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Germanium Texturing 기술 개발조용진, 추혁성, 임상우

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Theories and Applications of Chem. Eng., 2014, Vol. 20, No. 2 2036

화학공학의 이론과 응용 제20권 제2호 2014년

Germanium Texturing 기술 개발 조용진, 추혁성, 임상우*

연세대학교 (swlim@yonsei.ac.kr*)

최근 화석연료의 사용으로 인한 오염발생 및 고갈로 인한 가격의 상승과 원자력 발전의 폐기 물 처리문제 및 사고 위험의 대두로 인해 이러한 문제로부터 자유로운 에너지원에 대한 사회 적 관심 및 요구가 증가하고 있다. 태양광 전지는 태양광을 원천으로 사용하기 때문에 에너지 원의 고갈의 문제로부터 자유롭고 오염이 없다는 장점으로 인해 대표적인 신 재생 에너지로 여겨지고 있으며 국내∙외에서 해당 분야에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.

Germanium은 태양전지 소자로 일반적으로 사용되는 silicon 대비 band gap이 작으며 (0.67eV Vs.

1.11eV) 전자 이동도는 2.9배, 정공 이동도는 약 4배 높다. 그 결과 풍부하게 형성된 여기 전자, 정공은 빠르게 이동하여 고품질의 태양전지를 제작할 수 있는 소자로 예상할 수 있어 해당 소 자의 활용에 대한 연구가 필요하다.

본 연구에서는 다양한 MACE (Metal Assisted Chemical Etching)공정을 통해 germanium wafer의 texturing sample을 제작하였고 SEM, AFM 등을 통해 표면 구조를 확인하였으며 UV-Vis. 를 사용 하여 반사도의 감소를 확인하였으며 그 결과 100nm 이상의 RMS를 확보하였으며 30% 이상의 반사도 감소를 확인하였다. 이를 통해 MACE 및 wafer의 종류 및 전 처리 조건 등에 따른 texturing sample 표면의 구조적 특성을 확인하였으며 그 결과 germanium texturing의 품질을 결정 하는 데 있어 주요하게 작용하는 파라미터 및 그 기제를 확인할 수 있었다.

참조

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