 µm/min으로저하되 었지만채널벽면은물론이고바닥면에서매끄러운표면상태를보 여주고있다. Microchip electrophoresis의실제적인응용측면에서 보면, 극미량의시료분석성능을더욱향상시키기위한채널내부
표면상태의물리적, 화학적제어에관한연구가중요한비중을갖 고있다.
제작된 glass chip과 quartz chip의기본적인분석성능을확인하기 위해 microchip electrophoresis(MCE2010, Shimadzu Corp., Japan)
에서의 neutral marker에대한 전기삼투흐름속도(electroosmotic flow velocity)를비교하였다. Buffer 용액인 Tris 50 mM은 pH 10.7
로동일하였고, 전기장은 500 V와 5~10 µA, neutral marker로는
benzyl alcohol을사용하였다. Fig. 9에얻어진바와같이, quartz chip
이 glass chip에비해 UV 흡광감도가더우수하고, 아울러빨리검
Fig. 6. Close-up view of the microchip for electrophoresis, where cross-sectional view is taken along A-A’.
Fig. 7. SEM images of the channel plate obtained by wet etching with HF (49 wt.％) etchant: (a) cross-section of the quartz channel, (b) cross-section of the glass channel, (c) bottom surface of the quartz channel, (d) bottom surface of the glass channel.
Fig. 8. SEM images of side-wall and bottom surfaces of the glass channel obtained by using two different etchants: (a) HF only and (b) mixed of HF and NH4F.
출되었다. 여기서 UV 최대흡광감도는 quartz chip과 glass chip이 각각 295±5 mAbs와 195±5 mAbs이고, 전기삼투흐름속도는 quartz chip과 glass chip에서각각 0.5 mm/s와 0.36 mm/s으로산출되었다.
한편, peak 특성치에대해서 poly-Si 층의광차단판이없는경우와 의비교결과를 Table 1에정리하였다. 광차단판의존재에의해서
S/N ratio는 quartz chip이약 2배수준으로 glass chip이약 3배수
준으로향상된것으로나타난다. 아울러 UV 최대흡광감도는약
1.6 및 1.7배정도로각각증가하였음을알수있다.
5.
결 론UV 검출방식의 microchip electrophoresis에응용가능한 glass와 quartz 재질의 microchip을 poly-Si 증착, 습식및건식식각, 접합과
정을포함하는 MEMS 공정에의해제작하였다. Si/SiO2층을도입
하였던기존연구와는달리본연구에서채널기판과 reservoir 기판
사이에형성시킨 poly-Si 층은광차단판의역할은물론이고식각
마스크와접합표면으로서의중요한기능도제공하였다. 특히, 광차
단판의역할은 UV 광의 S/N ratio와흡광감도를향상시켜전기영
동분석성능에결정적으로작용한다. 기존의연구에서는다루어지
지않은 glass chip의경우는양극접합이용이한반면에거친채널
표면을갖는데, 본연구에서는혼합식각액을도입하여이를개선 하였다. Quartz chip은 Glass chip의경우에비해채널내부의표면 은매끄러웠지만접합특성은좋지못하였다. 한편, 두종류의 chip
에대한전기삼투흐름속도의측정에서 microchip electrophoresis에
의적용가능성이확인되었고, quartz chip이 glass에비해 UV 광의 흡광감도가우수하였다. Peak 특성을대변하는 S/N ratio와흡광
감도에대한정량적인비교를통해서, poly-Si 층으로구현되는광
차단판이분석성능의향상에직접적으로기여함을제시하였다. 감 사
본연구는 MEMS 가공제작연구에관한한국과학재단특정기초
연구사업(R01-2004-000-10944-0)과µTAS 연구에관한 KIST 핵심
역량심화연구사업(2E19570)의지원으로수행되었습니다.
참고문헌
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Fig. 9. Electropherograms and gel images for the electroosmotic flow of benzyl alcohol in the channel of (a) quartz chip and (b) glass chip.
Table 1. The change of peak properties according to an existence of the optical slit with poly-Si layer
Peak Properties Quartz Chip Glass Chip
Without
Optical Slit With
Optical Slit Without
Optical Slit With Optical Slit S/N Ratio 2.7∼3.5 6.1∼6.7 5.5∼6.6 15∼23 Max. UV Absorbance
(mAbs) 188 ± 3 295 ± 5 118 ± 4 195 ± 5
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![Fig. 3. Schematic of plasma etching process [10].](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/123dokinfo/5408295.220518/3.892.67.431.137.516/fig-schematic-of-plasma-etching-process.webp)
