서
론
삼중수소 마이크로전지는 삼중수소의 베타선을 에너 지원으로 하는 원자력전지이다 (Olsen 1973). 삼중수소의 베타선이 다이오드 타입의 반도체 소자에 조사되면 베 타선의 에너지가 전자, 전공의 쌍을 생성하거나 2차 전 자를 발생시켜 이를 전극에 연결하면 전류가 흐르게 된 다. 그런데 삼중수소는 방사성 물질이므로 이를 취급하 기 위해서는 별도의 시설이 필요하고 또한 삼중수소를 적절한 형태로 바꾸어 반도체 소자에 설치해야 한다. 현 재 고체상태의 선원인 삼중수소화 티타늄 분말 또는 박 막을 사용한 삼중수소 마이크로전지의 개발이 연구 중 에 있다. 삼중수소화 티타늄 분말 또는 박막이 개발, 제 작되기 전에는 삼중수소를 사용하여 반도체 소자 특성 분석 실험을 할 수 없게 된다. 따라서 삼중수소 마이크 로전지의 개발 분야별 연구를 병렬로 진행하기 위해서 는 삼중수소의 베타선을 대체할 방안을 강구해야 한다. 베타선은 CRT, 전자현미경 등의 전자총에서 발생하는 음극선과 같이 에너지를 갖는 전자의 흐름이다. 이러한 음극선과 베타선의 차이는 음극선은 미리 설정한 에너 지 근처의 좁은 분포를 갖는 거의 균일한 에너지를 가 지는 전자의 흐름이고 베타선은 방사성 동위원소의 붕 괴 시 발생하는 전자의 흐름으로 일정한 범위의 에너지 스펙트럼을 가지고 있다는 것이다. 삼중수소의 베타 붕 괴는 ─ ─ 141 ──음극선을 이용한 삼중수소 베타선 모사
김광신*∙이숙경∙손순환∙임 훈1∙이동환1 한국전력공사 전력연구원, 1삼창기업주식회사 제어기술연구소Simulation of Beta Rays from Tritium with Cathode Rays
KwangSin Kim*, Sook-Kyung Lee, Soon-Hwan Son, Hoon Lim1and Dong-Hwan Lee1 Nuclear Power Laboratory, Korea Electric Power Research Institute, Daejeon 305-380, Korea1Control Technology Research Institute, Samchang Enterprise Company, Ulsan 680-010, Korea
Abstract -- Beta rays emitted from tritium in titanium tritide film were simulated with cathode
rays of a scanning electron microscope to investigate the effect of beta rays from tritium on semiconductor devices. The cathode ray currents, which vary with the change of applied energy and beam spot size, were measured with Faraday cup. The current from the semiconductor device irradiated with cathode rays at various conditions was measured. The cathode ray current increased with the increase of spot size to a maximum then decreased when the spot sized increas-ed further. The magnitude of current producincreas-ed in the semiconductor device is proportional to the magnitude of cathode ray current. The magnitude of cathode ray current at each energy level was matched to the intensity of beta ray to simulate the tritium beta ray spectrum. Then the semiconductor characteristics were analyzed with I-V curves.
Key words : Tritium, Beta rays, Cathode rays, Titanium
* Corresponding author: KwangSin Kim, Tel. +82-42-865-5563, Fax. +82-42-865-5504, E-mail. [email protected]
T → He++++ e-++νe++ΔE 의 형태로 베타선 외에 안티뉴트리노가 발생하는 3체 반응이기 때문에 알파선과는 달리 단일 에너지가 아닌 에너지 분포를 가지게 된다. He 원자핵의 질량이 상대적 으로 워낙 크기 때문에 거의 모든 에너지는 베타선과 안티뉴트리노 사이에 분배되고 이 분배되는 정도에 따 라 베타선의 에너지의 강도가 달라진다. 안티뉴트리노의 에너지가 0일 때 베타선은 최대 에너지를 갖게 된다. 삼 중수소의 경우 이 값은 18.6 keV이다. 이러한 베타선의 에너지 분포를 모사하기 위하여 에너지 별로 베타선의 spectrum에 맞추어 음극선의 flux를 결정하는 방법을 사 용하였다.
TiT
2표면에서의 베타선 방출 계산
삼중수소화 티타늄 (TiT2)에서 방출되는 베타선의 에 너지 분포는 기체 상태에서의 에너지 분포와 다르다. 이 는 베타선이 저장매질을 통과하면서 일부 흡수되기 때 문이다. Kherani는 삼중수소의 베타선과 물질과의 반응 식으로부터 삼중수소화금속에서 방출되는 베타선의 스 펙트럼을 계산하는 프로그램을 개발하였고(Kherani 1994) 이를 이용하여 삼중수소화티타늄에서 방출되는 베타선 의 스펙트럼을 계산하였다 (Kherani and Shmayda 1992; Kherani et al. 1997) 이때 티타늄 표면은 무한의 면적을 가지는 평면으로 가정하였다. 또한 이차전자의 발생 및 그로 인한 효과는 무시되었다. 티타늄 두께에 따른 베타 선의 특성을 Table 1에 정리하였고 Fig. 1에 그 일부를 표시하였다. 가장 얇은 두께에서도 전자 출력 분율이 0.5인 것은 베타선이 확률적으로 방향성이 없이 방출되 는 것으로 가정하였고 따라서 표면 쪽으로는 전체 베타 선의 절반이 방출되기 때문이다. 이 두께에서는 자체 흡 수가 거의 없어 모든 베타선이 외부로 방출되는 것을 알 수 있다. 그렇지만 두께가 증가함에 따라 출력 분율 이 감소하는데 이 감소분만큼 자체 흡수가 일어났다고 볼 수 있다. 이 베타선의 flux를 각 전자가 갖고 있는 에 너지에 따라 계산해주면 방출되는 베타선의 전기출력을 알 수 있고 이론적 최대치에 대한 출력 분율도 계산할 수 있다. 두께가 증가할수록 출력 분율이 줄어들므로 두 께가 얇을수록 자체흡수가 작아 낭비되는 삼중수소가 줄어들게 된다. 그러나 너무 얇게 되면 출력의 절대값이 작아지므로 적절한 최적 두께를 찾아야 한다.재료 및 방법
1. 실험 재료 삼중수소 마이크로전지를 위한 반도체는 아직 개발이 완료되지 않아 상용제품인 KPE사의 태양전지용 반도체 (Model S125-R150 Rev4)를 대신 사용하였다. 사용한 반 도체의 특성을 Table 2에 정리하였다. 2. 주사전자현미경 음극선의 선원으로 주사전자현미경 (Scanning Electron Table 1. Estimated beta ray emission from titanium tritide films (Kherani and Shmayda 1992)Film Tritium density Electron flux Fractional electron Electronic energy Fractional power thickness (nm) (Bq cm-2) (nA cm-2) output flux (uW cm-2) output
1 0.02×109 0.003 0.50 0.02 0.50 100 2.02×109 0.12 0.36 0.74 0.39 200 4.03×109 0.17 0.27 1.15 0.30 500 10.1×109 0.23 0.14 1.57 0.16 1000 20.2×109 0.24 0.07 1.65 0.09 1250 25.2×109 0.24 0.06 1.65 0.07 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0
Electron flux (pA cm
-2) 500 nm 200 nm 100 nm 0 2 4 6 8 10 12 14 16
Electron energy (keV)
Fig. 1. Tritium beta ray spectrum from titanium tritide film (Khe-rani and Shmayda 1992).
Microscope, SEM)을 사용하기로 하였다. SEM을 사용하 는 데는 다음과 같은 몇 가지 장점이 있다. - 음극선에너지의 범위가 0~30 keV로서 삼중수소 베타 선의 최대 에너지인 18.6 keV를 포함하고 있다. - 현미경으로서 시료를 관측할 수 있어 음극선을 조사 하기 전에 음극선이 조사되는 시료의 위치 및 영역을 정확히 조절, 관찰 할 수 있다. - 음극선 빔의 spot size와 조사 영역을 조절함으로써 음 극선 flux의 조절이 가능하다.
- 필요하면 SEM에 설치된 EDS (Energy Dispersive
X-Ray Spectroscopy)을 사용하여 시료의 화학적 성분을 분석할 수 있다. 본 실험에서 사용된 SEM은 JEOL사의 JSM-6460LV 모델이었다. 한 가지 단점은 필라멘트의 수명이 짧아 실 험 중 음극선의 특성이 변하는 것으로 동일 시료로 장 시간 실험하는 데 어려움이 있었다. 3. 실험용 부품 제작 및 설치 현미경으로 사용되는 SEM을 우리 실험의 목적에 맞 게 음극선 조사장치로 사용하기 위해서는 시료를 설치 하기 위한 sample holder의 제작과 Faraday cup의 설치,
feed through의 설치 등 개조가 필요하다. 개조 부분에 대한 개략도를 Fig. 2에 표시하였다. 음극선 조사에 의해 반도체 소자 시료에 발생한 전류는 별도의 정밀전류계 로 측정하였다. 반도체 소자 시료와 정밀전류계 사이의 연결은 SEM에 설치된 여분의 구멍에 feed through를 설 치하여 전선으로 연결하였다. Feed through의 구조는
Fig. 2의 왼쪽에 나타내었다. Fig. 3에 표시한 sample
holder는 전자현미경에 사용하는 sample holder로서 시 료설치 기판을 고정할 나사 구멍과 Faraday cup으로 사 용할 구멍이 각각 4개씩 추가되어 있다. 음극선의 총 전 류는 음극선이 Faraday cup 안에만 조사되도록 배율을 조정함으로써 측정하였다. 음극선의 전류 측정은 sample
holder와 전기적으로 연결된 SEM 뒤쪽에 위치한 port의
BNC connector를 통하여 정밀전류계로 측정하였다. 4. 측정 장비 반도체 소자에서 나오는 전류는 pA 또는 fA 정도의 미세 전류이므로 이를 측정하기 위하여 매우 정밀한 전 원-전류계가 필요하다. 본 실험에서는 Keithley사의 Source-Measure Unit 236을 음극선 전류 측정, 반도체 소 자 시료의 전류측정 및 I-V curve 작성용 외부 전원으로 사용하였다. 반도체 소자에서 발생하는 전압은 이론적으로 Si 소자 에서는 1 V 정도가 나와야 하나 실제로는 이보다 낮게 Table 2. Characteristics of commercial solar cell semiconductor
Grade Voc Isc Vm Im Pmax (mV) (A) (mV) (A) (Wp) HG1 600±10 5.05±2% 495±15 4.58±2% 2.34±0.05
Fig. 2. Sketch of SEM modification.
Multimeter Coaxial cable Torr seal Cu wire Cu M2 Sample holder Sample PCB PCB or insulator Cable Cable Faraday cup
나와 정밀한 전압계가 필요하다. 본 실험에서는 Keithley 사의 Nanovoltmeter 2182A를 사용하였다. Keithley 측정 기기들은 실험 자료를 수집하고 분석할 수 있는 soft-ware가 포함되어 있다. I-V curve 작성을 위한 가변 저항은 10~2 MΩ (오차 1%)인 저항을 사용하였다. 5. 실험 방법 1) 음극선 전류 측정 음극선으로 베타선을 모사하는 것이기 때문에 음극선 의 전류는 베타선의 수, 즉 삼중수소의 양과 밀접한 관 계가 있다. 삼중수소의 양이 정해지면 에너지별 음극선 의 전류가 Table 1과 같이 결정된다. 따라서 베타선을 모사하기 위해서는 선택한 고체선원에 해당하는 음극선 의 양을 결정해야 한다. 주사전자현미경에서 음극선의 전류는 spot size를 변경하여 변화시킬 수 있다. 이를 위 해서는 spot size와 전류 사이의 관계를 실험을 통하여 측정해야한다. 따라서 1 keV 간격으로 20 keV까지 에너 지별로 spot size를 변경하며 Faraday cup에 음극선을 조 사하였다. 본 실험에서 사용한 전자현미경은 0~99까지 100 단계로 spot size를 변경시킬 수 있다.
2) 반도체 소자 시료 출력 전류 측정
반도체 소자 시료에 음극선을 조사하고 외부에서 그 전류 및 전압을 측정하였다. 음극선 전류의 측정과 마찬 가지로 1 keV 간격으로 20 keV까지 에너지별로 spot size 를 변경하며 반도체 소자에 조사하였다. 실제로 알아야 할 관계는 주어진 음극선 전류에 따른 출력 전류의 변 화이지만 실험 중 쉽게 변화시킬 수 있는 것이 spot size 이므로 이를 변화시키면서 실험을 하였다. 실험 후 spot size에 대응하는 음극선 전류와 반도체 소자 시료 출력 전류로부터 음극선 전류와 출력 전류간의 관계를 작성 하여 검토하였다. 반도체 소자의 최대 출력 전류를 측정할 때는 정밀전 류계만을 연결하여 측정하였다. I-V curve는 외부에서 인 가된 전압 변화에 따른 전류의 변화를 그린 것으로서 전압의 변화를 주기 위해서 정저항 방전 방법을 이용하 였다. 정저항 방전 방법은 부하 (저항)의 변화에 따른 전 류 및 전압을 측정하는 방법으로서 반도체 소자회로에 가변저항을 연결한 후 저항값을 변화시키면서 전류와 전압을 측정하여 I-V curve를 작성한다.
결과 및 논의
1. 음극선 전류 측정 음극선 전류는 spot size가 커짐에 따라 증가하다가 점 차 증가속도가 감소하여 일정한 값에 접근하는 S자 형 의 모양을 가지게 된다. 이는 spot size의 조정을 전자총 과 시료 사이에 aperture가 설치되어 있어 spot size가 커 져서 aperture에 제한을 받게 되면 더 이상 커지지 못하 기 때문이다. Fig. 4에는 베타선 모사에 필요한 전류영역 만 표시하였다. 하지만 실제 실험에서는 그림에 표시되 Fig. 3. Sample holder.100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 Flux (pA) AV1 kv AV2 kv AV3 kv AV4 kv AV5 kv AV6 kv AV7 kv AV8 kv AV9 kv AV10 kv AV11 kv AV12 kv AV13 kv AV14 kv AV15 kv AV16 kv 30 35 40 45 50 55 60 Spot size
지 않은 큰 spot size 영역에서 전류가 증가하다가 오히 려 감소하는 현상을 보였다. 이는 SEM의 tuning이 잘 되지 않은 결과로 생각된다. Fig. 5에는 동일한 spot size 에서 에너지가 증가함에 따른 전류의 변화를 나타내었 다. 에너지에 따라 전류가 달라지는 것은 역시 SEM의 tuning 문제라고 생각된다. 이와 같은 tuning 문제가 발생 하는 것은 음극선을 화상을 선명히 하기 위해 조절한 것이 아니라 원하는 출력을 위해 조정하는데서 일어난 것이라고 할 수 있다. 음극선 실험 및 다음 절에서 설명 할 반도체 소자 특성 실험에서 어려웠던 점은 필라멘트 의 수명이 짧다는 점이었다. 새 필라멘트로 교차해도 시 간이 지남에 따라 음극선의 특성이 점차 변하여 실험결 과에도 오차가 발생하였다. 2. 반도체 출력 전류 측정
Fig. 6과 Fig. 7은 음극선의 spot size를 변화시키면서 반도체 소자 시료에 조사하여 발생한 출력전류를 나타 낸 것이다. 음극선 전류와 유사하게 spot size의 증가에 따라 출력 전류가 증가하고 같은 spot size에서는 에너지 가 변함에 따라 중간 정도의 에너지에서 최대값을 가지 는 결과가 나왔다. 이 결과를 Fig. 4에 나타낸 spot size와 음극선 전류와의 관계를 조사한 결과와 결합하여 음극 선 전류와 출력 전류의 관계를 구해보니 Fig. 8에 나타 낸 바와 같이 음극선 전류와 출력 전류는 선형관계가 있다는 것이 밝혀졌다. 즉, 조사한 음극선의 양에 비례하 여 반도체 내에 전류가 발생하였다. 조사한 음극선 전류 에 대한 출력전류의 비율의 최대값은 16 keV에서 3,125 배로 약 1,000배의 증가를 보였다. 이는 음극선 전자의 에너지가 keV 수준이고 전지에서의 발생전압이 이론적 으로 약 1,000분의 일인 1 V 수준인 것을 고려하면 적절 한 결과라고 생각된다. 좀 더 정확한 분석은 I-V curve를 작성하여 분석해야 알 수 있다. 3. 베타선 스펙트럼의 모사 반도체의 특성을 조사하는 데 많이 사용되는 방법이 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0 Flux (pA) Spot size 45 Spot size 46 Spot size 47 Spot size 48 Spot size 49 Spot size 50 0 5 10 15 Energy (keV)
Fig. 5. Change of cathode ray current with energy.
70 60 50 40 30 20 10 0 Output current (nA) Spot size 45 Spot size 46 Spot size 47 Spot size 48 Spot size 49 Spot size 50 0 5 10 15 Energy (keV)
Fig. 7. Change of solar cell current with cathode ray energy.
200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 Output current (nA) AV1 kv AV2 kv AV3 kv AV4 kv AV5 kv AV6 kv AV7 kv AV8 kv AV9 kv AV10 kv AV11 kv AV12 kv AV13 kv AV14 kv AV15 kv AV16 kv 30 35 40 45 50 55 60 Spot size
I-V curve이다. 베타선에 대한 반도체의 특성을 조사하는 데 음극선을 베타선 대신 사용하는 것이므로 특성조사 에 사용할 음극선의 특성을 우선 결정해야 한다. 앞에서 언급한 바와 같이 고체선원의 두께는 너무 두꺼우면 베 타선의 자체흡수율이 높아 삼중수소의 활용도가 떨어져 서 안 되며 너무 얇으면 삼중수소의 절대량이 부족하여 충분한 출력이 나오지 않아 안 된다. 본 실험에서는 500 nm 두께의 티타늄 박막을 선택하여 베타선을 모사하기 로 하였다. 베타선을 모사하기 위한 음극선의 조건은 다 음과 같은 방법으로 구하였다.
- Kherani의 계산 결과 (Kherani and Shmayda 1992) 및
Fig. 1으로부터 이 두께에 해당하는 베타선 flux를 에 너지별로 구한다.
- 각 에너지에서의 음극선 전류와 spot size의 관계 (Fig.
4 또는 Fig. 5)로부터 위에서 구한 베타선 flux에 해당 하는 전류를 조사하는 spot size를 찾는다. 이를 위하여 Fig. 1의 티타늄 두께 500 nm에 해당하는 삼중수소 베타선의 스펙트럼을 Fig. 5와 중첩시켜 그 교 차점을 표시한 것이 Fig. 9이다. 다음 단계는 찾아낸 음극선 전류를 사용하여 반도체 에 조사하면서 I-V curve를 작성하는 것이다. 이것은 다 음과 같이 진행하면 된다. - 결정된 음극선 전압과 전류 (spot size)로 음극선을 반 도체 소자에 조사하면서 I-V curve를 그린다. - 각 에너지에서의 I-V curve가 작성되면 이들을 종합하 여 전체 spectrum에서의 I-V curve를 구한다.
이러한 방법으로 베타선의 에너지 분포를 고려한 I-V curve가 작성되어 음극선을 사용한 삼중수소 베타선의 모사가 완성된다고 할 수 있다. 그러나 Fig. 10에 나타나 있듯이 반도체에서 나오는 최대 출력전류의 값조차도 너무 작아 I-V curve를 작성하는 것이 불가능하였다. 특 히 낮은 에너지에서는 출력전류와 배경 전류와 구별이 가지 않을 정도였다. 이로써 태양전지용 반도체 소자는 삼중수소 마이크로전지에 사용하기에는 적절하지 않은 것을 알 수 있었다. 현재로서는 삼중수소 스펙트럼에 맞 추어 모사하는 것은 불가능하기 때문에 고정된 에너지 와 전류의 음극선으로 I-V curve를 작성하여보았다. 에너 지는 삼중수소 베타선의 평균 에너지인 5.7 keV에 가까 운 값인 7 keV로 선택하였다. 음극선 전류는 500 nm 티 타늄 박막의 경우라면 표면적 약 425 cm2에 해당하는
값인 97.8 nA를 선택하였다. 실험 결과인 Fig. 11의 I-V
curve를 보게 되면 전지의 출력이 수십 pW 수준으로서 매우 낮고 curve의 모양도 각이 지지 않아 좋지 않은 편이다. 하지만 이 결과는 앞에서 언급한 바와 같이 삼 중수소 베타선을 위해 설계된 반도체 소자가 아니라 가 시광선을 위해 설계된 태양전지용 반도체 소자를 사용 하였고 아직 초기 실험 결과라 실험에 미숙한 점도 있 어 앞으로 좀 더 향상된 결과를 볼 수 있으리라 기대된 다. 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0
Solar cell output current
(nA) AV1 kv AV2 kv AV3 kv AV4 kv AV5 kv AV6 kv AV7 kv AV8 kv AV9 kv AV10 kv AV11 kv AV12 kv AV13 kv AV14 kv AV15 kv AV16 kv 0 200 400 600 800 1000
Cathode ray Flux (pA)
Fig. 8. Change of semiconductor current with cathode ray current.
4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 Flux (pA) Tritium Spot size 32 Spot size 33 Spot size 34 Spot size 35 Spot size 36 Spot size 37 Spot size 38 Spot size 39 Spot size 40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 Energy (keV)
Fig. 9. Simulation of beta ray spectrum from 500 nm thick titan-ium tritide.
결
론
주사전자현미경의 음극선을 이용하여 고체선원 (삼중 수소화 티타늄)에서 방출되는 베타선을 모사하여 삼중 수소 마이크로전지에 사용할 반도체 소자의 특성 분석 을 하는 연구를 수행하였다. 본 실험은 예비 단계로서 주사전자현미경의 음극선원으로서의 사용가능성을 확인 하고 필요한 설비 및 장비를 갖추며 반도체의 특성을 측정할 수 있는지 확인하는데 중점을 두었다. 주사전자현미경은 전자총의 가속전압이 최대 30 kV로 서 삼중수소 베타선의 최대 에너지인 18.6 keV보다 약 간 커서 적절하고 또한 실험 전 시료의 조사영역을 눈 으로 확인할 수 있다는 장점이 있어 대체로 적절한 음 극선원 발생장치로 판단되었다. 다만 필라멘트의 수명이 100시간으로 실험량을 고려하면 비교적 짧은 문제점이 있었다. 필라멘트의 수명에 따라 음극선의 특성이 변하 기 때문에 동일한 실험조건을 갖추기 쉽지 않았다. 주사전자현미경을 음극선원으로 사용하기 위해서는 약간의 개조가 필요하였는데 개조에 큰 어려움은 없었 고 만족할만한 결과를 얻었다. 장치 개조를 자체적으로 하고 전류 및 전압을 정밀하게 측정하기 위한 측정기기 를 별도로 구매하는 것이 주사전자현미경 제작업체에서 제공하는 별도 장치(Electron Beam Induced Current, EBIC) 를 구매하는 것보다 가격이 저렴하고 우리 실험에 정확 히 맞추어 제작할 수 있어 유리하였다. 본 과제를 위한 반도체는 아직 완전히 준비되지 않아 태양전지에 사용되는 상용 반도체 소자를 사용하여 베 타선 모사 실험의 가능성을 점검하였다. 실험 결과 출력 전류가 너무 낮아 베타선을 에너지별로 나누어 모사하 는데 어려움이 있었으나 아직 전선의 연결이 제대로 되 지 않는 등 반도체 시료의 준비가 완벽하지 않은 상태 이기 때문에 좀 더 개선될 여지가 있다고 생각된다. 일 단은 단일 에너지의 음극선을 이용하여 I-V curve를 작 성하여 보았으나 전지의 출력과 특성은 그다지 좋은 편 은 아니었다. 현재까지 제작된 몇 종류의 반도체 소자를 이용하여 예비실험을 하였으나 반도체 특성이 상용 태양전지 반 도체 소자보다 매우 좋지 않았다.사
사
본 연구는 지식경제부에서 시행한 전력산업연구개발 사업의 지원에 의하여 수행되었습니다. 본 연구를 위해 자금을 지원한 지식경제부에 감사를 표합니다.참 고 문 헌
Kherani NP. 1994. Electron Flux and Energy Distribution at the Surface of Lithium Tritide, Doctoral Dissertation, Uni-versity of Waterloo.
Kherani NP and Shmayda WT. 1992. Electron flux at the sur-face of titanium tritide films, Fusion Technology 21:334-339. 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 Energy (keV)
Fig. 10. Semiconductor current produced by simulated beta ray spectrum.
Output current (nA)
100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 0.5 1 1.5 2 Voltage (mV)
Fig. 11. I-V curve of solar cell at 7 keV.
Kherani NP, Shmayda WT, Perz JM, McNeill KG and Zu-kotynski S. 1997. Electron emission at the surface of metal tritide films. Journal of Alloys and Compounds 253-254: 62-65.
Olsen LC. 1973. Batavoltaic energy conversion. Energy
Con-version 13:117-127.
Manuscript Received: June 25, 2008 Revision Accepted: August 26, 2008
